JPH04116883A - Ｅｍｉ対策用回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＥＭＩ対策用回路基板に関し、より詳しくは、
絶縁層の形成された紙・フェノール樹脂基板やガラス・
エポキシ樹脂基板などの回路基板上に、スクリーン印刷
等で導電性ペーストを塗布後、加熱硬化することにより
Ｎｔ性塗膜を形成し、回路基板上に構成された電子回路
からの不要な電磁波の輻射あるいは他の機器から放射さ
れた不要な電磁波を効果的に抑制できる信顛性、生産性
に優れたＥＭＩ（を磁波障害）対策用回路基板に関する
ものである。

〔従来の技術〕

従来、テレビ、ラジオ、パーソナルコンピューターや家
庭用テレビゲーム等において、回路の高周波部分等に絶
縁層を介して導電性ペーストを塗布し、加熱硬化して導
電層を形成することにより、不要なｔＭ１波を抑制する
ＥＭＩ対策用回路基板が提案されている（実公昭５５−
２９２７６号、特開昭６２−２１３１９２号、特開昭６
２−２９５４９８号、特開昭６３−１５４９８号、特開
平１−１７５２９２号各公報）０ 〔発明が解決しようとする課題〕 前述のＥＭＩ対策用回路基板（以後ＥＭＩ基板と略す）
のシールド電極層には導電性ペーストが用いられる。Ｓ
電性ペーストの中でも特に銅ペーストは、銀ペーストに
比べて、安価なこととマイグレーション（電圧印加時に
水分が存在すると銅がイオン化し、これが還元析出して
樹枝状に成長し回路をショートさせる現象）が起こりに
くいことから、銀ペーストに替わる新しい導体として注
目されている。しかるに、導電性ペーストを電磁波ノイ
ズ抑制（ＥＭ　Ｉ抑制）基板用の導体として用いた場合
には、極めて厳しい耐マイグレーション性が要求される
ため、現在の銅ペーストでは全く不完全で問題を残して
いる。

マイグレーションが生じれば、回路の誤動作につながる
重大事故となるため、この問題はＥ旧基板の普及を妨げ
る最大の不安材料となっている。現状ではもっばらエポ
キシ系の中間絶縁層及びオーバーコート層に特別な工夫
を施す方法で２、場をしのいではいるものの、銅ペース
ト自身での基本的解決が待たれている。上記欠点に対し
て、銅ペースト側からの検討例はほとんどないが、例え
ば耐マイグレーション性の改良については、銅金属中に
少量の亜鉛を添加する方法（特開昭６３−３１２９９７
号）等が提案されているが、依然として未解決のままで
ある。

さらに、現在の銅ペーストは硬化塗膜状態での密着性は
そこそこ良好であるが、一般に柔軟性を欠き、部品実装
時などに受ける機械的ショックに弱いという欠点を有し
ている。そこで銅ペーストの硬化条件を厳しく調整する
ことで硬化塗膜の可とう性を向上させている。二〇銅ペ
ースト塗膜の可とう性の改良についても直接的な改善事
例は少ないが、関連性の深い密着性を意識したバインダ
ーの改良例は多くみられる。

例えば、樹脂及びポリオールとポリエステル樹脂または
／およびアルキド樹脂を用いて金属や絶縁層との密着性
の改善を試みた例（特開昭６２２５３６７５号）や、メ
ラミン樹脂とアクリル樹脂との混合物を用いて金属との
密着性の改善を試みた例（特開昭６３−８３１７８号）
などがあるが、いずれの方法においても要求を十分に満
たすには至っていない。

また、現在のＢ旧基板は製造工程が多く、かつ製造に時
間がかかるため、生産性やコストの面で非常に問題にな
っている。これはＥＭＩ基板の絶縁層に硬化時間の長い
熱硬化性レジストインクを用いていることに起因する。

