JPH04116884A - Ｅｍｉ対策用回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＥＭＩ対策用回路基板に関し、より詳しくは、
絶縁層の形成された紙・フェノール樹脂基板やガラス・
エポキシ樹脂基板などの回路基板上に、スクリーン印刷
等で導電性ペーストを塗布後、加熱硬化することにより
導電性塗膜を形成し、回路基板上に構成された電子回路
からの不要な電磁波の輻射あるいは他の機器から放射さ
れた不要な電磁波を効果的に抑制できる信頬性、生産性
に優れたＥＭＩ　（を磁波障害）対策用回路基板に関す
るものである。

〔従来の技術〕

従来、テレビ、ラジオ、パーソナルコンピューターや家
庭用テレビゲーム等において、回路の高周波部分等に絶
縁層を介して導電性ペーストを塗布し、加熱硬化して導
電層を形成することにより、不要な電磁波を抑制するＥ
旧対策用回路基板が提案されている（実公昭５５−２９
２７６号、特開昭６２−２１３１９２号、特開昭６２−
２９５４９８号、特開昭６３−１５４９８号、特開平１
−１７５２９２号各公報）０ 〔発明が解決しようとする課題〕 前述のＥＭＩ対策用回路基板（以後ＥＭＩ基板と略す）
のシールド電極層には導電性ペーストが用いられる。導
電性ペーストの中でも特に銅ベーストは、銀ペーストに
比べて、安価なこととマイグレーション（ｉｉ圧圧印待
時水分が存在すると銅がイオン化し、これが還元析出し
て樹枝状に成長し回路をショートさせる現象）が起こり
にくいことから、銀ペーストに替わる新しい導体として
注目されている。しかるに、導電性ペーストを電磁波ノ
イズ抑制（ＥＭＩ抑制）基板用の導体として用いた場合
には、極めて厳しい耐マイグレーション性が要求される
ため、現在の銅ペーストでは全く不完全で問題を残して
いる。

マイグレーションが生じれば、回路の誤動作につながる
重大事故となるため、この問題はＥＭＩ基板の普及を妨
げる最大の不安材料となっている。現状ではもっばらエ
ポキシ系の中間絶縁層及びオーバーコート層に特別な工
夫を施す方法で急場をしのいではいるものの、銅ペース
ト自身での基本的解決が待たれている。上記欠点に対し
て、銅ペースト側からの検討例はほとんどないが、例え
ば耐マイグレーション性の改良については、銅金属中に
少量の亜鉛を添加する方法（特開昭６３−３１２９９７
号）等が提案されているが、依然として未解決のままで
ある。

さらに、現在の銅ペーストは硬化塗膜状態での密着性は
そこそこ良好であるが、一般に柔軟性を欠き、部品実装
時などに受ける機械的ショックに弱いという欠点を有し
ている。そこで銅ペーストの硬化条件を厳しく調整する
ことで硬化塗膜の可とう性を向上させている。この銅ペ
ースト塗膜の可とう性の改良についても直接的な改善事
例は少ないが、関連性の深い密着性を意識したバインダ
ーの改良例は多くみられる。

例えば、樹脂及びポリオールとポリエステル樹脂または
／およびアルキド樹脂を用いて金属や絶縁層との密着性
の改善を試みた例（特開昭６２２５３６７５号）や、メ
ラミン樹脂とアクリル樹脂との混合物を用いて金属との
密着性の改善を試みた例（特開昭６３−８３１７８号）
などがあるが、いずれの方法においても要求を十分に満
たすには至っていない。

また、現在ＯＥＭＩ基板は製造工程が多く、かつ製造に
時間がかかるため、生産性やコストの面で非常に問題に
なっている。これはＥＭＩ基板の絶縁層に硬化時間の長
い熱硬化性レジストインクを用いていることに起因する
。そこでより硬化時間の短い活性エネルギー線硬化型レ
ジストインクを絶縁層に用いることが検討されている。

しかしながら、従来のＥＭＩ基板ではその絶縁層に活性
エネルギー線硬化型レジストインクを用いた場合、種々
の不都合を生じる０例えば、ＥＭＩ基板中のシールド層
の導電性が低下し、電磁波ノイズの抑制効果が減少する
、あるいは従来のＥＭＩ基板のシールド層に用いられる
銅ペーストが、絶縁層を形成した後のアースパターンと
密着不良を引き起こす。これは従来ＯＥＭＩ基板に用い
られる銅ペーストが厚い酸化銅被膜に密着しやすいこと
に起因する。活性エネルギー線硬化型レジストインクを
絶縁層として用いた場合、絶縁層が形成された後のアー
スパターン表面には酸化銅の厚い被膜が形成されない、
そのために銅ペーストがアースパターンと密着しないか
らだと考えられる。つまり、活性エネルギー線硬化型レ
ジストインクをＥＭＩ基板の絶縁層として用いる場合、
銅ペーストは厚い酸化銅被膜の形成されていないアース
パターン、即ち金属銅に密着する必要がある。

したがって、上記の理由により、活性エネルギー線硬化
型レジストインクを絶縁層に用いたＥ旧基板を製造する
ことは困難であり、前述のマイグレーションや可とう性
と同様にその改善が強く要望されている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者らはかかる現状に鑑みて、信顧性が高く生産性
の高いＥＭＩ基板を提供するためにＥＭＩ基板の耐マイ
グレーション性、可とう性の改善および活性エネルギー
線硬化型レジストインクを絶縁層として使用可能なＥＭ
Ｉ基板について鋭意検討した結果、Ｅ旧基板中のシール
ド層に用いられる導電性ペーストに関してポリ−ヒドロ
キシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロキシスチレン系共
重合体及び／又はその誘導体と、熱硬化性樹脂とをバイ
ンダー成分として用いて、導電性粉末を配合すれば、金
属表面の電気化学的活性度を低下させ、かつ塗膜中の残
留内部応力の低減等が可能で、更に酸化銅被膜の形成さ
れていない（即ち金属銅）アースパターン表面にも密着
することが可能で、上記目的を達成できることを見出し
、本発明を完成したものである。

