JPH04120783A - 光ファイバ付き半導体レーザ光源装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光フアイバ通信などの光源として用いられる
半導体レーザと光ファイバを一体化した光ファイバ付き
半導体レーザ光源装置およびその製造方法に関する。

（従来の技術） 半導体レーザから出射する光は、一般に進行方向に広が
るので、光ファイバに結合するためにはレンズを用いて
集光する必要がある。半導体レーザがら空間に出射する
光およびフラットな端面の光ファイバに結合する光は、
それぞれの端面にビームウェストがくるガウスビームと
して表現できる。ガウスビームはビームウェストの径で
一意的に表現でき、レンズはガウスビームのスポット径
変換として考えることができる。スポット径の変換はレ
ンズの倍率と一致し、例えば光通信に使用される波長１
．３μｍの光を発光する半導体レーザから出射されるガ
ウスビームのスポット径は約２μ鋼、単一モード光ファ
イバのスポット径は約１０μｍで、レンズ径の倍率はほ
ぼ５倍に設定すれば、半導体レーザからの光を単一モー
ドの光ファイバに効率良く結合できる。

実際に、ロノドレンズ、球レンズ等を用いて光通信用の
半導体レーザと単一モード光ファイバとを光結合した装
置が実用されている。第２図はその一例を示す。パンケ
ージ１０２は半導体レーザ１０１を搭載し、先球ＧＲＩ
Ｎロッドレンズ１０３はレンズホルダ１０５に保持され
、単一モード光ファイバ１０４はフェルール１０６に固
定され一体となっている。レンズホルダ１０５とフェル
ール１０６とは接合部材１０７を介して互いに固定され
ている。このモジュールの組立は、まず半導体レーザ・
パッケージ１０２とレンズホルダ１０５をレーザ溶接等
で固定する。１０８はそのレーザ溶接部を示す。次にフ
ェルール１０６と接合部材１０７をほぼ第２図に示され
る位置に置き、半導体レーザを動作し光ファイバ１０４
に導入された光パワーをモニタする。モニタされる光パ
ワーが最大になるようにフェルール１０６の位置調整を
行った後、接合部１０９．１１０をレーザ溶接等で固定
し完成する。

、二の種のモジュールで一般的に使用されるロノドレン
ズの径は約２ｍｍであり、かつレンズの両側には像倍率
条件を満たすためのスペースが必要であるから、個別レ
ンズを用いた光ファイバ付き半導体レーザ光源装置（モ
ジュール）の小型化には限界がある。また半導体レーザ
の温度制御を行う場合、第２図に示す装置全体を温度制
御する必要があり、熱容蓋が大きく制御性に劣る。半導
体レーザと光ファイバとが個別レンズを介さず、直接、
光結合できれば部品点数が少なくなり、より小型化が可
能となり、コストの低減、信頼性の向上、温度制御性の
向上等が期待でき、これからの光通信の発展に大きく貢
献すると考えられる。

単一モード光ファイバの平坦な端面を半導体し一ザの光
出射端面に対向して置いても、それぞれに結合する自由
空間ビームの形状が異なるので、単一モード光ファイバ
に結合する光は極めて僅かである。そこで、光ファイバ
の端面を球形等に加工してレンズ機能を持たせ、半導体
レーザからの光を効率良く光ファイバに結合する方法が
、従来より採用されている。例えば光ファイバの先端を
径１０μ…程度の球状に加工すると、該光ファイバから
出射する光は、先端から約１０μＩＩ＋＃れた位置にス
ポット径約２μｍのビームウェストをもつガウスビーム
となる。従って、半導体レーザの端面を該ビームウェス
トの位置に置けば、半導体レーザから出射する光ビーム
は、非常に効率良く光ファイバに結合する。この方法に
より個別のレンズを使わずに、小型で高光結合効率の光
ファイバ付き半導体レーザ光源装置が実現されるが、非
常に高い光ファイバの固定位置精度が要求される点が、
この光結合方法の実用上の大きな問題点である。

