JPH04119509A - 水平型垂直磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば垂直磁気記録方式を用いた垂直磁化が
可能な固定磁気ディスク等に対して情報信号の書込みあ
るいは読出しを行うに好適な水平型垂直磁気ヘッドに関
する。

〔発明の概要〕

本発明は、主磁極の両側にリターンバスコアを配置して
なる垂直磁気ヘッドの構成を薄膜形成技術を採用して、
リターンバスコアの膜厚方向での膜面か磁気記録媒体の
記録面と平行で、且つ記録面に対して主磁極が略垂直に
配置されるようないわゆる水平型構造とすることにより
、ヘッドの高感度化を図ろうとするものである。

〔従来の技術〕

単磁極型垂直磁気ヘッドと二層膜垂直媒体とを組合わせ
た垂直磁気記録方式では、６００ｋＦＲＰＩを越える超
高密度での記録再生が可能であることが日本応用磁気学
会誌第１１巻、ＮＯ，２，１０９頁（１９８７）に示さ
れている。この方式は、記録性能に関しては最も優れた
方式であり、同時にオフトラ、ツク特性にも優れている
ことから、高トラツク密度化も期待されている。しかし
ながら、本方式を実用化するに当たっては、再生出力の
増大か課題の一つであり、垂直磁気ヘッドの高効率化か
今日まで検討されている。

例えば、その中で日本応用磁気学会誌第１３巻Ｎｏ、２
．１１３頁（１９８９）において、高感度、つまり再生
効率の高い単磁極ヘッドとして第１４図に示すような構
造のヘッドが提案されている。このヘッドは、主磁極（
１０１）の両側にそれぞれリターンバスコア（１０２）
、　（１０３）を配置した構造で、巻線（＋０４）をで
きるだけ主磁極（１０１）の近傍に施し、磁気回路全体
を小型化したものである。

つまり、上記垂直磁気ヘッドでは、主磁極（１０１）の
両側にリターンバスコア（１０２）、　（１０３）を設
けて閉磁路構造とし、ヘッド全体の大きさを微小化して
ヘッド内を磁束が通りやすくするとともに、巻線（１０
４）をできる限り主磁極（１０１）の先端に巻いて磁束
が漏れないうちに拾うようにすることでへラドの再生効
率の改善を図るようになされている。

ところか、上述の垂直磁気ヘッドでは、再生効率か十分
ではないため、より出力の取れるヘッドが望まれている
。そこて、かかるヘッドの再生効率を更に改善するため
、上記構造のヘッドを薄膜化し、ヘッド全体をより小型
化する試みかなされている。

しかしなから、上述の構造を薄膜形成技術で作製しよう
とすると、工程数か多くなるため、とうしても生産性の
面で問題か生ずる。このため、従来は主磁極（１０１）
の片側にのみリターンバスコア（１０２）を配置したり
、一方のリターンバスコア（１０３）を磁性フェライト
基板で代用した非対称構造を採るのが一般的であった。

また、高感度化のためにリターンバスコア（１０２）、
　（１０３）を主磁極（＋０１）に近ずける試みがなさ
れたか、再生波形に歪みか生じるため有効ではなかった
。このように、これまでのヘットでは、上述のような問
題により十分満足のいく感度が得られていなかった。

〔発明が解決しようとする課題〕

そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであり、薄膜化による微小な磁気回路を構築し、ヘ
ッドの感度を向上せしめ、線記録密度及びトラック密度
の高密度化が図れる生産性に優れた水平型垂直磁気ヘッ
ドを提供することを目的とするものである。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために、本発明は、バックリター
ンパスコアと、該バックリターンパスコアの両端部分に
接続され少な（とも一部が磁気記録媒体摺動面に露出す
るフロントリターンバスコアとが順次積層形成され、前
記バックリターンパスコアの中央部が磁気記録媒体摺動
面倒に突出されるとともに突出したバックリターンパス
コアを巻回する如く導体コイルがスパイラル状に埋め込
まれ、上記突出したバックリターンパスコア上にこのバ
ックリターンパスコアの膜面に対して略垂直で先端が磁
気記録媒体摺動面に露出する主磁極が設けられてなるも
のである。

