JPH04119705A - 電圧制御発振器 - Google Patents

電圧制御発振器

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JPH04119705A
JPH04119705A JP2239625A JP23962590A JPH04119705A JP H04119705 A JPH04119705 A JP H04119705A JP 2239625 A JP2239625 A JP 2239625A JP 23962590 A JP23962590 A JP 23962590A JP H04119705 A JPH04119705 A JP H04119705A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 例えば、マイクロ波多重無線装置の局部発振器として使
用する電圧制御発振器に関し、低周波雑音特性が良好で
ないトランジスタを用いて、位相雑音特性の良好なマイ
クロ波帯の電圧制御発振器の提供を図ることを目的とし
、トランジスタの第１の端子を接地し、第２の端子に外
部からの印加電圧によって共振周波数が変化する副共振
回路が結合した主共振回路を接続し、第３の端子から出
力信号を取り出す電圧制御発振器において、該トランジ
スタが発生する低周波雑音成分を抽出し、抽出した低周
波雑音成分の位相。
振幅を調整する補償成分生成手段を設け、該出力信号中
に含まれる位相雑音成分が抑圧される様に該補償成分生
成手段の出力が該印加電圧に重畳される様に構成する。
〔産業上の利用分野］ 本発明は、例えば、マイクロ波多重無線装置の局部発振
器として使用する電圧制御発振器に関するものである。
従来より、マイクロ波帯で使用する電圧制御発振器に使
用されるトランジスタとしては、比較的低い周波数域（
例えば、　１２ＧＨｚ以下）では低周波雑音特性が優れ
たシリコン・パンポーラ・トランジスタ（以下、　Ｓｉ
−Ｔｒと省略する）を、高い周波数域では低周波雑音特
性が良好ではないが、最高発振周波数が高いガリウム砒
素電界効果トランジスタ（以下、　ＧａＡｓ−ＦＥＴと
省略する）が多く用いられている。
ここで、トランジスタの低周波雑音特性は発振器として
使用した時の位相雑音特性に大きな影響を与えるので、
ＧａＡｓ−ＦＥＴを用いたマイクロ波発振器の位相雑音
特性はＳｉ−Ｔｒを用いたものよりも劣るのが一般的で
ある。
そこで、低周波雑音特性が良好でないトランジスタを用
いて位相雑音特性の良好なマイクロ波帯の電圧制御発振
器の提供を図ることが望まれている。
〔従来の技術〕
第６図は従来例のブロック図を示す。
図に示す様にＧａＡｓ−ＦＥＴ　１４のドレインは接地
され、ゲートは一端が終端抵抗Ｒ１を介して接地された
伝送線路１３の他端に接続され、ソースから発振出力を
取り出す様にしている。
ここで、上記の伝送線路１３は共振周波数ｆ０の誘電体
共振器１２に結合されているが、この誘電体共振器は更
に、一端が逆バイアス電圧が印加されたダイオードＤ１
に接続され、他端がオープン状態にあるオーブンスタブ
に結合されている。
なお、ｃｈ、〜ｃｈ、はマイクロ波の通過を阻止するチ
ョークコイルで、自＋　Ｃ２は直流阻止用コンデンサで
ある。また、ダイオードＤ、とオーブンスタブ１１の部
分が副共振回路を構成している。
さて、副共振回路がないと、ＧａＡｓ−ＦＥＴ　１４は
周波数ｆ０で発振するが５発振周波数は変化しない。
しかし、副共振回路を設けてダイオードに印加する電圧
を変化するとダイオードの容量値が変化し、副共振回路
の共振周波数が変化する。
この回路は上記の様に誘電体共振器と結合しているので
、副共振回路の共振周波数の変化に対応して誘電体共振
器１２の共振周波数が変化し、発振器の発振周波数が変
化する。即ち、この発振器は電圧制御発振器として動作
し、例えば発振周波数が１２ＧＨｚ帯の時に±３０Ｍ）
ｌｚ程度変化する。
〔発明が解決しようとする課題〕
ここで、トランジスタとしてＧａＡＳ−ＦＥＴを使用し
ているので、低周波雑音特性が５ｉ−Ｔｒに比して悪く
、第７図に示す様に１例えば１２ＧＨ２のキャリアの両
側に位相雑音部分角が付加されたものが出力信号として
送出される。これにより、受信側では受信データのＳ／
Ｎが劣化する。
即ち、ＧａＡｓ−ＦＥＴの様に低周波雑音特性が良好で
ないトランジスタを用いて電圧制御発振器を構成すると
、位相雑音特性が劣化すると云う問題がある。
本発明は低周波雑音特性が良好でないトランジスタを用
いて、位相雑音特性の良好なマイクロ波帯の電圧制御発
振器の提供を図ることを目的とする。
３の本発明の原理ブロック図を示す。
図中、２は外部からの印加電圧によって共振周波数が変
化する副共振回路で、３は副共振回路に結合した主共振
回路である。
また、４．４゛は該トランジスタが発生する低周波雑音
成分を抽出し、抽出した低周波雑音成分の位相、振幅を
調整する補償成分生成手段で、７は電圧制御発振器の出
力信号と基準発振器の出力信号との位相差を検出し、位
相差が所定値となる様に該電圧制御発振器の発振周波数
を制御する制御信号を該印加電圧として送出する位相比
較手段である。
第１．第２の本発明はトランジスタ、例えばＧａＡｓ−