実際、第３図（Ａ）、　（Ｂ）、　（Ｃ）はそれぞれ先
球ファイバと半導体レーザとの光結合特性を示し、（Ａ
）は先球径と光結合効率の関係を、（Ｂ）は相対結合効
率の半導体レーザ・光フアイバ間距離に対する依存性を
、（Ｃ）は光軸に対して垂直方向への光ファイバのずれ
量と結合効率減少量との関係を示すグラフで、文献、“
橋本、長井、馬場ｒＤＩＰ形シンプシングルモードレー
ザモジュール気研究開発、νｏ１．５４．　Ｎ（１２，
ＰＰ、９７−１０２昭和６２年”によるものである。こ
れによれは先球半径が１０μ蒙のとき、光結合効率は−
３，５ｄＢであるが、半導体レーザと光ファイバの距離
が±３μｍ、または光ファイバが光軸に垂直に±０．５
μｍずれると、光結合効率は１ｄＢ劣化する。先球半径
を２０μ閑にすると結合効率は約−６ｄＢに減少するが
位置ずれ許容量は大きくなる。

先球ファイバを用いた光ファイバ付き半導体レーザ光源
装置の従来例を第４図に示す。３０１は半導体レーザで
あり、３０２は半導体レーザに対向する先端が球状に加
工された単一モード先球ファイバであり、半導体レーザ
との光結合に最適な位置にて半田３０４により固定され
ている。３０５は半導体レーザの熱膨張係数とほぼ等し
い熱膨張係数を持つ材料よりなる、いわゆるヒートシン
クで、金属部材３０６上に固定されている。先球ファイ
バも同じ金属部材３０６に固定されており、熱膨張によ
る位置ずれは最小限に抑えられている。一般に金属部材
３０６は電流通電により熱交換ができるベルチェ素子３
０９上に搭載されており、パッケージ３０７の温度が上
昇しても、半導体レーザ３０１の温度を、例えば２５°
Ｃ一定に保持することが可能とされている。３０８は温
度制御のためのサーミスタである。また、半導体レーザ
の前方、後方の両端面より光が出力されることから、半
導体レーザの後方にホトダイオード３０３が置かれ、半
導体レーザ３０１の動作状態を後方出力光でモニタでき
るようになっている。この装置の組立は、パッケージ３
０７中に置かれたベルチェ素子３０８上の金属部材３０
６にあらかじめ半導体レーザ３０１、サーミスタ３０８
、ホトダイオード３０３などを固定しておき、先球ファ
イバ３０２をほぼ第４図に示すような位置に置き、半導
体レーザを動作し、光ファイバ３０２に導入される光量
をモニタする。ファイバ３０２の位置を微調し、この光
量が最大になるようにし、半田３０４にて該ファイバが
動かないように固定する。しかし、半田は高温で溶融し
た後、冷えて固化するため収縮し、それに伴い光ファイ
バは最適な位置よりずれて、光結合効率が低下する。こ
のずれ量は一般に１μｍ以上あるのに対し、球半径１０
μｍ以下の先球ファイバでは高い光結合率が得られるも
のの、光フアイバ位置ずれ許容量が０．５μｍ以下と小
さいので、生産可能な歩留まりが得られず、実用されて
いない。位置ずれ許容量が１μｍ以上必要なために実用
化されているファイバの先球径は２０μ蒙以上で、結合
効率は−６ｄＢ以下と低い。

さらに、半田固定の場合に半田蒸気の発生等があり、半
導体レーザの極近傍で固定することができないので、金
属部材３０６は６ａｍ＋ロ以上の大きさが必要で、これ
以上の小型化は困難であった。

（発明が解決しようとする課題） 前述のように、従来の個別レンズを用いた半導体レーザ
と光ファイバとの結合では、高い光結合効率が得られる
が、個別レンズ等の大きさのため小型化が困難であった
。また、従来の先球ファイバと半導体レーザとの光結合
装置も、光ファイバの固定に半田等の方法が使われてお
り、熱収縮による位置ずれが大きく、先球径を１０μｍ
以下にして、より高い光結合効率を得ることが困難であ
るとともに、半田溶融等の工程が半導体レーザに及ぼす
悪影響を避ける等の理由から、やはりさらに小型化する
ことは困難である。

将来の光フアイバ通信の普及を考慮すると、半導体レー
ザ光源装置の小型化と低価格化は克服されなければなら
ない課題であり、本発明はこの課題を解決し、小型、高
光結合効率で再現性よく生産のできる光ファイバ付き半
導体レーザ光源装置およびその製造方法を提供すること
を目的とする。