即ち本発明は、基板、該基板の少なくとも一方主面上に
形成されかつアースパターンを含む回路パターンが形成
された導電層、該アースパターンの部分を除いて該基板
上に該導電層を覆うように形成された絶縁層、及び該絶
縁層の全部あるいは一部を覆うように形成され、かつ該
アースパターンに接続されたシールド電極層を備え、該
シールド電極層がポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又は
ポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘
導体と、熱硬化性樹脂とを含有する導電性ペーストから
形成されていることを特徴とするＥＭＩ対策用回路基板
を提供するものである。

本発明のＥＭＩ基板は更にシールド電極層を覆うように
第２の絶縁層を形成することが好ましい。

本発明のＥＭＩ基板の好ましい実施態様について図１を
用いて説明する。なお、図１は本発明ＯＥＭＩ基板の一
例を示す断面図である。

ＥＭＩ基板は図１に示すように基板１、回路パターン２
やアースパターン３などの導電層、絶縁層７、シールド
電極層として導電性ペースト８、第２の絶縁層９で構成
され、必要に応じてスルホール５、表面実装用部品ラン
ド４が形成される。ＥＭＩ基板は片面、両面あるいは多
層基板のいずれでもよいが、図１は両面基板の例である
。

基板ｌはガラス・エポキシ樹脂、紙・フェノール樹脂、
ポリイミドフィルム等の合成樹脂基板やセラミックスの
ような絶縁材料からなる。

基板１上の導電層は回路パターン２、アースパターン３
、表面実装用部品ランド４等からなり、例えば銅箔をエ
ツチングして必要な回路を形成する。基板ｌには必要に
応じてスルホール５があけられる０両面基板では両面の
導電層（例えば回路パターン２同志）を接続する場合、
スルホール５の内壁にめっき層６を形成し、その両端が
対応するそれぞれの回路パターン２に接続される。また
、スルホール５が単に部品の挿入孔である場合はめっき
層６は不要である。

基板１上の導電層はアースパターン３、表面実装用部品
ランド４を除いて絶縁層７によって覆われる。この絶縁
層７は後の工程の半田の付着を防止し、後述の１導電性
ペースト８との絶縁性を確保するために形成される。絶
縁層７は熱硬化性レジストインク、紫外線硬化型レジス
トインクや電子線硬化型レジストインク等の活性エネル
ギー線硬化型レジストインクなどからなり、単独または
併用して使われ、１層あるいは多層で形成される。

導電性ペースト８は絶縁層７の上を全面あるいは一部と
絶縁層７で覆われていないアースパターン３を覆う。こ
れによって導電性ペースト８はアースパターン３と接続
される。

本発明のＥＭＩ基板中のシールド電極層に用いられる導
電性ペースト８について具体的に述べると、導電性粉末
、有機バインダー、及び溶剤を含み、該有機バインダー
がポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロキ
シスチレン系共重合体及び／又はその誘導体と、熱硬化
性樹脂とを含有する導電性ペーストが用いられる。

本発明において、ポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又は
ポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘
導体としては、特に例えば下記一般式（Ｉ）で表される
ボリーヒドロキシスチレン誘導体、又は下記一般式（Ｉ
Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及
び／又はその誘導体が有効に用いられる。

−ＣＲ’Ｒ’ＯＲ” Ｒ’　　　（ＯＲ″）ｒ −Ｃ−０−Ｐ　　　（＝Ｗ）Ｑ Ｒ’　　　（Ｒ”）ｚ−、。

〔式中；　ｎはｎ≧３．で、一般式（Ｉ）の有機高分子
の重量平均分子量が２００万になるまでの任意の数、 ；に＋　Ｐ＋　１１は、０≦に≦２．０≦ｐ≦２．１≦
Ｕ≦２の数、ただしに＋ｐ＋ｕ＞１ 、Ｒ１−Ｒ３はＨ又は炭素数１〜５のアルキル基、；Ｙ
、Ｚは同種又は異種であり、かつ ５０５Ｍ、　　ＣＳＯ３Ｍ　、　　ＯＣＨ３゜Ｒｓ　（
Ｒ”）ｚ−、Ｒ５Ｒ１５ Ｒ４Ｒ４Ｒａ 又は炭素数１〜１８のアルキルもしくはアリール基から
選ばれるものである。

（但し、式中 ；ｈはＨ，アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアミン
類などの有機カチオン 、Ｙ４はハロゲン ；Ｙ２−〜Ｙ３−はハロゲンイオン、有ｌ！酸アニオン
、無機酸アニオンなどの対イオン ；−はＳまたは０ 、Ｒ４−Ｒａは同種または異種であって直鎖または分岐
鎖アルキル基あるいはヒドロキシアルキル基等のアルキ
ル誘導体基または芳香族基またはＨｌさらにＲ４とＲ７
はＮ基とで環を形成していてもかまわない。