〔作用〕

本発明においては、主磁極の両側にフロントリターンバ
スコアを配置したヘッド構造を薄膜形成技術によって構
築しているので、ヘット全体の小型化が望め、磁気回路
の微小化による高感度化か図れる。

また、本発明にかかるヘッドは、リターンバスコアの膜
厚方向での膜面か磁気記録媒体の記録面に対して平行と
され、且つこの記録面に対して略垂直に主磁極が配置れ
る。いわゆる水平型の薄膜垂直磁気ヘッド構造とされる
ので、生産性に優れた構造となる。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を
参照しなから説明する。

本実施例の水平型垂直磁気ヘッドは、第１図及び第２図
に示すように、主磁極（１）と、この主磁極（１）の両
側に配置される一対のフロントリターンバスコア（２）
、　（３）と、これらフロントリターンバスコア（２）
、　（３）を磁気的に接続するバックリターンパスコア
（４）とを主たる構成要素とするもので、これら各要素
によって磁気回路か構成されてなる。

上記垂直磁気ヘッドにおいては、垂直磁気記録方式を用
いた垂直磁化が可能な例えば固定磁気ディスク等の記録
面に対して垂直な磁束を発生し、または記録層からの磁
束を拾う役目をする主磁極（１）か、ヘッドを構築する
ためのベースとなる基板（５）上に形成されたバックリ
ターンパスコア（４）の上に形成されている。つまり、
上記主磁極（１）は、基板（５）上に断面路Ｗ字状とし
て形成されたバックリターンパスコア（４）の中央部、
つまり磁気記録媒体摺動面（６）側へ突出するコア部（
４ａ）の平坦面上に該コア部（４ａ）の膜面に対して垂
直に設けられるとともに、その先端部（Ｉａ）が磁気記
録媒体摺動面（６）に露出するようになっている。その
磁気記録媒体摺動面（６）では、上記主磁極（１）の先
端部（ｌａ）の輻かトラック幅Ｔｗとなっている。

なお本例では、上記主磁極（１）は、膜厚か１μｍ以下
で、長さか１μｍ〜５μｍとなっている。

そして、上記主磁極（１）の周囲には、核主磁極（１）
を取り囲むようにして導体コイル（７）かスパイラル状
に形成されている。つまり、上記導体コイル（７）は、
磁気記録媒体摺動面（６）側へ突出する前記バックリタ
ーンパスコア（４）のコア部（４ａ）を巻回する如く、
該コア部（４ａ）の両側に設けられる断面矩形状の凹部
（８）、　（９）内に非磁性絶縁材（ｌＯ）によって埋
め込まれている。上記導体コイル（７）は、情報信号に
応じた向きの磁束を前記主磁極（１）に与えるとともに
、主磁極（１）から拾われた磁束の向きに応じた電流を
流す役目をする他、再生時には後述するＭＲ素子（磁気
抵抗効果を存する素子）のバイアス磁界に用いられる。

また、上記主磁極（１）の両側には、この主磁極（１）
から発生した磁束を再び該主磁極（１）へと戻すための
フロントリターンバスコア（２）、　（３）が対称形状
に設けられている。これらフロントリターンバスコア（
２）、　（３）は、主磁極（１）側の一端部（２ａ）、
　（３ａ）が上方に屈曲されて磁気記録媒体摺動面（６
）に露出するようになされるとともに、他端部（２ｂ）
、　（３ｂ）が前記バックリターンパスコア（４）の両
端部分のコア部（４ｂ）、　（４ｃ）上に積層されて該
ハックリターンバスコア（４）と磁気的に接続されてい
る。また、上記フロントリターンバスコア（２）。

（３）は、ヘッドの再生感度を向上させるために、前記
リターンバスコア（４）よりも透磁率の高い材料で形成
され、しかも記録磁界強度と分布を考慮しててきるだけ
主磁極（１）に近接した位置に設けられるようになって
いる。そのフロントリターンバスコア（２）、　（３）
の主磁極（１）側の一端部（２ａ）。