（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために本発明では、半導体レーザの
厚さを光ファイバの半径よりも僅かに大きくし、半導体
レーザを固定したヒートシンクの同−平面上の半導体レ
ーザの極近傍において紫外線硬接着剤を用いて光ファイ
バを固定する。

従来の技術とは光ファイバの固定する方法、および固定
する位置が大きく異なる。

本発明では、該光ファイバとヒートシンクとの隙間に入
れる該接着剤の厚さを極めて薄くすることができ、該接
着剤の光硬化時の収縮の影響および温度変動に伴う膨張
・収縮の影響が避けられるので、光ファイバの固定位置
の精度が従来に比較し数段に高まる。また従来の技術で
は実用が困難であった高光結合が得られ、位置ずれ許容
量の小さいレンズ形状に加工された光ファイバでも高歩
留まりの生産が可能となり、かつ該ヒートシンクは極め
て小型となるので、光源装置全体としても体積で従来の
技術の十分の一以下が実現できる。

さらに、半導体レーザと光ファイバとの光結合効率が従
来に比べ高（なることから、光ファイバから同一の光出
力を得るに必要な半導体レーザの光出力は少なくて済み
、従って半導体レーザの発熱量は減少し、温度制御のた
めのベルチェ素子も小型化が可能となる。

（実施例） 以下に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。

第１図（Ａ）は本発明の一実施例の断面図で、第１図（
Ｂ）はその平面図である。第１図において４０１は先球
半径が１０μｍの単一モード先球ファイバで、半導体レ
ーザとの光結合において−３，５ｄＢの効率が期待され
るが光ファイバの位置ずれ許容量は０．５μｍ以下と厳
しいものである。４０２は半導体レーザでそのへき開端
面からレーザ光が放出され、光ファイバ４０１の先端部
のレンズ効果により、光フアイバ内を伝搬する光波モー
ドに変換される。４０３は窒化アルミニウムのセラミッ
クで作製された２ｍｎ角のヒートシンクであって、半導
体レーザをそのほぼ中央部に搭載している。半導体レー
ザは金錫合金等の半田材で該ヒートシンクに固定される
。ヒートシンク４０３は第１図（Ｂ）の平面図に示すよ
うなメタライズパタンを有し、半導体レーザは該パタン
に電気的な接触がとられており、該ヒートシンクに固定
された後は、半導体レーザにプローブ針をあてなくとも
通電して、特性測定が可能となっている。半導体レーザ
４０２の光出射端面の前方には、１ｍｍ程度該ヒートシ
ンクの平面が続いており、光ファイバ４０１は、この領
域で紫外線硬化型接着剤４０４により、ヒートシンク４
０３に固定されている。

第１図（Ｃ）はヒートシンク４０３上の半導体レーザ４
０２と光ファイバ４０１　と接着剤４０４の断面を拡大
して描いた概念図である。標準的な単一モード光ファイ
バの外径は１２５±１μｍである。半導体レーザの厚さ
はへき開を容易にするため、８０±５μｍに研磨されて
いるのが一般的である。従って、半導体レーザ４０２と
単一モード先球光ファイバ４０１　とを窒化アルミニウ
ム・セラミック・ヒートシンクの同一平面上に固定した
場合、光ファイバ４０１　と該ヒートシンク４０３との
間にできる隙間は、１７．５±６μ個と極めて小さくて
済む。このような高い精度で光ファイバを固定できるの
は、間に他の部材を介さず直接ヒートシンク４０３に固
定するためであるが、それはファイバの固定に紫外線硬
化型接着剤を用い、室温にて固定できるからで、例えば
半田またはレーザ溶接などを用いた光フアイバ固定方法
では、光ファイバに比較し１０倍以上の径の金属管で光
ファイバを覆う必要があったり、高温プロセスの影響の
ため、この実施例のように半導体レーザの極近傍で光フ
ァイバを固定することが困難であったりするので、この
ような高精度の部材寸法合わせは不可能である。