、Ｒ９〜ＲＩＳは同種または異種であって、直鎖または
分岐鎖アルキル基、あるいはヒドロキシアルキル基等の
アルキル誘導体基、芳香族基、またはＨ ；Ｑ＋ｓはＯ又は１ ；ｔはｌ ；ｒは０．１又は２を示す）〕 ；　Ｙ、Ｚは同種又は異種であり、かつＲ’　　　（Ｏ
Ｒ９）。

〔式中；ｍ＞Ｏ，ｎ≧３で、それぞれ一般式（Ｉｔ）の
有機高分子の重量平均分子量が２００万になるまでの任
意の数、 ＋に＋Ｐ＋ＬＩは、Ｏ≦に≦２．０≦ｐ≦２．１≦υ≦
２の数、ただしに＋ｐ＋ｕ＞０ 、Ｒ１−Ｒ３はＨ又は炭素数１〜５のアルキル基、；Ｘ
は重合性のビニル系単量体、 又は炭素数１〜１８のアルキルもしくはアリール基から
選ばれるものである。

（但し、式中 ；ガはＨ，アルカリ金属、アルカリ土類金属又はアミン
類などの有機カチオン ；Ｙ’＋Ｙ’はハロゲン ；Ｙ２−〜Ｙ３−はハロゲイオン、有機酸アニオン。

無機酸アニオンなどの対イオン ；−はＳまたは０ ．１１７４〜Ｒ１１は同種または異種であって直鎖また
は分岐鎖アルキル基あるいはヒドロキシアルキル基等の
アルキル誘導体基または芳香族基またはＨｌさらにＲ４
とＲ７はＮ基とで環を形成していて、もかまわない。

、Ｒ９〜ＲＩＳは同種または異種であって、直鎖または
分岐鎖アルキル基、あるいはヒドロキシアルキル基等の
アルキル誘導体基、芳香族基、またはＨ ；ｑ＋ｓ＋ｊは０又は１ ；ｒは０．１又は２を示す）〕 本発明においてシールド電極層とは、本発明に用いられ
る導電性ペーストを加熱硬化させて得られるｌＸｌ０−
”Ω・１以下の比抵抗（体積固有抵抗）を有する硬化体
もしくは硬化塗膜を意味するものとする。

本発明のＥＭＩ基板に用いられる上記ポリ−ヒドロキシ
スチレン誘導体又はポリ−ヒドロキシスチレン系共重合
体及び／又はその誘導体と熱硬化性樹脂の種類と配合比
とを調整することによって、それらの相乗効果を最大に
引き出し、また両者を配合することによって初めて、金
属表面の活性度や硬化塗膜状態での収縮力、残留内部応
力を制御することが可能で、これらの効果によって、シ
ールド電極層の耐マイグレーション性や可とう性が高ま
り、ＥＭＩ基板としての信顧性が確保される。

また、上記ポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−
ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘導体と
熱硬化性樹脂の相乗効果によって、活性エネルギー線硬
化型レジストインクを用いた絶縁層形成後のアースパタ
ーン、即ち厚い酸化銅被膜が形成されていないアースパ
ターンにも導電性ペーストが密着するようになり、活性
エネルギー線硬化型絶縁層の使用が可能となるため生産
性に優れたＥＭＩ基板の製造が達成できる。

本発明のＥＭＩ基板に用いられる有機バインダー成分の
一つポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロ
キシスチレン系共重合体及び／又はその誘導体としては
前記一般式（１）、（旧で表されるものが挙げられるが
、一般式％式％ れぞれ整数とは規定せず、ある一定の範囲の任意の数（
実数）である０重合体を構成する単量体について考える
ならば、ｋ＋　ｌｌＩ＋　ｎ＋　ｐ＋　ｕは当然整数で
ある。しかしながら重合体はその性質において混合物で
あり、そして重合体の性質はその混合物の性質としてと
らえる方が、その個々の構成単位を問題にするよりも正
しい、従って、本発明のＥＭＩ基板に用いられる有機バ
インダーにおいて、前記一般式（Ｉ）、（ｎ）は平均組
成として表示しである。

上記一般式（１）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
誘導体は、一般式（１）においてＹまたはＺで表される
ような置換基を有するところの、ヒドロキシスチレン、
イソプロペニルフェノール（ヒドロキシ−α−メチルス
チレン）あるいはヒドロキシ−α−エチルスチレン等の
ヒドロキシスチレン誘導体の単独重合体であり得る０重
合型位のヒドロキシスチレンあるいはイソプロペニルフ
ェノールなどはオルソ体、メタ体、パラ体あるいはこれ
らの混合物であってもよいが、パラ体あるいはメタ体が
好ましい。

またヒドロキシスチレン単位の置換基 ４−３Ｏ２または−Ｃ−ＳＯ３Ｍにおける阿のアルカリ
土類金 属またはアルカリ土類金属としてはＬｉ、　Ｎａ、　Ｋ
。

Ｍｇ、　Ｃａ、　Ｓｒ＋　Ｂａ等が適当である。

またヒドロキシスチレン単位の置換基 けるＲ４−Ｒ８は同種または異種であって、炭素数１〜
３６の直鎖または分岐鎖アルキル基、あるいはヒドロキ
シアルキル基、アミノアルキル基、ホスホアルキル基、
メルカプトアルキル基等のアルキル誘導体基、または炭
素数１〜１６の直鎖、分岐鎖アルキル基で置換されたフ
ェニル基等の芳香族基等の中から選択されるものであり
、Ｒ６とＲ７は環を形成していてもかまわない、好まし
くは、直鎖または分岐鎖アルキル基、ヒドロキシアルキ
ル基、あるいは炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖アルキ
ル基で置換された芳香族基が挙げられる。