そこでより硬化時間の短い活性エネルギー線硬化型レジ
ストインクを絶縁層に用いることが検討されている。し
かしながら、従来のＥＭＩ基板ではその絶縁層に活性エ
ネルギー線硬化型レジストインクを用いた場合、種々の
不都合をｌｉしる０例えば、ＥＭＩ基板中のシールド層
の導電性が低下し、電磁波ノイズの抑制効果が減少する
、あるいは従来のεＭ１基板のシールド層に用いられる
銅ペーストが、絶縁層を形成した後のアースパターンと
密着不良を引き起こす。これは従来ＯＥＭＩ基板に用い
られる銅ペーストが厚い酸化銅被膜に密着しやすいこと
に起因する。活性エネルギー線硬化型レジストインクを
絶縁層として用いた場合、絶縁層が形成された後のアー
スパターン表面には酸化銅の厚い被膜が形成されない。

そのために銅ペーストがアースパターンと密着しないか
らだと考えられる。つまり、活性エネルギー線硬化型レ
ジストインクをＥＦＩＩ　Ｍ板の絶縁層として用いる場
合、銅ペーストは厚い酸化銅被膜の形成されていないア
ースパターン、即ち金属銅に密着する必要がある。

したがって、上記の理由により、活性エネルギー線硬化
型レジストインクを絶縁層に用いたＥＭＩ基板を製造す
ることは困難であり、前述のマイグレーションや可とう
性と同様にその改善が強く要望されている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らはかかる現状に鑑みて、信軌性が高く生産性
の高いＥＭＩ基板を提供するためにＥＭＩ基板の耐マイ
グレーション性、可とう性の改善および活性エネルギー
線硬化型レジストインクを絶縁層として使用可能なＥＭ
Ｉ基板について鋭意検討した結果、ＥＭＩ基板中のシー
ルド層に用いられる導電性ペーストに関して特定のポリ
ヒドロキシスチレン類あるいはそのハロゲン化物と熱硬
化性樹脂とをバインダー成分として用いて、導電性粉末
を配合すれば、金属表面の電気化学的活性度を低下させ
、かつ塗膜中の残留内部応力の低減等が可能で、更に酸
化銅被膜の形成されていない（即ち金属銅）アースパタ
ーン表面にも密着することが可能で、上記目的を達成で
きることを見出し、本発明を完成したものである。

即ち本発明は、基板、該基板の少なくとも一方主面上に
形成されかつアースパターンを含む回路パターンが形成
された導電層、該アースパターンの部分を除いて該基板
上に該導電層を覆うように形成された絶縁層、及び該絶
縁層の全部あるいは一部を覆うように形成され、かつ該
アースパターンに接続されたシールド電極層を備え、該
シールド電極層が下記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒ
ドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物と熱硬化性樹
脂を含有する導電性ペーストから形成されていることを
特徴とするＥＭＩ対策用回路基板を提供するものである
。

（式中、ｎは、ｎ≧３で、かつ有機高分子の数平均分子
量が５００〜１００万の範囲となる数、’１８１４／は
０〈■≦２．０≦！≦２の数、Ｙはハロゲン原子、ＲＩ
、、Ｒ２はＨ又は炭素数１〜５のアルキル基である。） 本発明ＯＥＭＩ基板は更にシールド電極層を覆うように
第２の絶縁層を形成することが好ましい。

本発明のＥＭＩ基板の好ましい実施態様について図１を
用いて説明する。なお、図１は本発明のＥＭＩ基板の一
例を示す断面図である。

ＥＭＩ基板は図１に示すように基板１、回路パターン２
やアースパターン３などの導電層、絶縁層７、シールド
電極層として導電性ペースト８、第２の絶縁層９で構成
され、必要に応じてスルホール５、表面実装用部品ラン
ド４が形成される。ＥＭＩ基板は片面、両面あるいは多
層基板のいずれでもよいが、図１は両面基板の例である
。

基板１はガラス・エポキシ樹脂、紙・フェノール樹脂、
ポリイミドフィルム等の合成樹脂基板やセラミックスの
ような絶縁材料からなる。

基板１上の導電層は回路パターン２、アースパターン３
、表面実装用部品ランド４等からなり、例えば銅箔をエ
ツチングして必要な回路を形成する。基板１には必要に
応じてスルホール５があけられる。両面基板では両面の
導電層（例えば回路パターン２同志）を接続する場合、
スルホール５の内壁にめっき層６を形成し、その両端が
対応するそれぞれの回路パターン２に接続される。また
、スルホール５が単に部品の挿入孔である場合はめっき
層６は不要である。