次に、第１図の光ファイバ付き半導体光源装置の製造方
法について説明する。半導体レーザ４０２は、例えば金
銀合金半田等を用いてヒートシンク４０３の上面に接着
固定し、所要のワイヤボンディング等を行い、該半導体
レーザを動作できるようにする。光ファイバの固定に当
たっては、半導体レーザ４０２を動作し、光ファイバ４
０１を概略第１図に示すような位置に置き、光ファイバ
に結合する光強度を測定しながら、光ファイバの位置を
微調整して、光ファイバに結合する光強度が最大となる
ようにし、その位置を保持したまま紫外線硬化型接着剤
で固定する。紫外線硬化型接着剤は紫外線を照射するま
では硬化しないので、光ファイバの位置調整を行う前に
ヒートシンク４０３の第１図に示すような位置にあらか
じめ塗布しておき、光ファイバは硬化する前の紫外線硬
化型接着剤に接触しながら最適位置に移動され、移動後
、直ちに紫外線照射で接着剤を硬化し固定することがで
きる。紫外線照射は半導体レーザを破損することがなく
、半導体レーザを作動したまま紫外線を照射することが
可能で、光ファイバの位置調整後、紫外線照射までの間
に振動等による光ファイバの位置ずれが起こらないうち
に紫外線を照射する。

さらに、紫外線硬化型接着剤が紫外線照射により硬化す
るとき収縮して、光ファイバの位置ずれを引き起こすこ
とが予想されるが、この時のファイバのずれ方向はヒー
トシンク４０３に接近する方向であり、これに対してば
あらかしめ予想される位置ずれ量分を逆方向にずらして
おけば、硬化後には丁度最適な位置に光ファイバを固定
することができる。紫外線硬化型接着剤の収縮による光
ファイへの位置ずれ方向が一方的になる理由は、接着剤
が液状状態の時に左右の応力のバランスが十分にとられ
、かつ均一に紫外線が照射されて応力がバランスしたま
ま硬化するので、唯一応力のバランスがかける上下方向
にのみずれるのである。

半田固定の場合、溶融した半田を均一に硬化することは
至難の技で、光ファイバは左右方向にもずれ、あらかじ
めずれる方向を予測することは不可能である。

さて、第１図において４０５はセラミックパッケージで
あり、半導体レーザ４０２と光ファイバ４０１を固定し
たヒートシンク４０３は、温度制御のため該パッケージ
内部に取り付けられたペルチェ素子４０６上に搭載され
ている。ヒートシンク４０３に紫外線硬化型接着剤４０
４により固定された光ファイバ４０１は、セラミックパ
ッケージ４０５の壁面に設けられた金属筒４０７を貫通
して、パッケージ外部につながっている。紫外線硬化型
接着剤４０４の該光ファイバに対する接着力には限界が
あり、光ファイバに対して外部から加えられる大きな力
には対抗しきれない。この実施例では金属筒の出口にお
いて光ファイバ４０１は半田４０８にて補強固定されて
おり、外部からの力にはこの半田固定部が抗する構造と
されている。また、パッケージ信頼性の観点から気密封
入されることが望まれるが、光ファイバ４０１の外部へ
の取り出し穴の気密封入も半田４０８が兼ねている。

この実施例におけるヒートシンク４０３は２ＩｎＩ１１
角で半導体レーザ４０２以外にヒートシンク上の温度測
定のためのサーミスタ４０９が半田固定されている。該
ヒートシンク４０３を温度制御するペルチェ素子４０６
の上面側は２．２　ｍ角のアルミナセラミックでヒート
シンク４０３はＩｎＳｎ等の低融点半田により、該アル
ミナセラミックに固定されている。このペルチェ素子４
０６は２対のｐ−型とｎ−型のＢ１Ｔｅ半導体より構成
され、このような小型のペルチェ素子は従来使われてい
ない。これは温度制御対象のヒートシンク４０３が２ｍ
ｍ角と超小型化されたために可能となった。ペルチェ素
子、半導体レーザ、サーミスタ等への外部からの電気的
接続は、通常のセラミックパッケージと同様のり一ド４
０１を周知の方法で設けることによりなされる。

次にこの実施例において紫外線硬化型接着剤４０４に要
求される重要な特性について記述する。

紫外線照射による接着剤の硬化時間は短ければ短いほど
よいが、通常得られる紫外線光源で数分以内であれば実
用になる。紫外線硬化時の接着剤４０４の収縮量も小さ
ければ小さいほど、光ファイバ４０１の固定位置制御性
が高まるわけだが、前述のように、接着剤の収縮による
光ファイバの移動方向が一方向に定まっているので、あ
らかじめ補正する量さえ推定できれば、光ファイバ４０
１を最適位置に固定することができる。光ファイバ４０
１の中心はヒートシンク４０３の表面から約８０μｍの
高さに固定され、その公差は±１０μｍ程度以下である
。先球径１０μｍの先球ファイバの位置ずれ許容量は±
０．５μ−で公差の５％に相当する。接着剤の収縮によ
る光ファイバの移動量はヒートシンクからの該光ファイ
バの中心の高さに比例すると考えられ、その５％の４μ
−が再現性の確保できる補正量の限界と推定される。こ
れを超える補正は各種公差の影響を反映するようになり
、再現性が得られなくなると考えられ、該紫外線硬化型
接着剤の硬化収縮はこの範囲になければならない。