（３ａ）は、波形歪みを抑えるために該主磁極（１）に
対して非平行、つまり波形状となされている。

なお、このフロントリターンバスコア（２）、　（３）
の一端部（２ａ）、　（３ａ）の形状は、特別な工程を
増やすことなくスパッタリング時に容易に任意の形状と
することかできる。また、垂直磁気ヘッドでは、サイド
クロストークはリターンバスコアコア幅に殆ど依存しな
いため、記録トラック幅を決定する主磁極（１）幅より
もフロントリターンバスコア（２）（３）の幅を広くす
ることかできる。したかって、フロントリターンバスコ
ア（２）、　（３）の形成か容易なものとなる。

そしてさらに、上記主磁極（１）の両側には、ヘッドの
再生感度を高め高出力化を図るために、ＭＲ素子（１１
）、　（１２）か設けられている。ＭＲ素子（１１）、
　（１２）は、主磁極（１）によって拾われた磁気記録
媒体からの信号磁界に基づく抵抗変化を電圧変化として
検出するもので、前記主磁極（１）に対して対称に該主
磁極（１）とフロントリターンバスコア（２）、　（３
）とを磁気的に短絡するような位置に配置されている。

すなわち、上記ＭＲ素子（１１）、　（＋２）は、平面
矩形状として形成され、その主磁極（１）側の一端部（
ｌｌａ）、　（１２ａ）がバックリターンパスコア（４
）の中央部に設けられるコア部（４ａ）の上に重なるよ
うにして該主磁極（１）に近接して配置されるとともに
、他端部（ｌｌｂ）、　（１２ｂ）が前記フロントリタ
ーンバスコア（２）、　（３）の先端である一端部（２
ａ）、　（３ａ）の下に重なるようにして配置されてい
る。このときのＭＲ素子（１１）、　（１２）は、フロ
ントリターンバスコア（２）、　（３）とバックリター
ンパスコア（４）にそれぞれ直接接触しないように非磁
性絶縁材（１３）、　（ＩＣを介して設けられている。

換言すれば、上記ＭＲ素子（１１）、　（１２）は、非
磁性絶縁材（１３）、　（１４）によって埋め込まれた
形でバックリターンパスコア（４）のコア部（４ａ）と
フロントリターンバスコア（２）、　（３）の一端部（
２ａ）、　（３ａ）の間に設けられている。また、上記
ＭＲ素子（１１）、　（１２）の前記主磁極（１）と対
向する一端部（ｌｌａ）、　（１２ａ）の対向幅は、前
述したフロントリターンバスコア（２）、　（３）と同
様の理由により該主磁極（１）の幅よりも大きくなされ
ている。

このようにすれば、ＭＲ素子（１１）、　（１２）を微
小化した場合に顕著になる寿命、熱雑音、磁区によるノ
イズ等の問題が解消される。

そして、上記のようにして配置されたＭＲ素子（１１）
、　（１２）は、第３図に示すように、各電極導体（１
５）、　（１６）、　（１７）によって直列に接続され
ている。

すなわち、これらＭＲ素子（１１）、　（１２）は、ト
ラック幅方向における前端部（１１ｃ）、　（１２ｃ）
か該トラック幅方向と直交して設けられる電極導体（１
５）によって接続されるとともに、後端部（ｌｉｄ）、
　（１２ｄ）にそれぞれ電極導体（１６）、　（＋７）
かトラック幅方向に延在して設けられて直列となされて
いる。

また、このＭＲ素子（＋１）、　（１２）においては、
再生時における磁壁の移動に基づくバルクハウセンノイ
ズを回避するため、磁化容易軸の向きか磁気記録媒体か
らの信号磁界Ｈｓと直交する向きとされるとともに、信
号磁界Ｈｓと同一方向にセンス電流１が通電されるよう
になされている。したかって、前述した導体コイル（７
）からバイアス磁界ＨｂがこのＭＲ素子（１１）、　（
＋２）に与えられると、これらＭＲ素子（１１）、　（
１２）の磁化の向きは第３図中実線で示す矢印の方向、
つまりセンス電流１に対して４５度傾く。そして、この
状態で磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓかセンス電流ｉ
に沿う方向に与えられると磁化か回転し、第３図中破線
で示す矢印方向に傾く。この結果、これら各抵抗変化が
ＭＲ素子（１１）、　（１２）にそれぞれ接続される電
極導体（１６）、　（１７）の端部に設けられる端子ｊ
＋、ｔｘ間に電圧変化として検出され、これにより磁気
記録媒体上の記録の読出しが行われることになる。

