JPH0411721A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0411721A JPH0411721A JP2114788A JP11478890A JPH0411721A JP H0411721 A JPH0411721 A JP H0411721A JP 2114788 A JP2114788 A JP 2114788A JP 11478890 A JP11478890 A JP 11478890A JP H0411721 A JPH0411721 A JP H0411721A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- resist
- semiconductor wafer
- area
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- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハにし・シストを塗布するレジ
スト塗布装置に関するものである。
スト塗布装置に関するものである。
第２図は半導体ウェハにし・シストを塗布する従来の装
置を説明するための要部の断面図であり、１は半導体ウ
ェハ（以下、単にウェハという）、２はし・ジスｌ−１
２ａは前記ウェハ１の周辺部においてレジスト２が盛り
上った部分（レジスト堤）４１よ前記ウェハ１を吸着し
て回転するスピナヘッド、４０は前記ウェハ１を真空ポ
ツプによってスヒナーｌ＼・ラド４に吸着するための吸
着穴である。。
置を説明するための要部の断面図であり、１は半導体ウ
ェハ（以下、単にウェハという）、２はし・ジスｌ−１
２ａは前記ウェハ１の周辺部においてレジスト２が盛り
上った部分（レジスト堤）４１よ前記ウェハ１を吸着し
て回転するスピナヘッド、４０は前記ウェハ１を真空ポ
ツプによってスヒナーｌ＼・ラド４に吸着するための吸
着穴である。。
次に動作について説明する。
まず、ウェハ１上にレジス）−２を塗布した後、ウェハ
１を吸着穴４０によりスピナヘッド４に固定し、スピナ
ヘッド４を高速回転させる。Ｌシスト２は遠心力により
ウェハ１上に均一の厚さに広がる。しかし、ウェハ１の
周辺部には通常しジス）・の厚い部分（レジスト堤）２
ａが形成される。
１を吸着穴４０によりスピナヘッド４に固定し、スピナ
ヘッド４を高速回転させる。Ｌシスト２は遠心力により
ウェハ１上に均一の厚さに広がる。しかし、ウェハ１の
周辺部には通常しジス）・の厚い部分（レジスト堤）２
ａが形成される。
しシスト堤２ａの形状は遠心力とＬ・シスト２の粘性の
つり合いにより決まるが、一般に幅、高さとも２０〜４
０μｍ程度になる。
つり合いにより決まるが、一般に幅、高さとも２０〜４
０μｍ程度になる。
従来のし・シスト塗布装置では、以上のようにしてウェ
ハ１にレジスト２が塗布されているので、ウェハ１の周
辺部にレジス）・堤２ａが形成されろ。
ハ１にレジスト２が塗布されているので、ウェハ１の周
辺部にレジス）・堤２ａが形成されろ。
この状態でウェハ１にパターニングを行うための写真製
版工程で、コンタクト型マスクアライナを用いて露光を
行う場合には、バターニング用のマスクがレジスト堤２
ａに接触し、ウェハ１に上方から衝撃が加わり、ウェハ
１が割れることが頻発するという問題点があった。
版工程で、コンタクト型マスクアライナを用いて露光を
行う場合には、バターニング用のマスクがレジスト堤２
ａに接触し、ウェハ１に上方から衝撃が加わり、ウェハ
１が割れることが頻発するという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、シ・ジス】〜塗布時にレジス）・堤が生じ
ないレジスト塗布装置を得ることを目的としている。
れたもので、シ・ジス】〜塗布時にレジス）・堤が生じ
ないレジスト塗布装置を得ることを目的としている。
この発明に係るレジス）・塗布装置は、半導体つエム面
積より大き−い面積を有し、半導体ウニへ面積より小さ
く、かつその上面が半導体ウェハを挿入したとき、半導
体ウェハ上面と同一平面となる深さの凹部が形成された
弾性体からなるウェハホルダに半導体ウェハを保持して
スピナヘッドに吸着する構成としたものである。
積より大き−い面積を有し、半導体ウニへ面積より小さ
く、かつその上面が半導体ウェハを挿入したとき、半導
体ウェハ上面と同一平面となる深さの凹部が形成された
弾性体からなるウェハホルダに半導体ウェハを保持して
スピナヘッドに吸着する構成としたものである。
この発明においては、半導体ウェハがウェハホルタに挿
入され、半導体ウェハとウェハホルダの面がほぼ同一平
面になっているので、スピナヘッドが高速回転し、Ｌジ
ス１−が広がるとき、ウェハの周辺部にはＬシスト堤が
形成されず、ウェハホルダの周辺部にしシスト堤が形成