またヒドロキシスチレン単位の置換基 におけるＲ９−Ｒ１５は同種または異種であって、Ｈ又
は炭素数１〜３６の直鎖または分岐鎖アルキル基あるい
はヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、メルカプ
トアルキル基、ホスホアルキル基等のアルキル誘導体基
、または炭素数１〜１６の直鎖または分岐鎖アルキル基
で置換されたフェニル基等の芳香族基等の中から選択さ
れるものであって、好ましくは炭素数１〜８の直鎖また
は分岐鎖アルキル基、ヒドロキシアルキル基、あるいは
炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖アルキル基で置換され
た芳香族基が挙げられる。

アミノ基、リン酸基、スルホン基等の極性基（水酸基、
芳香環は含まない）はポリヒドロキシスチレン誘導体の
金属粉末との親和性、反応性を高める点で特に重要であ
り、その好ましい極性基密度の範囲は、分子量５００単
位当たり平均０．０１〜５個の間にある。極性基密度が
０．０１未満だと金属粉末との親和性が悪くて問題とな
り、５個を超えると得られる耐マイグレーション性が低
下して問題となるからである。耐マイグレーシヨン性向
上の点からはアミノ基系、メチロール基及びリン系の極
性基が好ましい、水酸基は耐マイグレーシヨン性向上及
び絶縁層との密着性向上にとって重要であり、直接置換
基としてついていた方が、またその数が多い方が効果が
よく発揮されるので好ましい。

上記一般式（ＩＩ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレ
ン系共重合体及び／又はその誘導体は、一般式（Ｉｔ）
においてＹまたはＺで表されるような置換基を有するか
あるいは有しないところの、ヒドロキシスチレン、イソ
プロペニルフェノール（ヒドロキシ−α−メチルスチレ
ン）あるいはヒドロキシ−α−エチルスチレン等同士の
共重合体あるいはこれらのヒドロキシスチレン系単量体
と他の重合性のビニル系単量体（Ｘ）との共重合体であ
り得る０重合単位のヒドロキシスチレンあるいはイソプ
ロペニルフェノールなどはオルソ体、メタ体、パラ体あ
るいはこれらの混合物であってもよいが、パラ体あるい
はメタ体が好ましい。

また共重合体である場合の他のビニル系単量体（Ｘ）と
しては、アニオン系、カチオン系等のイオン性単量体や
ノニオン性単量体、メタクリレート、ビニルエステル、
ビニルエーテル、マレート、フマレート、α−オレフィ
ンなどの公知の化合物を挙げることができる。

これらの化合物の具体例としては、不飽和カルボン酸単
量体、不飽和スルホン酸単量体、不飽和リン酸単量体、
α、β−不飽和カルボン酸アミド、α、β−不飽和カル
ボン酸のエステル、不飽和カルボン酸の置換アミド類、
α、β−不飽和カルボン酸のニトリル、酢酸ビニル、塩
化ビニル、クロル酢酸ビニルなどの外、ジビニルベンゼ
ン等のジビニル化合物、ビニリデン化合物、スチレンに
代表される芳香族ビニル化合物、ビニルピリジンやビニ
ルピロリドンに代表される複素環ビニル化合物、ビニル
ケトン化合物、ビニルエーテル化合物、ビニルアミド化
合物、エチレン、プロピレン等のモノオレフィン化合物
、ブタジェン、イソプレン、クロロブレン等の共役ジオ
レフィン化合物、アリルアルコール、酢酸アリル等のア
リル化合物、並びにグリシジルメタクリレート等で代表
される単量体の群から選択される１種以上の単量体が使
用される。

また、この場合におけるヒドロキシスチレン単位あるい
はイソプロペニルフェノール単位などのヒドロキシスチ
レン系単位と他のビニル系単量体との割合はモル比で１
／１０〜２０／１までが適当である。

またヒドロキシスチレン系単位の置換基−ＳＯ：Ｍまた
は−Ｃ−Ｓ０３Ｍにおけるｈのアルカリ土類金 属またはアルカリ土類金属としてはｔ、ｉ、　Ｎａ＋　
Ｋ＊Ｍｇ＋　Ｃａ＋　Ｓｒ、　Ｂａ等が適当である。

またヒドロキシスチレン系単位の置換基基、ホスホアル
キル基、メルカプトアルキル基等のアルキル誘導体基、
または炭素数１〜１６の直鎖、分岐鎖アルキル基で置換
されたフェニル基等の芳香族基等の中から選択されるも
のであり、Ｒ６とＲ７は環を形成していてもかまわない
。

好ましくは、直鎖または分岐鎖アルキル基、ヒドロキシ
アルキル基、あるいは炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖
アルキル基で置換された芳香族基が挙げられる。

またヒドロキシスチレン系単位の置換基Ｒ’　　（ＯＲ
’）、　　　　　　Ｒ’　（ＯＲ”）。

におけるＲ４−Ｒ８は同種または異種であって、炭素数
１〜３６の直鎖または分岐鎖アルキル基、あるいはヒド
ロキシアルキル基、アミノアルキルＲ５Ｒｌｓ におけるＲ９〜ＲＩＳは同種または異種であって、Ｈ又
は炭素数１〜３６の直鎖または分岐鎖アルキル基あるい
はヒドロキシアルキル基、アミノアルキル基、メルカプ
トアルキル基、ホスホアルキル基等のアルキル誘導体基
、または炭素数１〜１６の直鎖または分岐鎖アルキル基
で置換されたフェニル基等の芳香族基等の中から選択さ
れるものであって、好ましくは炭素数１〜８の直鎖また
は分岐鎖アルキル基、ヒドロキシアルキル基、あるいは
炭素数１〜５の直鎖または分岐鎖アルキル基で置換され
た芳香族基が挙げられる。