ＦＥＴを用いた電圧制御発振器のトランジスタが発生す
る低周波雑音成分を抽出し、抽出した低周波雑音成分の
位相、振幅を調整する補償成分生成手段を設ける。
そして、電圧制御発振器の出力信号中に含まれる位相雑
音成分を抑圧される様に該補償成分生成手段の出力を該
印加電圧に重畳する。
第３の本発明は上記の電圧制御発振器と、基準発振器と
、該電圧制御発振器の出力信号と基準発振器の出力信号
との位相差を検出し、位相差が所定値となる様に該電圧
制御発振器の発振周波数を制御する制御信号を該印加電
圧として送出する位相比較手段とを設けて、基準発振器
の出力信号に同期した電圧制御発振器の出力信号を得る
。
〔作用］ 第１の本発明は電圧制御発振器に補償成分生成手段４を
設け、この補償成分生成手段でトランジスタ、例えばＧ
ａＡｓ−ＦＥＴの出力信号中に含まれる低周波雑音分を
抽出する。そして、抽出した低周波数雑音成分の位相１
振幅を調整して副共振回路に加えられる印加電圧に重畳
する。
ここで、上記の調整はＧａＡｓ−ＦＥＴ　＋補償成分生
成手段、副共振回路、主共振回路で構成される負帰還ル
ープになり、且つ低周波雑音が抑圧される様に行う。
これにより、ＧａＡｓ−ＦＥＴを用いて位相雑音特性の
良好な電圧制御発振器の提供が可能となる。
また、第３の本発明は上記第１または第２の本発明の電
圧制御発振器と基準発振器と位相比較手段を設ける。
そして、位相比較手段で本発明の電圧制御発振器の出力
信号と基準発振器の出力信号との位相差を検出し、位相
差がＯになる様に上記電圧制御発振器の発振周波数を制
御する。
これにより、基準発振器の出力信号に同期し、位相雑音
特性の良好な出力信号が得られる。
〔実施例〕
第３図は第１．第２の本発明の実施例のブロック図、第
４図は第１．第２の別の実施例のブロック図、第５図は
第３の本発明の実施例のブロック図を示す。
ここで、ダイオードＤ、オーブンスタブ２１は副共振回
路２の構成部分、抵抗ＲＩ＋　コンデンサＣＩ＋　伝送
線路３２は主共振回路３の構成部分、抵抗Ｒ２〜Ｒ４゜
コンデンサＣｆｆ＋　Ｃ４＋演算増幅器４１は補償成分
生成手段４の構成部分、抵抗Ｒ３〜Ｒ？＋　　コンデン
サＣ３＋Ｃ６＋演算項幅器４２は補償成分生成手段４°
の構成部分を示す。
また、Ｎ２分周器７１１位相比較器７２．　Ｎ、分周器
７３、低域通過形フィルタ７４．抵抗ＲＢ＋　Ｒｑは位
相比較手段７の構成部分を示す。
なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示す。以下
、第３図〜第５図の動作を説明する。
先ず、第３図において、ダイオードＤとオーブンスタブ
２１とで構成された副共振回路がない時はＧａＡｓ−Ｆ
ＥＴ　５は誘電体共振器３１の共振周波数ｆ０で発振し
、出力信号は直流阻止コンデンサｃ２を介して取り出さ
れる。
しかし、副共振回路を設けて、ダイオードＤに印加する
電圧子Ｖｖを変化すると、副共振回路の共振周波数が変
化してＧａＡｓ−ＦＥＴの発振周波数が変化し、第３図
に示す回路は電圧制御発振器として動作する。なお、ｃ
ｈ、〜ｃｈ３はマイクロ波帯の信号を阻止するチョーク
コイルである。
ここで、バイアス電源−ｖＧとチョークコイルｃｈｚ　
との間に抵抗Ｒ２を設けるが、これはゲートバイアス電
源が低インピーダンスでも抵抗Ｒ２の両端にトランジス
タから発生した低周波雑音成分が得られる様にしたもの
である。
この雑音成分は抵抗Ｒ３，１１４，コンデンサＣ４が接
続された演算増幅器４１で非反転増幅すると共に。
位相が制御されて直流阻止コンデンサＣ３を介して印加
電圧と重畳してダイオードＤに加えられる。
ここで、振幅は抵抗Ｒ８とＲ４の比で決まり、入出力信
号の位相はコンデンサＣ４の値を調整することによりｍ
調整することができるが、マイクロ波の位相雑音がダイ
オードＤに印加される低周波雑音成分でほぼ抑圧される
様に上記の調整を行う。
この時、オーブンスタブ２１．誘電体共振器３１゜伝送
線路３２．コンデンサＣ３＋抵抗Ｒ３＋演算増幅器４１
、オープンスタブ２１のループは負帰還ループになって
いる。
次に、第４図は低周波雑音成分をＧａＡｓ−ＦＥＴのド
レイン側に設けた抵抗Ｒ７の両端から取り出すので、第
３図の場合と異なり低周波雑音成分の位相は反転してい
る。そこで、演算増幅器は図に示す様に入出力信号を反
転させることにより、第３図と同じ動作になる。
更に、第５図は本発明の電圧制御発振器を位相同期発振
器に適用したものである。
図において、基準発振器８の基準出力信号をＮ２分周器
７１で分周して位相比較器７２に加える。
ここには、電圧制御発振器６の出力信号をＮ８分周器７
３で分周して同じ周波数に変換された出力信号も加えら
れているので、位相差に対応する出力が比較結果として
送出される。
この比較結果は低域通過形フィルタ７４を介して制御信
号として電圧制御発振器内のダイオードＤに印加される
。これにより、電圧制御発振器６の出力信号は上記の基
準発振器と同じ周波数安定度を持ち、且つ位相雑音特性
の良好なものとなる。
なお、分周器７３の分周数を変化することにより電圧制
御発振器の周波数を可変することが可能である。
即ち、低周波雑音特性が良好でないトランジスタを用い
て位相雑音特性の良好なマイクロ波帯の電圧制御発振器