なお、上記の例では、ＭＲ素子（ＩＩ）、　（１２）を
単層膜としたが、これを例えば第４図に示すように、絶
縁性や導電性の５ｉＯｚやＴｉ等よりなる非磁性中間層
（１８）を挾んで一対のＭＲ素子（１９）、　（２０）
を積層し、二層膜構成としてもよい。二層膜構成とする
場合は、先の単層膜の場合と同様に、バルクハウゼンノ
イズを回避するためにこれらＭＲ素子（１９）、　（２
０）の磁化容易軸の向きを信号磁界と直交する方向とし
、且つ磁気記録媒体からの信号磁界と同一方向にセンス
電流ｉを流すようにする。

これにより、センス電流ｌの通電によって非磁性中間層
（１８）を挾んで対向するＭＲ素子（１９）、　（２０
）には、第５図に示すように、センス電流ｉと直交する
互いに逆向きの磁界が発生し、一方のＭＲ素子（１９）
は実線で示される矢印の方向に磁化されるとともに、他
方のＭＲ素子（２０）は破線で示される矢印の方向に磁
化される。そして、これらＭＲ素子（１９）、　（２０
）にセンス電流ｉと同一方向に前記導体コイル（７）か
らのバイアス磁界Ｈｂか与えられると、先のＭＲ素子（
１９）、　（２０）の磁化の向きか第６図に示すように
、センス電流１に対して４５度方向に傾く。そして、こ
の状態で磁気記録媒体からの信号磁界Ｈｓかセンス電流
ｆと同一方向に与えられると、これらＭＲ素子（１９）
、　（２０）の磁化か第７図に示すように二点鎖線で示
す方向へ角度θθ２回転する。これによって、各ＭＲ素
子（＋９）。

（２０）に抵抗変化か生じ、これら抵抗変化かＭＲ素子
（１９）、　（２０）にそれぞれ接続される端子ｔ＋、
ｔ２間に電圧変化として検出され、磁気記録媒体上の記
録の読出しが行われることになる。

二層膜構成とした場合のＭＲ素子（２１）、　（２２）
の接続は、例えば、第８図に示すように各電極導体（２
３）、　（２４）、　（２５）によって直列とする。す
なわち、これらＭＲ素子（２１）、　（２２）の主磁極
（１）側の一側縁（２１ａ）、　（２２ａ）を、該主磁
極（１）を除く矩形状パターンとした電極導体（２３）
によって接続するとともに、他端縁（２１ｂ）、　（２
１ｂ）に電極導体（２４）、　（２５）をそれぞれトラ
ック幅方向と直交する方向に延在して接続して直列とな
す。

上述の二つの例では、いずれもバイアス磁界かスパイラ
ル状の導体コイル（７）から与えられるため、主磁極（
１）の両側のＭＲ素子（Ｉｔ）、　（１２）及びＭＲ素
子（２１）、　（２２）の磁化の向きか互いに逆相にな
るか、これを例えば第９図や第１０図に示すように、各
ＭＲ素子（１１）、　（１２）及びＭＲ素子（２１）。