基板１上の導電層はアースパターン３、表面実装用部品
ランド４を除いて絶縁層７によって覆われる。この絶縁
層７は後の工程の半田の付着を防止し、後述の導電性ペ
ースト８との絶縁性を確保するために形成される。絶縁
層７は熱硬化性レジストインク、紫外線硬化型レジスト
インクや電子線硬化型レジストインク等の活性エネルギ
ー線硬化型レジストインクなどからなリ、単独または併
用して使われ、１層あるいは多層で形成される。

導電性ペースト８は絶縁層７の上を全面あるいは一部と
絶縁層７で覆われていないアースパターン３を覆う、こ
れによって導電性ペースト８はアースパターン３と接続
される。

本発明ＯＥＭＩ基板中のシールド電極層に用いられる導
電性ペースト８について具体的に述べると、導電性粉末
、有機バインダー、及び溶剤を含み、該有機バインダー
が前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレ
ン類又はそのハロゲン化物及び熱硬化性樹脂を含有する
導電性ペーストが用いられる。

本発明においてシールド電極層とは、本発明に用いられ
る導電性ペーストを加熱硬化させて得られるｌＸｌ０−
”Ω・１以下の比抵抗（体積固有抵抗）を有する硬化体
もしくは硬化塗膜を意味するものとする。

本発明ＯＥＭＩ基板に用いられる前記一般弐Ｎ）で表さ
れるポリ−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物
及び熱硬化性樹脂の種類と配合比とを調整することによ
って、それらの相乗効果を最大に引き出し、また両者を
配合することによって初めて、金属表面の活性度や硬化
塗膜状態での収縮力、残留内部応力を制御することが可
能で、これらの効果によって、シールド電極層の耐マイ
グレーション性や可とう性が高まり、ＥＭＩ基板として
の信頼性が確保される。

また、前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシス
チレン類又はそのハロゲン化物及び熱硬化性樹脂の相乗
効果によって、活性エネルギー線硬化型レジストインク
を用いた絶縁層形成後のアースパターン、即ち厚い酸化
銅被膜が形成されていないアースパターンにも導電性ペ
ーストが密着するようになり、活性エネルギー線硬化型
絶縁層の使用が可能となるため生産性に優れたＥＭＩ基
板の製造が達成できる。

本発明のＥＭＩ基板に用いられる有機バインダー成分の
一つポリ−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物
は前記一般式（Ｉ）で表されるが、一般式（Ｉ）におい
て、Ｌ　ｎ＋　／はそれぞれ整数とは規定せず、ある一
定の範囲の任意の数（実数）である。重合体を構成する
単量体について考えるならば、ＩＬ　ｎ＋　１は当然整
数である。しかしながら重合体はその性質において混合
物であり、そして重合体の性質はその混合物の性質とし
てとらえる方が、その個々の構成単位を問題にするより
も正しい、従って、本発明のＥＭＩ基板に用いられる有
機バインダーにおいて、前記一般式（Ｉ）は平均組成と
して表示しである。

前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
類としては、ヒドロキシスチレン、イソプロペニルフェ
ノール（ヒドロキシ−α−メチルスチレン）あるいはヒ
ドロキシ−α−エチルスチレン等のヒドロキシスチレン
類の単独重合体が挙げられる６重合単位のヒドロキシス
チレンあるいはイソプロペニルフェノールなどはオルソ
体、メタ体、パラ体あるいはこれらの混合物であっても
よいが、パラ体あるいはメタ体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
類又はそのハロゲン化物の水酸基の数（ｍ）は０〈−≦
２の範囲である。また、置換基Ｙとしては、ＣＩ、　Ｂ
ｒ、　ｌが挙げられ、その置換基の数（Ｉ）は０≦ｌ≦
２の範囲である。

前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
類又はそのハロゲン化物のＲ１、Ｒｚ、Ｒ３は、Ｈまた
は炭素数１〜５のアルキル基である。

本発明に用いられる導電性ペーストの有機バインダー成
分として用いることのできる前記−般式（Ｉ）で表され
るポリ−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物は
その数平均分子量（モ）が５００〜１００万の範囲にあ
ることが好ましく、５００〜１万の範囲にあることが更
に好ましい。この理由はポリ−ヒドロキシスチレン類又
はそのハロゲン化物の分子量が本発明のいくつかの効果
に大きな影響を与えるからである。