の提供が図れる。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明した様に、本発明によれば低周波雑音特
性が良好でないトランジスタを用いて位相雑音特性の良
好なマイクロ波帯の電圧制御発振器の提供が図れると云
う効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は第１．第２の本発明の原理ブロック図、第２図
は第３匈の本発明の原理ブロック図、第３図は第１．第
２の本発明の実施例のブロック図、 第４図は第１．第２の本発明の別の実施例のブロック図
、 第５図は第３の本発明の実施例のブロック図、第６図は
従来例のブロック図、 第７図は問題点説明図を示す。 図において、 ２は副共振回路、 ３は主共振回路、 ４．４°は補償成分生成手段、 ５はトランジスタを示す。 ＥＰ力ロ＠天口 躬１ 荊２の本発明の側理７′ロック口 早　１　目 第３の＄、定明の原理プロ、７フ図 第２図 第１ 第２０本争明の５・１の寒施例の７゛口１，７７図しＰ
Ｆ 第３Ｉ′）本発明Ｉ７）芙殆例のプロ１．り間第５図 従来伊１のアロ・・７７図 佑６図 ＩＯ′Ｉ層魚説ＢＡ図 躬ｑ図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、トランジスタ（５）の第１の端子を接地し、第２の
    端子に外部からの印加電圧によって共振周波数が変化す
    る副共振回路（２）が結合した主共振回路（３）を接続
    し、第３の端子から出力信号を取り出す電圧制御発振器
    にをいて、 該トランジスタが発生する低周波雑音成分を抽出し、抽
    出した低周波雑音成分の位相、振幅を調整する補償成分
    生成手段（４、４′）を設け、該出力信号中に含まれる
    位相雑音成分が抑圧される様に該補償成分生成手段の出
    力を該印加電圧に重畳することを特徴とする電圧制御発
    振器。 ２、トランジスタがガリウム砒素電界効果トランジスタ
    であり、該第１の端子がドレイン、第２の端子がゲート
    、第３の端子がソースであることを特徴とする請求項１
    の電圧制御発振器。 ３、請求項１または請求項２の電圧制御発振器（６）と
    、基準周波数の出力信号を送出する基準発振器（８）と
    、該電圧制御発振器の出力信号と基準発振器の出力信号
    との位相差を検出し、位相差が所定値となる様に該電圧
    制御発振器の発振周波数を制御する制御信号を該印加電
    圧として送出する位相比較手段（７）とを有することを
    特徴とする電圧制御発振器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007501574A (ja) * 2003-08-06 2007-01-25 シナジー　マイクロウェーブ　コーポレーション 周波数選択性を有し低位相ノイズかつ低熱ドリフトの発振器
JP2007514376A (ja) * 2003-12-09 2007-05-31 シナジー　マイクロウェーブ　コーポレーション 熱ドリフトがユーザ指定可能な電圧制御発振器

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233319A (en) * 1992-03-27 1993-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low-cost, low-noise, temperature-stable, tunable dielectric resonator oscillator
US5473287A (en) * 1994-11-14 1995-12-05 Micronetics, Inc. Electronic oscillator with transmission line tuning of phase noise and linearity
US5748049A (en) * 1994-11-23 1998-05-05 Anadigics, Inc. Multi-frequency local oscillators
US5568096A (en) * 1995-04-19 1996-10-22 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Apparatus and method for using negative FM feedback in high quality oscillator devices
IT1277202B1 (it) * 1995-06-30 1997-11-05 Sits Soc It Telecom Siemens Procedimento di stabilizzazione automatica della frequenza di oscillatore locale in radioricevitori impieganti un oscillatore
US5821827A (en) * 1996-12-18 1998-10-13 Endgate Corporation Coplanar oscillator circuit structures