この実施例において紫外線硬化型接着剤の最も重要な特
性は紫外線硬化後に加熱等で、さらに硬化収縮を生じな
いことである。すなわち紫外線照射により完全に硬化反
応を終了し、その後は安定でることが望まれる。この実
施例の場合、先球ファイバ４０１を固定した後、パッケ
ージの気密封入のため半田が使われ、１５０°Ｃ程度の
加熱が必要になる。この時光フアイバ位置ずれを生じな
いことが望まれる。当然、１５０°Ｃ程度の耐熱性が必
要であり、このような樹脂としてはエポキシ樹脂、シリ
コーン樹脂があげられる。

紫外線硬化型接着剤４０４による光ファイバ４０１の保
持強度であるが、強ければ強い方が良いのは当然のこと
ながら、この実施例の場合、最終的には外部から光ファ
イバ４０１に加えられる力は、半田４０８により対抗す
るので、それほどの保持力は必要ないが、目安としては
パンケージの重量の１０倍程度の荷重に耐える保持力が
あればよいと考えられる。例えば市販のエポキシ系の熱
硬化型接着剤で、この実施例のような光ファイバの固定
を行った場合の接着力は５００ｇ程度以上が得られ、紫
外線硬化接着剤でも同程度のファイバ保持強度が得られ
ると期待され、保持力として十分である。

また、当然のことながら、半田４０８にて光ファイバ４
０１を固定するときには、光ファイバの曲げ応力等が残
り、接着剤４０４に力が加わったままにしないことが、
後々信顛性を確保する上で重要であり、そのようにする
ことは周知の手法で可能である。

本発明は以上の代表的な実施例の他にも種々の変形が考
えられる。例えば前述の実施例では半導体レーザの温度
制御のためペルチェ素子４０６を搭載したが、ペルチェ
素子を搭載しなくとも本発明の思想を逸脱するものでは
ない。また、ヒートシンク４０３は窒化アルミニウムセ
ラミックとしたが、酸化アルミニウムセラミックまたは
シリコン基板などでも代替し得る。また、パッケージ４
０５の材質も本発明の実施例ではセラミックとしたが、
パッケージの熱膨張を十分考慮にいれて設計すれば、コ
バール合金、銅タングステン合金等も代替できる。さら
に、本発明の実施例では光ファイバ４０１のパッケージ
４０５から外部への取り出し口での固定を半田４０８に
て行っているが、この部分の固定については、レーザ溶
接等の他の周知の方法による固定でもよいことは言うま
でもない。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、個別レンズを使
わない半導体レーザと光ファイバとの直接の光結合にお
いて、半導体レーザの厚さと光ファイバの径を適切に整
合し、半導体レーザを固定したヒートシンクの同一平面
に対し、半導体レーザとの光結合に最も適切な位置にて
光ファイバを紫外線硬化型接着剤で固定することにより
、超小型にして光結合効率が高く、高い歩留まりで生産
が可能な光ファイバ付き半導体レーザ光源装置が提供さ
れる。

半導体レーザおよび光ファイバを固定するヒートシンク
は非常に小型化が可能であり、温度制御を行う場合のペ
ルチェ素子も従来にない小型化が達成されると同時に、
本発明によれば高い光結合が再現性よく実現できるので
、半導体レーザの電力消費を抑え、小型のペルチェ素子
でも温度制御が可能となる。将来の波長多重光通信、コ
ヒーレント光通信では、波長安定化のため半導体レーザ
の温度制御が必須であるが、本発明による温度制御性に
優れた超小型の光ファイバ付き半導体レーザ光源装置は
、これらの通信方式の普及を可能とするものである。