（２２）の下にそれぞれ専用のバイアス用の電極導体（
２６）、　（２７）及び電極導体（２８）、　（２９）
を設けることにより、これらＭＲ素子（１１）、　（１
２）及びＭＲ素子（２１）、　（２２）の磁化の向きを
同一方向とするようにしてもよい。例えば、ＭＲ素子（
１１）、　（１２）か単層膜の場合には、第９図に示す
ように、これらＭＲ素子（１１）、　（１２）を同図に
示すように各電極導体（３０）、　（３１）、　（３２
）によって直列に接続し、これら各ＭＲ素子（１１）、
　（１２）の下に専用のバイアス用の電極導体（２６）
、　（２７）を設けるようにすばよい。一方、二層膜構
成の場合には、第】０図に示すように、これらＭＲ素子
（２１）、　（２２）を同図に示すように各電極導体（
３３）、　（３４）、　（３５）によって直列に接続し
、これら各ＭＲ素子（２１）、　（２２）の下に専用の
バイアス用の電極導体（２８）、　（２９）を設けるよ
うにすればよい。このようにすれば、単層膜、二層膜の
いずれの場合も、ＭＲ素子（１１）、　（１２）及びＭ
Ｒ素子（２１）、　（２２）に互いに逆相の信号出力か
得られ、差動増幅か可能となり、より高Ｓ／Ｎの再生か
実現できる。

そして、上述のように構成された主磁極（１）、フロン
トリターンバスコア（２）、（３）　、バックリターン
パスコア（４）及びＭＲ素子（１１）、　（１２）より
なる磁気回路は、該主磁極（１）の先端部（Ｉａ）とフ
ロントリターンバスコア（２）、　（３）の一端部（２
ａ）、　（３ａ）を除いて非磁性磁性材（３６）によっ
て埋められている。なお、この非磁性磁性材（３６）の
上端面は、前記磁気ディスクとの磁気記録媒体摺動面（
６）となっている。

上述のように構成された磁気ヘッドは、リターンバスコ
ア（２）、　（３）、　（４）の膜厚方向ての膜面か磁
気ディスクの記録面と平行となされるとともに、主磁極
（１）かバックリターンパスコア（４）の膜面に対して
垂直に配置された。いわゆる水平型構造となっている。

このように、垂直磁気ヘッドを薄膜形成技術を採用して
水平型構造とすれば、磁気回路の微小化が望め高感度化
が実現できる。したかって、本例のヘッドでは、ヘッド
の高感度化により、線記録密度及びトラック密度の高密
度化が図れ、大容量の固定磁気ディスク装置の作製が可
能となる。また、同時に水平型構造を採用することから
、生産性にも優れ、安価なヘッドの提供が望める。

また、特に本例の垂直磁気ヘッドでは、波形歪みを抑え
た形状のフロントリターンバスコア（２）。

（３）を主磁極（１）の両側に配置して閉磁路を構成す
るとともに、ＭＲ素子（１１）、　（１２）との複合化
を図っているので、再生時における再生感度をより高め
ることができる。

なお、上述の水平型垂直磁気ヘッドでは、ヘッドの再生
感度をより高めるためにＭＲ素子（１１）。

（１２）を用いたか、これらＭＲ素子（ＩＩ）、　（１
２）を持たない場合にも本構造により高感度なヘッドを
実現できることは言うまでもない。

ところで、上述の磁気ヘットを作製するには、次のよう
にして行う。

先ず、第１１図Ａに示すように、基板（５）上にＳｉ○
、やＡ　ｉ！　ｔ　Ｏ３等の非磁性絶縁材（３６）を膜
付けし、これをバックリターンパスコア（４）の形状に
応じた凹凸状にエツチングする。

このときの非磁性絶縁材（３６）の傾斜面（３６ａ）の
傾斜角度θは、後に傾斜面（３６ａ）上に被着形成する
バックリターンパスコア（４）の磁気特性を良好なもの
とするために比較的緩い角度、例えば３０度〜６０度程
度とすることか望ましい。

次に、上記凹凸状となされた非磁性絶縁材（３６）上に
スパッタあるいはイオンビームスパッタ等のドライプロ
セス法により磁性膜を被着し、これをバックリターンパ
スコア形状にパターン化する。

次いで、第１１図Ｂに示すように、中央部に突出するコ
ア部（４ａ）を巻回する如く、このコア部（４ａ）の両
側に設けられた断面矩形状の凹部（８）、　（９）内に
導体コイル（７）をスパイラル状に形成する。

そして、この導体コイル（７）を非磁性絶縁材（１０）
で埋め、前記バックリターンパスコア（４）の中央部及
び両端部のそれぞれのコア部（４ａ）、　（４ｂ）、　
（４Ｃ）が露出するまで平坦化を行う。