JPH10256905A (ja) * 1997-03-14 1998-09-25 Toshiba Corp 位相同期回路装置
US6064276A (en) * 1998-06-16 2000-05-16 Microware Solutions Limited Oscillator circuit
GB2338617A (en) * 1998-06-16 1999-12-22 Microwave Solutions Limited A voltage controlled oscillator with a dielectric resonator and a Schottky variable capacitance diode
JP3661573B2 (ja) * 2000-07-24 2005-06-15 株式会社村田製作所 電圧制御発振器、電圧制御発振器装置およびレーダ装置
US8749054B2 (en) 2010-06-24 2014-06-10 L. Pierre de Rochemont Semiconductor carrier with vertical power FET module
JP4046567B2 (ja) * 2002-07-29 2008-02-13 富士通テン株式会社 移動体検知装置
FR2849725A1 (fr) * 2003-01-06 2004-07-09 Thomson Licensing Sa Oscillateur a resonateur dielectrique commande en tension
US7088189B2 (en) 2003-09-09 2006-08-08 Synergy Microwave Corporation Integrated low noise microwave wideband push-push VCO
US7292113B2 (en) 2003-09-09 2007-11-06 Synergy Microwave Corporation Multi-octave band tunable coupled-resonator oscillator
US7262670B2 (en) 2003-12-09 2007-08-28 Synergy Microwave Corporation Low thermal drift, tunable frequency voltage controlled oscillator
EP1589655B1 (en) * 2004-04-21 2019-08-21 Synergy Microwave Corporation Wideband voltage controlled oscillator employing evanescent mode coupled-resonators
EP1619789B1 (en) * 2004-07-19 2019-09-11 Synergy Microwave Corporation Low thermal drift, tunable frequency voltage controlled oscillator
CA2515982C (en) 2004-08-16 2008-07-22 Synergy Microwave Corporation Low noise, hybrid tuned wideband voltage controlled oscillator
EP1797617A4 (en) 2004-10-01 2009-08-12 Rochemont L Pierre De CERAMIC ANTENNA MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
EP1886403B1 (en) 2005-05-20 2018-12-26 Synergy Microwave Corporation Tunable oscillator having series and parallel tuned resonant circuits
US8715839B2 (en) 2005-06-30 2014-05-06 L. Pierre de Rochemont Electrical components and method of manufacture
CA2566283C (en) 2005-11-02 2011-10-18 Synergy Microwave Corporation User-definable, low cost, low phase hit and spectrally pure tunable oscillator
US7605670B2 (en) 2005-11-15 2009-10-20 Synergy Microwave Corporation User-definable low cost, low noise, and phase hit insensitive multi-octave-band tunable oscillator
US8354294B2 (en) * 2006-01-24 2013-01-15 De Rochemont L Pierre Liquid chemical deposition apparatus and process and products therefrom