つまり、ポリ−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン
化物は、硬化塗膜中ではソフトセグメント−残留内部応
力の緩和作用部分−としての役割と、金属粉表面に緻密
な絶縁膜の形成あるいは前述の厚い酸化銅被膜が形成さ
れていないアースパターン（即ち金属銅表面）との密着
性を発揮する役割を担っており、１が５００未満では耐
マイグレーション性、塗膜の可とう性、金属銅に対する
密着性の改善が得られにくい、またもが１００万を越え
ると、ブチルカルピトール等の溶剤に対する溶解性およ
びペースト中に配合する熱硬化性樹脂との相溶性が低下
して問題となる。また、ｈにおいて５００〜１万が更に
好ましい理由として、陥が１万以下のポリヒドロキシス
チレン類又はそのハロゲン化物は主鎖が直鎖状であるが
、鮎が１万を超えると主鎖が分岐状になった成分が増え
て、これが金属表面への吸着性、保護膜としての緻密性
を低下させ、引いては耐マイグレーション性に悪影響を
与えているものと推測している。

ポリ−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物のほ
とんどは熱可塑性樹脂なので、熱硬化性樹脂を併用する
ことが好ましい。

本発明に用いられる導電性ペーストに有効に用いられる
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン樹脂
、不飽和または飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル・ポリオール樹脂、ア
クリル樹脂等の公知の熱硬化性樹脂を用いることが出来
る。特にレゾール型フェノール系樹脂、アミノ樹脂が好
ましい。アミノ樹脂の中でもアルキルエーテル化メラミ
ン樹脂が有効で、重量平均分子量が１０００〜２．５万
の範囲でかつアルキルエーテル化度が２０〜８０％の範
囲のものが好ましい。

上記のアミノ樹脂とポリ−ヒドロキシスチレン類又はそ
のハロゲン化物との硬化反応には公知の酸性触媒を用い
ると極めて有効で、本発明のＥ？＋１基板のシールド電
極層の耐久性やシールド電極層と接触する絶縁層および
アースパターンとの密着性に優れた導電性塗膜が形成さ
れる。

酸性触媒としては、塩酸、リン酸等の鉱酸の他、リノー
ル酸、オレイン酸等の有機脂肪酸、オレイン酸フェノー
ル、リノール酸フェノール等のアルキルフェノール類、
シュウ酸、酒石酸、パラトルエンスルホン酸またはその
アミン塩などの有機酸等、公知の酸が使用できる。

導電性ペーストに使用される前述の熱硬化性樹脂は単独
あるいは２種以上混合して使用してもよい。

本発明に用いられる導電性ペースト中のバインダー成分
の配合割合は、溶剤を除く全重量に対して５〜５０重量
％、好ましくは５〜４０重量％であり、５重量％未溝の
場合はバインダーの絶対量が不足して密着性が低下し、
さらに得られる導電性ペーストの流動性が悪くなり、印
刷性が低下すると共に加熱硬化時に導電性粉末が酸化さ
れやすくなり、ＥＭＩ基板の可とう性、シールド電極層
の導電性の低下をまねく。バインダーの量が５０重量％
を超えるときは逆に導電性粉末の絶対量が不足し、ＥＭ
Ｉ基板として必要な導電性が得られない。

前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
類又はそのハロゲン化物（Ａ）と熱硬化性樹脂（Ｂ）と
の配合重量比（Ａ／Ｂ）は５／９５〜９５１５の範囲が
適当であり、好ましくは１０／９０〜７０／３０の範囲
である。

本発明に用いられる導電性ペースト中の導電性粉末とし
ては、銅粉末、銀粉末、ニッケル粉末、アルミニウム粉
末等の金属粉末、及び表面に上記金属の被覆層を有する
粉末が挙げられるが、特に銅粉末が好ましい。ａ１電性
粉末の形態は樹脂状、フレーク状、球状、不定形のいず
れの形態であってもよいが、好ましくは、電解により生
成した樹脂状の電解銅粉、あるいは球状粉である。平均
粒子径は３０ｎ以下であることが好ましく、高密度、条
播触点充填の点から１〜１０、ｍの樹脂状粉がより好ま
しい。