次に、第１１図Ｃに示すように、上記平坦化された平坦
面（３７）上に一対のＭＲ素子（１１）、　（１２）を
後述の主磁極（１）とフロントリターンバスコア（２）
。

（３）とを磁気的に短絡するような位置に形成する。

本例では、上記ＭＲ素子（１１）、　（１２）は、平面
矩形状として形成し、その主磁極側の一端部（ｌｌｂ）
。

（１２ｂ）をバックリターンパスコア（４）の中央部に
設けられるコア部（４ａ）の上に重なるようにして該主
磁極（１）に近接して配置するとともに、他端部（ｌｌ
ｂ）、　（１２ｂ）を後述のフロントリターンバスコア
（２）、　（３）の先端である一端部（２ａ）、　（３
ａ）の下に重なるように配置した。

次に、上記ＭＲ素子（１１）、　（１２）を覆って非磁
性絶縁材（１３）、　（１４）を形成し、これをＭＲ素
子（１１）。

（１２）か形成される部分を除いて取り去る。

つまり、ＭＲ素子（１１）、　（＋２）か形成された部
分のみに非磁性絶縁材（１３）、　（１４）を形成する
。

次いて、第１１図りに示すように、上記ＭＲ素子（１１
）、　（１２）を含めて前記平坦面（３７）上に磁性膜
をスパッタした後、これを主磁極形状とフロントリター
ンバスコア形状にそれぞれパターン化し、主磁極（１）
とフロントリターンバスコア（２）、　（３）とする。

上記主磁極（１）は、膜厚か１μｍ以下で、長さか１μ
ｍ〜５μｍと長いことから、フォトレジストとイオンミ
リングによる通常のフォトリソグラフィー技術のみては
作製か困難である。したかって、本例では、バックリタ
ーンパスコア（４）の中央に突出するコア部（４ａ）上
の磁性膜をトラック幅を一辺とする千面略矩形状の直方
体に一次加工した後、これを集束イオンビームエツチン
グ装置を用いて直接、膜厚方向への二次加工を施すこと
により形成する。

この結果、バックリターンパスコア（４）の中央に突出
するコア部（４ａ）上に、このコア部（４ａ）の膜厚に
対して垂直に立った主磁極（１）か形成される。

一方、フロントリターンバスコア（２）、　（３）を形
成するには、フォトリソグラフィー技術を用い、ヘッド
の記録磁界強度と分布を考慮してなるへく主磁極（１）
に近接した位置に一端部（２ａ）、　（３ａ）を設ける
とともに、他端部（２ｂ）、　（３ｂ）を前記バックリ
ターンパスコア（４）の両端部のコア部（４ｂ）、　（
４ｃ）上に積層する。

なお、本例では、主磁極（１）の一端部（２ａ）、　（
３ａ）は、前記ＭＲ素子（１１）、　（１２）の他端部
（１ｌｂ）、　（１２ｂ）の上に重なるように設けた。

また、主磁極（１）側の一端部（２ａ）、　（３ａ）の
形状は、波形歪みを抑えるために該主磁極（１）に対し
て波形状とした。

この結果、これら主磁極（１）　、ＭＲ素子（１１）。

（１２）、フロントリターンバスコア（２）、　（３）
　、バックリターンパスコア（４）によって磁気回路か
構成される。

次に、フロントリターンバスコア（２）、　（３）の表
面全体が磁気記録媒体摺動面（６）に露出するのを避け
るため、前記主磁極（１）から離れたフロントリターン
バスコア（２）、　（３）の厚みを膜厚方向でエツチン
グして薄くする。

つまり、磁気記録媒体摺動面（６）に露出させるフロン
トリターンバスコア（２）、　（３）の一端部（２ａ）
（３ａ）を除いた他の部分のコア厚を薄くする。

そして最後に、磁気記録媒体摺動面（６）を構成する非
磁性絶縁材（３６）を膜付けして前記磁気回路を構成す
る主磁極（１）　、ＭＲ素子（１１）、（１２）　、フ
ロントリターンバスコア（２）、　（３）及びバックリ
ターンパスコア（４）を覆った後、該非磁性絶縁材（３
６）を平坦化して前記主磁極（１）の先端部（Ｉａ）及
びフロントリターンバスコア（２）、　（３）の一端部
（２ａ）。