US7959598B2 (en) 2008-08-20 2011-06-14 Asante Solutions, Inc. Infusion pump systems and methods
US8952858B2 (en) 2009-06-17 2015-02-10 L. Pierre de Rochemont Frequency-selective dipole antennas
US8922347B1 (en) 2009-06-17 2014-12-30 L. Pierre de Rochemont R.F. energy collection circuit for wireless devices
US8552708B2 (en) 2010-06-02 2013-10-08 L. Pierre de Rochemont Monolithic DC/DC power management module with surface FET
US9023493B2 (en) 2010-07-13 2015-05-05 L. Pierre de Rochemont Chemically complex ablative max-phase material and method of manufacture
CN109148425B (zh) * 2010-08-23 2022-10-04 L·皮尔·德罗什蒙 具有谐振晶体管栅极的功率场效应晶体管
CN103415925A (zh) 2010-11-03 2013-11-27 L·皮尔·德罗什蒙 具有单片集成的量子点器件的半导体芯片载体及其制造方法
TW201401762A (zh) * 2012-06-27 2014-01-01 Yong-Sheng Huang 降低振盪器相位雜訊的電路
US9561324B2 (en) 2013-07-19 2017-02-07 Bigfoot Biomedical, Inc. Infusion pump system and method
US10275573B2 (en) 2016-01-13 2019-04-30 Bigfoot Biomedical, Inc. User interface for diabetes management system
HK1256995A1 (zh) 2016-01-14 2019-10-11 Bigfoot Biomedical, Inc. 药物输送设备、系统和方法中的阻塞解决方案
US10806859B2 (en) 2016-01-14 2020-10-20 Bigfoot Biomedical, Inc. Adjusting insulin delivery rates
US12383166B2 (en) 2016-05-23 2025-08-12 Insulet Corporation Insulin delivery system and methods with risk-based set points
US10363374B2 (en) 2016-05-26 2019-07-30 Insulet Corporation Multi-dose drug delivery device
CA3037432A1 (en) 2016-12-12 2018-06-21 Bigfoot Biomedical, Inc. Alarms and alerts for medication delivery devices and related systems and methods
US10547096B2 (en) 2016-12-22 2020-01-28 Knowles Cazenovia, Inc. Microwave cavity resonator stabilized oscillator
US10500334B2 (en) 2017-01-13 2019-12-10 Bigfoot Biomedical, Inc. System and method for adjusting insulin delivery
US10758675B2 (en) 2017-01-13 2020-09-01 Bigfoot Biomedical, Inc. System and method for adjusting insulin delivery
EP3568860B1 (en) 2017-01-13 2025-12-10 Insulet Corporation Insulin delivery methods, systems and devices
US10881793B2 (en) 2017-01-13 2021-01-05 Bigfoot Biomedical, Inc. System and method for adjusting insulin delivery
EP4708311A2 (en) 2017-01-13 2026-03-11 Insulet Corporation Insulin delivery methods, systems and devices