本発明に用いられる導電性ペースト中の導電性粉末の配
合量は、溶剤を除く全重量に対して５０重量％以上９０
重量％未溝の範囲が好ましく、さらに好ましくは６０〜
８８重量％、特に好ましくは７５〜８８重量％である。

配合量が５０重量％未満ではＥＭＩ基板に関して十分な
導電性が得られず、逆に９０重量％以上では導電性粉末
が十分バインドされず、得られる塗膜ももろくなり、Ｅ
ＭＩ基板の可とう性、耐マイグレーション性、シールド
電極層とアースパターンや絶縁層との密着性が低下する
。

本発明に用いられる導電性ペーストには、導電性粉末の
酸化防止または分散性付与あるいは硬化触媒を目的とし
て、飽和あるいは不飽和脂肪酸またはその金属塩や高級
脂肪族アミンの中から選ばれる１種または２種以上の添
加剤を用いてもよい。好ましい飽和脂肪酸としては、例
えばパルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸などが挙
げられ、好ましい不飽和脂肪酸としては、例えばオレイ
ン酸、リノール酸などが挙げられる。それらの金属塩と
しては、例えばナトリウム塩、カリウム塩などが挙げら
れる。また、不飽和脂肪酸を６０％以上含有するような
、例えば大豆油、ゴマ油、オリーブ油、サフラワー油な
どの植物油を用いることも可能である。

上記の如き飽和あるいは不飽和脂肪酸またはその金属塩
の添加量は導電性粉末１００重量部に対して添加剤の総
和が０．１〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは
０．５〜１０重量部である。

０．１重量部未満の場合は添加効果がほとんど現れず、
２０重量部を超える場合は添加量に見合う分散性の向上
が得られないばかりでなく、逆に得られる塗膜の導電性
やその耐久性が低下してしまう。

また、本発明に用いられる導電性ペースト中の高級脂肪
族アミンはアミノ基を有する有機化合物であれば何でも
使用可能であり、他の置換基をもっていてもよい。例え
ば、α−オレフィンから導かれるヒドロキシル基をもっ
たアミンであってもよい。しかし、導電性粉末と共に用
いることの必要性から、例えば溶剤に溶けない固体のも
のなどは使用できない。好ましいものは炭素数８〜２２
の高級脂肪族アミンである。かかる高級アミンとしては
、ステアリルアミン、バルミチルアミン、ベヘニルアミ
ンのような飽和モノアミン、オレイルアミンのような不
飽和モノアミン、ステアリルプロピレンジアミン、オレ
イルプロピレンジアミンのようなジアミン等が挙げられ
る。

前記高級脂肪族アミンは、導電性粉末１００重量部に対
してその総和が０．１〜１０重量部の割合で用いられる
のが好ましい。

本発明に用いられる導電性ペーストには、導電性粉末の
酸化防止のため、必要に応じて公知の還元剤またはキレ
ート剤を１種または２１１以上用いることができる。好
ましい還元剤としては、例えば亜リン酸、次亜リン酸等
の無機系還元剤、およびヒドロキノン、カテコール類、
アスコルビン酸類、ヒドラジン化合物、ホルマリン、水
素化ホウ素化合物、還元糖類、エチレンジアミン４酢酸
などのアミノポリカルボン酸類、オルトアミノフェノー
ルなどのアミノフェノール類等が挙げられる。

本発明に用いられる導電性ペーストにおいて還元剤また
はキレート剤を用いる場合は、導電性粉末１００重量部
に対して０．１〜２０重量部が好ましく、さらに好まし
くは０．５〜１０重量部である。

本発明に用いられる導電性ペーストを製造するには、例
えば、まず前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキ
シスチレン類又はそのハロゲン化物を溶剤に溶して、次
いで熱硬化性樹脂と導電性粉末とを加え、これをデイス
パーやボールミルや三本ロール等により十分均一に混練
してＳ電性ペーストを調製する。

ここで用いることのできる溶剤としては、アルコール類
、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブ
チルカルピトール等のエチレン系もしくはプロピレン系
のグリコールエーテル類、アジピン酸ジメチル等の２塩
基酸ジエステル類などの公知の溶剤が使用できる。また
これらを混合して用いることもできる。