アミノ基、リン酸基、スルホン基等の極性基（水酸基、
芳香環は含まない）は有機高分子の金属粉末との親和性
、反応性を高める点で特に重要であり、その好ましい極
性基密度の範囲は、分子量５００単位当たり平均０．０
１〜５個の間にある。極性基密度が０．０１未満だと金
属粉末との親和性が悪（て問題となり、５個を超えると
耐マイグレーション性が低下して問題となるからである
。耐マイグレーシヨン性向上の点からはアミノ基系、メ
チロール基及びリン系の極性基が好ましい、水酸基は耐
マイグレーシヨン性向上及び絶縁層との密着性向上にと
って重要であり、直接置換基としてついていた方が、ま
たその数が多い方が効果がよく発揮されるので好ましい
。

本発明に用いられる導電性ペーストの有機バインダー成
分として用いることのできる前記−般式＜１）で表され
るポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又は前記一般式（Ｉ
Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及
び／又はその誘導体は、その重量平均分子量（＆）が１
０００〜２００万の範囲にあることが好ましく、１００
０〜１００万の範囲にあることが更に好ましい。この理
由はポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロ
キシスチレン系共重合体及び／又はその誘導体の分子量
が本発明のいくつかの効果に大きな影響を与えるからで
ある。つまり、ポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポ
リ−ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘導
体は、硬化塗膜中ではソフトセグメント−残留内部応力
の緩和作用部分−としての役割と、金属粉表面に緻密な
絶縁膜の形成あるいは前述の厚い酸化銅被膜が形成され
ていないアースパタ−ン（即ち金属銅表面）との密着性
を発揮する役割を担っており、賑か１０００未満では耐
マイグレーション性、塗膜の可とう性、金属銅に対する
密着性の改善が得られにくい、またしが２００万を越え
ると、ブチルカルピトール等の溶剤に対する溶解性およ
びペースト中に配合する熱硬化性樹脂との相溶性が低下
して問題となる。

ポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリヒドロキシス
チレン系共重合体及び／又はその誘導体のほとんどは熱
可塑性樹脂なので、熱硬化性樹脂を併用することが好ま
しい。

本発明に用いられる導電性ペーストに有効に用いられる
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ケイ素樹脂、フラン樹脂
、不飽和または飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル・ポリオール樹脂、ア
クリル樹脂等の公知の熱硬化性樹脂を用いることが出来
る。特にレゾール型フェノール系樹脂、アミノ樹脂が好
ましい。アミノ樹脂の中でもアルキルエーテル化メラミ
ン樹脂が有効で、重量平均分子量が１０００〜２．５万
の範囲でかつアルキルエーテル化度が２０〜８０％の範
囲のものが好ましい。

上記のアミノ樹脂とポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又
はポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその
誘導体との硬化反応には公知の酸性触媒を用いると極め
て有効で、本発明ＯＥＭＩ基板のシールド電極層の耐久
性やシールド電極層と接触する絶縁層およびアースパタ
ーンとの密着性に優れた導電性塗膜が形成される。

酸性触媒としては、塩酸、リン酸等の鉱酸の他、リノー
ル酸、オレイン酸等の有機脂肪酸、オレイン酸フェノー
ル、リノール酸フェノール等のアルキルフェノール類、
シュウ酸、酒石酸、ツマラドルエンスルホン酸またはそ
のアミン塩などの有機酸等、公知の酸が使用できる。

導電性ペーストに使用される前述の熱硬化性樹脂は単独
あるいは２種以上混合して使用してもよい。

本発明に用いられる導電性ペースト中のバインダー成分
の配合割合は、溶剤を除く全重量に対して５〜５０重量
％、好ましくは５〜４０重量％であり、５重量％未滴の
場合はバインダーの絶対量が不足して密着性が低下し、
さらに得られる導電性ペーストの流動性が悪くなり、印
刷性が低下すると共に加熱硬化時に導電性粉末が酸化さ
れやすくなり、ＥＭＩ基板の可とう性、シールド電極層
の導電性の低下をまねく、バインダーの量が５０重量％
を超えるときは逆に導電性粉末の絶対量が不足し、ＥＭ
Ｉ基板として必要な導電性が得られない。

前記一般式（Ｉ）で表されるポリ−ヒドロキシスチレン
誘導体又は前記一般式（ｎ）で表されるポリ−ヒドロキ
シスチレン系共重合体及び／又はその誘導体（Ａ）と熱
硬化性樹脂（Ｂ）との配合重量比（Ａ／Ｂ）は５／９５
〜９５１５の範囲が適当であり、好ましくは１０／９０
〜７０／３０の範囲である。

本発明に用いられる導電性ペースト中の導電性粉末とし
ては、銅粉末、銀粉末、ニッケル粉末、アルミニウム粉
末等の金属粉末、及び表面に上記金属の被覆層を有する
粉末が挙げられるが、特に銅粉末が好ましい、導電性粉
末の形態は樹脂状、フレーク状、球状、不定形のいずれ
の形態であってもよいが、好ましくは、電解により生成
した樹脂状の電解銅粉、あるいは球状粉である。平均粒
子径は３０μ以下であることが好ましく、高密度、条播
触点充填の点から１〜１０μの樹脂状粉がより好ましい
。