される。
入され、半導体ウェハとウェハホルダの面がほぼ同一平
面になっているので、スピナヘッドが高速回転し、Ｌジ
ス１−が広がるとき、ウェハの周辺部にはＬシスト堤が
形成されず、ウェハホルダの周辺部にしシスト堤が形成
される。
以下、この発明について説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を説明する
ためのレジス）・塗布装置の要部を示す図で、第１図（
ａ）はウェハホルダの平面図、第１図（ｂ＞はウェハホ
ルダに半導体ウェハを挿入する前の断面図、第１図（ｃ
）はレジストが塗布された状態の断面図である。第１図
において、第２図と同一符号は同一構成部分を示し、３
は前記ウェハ１を挿入する弾性体からなるウェハホルダ
、３ａは前記ウェハホルダ３に形成されたウェハ１が挿
入される凹部、３ｏは真空吸着穴である。ウェハホ）Ｌ
ダ３に形成された凹部３ａは、第１図（ｂ）に示すよう
に、ウェハ１の外径より幾分小ざめに形成されており、
かつその深さはウェハ１の厚さ（例えば３５０μｍ程度
）と等しい深さ、っまりウェハ１上面とウェハホルダ３
上面とが同一平面となる深さに形成されているＣ１００
μｍ以内の精度で等しければ実際には問題はない）次に
動作について説明する。
ためのレジス）・塗布装置の要部を示す図で、第１図（
ａ）はウェハホルダの平面図、第１図（ｂ＞はウェハホ
ルダに半導体ウェハを挿入する前の断面図、第１図（ｃ
）はレジストが塗布された状態の断面図である。第１図
において、第２図と同一符号は同一構成部分を示し、３
は前記ウェハ１を挿入する弾性体からなるウェハホルダ
、３ａは前記ウェハホルダ３に形成されたウェハ１が挿
入される凹部、３ｏは真空吸着穴である。ウェハホ）Ｌ
ダ３に形成された凹部３ａは、第１図（ｂ）に示すよう
に、ウェハ１の外径より幾分小ざめに形成されており、
かつその深さはウェハ１の厚さ（例えば３５０μｍ程度
）と等しい深さ、っまりウェハ１上面とウェハホルダ３
上面とが同一平面となる深さに形成されているＣ１００
μｍ以内の精度で等しければ実際には問題はない）次に
動作について説明する。
まず、ウェハ１をウェハホルダ３の凹部３ａに挿入し、
ウェハ１とウェハホルダ３の上面を同一平面とする。こ
の状態でウェハホルダ３、すなわちウェハ１をスピナヘ
ッド４にセットし、第２図の従来例の説明で述へたのと
同様にしてウェハ１にレジスト２を塗布する。ウェハ１
とウェハホルダ３の上面は同一平面となっているので、
Ｌ−ｉ；ス】・２がウェハ１面内に均一に広がるとき、
レジスト堤２ａはウェハ１には形成されず、ウェハホル
ダ３の周辺部に形成される。したがって、コシタフ（−
型マスクアライナを用いて露光を行う場合でもウヱハ割
れを生ずることがなくなる。
ウェハ１とウェハホルダ３の上面を同一平面とする。こ
の状態でウェハホルダ３、すなわちウェハ１をスピナヘ
ッド４にセットし、第２図の従来例の説明で述へたのと
同様にしてウェハ１にレジスト２を塗布する。ウェハ１
とウェハホルダ３の上面は同一平面となっているので、
Ｌ−ｉ；ス】・２がウェハ１面内に均一に広がるとき、
レジスト堤２ａはウェハ１には形成されず、ウェハホル
ダ３の周辺部に形成される。したがって、コシタフ（−
型マスクアライナを用いて露光を行う場合でもウヱハ割
れを生ずることがなくなる。
ウェハホルダ３の凹部３ａの面積（幾何学形状）をウェ
ハ１の面積よりやや小さくするのは、次の２つの理由に
よる。すなわち、第１はウェハ１の側面を弾性状（具体
的にはゴム）のウェハホルダ３て締めつけてウェハ１と
ウェハホルダ３の間に溝ができないようにするためてあ
り、第２はウェハ形状は多少公差をもっており、いつも
同し大きさではないため、この公差をホルダで吸収する
ためである。
ハ１の面積よりやや小さくするのは、次の２つの理由に
よる。すなわち、第１はウェハ１の側面を弾性状（具体
的にはゴム）のウェハホルダ３て締めつけてウェハ１と
ウェハホルダ３の間に溝ができないようにするためてあ
り、第２はウェハ形状は多少公差をもっており、いつも
同し大きさではないため、この公差をホルダで吸収する
ためである。
なお、上記実施例では矩形のウェハ１を用いた場合につ
いて説明したが、ウェハ形状は矩形に限らず、他の形状
、例えば円形でもこの発明と同一機能を有するウェハホ
ルダを作成することにより同様の効果が得られることｔ
ま明らかである。
いて説明したが、ウェハ形状は矩形に限らず、他の形状
、例えば円形でもこの発明と同一機能を有するウェハホ
ルダを作成することにより同様の効果が得られることｔ
ま明らかである。
以上説明したように、この発明は、ウェハ面積より大き
い面積を有し、半導体ウェハ面積より小さく、かつその
上面が半導体ウェハを挿入したとき、半導体ウェハ上面
と同一平面となる深さの凹部が形成された弾性体からな
るウェハホルダに半導体ウェハを保持してスピナヘッド