図１に示すように、本発明に用いられるＮ＃導電性ペー
ストは、塗布またはスクリーン印刷によってアースパタ
ーン３に接続するように絶縁層７上の全面あるいは一部
にコートされ、これを加熱あるいは活性エネルギー線等
により硬化させることによって、有効なシールド電極層
を有したＥ旧基板を作製することができる。こＯＥＭＩ
基板は静電シールドとしても有効に活用することができ
る。

さらにシールド電極層すなわち導電性ペースト８を覆っ
て第２の絶縁層９が形成される。絶縁層９は熱硬化性レ
ジストインク、紫外線硬化型レジストインクや電子線硬
化型レジストインク等の活性エネルギー線硬化型レジス
トインクなどからなり、単独または併用して使われ、１
層あるいは多層で形成され、後の工程の半田の付着を防
止する。

不要な電磁波を抑制する本発明のＥＭＴ基板の作用につ
いて説明する。

従来の回路基板はシールド電極層、即ち導電性ペースト
８がなく、回路パターン２の隣接するパターン間で浮遊
容量ないしは分布容量が形成される。本発明のＥＭＩ基
板では回路パターン２の隣接するパターン間よりもさら
に接近してシールド電極層（導電性ペースト８）が存在
するために回路パターン２とシールド電極層の間で分布
容量が形成されている。したがって、回路パターン２に
誘導された不要周波数成分のエネルギーは、形成された
分布容量を介して導電性ペースト８に流れる。導電性ペ
ースト８は導電層のアースパターン３に接続されて高周
波的にアースされているため、前述の導電性ペースト８
に流れ込んだ不要周波数成分のエネルギーはアースパタ
ーン３に流れることになる。したがって、不要周波数成
分のエネルギーは回路パターン２に蓄積されることがな
い。また、前述のように回路基板それ自体において不要
な周波数成分のエネルギーが除去されるため、それにケ
ーブル等を接続しても、そのケーブルを通して不要な電
磁波の輻射が生じることがない。

〔実施例〕

以下、実施例および比較例に基づいて本発明の詳細な説
明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもの
ではない。実施例および比較例において「部」とは「重
量部」を意味する。

実施例１ 図１に示すようなプリント配線基板を作製した。

即ち、基板１として銅張り積層板を用い、まずスルホー
ル５をあけて、スルホール５の内壁に無電解めっきもし
くは電解めっきを施しめっき層６を形成した。その後、
エツチングにより必要なプリント配線回路（回路パター
ン２、アースパターン３、表面実装用部品ランド４）を
基板１上に形成した。

次に、回路パターン２を覆うようにスクリーン印刷によ
り紫外線硬化型レジストインクを塗布し、１５００ｍＪ
／ｃｄの条件で硬化し、更に同様の操作を２回行い膜厚
が約５０−の絶縁層７を形成した。この絶縁層７とアー
スパターン３を覆うようにスクリーン印刷により銅ペー
スト（表１に組成を示す）を塗布し、１６０　”ＣＸ３
０ｗ１ｎの条件で硬化させ、膜厚が約２０−の導電性ペ
ースト層８を形成した。さらに、導電性ペースト層８を
覆うようにスクリーン印刷により紫外線硬化型レジスト
インクを塗布し、１５００ｍＪ／ｃｍの条件で硬化させ
、膜厚が約１５４の第２の絶縁層９を形成した。

実施例２ 実施例１の絶縁層に用いた紫外線硬化型レジストインク
の代わりに熱硬化性レジストインクを用い、このインク
を１４０　’ＣＸ２０ｓｉｎで硬化させ、３コート３ベ
ークして絶縁層７及び９を形成した。また、導電性ペー
スト８を塗布する前にａＬｉ性ペースト８と接触するプ
リント配線回路（例えばアースパターン３）部分を酸等
でエツチングし、回路表面の酸化銅層を除去する。

なお、実施例２における銅ペーストの組成は表１に示す
。

比較例１ 表１に示す組成の銅ペーストを用い、実施例１と同様に
してプリント配線板を作製した。

試験例 実施例１〜２及び比較例１で得られたＥＭＩ基板の信較
性を評価するために、下記に示す方法により耐マイグレ
ーション性、密着性、及び電磁波抑制効果（輻射レベル
）を測定した。