本発明に用いられる導電性ペースト中の導電性粉末の配
合量は、溶剤を除く全重量に対して５０重量％以上９０
重量％未溝の範囲が好ましく、さらに好ましくは６０〜
８８重量％、特に好ましくは７５〜８８重量％である。

配合量が５０重量％未満ではＥＭＩ基板に関して十分な
導電性が得られず、逆に９０重量％以上では導電性粉末
が十分バインドされず、得られる塗膜ももろくなり、Ｅ
ＭＩ基板の可とう性、耐マイグレーション性、シールド
電極層とアースパターンや絶縁層との密着性が低下する
。

本発明に用いられる導電性ペーストには、導電性粉末の
酸化防止または分散性付与あるいは硬化触媒を目的とし
て、飽和あるいは不飽和脂肪酸またはその金属塩や高級
脂肪族アミンの中から選ばれる１種または２種以上の添
加剤を用いてもよい。好ましい飽和脂肪酸としては、例
えばバルミチン酸、ステアリン酸、アラキン酸などが挙
げられ、好ましい不飽和脂肪酸としては、例えばオレイ
ン酸、リノール酸などが挙げられる。それらの金属塩と
しては、例えばナトリウム塩、カリウム塩などが挙げら
れる。また、不飽和脂肪酸を６０％以上含有するような
、例えば大豆油、ゴマ油、オリーブ油、サフラワー油な
どの植物油を用いることも可能である。

上記の如き飽和あるいは不飽和脂肪酸またはその金属塩
の添加量は導電性粉末１００重量部に対して添加剤の総
和が０．１〜２０重量部が好ましく、さらに好ましくは
０．５〜ｌＯ重量部である。

０．１重量部未満の場合は添加効果がほとんど現れず、
２０重量部を超える場合は添加量に見合う分散性の向上
が得られないばかりでなく、逆に得られる塗膜の導電性
やその耐久性が低下してしまう。

また、本発明に用いられる導電性ペースト中の高級脂肪
族アミンはアミン基を有する有機化合物であれば何でも
使用可能であり、他の置換基をもっていてもよい０例え
ば、α−オレフィンから導かれるヒドロキシル基をもっ
たアミンであってもよい。しかし、導電性粉末と共に用
いることの必要性から、例えば溶剤に溶けない固体のも
のなどは使用できない、好ましいものは炭素数８〜２２
の高級脂肪族アミンである。かかる高級アミンとしては
、ステアリルアミン、パルミチルアミン、ベヘニルアミ
ンのような飽和モノアミン、オレイルアミンのような不
飽和モノアミン、ステアリルプロピレンジアミン、オレ
イルプロピレンジアミンのようなジアミン等が挙げられ
る。

前記高級脂肪族アミンは、導電性粉末１００重量部に対
してその総和が０．１〜１０重量部の割合で用いられる
のが好ましい。

本発明に用いられる導電性ペーストには、導電性粉末の
酸化防止のため、必要に応じて公知の還元剤またはキレ
ート剤を１種または２種以上用いることができる。好ま
しい還元剤としては、例えば亜リン酸、次亜リン酸等の
無機系還元剤、およびヒドロキノン、カテコール類、ア
スコルビン酸類、ヒドラジン化合物、ホルマリン、水素
化ホウ素化合物、還元Ｗ類、エチレンジアミン４酢酸な
どのアミノポリカルボン酸類、オルトアミノフェノール
などのアミノフェノール類等が挙げられる。

本発明に用いられる導電性ペーストにおいて還元剤また
はキレート剤を用いる場合は、導電性粉末１００重量部
に対して０．１〜２０重量部が好ましく、さらに好まし
くは０．５〜１０重量部である。

本発明に用いられる導電性ペーストを製造するには、例
えば、まずポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−
ヒドロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘導体を
溶剤に溶して、次いで熱硬化性樹脂と導電性粉末とを加
え、これをデイスパーやボールミルや三本ロール等によ
り十分均一に混練して導電性ペーストを調製する。

ここで用いることのできる溶剤としては、アルコール類
、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブ
チルカルピトール等のエチレン系もしくはプロピレン系
のグリコールエーテル類、アジピン酸ジメチル等の２塩
基酸ジエステル類などの公知の溶剤が使用できる。また
これらを混合して用いることもできる。

図１に示すように、本発明に用いられる導電性ペースト
８は、塗布またはスクリーン印刷によってアースパター
ン３に接続するように絶縁層７上の全面あるいは一部に
コートされ、これを加熱あるいは活性エネルギー線等に
より硬化させることによって、有効なシールド電極層を
有したＥＭＩ基板を作製することができる。このＥＭＩ
基板は静電シールドとしても有効に活用することができ
る。

さらにシールド電極層すなわち導電性ペースト８を覆っ
て第２の絶縁層９が形成される。絶縁層９は熱硬化性レ
ジストインク、紫外線硬化型レジストインクや電子線硬
化型レジストインク等の活性エネルギー線硬化型レジス
トインクなどからなり、単独または併用して使われ、１
層あるいは多層で形成され、後の工程の半田の付着を防
止する。

不要な電磁波を抑制する本発明ＯＥＭＩ基板の作用につ
いて説明する。

従来の回路基板はシールド電極層、即ちｓｉｉ性ペース
ト８がなく、回路パターン２の隣接するパターン間で浮
遊容量ないしは分布容量が形成される０本発明ＯＥＭＩ
基板では回路パターン２の隣接するパターン間よりもさ
らに接近してシールド電極層（導電性ペースト８）が存
在するために回路パターン２とシールド電極層の間で分
布容量が形成されている。したがって、回路パターン２
番こ誘導された不要周波数成分のエネルギーは、形成さ
れた分布容量を介して導電性ペースト８に流れる。導電
性ペースト８は導電層のアースパターン３に接続されて
高周波的にアースされているため、前述の導電性ペース
ト８に流れ込んだ不要周波数成分のエネルギーはアース
パターン３に流れることになる。したがって、不要周波
数成分のエネルギーは回路パターン２に蓄積されること
がない。また、前述のように回路基板それ自体において
不要な周波数成分のエネルギーが除去されるため、それ
にケーブル等を接続しても、そのケーブルを通して不要
な電磁波の輻射が生じることがない。