US10583250B2 (en) 2017-01-13 2020-03-10 Bigfoot Biomedical, Inc. System and method for adjusting insulin delivery
USD874471S1 (en) 2017-06-08 2020-02-04 Insulet Corporation Display screen with a graphical user interface
USD928199S1 (en) 2018-04-02 2021-08-17 Bigfoot Biomedical, Inc. Medication delivery device with icons
US12562251B1 (en) 2018-05-09 2026-02-24 Bigfoot Biomedical, Inc. Computing architecture for assuring the provenance of medication therapy related parameters, and related systems, methods and devices
USD920343S1 (en) 2019-01-09 2021-05-25 Bigfoot Biomedical, Inc. Display screen or portion thereof with graphical user interface associated with insulin delivery
USD977502S1 (en) 2020-06-09 2023-02-07 Insulet Corporation Display screen with graphical user interface
JP7665028B2 (ja) 2020-12-18 2025-04-18 インスレット コーポレイション 薬物送達デバイスによる将来の日付および時刻における薬物ボーラス送達の、コンピューティングデバイスを用いたスケジュール設定
US12514980B2 (en) 2021-06-30 2026-01-06 Insulet Corporation Adjustment of medicament delivery by a medicament delivery device based on menstrual cycle phase
US12521486B2 (en) 2021-07-16 2026-01-13 Insulet Corporation Method for modification of insulin delivery during pregnancy in automatic insulin delivery systems
CN120457493A (zh) 2023-01-06 2025-08-08 英赛罗公司 自动或手动启动的随餐推注输送及随后的自动安全约束放宽

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4630004A (en) * 1985-04-11 1986-12-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Dielectric resonator stabilized microstrip oscillator
FR2595518A1 (fr) * 1986-03-07 1987-09-11 Thomson Csf Oscillateur a faible bruit aux environs de sa frequence d'oscillation

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007501574A (ja) * 2003-08-06 2007-01-25 シナジー　マイクロウェーブ　コーポレーション 周波数選択性を有し低位相ノイズかつ低熱ドリフトの発振器
JP4916310B2 (ja) * 2003-08-06 2012-04-11 シナジー マイクロウェーブ コーポレーション 周波数選択性を有し低位相ノイズかつ低熱ドリフトの発振器
JP2007514376A (ja) * 2003-12-09 2007-05-31 シナジー　マイクロウェーブ　コーポレーション 熱ドリフトがユーザ指定可能な電圧制御発振器
JP4939228B2 (ja) * 2003-12-09 2012-05-23 シナジー マイクロウェーブ コーポレーション 熱ドリフトがユーザ指定可能な電圧制御発振器

Also Published As

Publication number Publication date
DE69101417T2 (de) 1994-07-14
DE69101417D1 (de) 1994-04-21
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EP0475262A1 (en) 1992-03-18
US5130675A (en) 1992-07-14
JP2847573B2 (ja) 1999-01-20

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