〈耐マイグレーション性〉 試験■ ６０℃、９５％相対湿度の条件下で実施例および比較例
のそれぞれにおいて、一部の回路パターン２と導電性ペ
ースト層８の間で直流電圧５０　Ｖを印加し、絶縁抵抗
を測定し、絶縁抵抗が１０１１Ωに達するまでの時間Ｔ
を比較例１のＴｏと比較して、以下の基準で評価した。

結果を表１に示す。

Ａ：　　Ｔ／Ｔ、＞２ Ｂ　：　１．５　＜Ｔ／Ｔ０≦２ Ｃ：　１　＜Ｔ／Ｔ、≦１．５ Ｄ　：　　Ｔ／Ｔｏ≦１ 試験■ 不飽和型プレッシャーク・ツカ−装置を用いて、１２１
°Ｃ１９５％相対湿度、２　ｋｇ／ｄの条件下で実施例
および比較例のそれぞれにおいて、一部の回路パターン
２と導電性ペースト層８の間で直流電圧５０Ｖを印加し
、絶縁抵抗を測定し、絶縁抵抗が１０８Ωに達するまで
の時間Ｔを比較例１の１０と比較して、以下の基準で評
価した。結果を表１に示す。

Ａ：　　Ｔ／Ｔｏ＞２ Ｂ　：　１．５　＜Ｔ／Ｔｏ≦２ Ｃ：　ｌ　＜Ｔ／Ｔ、≦１．５ Ｄ　：　　Ｔ／Ｔｏ≦１ 〈密着性〉 密着性は基盤目テープはく離試験を用いた。

実施例及び比較例のプリント配線板におし）て、導電性
ペースト８とアースパターン３とが密着している部分の
塗膜について評価を行った。

基盤目試験とは、導電性ペースト８の硬化塗膜に１ｍの
間隔でタテ、ヨコ１１本ずつのアースパターン３に達す
る線を引き、１００個の基盤目を作る。その上に七ロノ
１ンテープを張り付け、真上の方向に一気に引きはがす
方法である。そして、基盤目の残った個数／１００によ
って、下記基準でその密着性を評価した。

結果を表１に示す。

丘ｌ基！ ○：１００／１００　　（はく離なし）Ｘ　：　１００
／１００未満 ＜１！磁波抑制効果（輻射レベル）〉 実施例及び比較例のプリント配線基板に所定の部品を実
装し、電磁波ノイズ測定用基板（イ）を作製する。また
、実施例及び比較例の導電性ペースト層８および絶縁層
９を印刷していない基板（即ちシールド電極層をもたな
い基板）に前述と同様に所定の部品を実装し電磁波ノイ
ズ測定用基板（ロ）を作製する。

電磁波抑制効果の測定は、ＶＣＣＩ、ｓＩｌ法の技術基
準に基づいて行った。具体的には、オープンサイトにお
いて、アンテナを垂直及び水平に固定し、３０〜１００
１００Ｏの周波数帯域について垂直偏波および水平偏波
の放射ノイズ強度を測定する。

前述の基板（イ）、（ロ）の回路を作動させて前記測定
法に基づいて測定を行い、その結果（水平偏波）を図２
に示す。図２より、（イ）の電界強度の強い周波数（６
５ＭＨｚおよび１１５　ＭＨｚ）を選び、その時の（イ
）と（ロ）の電界強度の差を電磁波抑制効果（ΔＥ）と
して表２に示した。

さらに、実施例及び比較例の基板（イ）を耐湿試験（６
０°Ｃ１９５％相対湿度、２０００時間）にかけ、試験
終了後に放射ノズル強度を測定した。

そして、６５ＰＩＨ２および１１５ＭＨｚの周波数にお
ける電界強度と前述の基板（ロ）の電界強度とを比較し
、その差を電磁波抑制効果（ΔＥ’）として表２に示し
た。なお、耐湿試験前後において、電界強度の差の変化
は少ない方が良い。