〔実施例〕

以下、実施例および比較例に基づいて本発明の詳細な説
明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるもの
ではない。実施例および比較例において「部ｊとは「重
量部」を意味する。

実施例１ 図１に示すようなプリント配線基板を作製した。

即ち、基板１として銅張り積層板を用い、まずスルホー
ル５をあけて、スルホール５の内壁に無電解めっきもし
くは電解めっきを施しめっき層６を形成した。その後、
エツチングにより必要なプリント配線回路（回路パター
ン２、アースパターン３、表面実装用部品ランド４）を
基板１上に形成した。

次に、回路パターン２を覆うようにスクリーン印刷によ
り紫外線硬化型レジストインクを塗布し、１５００■Ｊ
／Ｃ４の条件で硬化し、更に同様の操作を２回行い膜厚
が約５０１ｍの絶縁層７を形成した。この絶縁層７とア
ースパターン３を覆うようにスクリーン印刷により銅ペ
ースト（表１に組成を示す）を塗布し、１６０℃Ｘ３Ｑ
ａ＋ｉｎの条件で硬化させ、膜厚が約２０−の導電性ペ
ースト層８を形成した。さらに、導電性ペースト層８を
覆うようにスクリーン印刷により紫外線硬化型レジスト
インクを塗布し、１５００ｓＪ／ｃｊの条件で硬化させ
、膜厚が約１５−の第２の絶縁層９を形成した。

実施例２ 実施例１の絶縁層に用いた紫外線硬化型レジストインク
の代わりに熱硬化性レジストインクを用い、このインク
を１４０°ＣＸ２０ｍ１ｎで硬化させ、３コート３ベー
クして絶縁層７及び９を形成した。また、導電性ペース
ト８を塗布する前に導電性ペースト８と接触するプリン
ト配線回路（例えばアースパターン３）部分を酸等でエ
ツチングし、回路表面の酸化銅層を除去する。

なお、実施例２における銅ペーストの組成は表１に示す
。

比較例１ 表１に示す組成の銅ペーストを用い、実施例１と同様に
してプリント配線板を作製した。

試験例 実施例１〜２及び比較例１で得られたＥ？ｌＩ基板の信
転性を評価するために、下記に示す方法により耐マイグ
レーション性、密着性、及び電磁波抑制効果（輻射レベ
ル）を測定した。

〈耐マイグレーション性〉 試験■ ６０℃、９５％相対湿度の条件下で実施例および比較例
のそれぞれにおいて、一部の回路パターン２と導電性ペ
ースト層８の間で直流電圧５０　Ｖを印加し、絶縁抵抗
を測定し、絶縁抵抗が１０”Ωに達するまでの時間Ｔを
比較例１のＴｏと比較して、以下の基準で評価した。結
果を表１に示す。

Ａ：Ｔ／Ｔ、＞２ Ｂ　：　１．５　＜Ｔ／Ｔ、≦２ Ｃ：　１　＜Ｔ／Ｔｏ≦１．５ ＤＯＴ／Ｔｏ≦１ 試験■ 不飽和型プレッシャークツカー装置を用いて、１２１℃
、９５％相対湿度、２　ｋｇ／ｃｉｉの条件下で実施例
および比較例のそれぞれにおいて、一部の回路パターン
２と導電性ペースト層８の間で直流電圧５０Ｖを印加し
、絶縁抵抗を測定し、絶縁抵抗が１０８Ωに達するまで
の時間Ｔを比較例１の１０と比較して、以下の基準で評
価した。結果を表１に示す。

Ａ：　　Ｔ／Ｔ＠＞２ Ｂ　：　１．５　＜Ｔ／Ｔ、≦２ Ｃ：　１　＜Ｔ／Ｔｏ≦１．５ ＤＯＴ／Ｔｏ≦１ 〈密着性〉 密着性は基盤目テープはく離試験を用いた。

実施例及び比較例のプリント配線板において、導電性ペ
ースト８とアースパターン３とが密着している部分の塗
膜について評価を行った。

基盤目試験とは、導電性ペースト８の硬化塗膜に１膣の
間隔でタテ、ヨコ１１本ずつのアースパターン３に達す
る線を引き、１００個の基盤目を作る。その上にセロハ
ンテープを張り付け、真上の方向に一気に引きはがす方
法である。そして、基盤目の残った個数／１００によっ
て、下記基準でその密着性を評価した。

結果を表１に示す。

評ｍ Ｏ：　１００／１００　　（はく離なし）Ｘ　：　１０
０／１００未満 〈電磁波抑制効果（輻射レベル）〉 実施例及び比較例のプリント配線基板に所定の部品を実
装し、電磁波ノイズ測定用基板（イ）を作製する。また
、実施例及び比較例の導電性ペースト１層８および絶縁
層９を印刷していない基板（即ちシールド電極層をもた
ない基板）に前述と同様に所定の部品を実装し電磁波ノ
イズ測定用基板（ロ）を作製する。