（３ａ）を露出させ、前記した第１図に示す水平型垂直
磁気ヘッドを完成する。

上述のような工程を経て作製された水平型垂直磁気ヘッ
ドは、真空薄膜形成技術による膜の積層で作製できるた
め、生産性よく製造でき、価格的にも安価なものとなる
。

以上、本発明を適用した水平型垂直磁気ヘッドの一実施
例について説明したか、本発明は上述の実施例に限定さ
れることなく種々の変更か可能である。

例えば、前述の水平型垂直磁気ヘットでは、主磁極（１
）かバックリターンパスコア（４）の膜面に対して垂直
となるようにしたか、これを第１２図に示すように、主
磁極（３８）かバックリターンパスコア（４）の膜面に
対して若干傾斜するようにしてもよい。なお、このヘッ
ドては、主磁極（３８）を傾斜させた他は、前述の垂直
磁気ヘットと同一構造であるため、同一部材には同一の
符号を付し、その説明は省略する。

この水平型垂直磁気ヘットを作製するには、先ず、前述
した垂直磁気ヘッドを作製した手順で、基板（５）上に
バックリターンパスコア（４）、導体コイル（７）　、
ＭＲ素子（１１）、（１２）　、フロントリターンバス
コア（２）、　（３）を順次形成する。

次に、第１３囚人に示すように、上記フロントリターン
バスコア（２）、　（３）の上に、後工程で主磁極を傾
斜させる傾斜面を形成するための非磁性絶縁材を反応性
イオンエツチングする際の該反応性イオンエツチングの
ストッパーとしての役目をするＡｌｘ０ｚ等よりなるス
トッパー膜（３９）を形成する。

なお、このときストッパー膜（３９）は、主磁極か形成
されるバックリターンパスコア（４）の中央部に突出す
るコア部（４ａ）のみ取り除いておく。

次いて、第１３図Ｂに示すように、主磁極を傾斜させる
ための土台となる５ｉｎ２等よりなる非磁性絶縁材（４
０）をフロントリターンバスコア（２）。

（３）上に膜付けした後、これを反応性イオンエツチン
グしてバックリターンパスコア（４）の中央部に傾斜面
（４０ａ）を形成する。

傾斜面（４０ａ）はできるだけ急峻であることか望まし
いか、本例ではこの傾斜面（４０ａ）に被着される磁性
膜の磁気特性を考慮して、該傾斜面（４０ａ）の傾斜角
度を決定した。

次に、第１３図Ｃに示すように、上記傾斜面（４０ａ）
に沿って主磁極用の磁性膜（３８）を膜付けする。

次いで、先の主磁極を傾斜させるために用いた非磁性絶
縁材（４０）と同じ非磁性絶縁材（４１）を膜付けし、
前記主磁極用の磁性膜（３８）、ＭＲ素子（１１）（Ｉ
２）、フロントリター、ンパスコア（２）、　（３）　
、バックリターンパスコア（４）を覆う。

そして最後に、上記非磁性絶縁材（４１）よりフロント
リターンバスコア（２）、　（３）に向かって平面研磨
を施し、上記フロントリターンバスコア（２）、　（３
）の一端部（２ａ）、　（３ａ）及びバックリターンパ
スコア（４）の中央部に設けられる磁性膜（３８）か露
出するまで行う。

この結果、バックリターンパスコア（４）の膜面に対し
て傾斜した主磁極（３８）を有した水平型垂直磁気ヘッ
ドが第１２図に示すように完成する。

なお、上述の工程で用いた反応性イオンエツチングに対
するストッパー膜（３９）や、反応性イオンエツチング
可能な非磁性絶縁材（４０）の使用は、必須ではなく、
作製プロセスを容易なものとするために用いられるもの
である。したがって、上述の工程で反応性イオンエツチ
ングの困難な材料を用いてのヘッド作製も一可能である
。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
主磁極の両側にフロントリターンバスコアを配置したヘ
ッド構造を薄膜形成技術によって構築しているので、ヘ
ッド全体の小型化か望め、磁気回路の微小化による高感
度化を図ることかできる。