上記耐湿試験前後の電磁波抑制効果から本発明ＯＥＭＩ
基板の信頼性を評価した。

表　　　　１ １１２下記式で表されるポリ−ヒドロキシスチレンのハ
ロゲン化物（数平均分子量３０００　）注） ｍｌ下記式で表されるポリ−ヒドロキシスチレン（数平
均分子量１３００） ＊３０−ブチル化メラミン樹脂二重量平均分子量１万、
ブチルエーテル化度６註 Ｌ２２１１ ”５　ｐｔｅｒｔ−ブチルフェノール樹脂二重合皮５０
以下 表２ 耐湿試験前後の電磁波抑制効果 （水平偏波の場合） 注） ネ１ΔＥ　：耐湿試験前の（イ）−（口）＊２ΔＥ”：
耐湿試験後の（イ）−（口）〔発明の効果〕 本発明ＯＥＭＩ基板は上記のようにシールド電極層とし
て特定の化学構造を有するポリ−ヒドロキシスチレン類
又はそのハロゲン化物と熱硬化性樹脂とをバインダー成
分として含む導電性ペーストを用いたところに大きな特
徴を有している。

表１より、Ｓ電性ペーストにポリ−ヒドロキシスチレン
類又はそのハロゲン化物を用いたＥＭＩ基板（実施例１
及び２）は、耐マイグレーション性に優れ、かつＥＭＩ
基板の絶縁層に熱硬化性または活性エネルギー線硬化型
レジストインクのいずれのレジストインクを用いても優
れた密着性を示す。これらのことから、ＥＭＩ基板の耐
マイグレーション性が大幅に改良され、かつ活性エネル
ギー線硬化型レジストインクを用いたＥＭＩ基板の作製
が可能になる。

したがって、例えば本発明ＯＥＭＩ基板に前述のポリ−
ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物を含む導電
性ペーストを用いれば、従来のＥＭＩ基板の大きな欠点
とされていた信頼性、生産性の大幅な改善を測ることが
可能である。

また図２及び表２より、本発明ＯＥＭＩ基板は、シール
ド電極層を持たない従来のプリント配線板と比較して優
れた電磁波抑制効果を示すことが分かる。さらに表２よ
り、シールド電極層（導電性ペースト層）に前述のポリ
−ヒドロキシスチレン類又はそのハロゲン化物を用いた
本発明のＥ別基板は、耐湿試験後も電磁波抑制効果を維
持しており、このことから本発明のＥＭＩ基板は信頼性
にたいへん優れていることが分かる。

以上から、本発明のＥ？ＩＩ基板を用いれば耐マイグレ
ーション性等の信頼性が高（、かつ生産性の高いＥＭＩ
基板を捉供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明のＥＦ’ｌｌ基板の一例を示す断面図、図
２はシールド電極層を持たない従来基板（イ）とシール
ド電極層を含むＥＭＩ基板（ロ）のｔ磁波抑制効果（輻
射レベル）を示す図である。 に基板 ２：回路パターン ３：アースパターン ４：表面実装用部品ランド ５：スルホール ６：スルホール内壁のめっき層 ７：絶縁層 ８：導電性ペースト（シールドｉｆ　極Ｎ　）９：絶縁
層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．基板、該基板の少なくとも一方主面上に形成されか
   つアースパターンを含む回路パターンが形成された導電
   層、該アースパターンの部分を除いて該基板上に該導電
   層を覆うように形成された絶縁層、及び該絶縁層の全部
   あるいは一部を覆うように形成され、かつ該アースパタ
   ーンに接続されたシールド電極層を備え、該シールド電
   極層が下記一般式（ I ）で表されるポリ−ヒドロキシ
   スチレン類又はそのハロゲン化物と熱硬化性樹脂を含有
   する導電性ペーストから形成されていることを特徴とす
   るＥＭＩ対策用回路基板。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、ｎは、ｎ≧３で、かつ有機高分子の数平均分子
   量が５００〜１００万の範囲となる数、ｍ，ｌは０＜ｍ
   ≦２，０≦ｌ≦２の数、Ｙはハロゲン原子、Ｒ＾１〜Ｒ
   ＾３はＨ又は炭素数１〜５のアルキル基である．）
2. ２．請求項１記載の回路基板上に、シールド電極層を覆
   うように第２の絶縁層を形成した請求項１記載のＥＭＩ
   対策用回路基板。
3. ３．導電性ペーストが銅ペーストである請求項１又は２
   記載のＥＭＩ対策用回路基板。