電磁波抑制効果の測定は、ＶＣＣＩ、３−法の技術基準
に基づいて行った。具体的には、オープンサイトにおい
て、アンテナを垂直及び水平に固定し、３０〜１００Ｏ
１００Ｏの周波数帯域について垂直偏波および水平偏波
の放射ノイズ強度を測定する。

前述の基板（イ）、（ロ）の回路を作動させて前記測定
法に基づいて測定を行い、その結果（水平偏波）を図２
に示す。図２より、（イ）の電界強度の強い周波数（６
５ＭＨｚおよび１１５　ＭＨｚ）を選び、ソ（７）時（
７）　（イ）　（！：　（ＩＩ：ｌ）の電界強度の差を
電磁波抑制効果（ΔＥ）として表２に示した。

さらに、実施例及び比較例の基板（イ）を耐湿試験（６
０℃、９５％相対湿度、２０００時間）にかけ、試験終
了後に放射ノズル強度を測定した。

そして、６５ＭＨ２および１１５ＭＨｚの周波数におけ
る電界強度と前述の基板（ロ）の電界強度とを比較し、
その差を電磁波抑制効果（ΔＢ’）として表２に示した
。なお、耐湿試験前後において、電界強度の差の変化は
少ない方が良い。

上記耐湿試験前後の電磁波抑制効果から本発明ＯＥＭＩ
基板の信顧性を評価した。

表 本２下記弐で表されるポリ−ヒドロキシスチレン系共重
合体（数平均分子量１１０００）傘りｎ−ブチル化メラ
ミン樹脂二重量平均分子量１万、ブチルエーテル化度６
０％ 本４レゾール型フエノール樹脂二群栄化学昧製Ｌ２２１
１ ”５　Ｔ３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール樹脂二重合皮
５０以下 注） 傘１下記式で表されるポリ−ヒドロキシスチレン誘導体
（数平均分子量１５０．００）表２　耐湿試験前後の電
磁波抑制効果 （水平偏波の場合） 注） ＊１ΔＥ　：耐湿試験前の（イ）−（ロ）＊２ΔＥ゛：
耐湿試験後の（イ）−（ロ）〔発明の効果〕 本発明ＯＥＭＩ基板は上記のようにシールド電極層とし
てポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロキ
シスチレン系共重合体及び／又はその誘導体と熱硬化性
樹脂とをバインダー成分として含む導電性ペーストを用
いたところに大きな特徴を有している。

表１より、導電性ペーストにポリ−ヒドロキシスチレン
誘導体又はポリ−ヒドロキシスチレン系共重合体及び／
又はその誘導体を用いたＥＭＩ基板（実施例１及び２）
は、耐マイグレーション性に優れ、かつＥＭＩ基板の絶
縁層に熱硬化性または活性エネルギー線硬化型レジスト
インクのいずれのレジストインクを用いても優れた密着
性を示す。これらのことから、ＥＭＩ基板の耐マイグレ
ーション性が大幅に改良され、かつ活性エネルギー線硬
化型レジストインクを用いたＥＭＩ基板の作製が可能に
なる。

したがって、例えば本発明のＥＭＩ基板に前述のポリ−
ヒドロキシスチレン誘導体又はポリヒドロキシスチレン
系共重合体及び／又はその誘導体を含む導電性ペースト
を用いれば、従来ＯＥＭＩ基板の大きな欠点とされてい
た信頼性、生産性の大幅な改善を測ることが可能である
。

また図２及び表２より、本発明のＥ旧基板は、シールド
電極層を持たない従来のプリント配線板と比較して優れ
た電磁波抑制効果を示すことが分かる。さらに表２より
、シールド電極層（ｓｔ性ペースト層）に前述のポリ−
ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒドロキシスチレ
ン系共重合体及び／又はその誘導体を用いた本発明のＥ
ＭＩ基板は、耐湿試験後も電磁波抑制効果を維持してお
り、このことから本発明ＯＥＭＩ基板は信頼性にたいへ
ん優れていることが分かる。

以上から、本発明ＯＥＭＩ基板を用いれば耐マイグレー
ション性等の信頼性が高く、かつ生産性の高いＥＭＩ基
板を提供することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

図１は本発明ＯＥＭＩ基板の一例を示す断面図、図２は
シールド電極層を持たない従来基板（イ）とシールド電
極層を含むＥＭＩ基板（ロ）のｔ磁波抑制効果（輻射レ
ベル）を示す図である。 に基板 ２：回路パターン ３：アースパターン ４：表面実装用部品ランド ５：スルホール ６：スルホール内壁のめっき層 ７：絶縁層 ８：導電性ペースト（シールド電極層）９：絶縁層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. １．基板、該基板の少なくとも一方主面上に形成されか
   つアースパターンを含む回路パターンが形成された導電
   層、該アースパターンの部分を除いて該基板上に該導電
   層を覆うように形成された絶縁層、及び該絶縁層の全部
   あるいは一部を覆うように形成され、かつ該アースパタ
   ーンに接続されたシールド電極層を備え、該シールド電
   極層がポリ−ヒドロキシスチレン誘導体又はポリ−ヒド
   ロキシスチレン系共重合体及び／又はその誘導体と、熱
   硬化性樹脂とを含有する導電性ペーストから形成されて
   いることを特徴とするＥＭＩ対策用回路基板。
2. ２．請求項１記載の回路基板上に、シールド電極層を覆
   うように第２の絶縁層を形成した請求項１記載のＥＭＩ
   対策用回路基板。
3. ３．導電性ペーストが銅ペーストである請求項１又は２
   記載のＥＭＩ対策用回路基板。