さらに、高光結合で温度制御が可能であるから、共振器
長を短くした超低閾値電流の半導体レーザを搭載した低
消費電力光源を実現できる。これは各家庭に光フアイバ
通信を普及するうえで、有力な光源である。また、短共
振器半導体レーザは、それ自体の消費電力が小さくなる
だけであく、レーザ駆動用の電気回路の消費電力も同時
に減少し、かつ高周波動作を可能とする。従って、本発
明による光源には従来実現が不可能であった性能を持た
せることが可能で、各種光通信用光源はもとより、その
応用分野に及ぼす効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）、　（Ｂ）は本発明による光ファイバ付き
半導体レーザ光源装置の一実施例のそれぞれ断面図およ
び平面図、第１図（Ｃ）はヒートシンク上の半導体レー
ザと単一モード先球光ファイバと接着剤の断面を拡大し
て描いた概念図、 第２図は個別レンズを用いた従来の技術の光ファイバ付
き半導体レーザ光源装置の断面図、第３図は参考文献に
よる単一モード先球ファイバと半導体レーザとの光結合
特性の測定結果例を示し、第３図（Ａ）は最大結合効率
と先球半径の関係を示す図、第３図（Ｂ）は光ファイバ
の位置結合効率の関係（Ｘ方向）を示す図、第３図（Ｃ
）は光ファイバの位置と結合効率の関係（Ｘ方向）を示
す図、 第４図は従来の技術により先球ファイバと半導体レーザ
を直接光結合した光ファイバ付き半導体レーザ光源装置
の断面図である。 １０１、３０１．４０２・・・半導体レーザ１０２・・
・パッケージ １０３・・・先球ＧＲＩＮロッドレンズ１０４・・・単
一モード光ファイバ １０５・・・レンズホルダ　　１０６・・・フェルール
１０７・・・接合部材 １０８、１０９．１１０・・・レーザ溶接部３０２、４
０１・・・単一モード先球光ファイバ３０３・・・ホト
ダイオード　３０４．４０８・・・半田３０５、４０３
・・・ヒートシンク ３０６・・・金属部材　　　　３０７・・・パッケージ
３０８、４０９・・・サーミスタ ３０９、４０６・・・ペルチェ素子 ４０４・・・紫外線硬化型接着剤 ４０５・・・セラミックパンケージ ４０７・・・金属筒 第１図 （Ｃ） 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザからの出力光を光ファイバの一端に結
   合し、該光ファイバの他端から光を出力する光源装置に
   おいて、半導体レーザの基板の厚みを光ファイバの半径
   より僅かに大きくし、該基板材料と熱膨張係数がほぼ一
   致する材料からなるヒートシンク上に該半導体レーザが
   固定され、同一ヒートシンク上において光ファイバの一
   端が半導体レーザの光出射端面に直接対向して光結合に
   とって最適な位置関係に置かれ、その位置関係を保持す
   べく該光ファイバが該ヒートシンクに紫外線硬化接着剤
   で固定されていることを特徴とする光ファイバ付き半導
   体レーザ光源装置。 ２、前記光ファイバは、該光ファイバが半導体レーザに
   対向する一端をレンズ機能を持つように加工した単一モ
   ード光ファイバであり、かつ前記紫外線硬化接着剤の主
   成分がエポキシ樹脂またはシリコン樹脂であることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ファイバ付き半
   導体レーザ光源装置。 ３、半導体レーザからの出力光を光ファイバの一端に結
   合し、該光ファイバの他端から光を出力する光源装置の
   製造方法において、半導体レーザの基板の厚みを光ファ
   イバの半径より僅かに大きくし、該基板材料と熱膨張係
   数がほぼ一致する材料からなるヒートシンク上に該半導
   体レーザを固定する工程と、同一ヒートシンク上におい
   て光ファイバの一端が半導体レーザの光出射端面に直接
   対向して光結合にとって最適な位置関係に置く工程と、
   その位置関係を保持すべく該光ファイバを該ヒートシン
   クに紫外線硬化接着剤で固定する工程とを含むことを特
   徴とする光ファイバ付き半導体レーザ光源装置の製造方
   法。 ４、前記光ファイバが半導体レーザに対向する一端をレ
   ンズ機能を持つように加工した単一モード光ファイバで
   あり、かつ前記紫外線硬化接着剤の主成分がエポキシ樹
   脂またはシリコン樹脂であることを特徴とする特許請求
   の範囲第３項記載の光ファイバ付き半導体レーザ光源装
   置の製造方法。