に吸着する構成としたので、ウェハ周辺部にはレジスト
堤が形成されることがなくなり、コンタクト型マスクア
ライナを用いた露光に際してもウェハ割れが発生すると
いう問題点が解消できる。
い面積を有し、半導体ウェハ面積より小さく、かつその
上面が半導体ウェハを挿入したとき、半導体ウェハ上面
と同一平面となる深さの凹部が形成された弾性体からな
るウェハホルダに半導体ウェハを保持してスピナヘッド
に吸着する構成としたので、ウェハ周辺部にはレジスト
堤が形成されることがなくなり、コンタクト型マスクア
ライナを用いた露光に際してもウェハ割れが発生すると
いう問題点が解消できる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例を示すレジ
スト塗布装置の要部の各部を示す図で、第１図（ａ）は
ウェハホルダの平面図、第１図（ｂ）はウェハホルダに
ウェハを挿入する前の断面図、第１図（ｅ）はウェハホ
ルダに挿入されたウェハをスピナヘッドで吸着してレジ
スト塗布が行われた状態を示す断面図、第２図は従来の
レジスト塗布装置の要部の断面図である。 図において、１はウェハ、２はし・ジスｌ−１２ａはレ
ジスト堤、３はウェハホルダ、３ａは凹部、４はスピナ
ヘッド、３０，４０は吸着穴である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
スト塗布装置の要部の各部を示す図で、第１図（ａ）は
ウェハホルダの平面図、第１図（ｂ）はウェハホルダに
ウェハを挿入する前の断面図、第１図（ｅ）はウェハホ
ルダに挿入されたウェハをスピナヘッドで吸着してレジ
スト塗布が行われた状態を示す断面図、第２図は従来の
レジスト塗布装置の要部の断面図である。 図において、１はウェハ、２はし・ジスｌ−１２ａはレ
ジスト堤、３はウェハホルダ、３ａは凹部、４はスピナ
ヘッド、３０，４０は吸着穴である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- スピナヘッドに吸着された半導体ウェハを回転して前
記半導体ウェハ上にレジストを塗布する装置において、
前記半導体ウェハ面積より大きい面積を有し、前記半導
体ウェハ面積より小さく、かつその上面が前記半導体ウ
ェハを挿入したとき、前記半導体ウェハ上面と同一平面
となる深さの凹部が形成された弾性体からなり前記半導
体ウェハを保持して前記スピナヘッドに吸着するウェハ
ホルダを備えたことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114788A JPH0411721A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114788A JPH0411721A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0411721A true JPH0411721A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14646696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114788A Pending JPH0411721A (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0411721A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
| JP2015103683A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2022049378A (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2114788A patent/JPH0411721A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299204A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | スピンナー用治具、スピンナー及びスピン塗布方法 |
| JP2015103683A (ja) * | 2013-11-26 | 2015-06-04 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2022049378A (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-29 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
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