したかって、本発明のヘットによれば、線記録密度及び
トラック密度の高密度化か図れ、大容量の固定磁気ディ
スク装置の作製か可能となる。

また、本発明のヘッドでは、リターンバスコアの膜厚方
向ての膜面か磁気記録媒体の記録面に対して平行とされ
、且つこの記録面に対して略垂直に主磁極か配置される
。いわゆる水平型の薄膜垂直磁気ヘッド構造となるのて
、生産性に優れた構造となり、安価なヘッドか望める。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明を適用した水平型垂直磁気ヘ
ッドの一例を示し、第１図は拡大断面図、第２図は拡大
平面図である。 第３図は本発明を適用した水平型垂直磁気ヘッドに設け
た単層膜構造のＭＲ素子を直列に接続した状態を示す模
式図である。 第４図は二層膜構成のＭＲ素子を拡大して示す要部拡大
斜視図である。 第５図ないし第７図は二層膜構成のＭＲ素子の動作を説
明するための模式図であり、第５図はバイアス磁界か印
加される前のＭＲ素子の磁化状態を示し、第６図はバイ
アス磁界か印加されたときのＭＲ素子の磁化状態を示し
、第７図は信号磁界が印加されたときのＭＲ素子の磁化
状態をそれぞれ示す。 第８図は二層膜構成のＭＲ素子を直列に接続した状態を
示す模式図である。 第９図及び第１Ｏ図はバイアス磁界用の電極導体をそれ
ぞれのＭＲ素子に設けた例を示すもので、第９図は単層
膜構造のＭＲ素子に設けた例を示す模式図であり、第１
Ｏ図は二層膜構成のＭＲ素子に設けた例を示す模式図で
ある。 第１１図人ないし第１１図りは本発明を適用した水平型
垂直磁気ヘットの製造工程を順次示すもので、第１１図
人はバックリターンパスコア形成工程を示す拡大断面図
、第１１図Ｂは導体コイル形成工程を示す拡大断面図、
第１１図ＣはＭＲ素子形成工程を示す拡大断面図、第１
１図りは主磁極及びフロントリターンバスコア形成工程
を示す拡大断面図である。 第１２図は本発明を適用した水平型垂直磁気ヘッドの他
の例を示す拡大断面図である。 第１３図人ないし第１３図Ｃはその水平型垂直磁気ヘッ
ドの製造工程を順次示すもので、第１３図人はストッパ
膜形成工程を示す拡大断面図、第１３図Ｂは主磁極を傾
斜させるための非磁性絶縁材形成工程を示す拡大断面図
、第１３図Ｃは磁気回路を非磁性絶縁材で埋める工程を
示す拡大断面図である。 第１４図は従来の水平型垂直磁気ヘッドの一例を示す模
式図である。 ｌ、３ ２．３ ４　・　・ ５　・　・ ６　・　・ ７　・　・ １１゜ ８・・・主磁極 ・・・フロントリターンバスコア ・バックリターンパスコア ・基板 ・磁気記録媒体摺動面 ・導体コイル １２・・・ＭＲ素子 特許出願人　　　ソニー株式会社 代理人　弁理士　小　池　　　晃 同　　田村榮 同　　佐藤　勝 第３図 刀 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 手続補正書 （自発） 平成 ２年１２月 ３日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 バックリターンパスコアと、該バックリターンパスコア
   の両端部分に接続され少なくとも一部が磁気記録媒体摺
   動面に露出するフロントリターンパスコアとが順次積層
   形成され、 前記バックリターンパスコアの中央部が磁気記録媒体摺
   動面側に突出されるとともに突出したバックリターンパ
   スコアを巻回する如く導体コイルがスパイラル状に埋め
   込まれ、 上記突出したバックリターンパスコア上にこのバックリ
   ターンパスコアの膜面に対して略垂直で先端が磁気記録
   媒体摺動面に露出する主磁極が設けられてなる水平型垂
   直磁気ヘッド。