JPH0754650B2

JPH0754650B2 - 平角状超薄膜絶縁電線

Info

Publication number: JPH0754650B2
Application number: JP11305490A
Authority: JP
Inventors: 英隆黒木; 堅司古田
Original assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Cable Industries Ltd
Priority date: 1990-04-28
Filing date: 1990-04-28
Publication date: 1995-06-07
Anticipated expiration: 2010-06-07
Also published as: JPH0412406A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、アルミニウムからなる導体を有する平角状超
薄膜絶縁電線に関する。

〔従来の技術〕

現在、極薄膜絶縁電線、特に平角状極薄膜絶縁電線とし
ては、精々８〜20μｍ程度の比較的厚膜の絶縁皮膜を形
成した絶縁電線が提案されているに過ぎない。

しかしながら、最近の技術の進歩に伴い、電気機器の軽
量小型化のために電線絶縁層の益々の薄膜化が付く要望
される現状にあるが、これ以上の薄膜の、換言すれば超
薄膜の絶縁電線は全く開発されていない。この理由は、
絶縁性ワニスの塗布焼付方法によっては平角状導体の両
平坦面上に超薄膜絶縁層を形成することは比較的容易で
はあっても、導体のコーナー部に超薄膜を安定して形成
することが極めて困難であることによる。一方、平角状
絶縁電線の別の製造方法として、丸状導体に絶縁皮膜を
形成した後に圧延することにより絶縁電線を製造する方
法がある。しかし、この方法では絶縁皮膜に残留応力が
残るため耐電圧や耐ヒートショック性などが著しく低下
し、また圧延率が大きい場合や絶縁皮膜が超薄膜である
と、皮膜に割れが生ずる難点がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明が解決しようとする課題は、上記従来の技術に開
示の問題点に鑑み、平角状導体に超薄膜の絶縁皮膜を形
成した平角状絶縁電線を開発することである。特に詳し
くは、少なくとも平角状導体（特に厚さが500μｍ以下
の極細のもの）の幅方向における平坦面上の絶縁皮膜の
厚さが５μｍ以下という超薄膜の絶縁層を平角状導体上
に形成した平角状超薄膜絶縁電線を開発することであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

この課題は、圧延により平角状に成形したアルミニウム
からなる導体上にジンケート処理を施し、又はジンケー
ト処理面上に更に銅メッキを施し、当該ジンケート処理
面上又は銅メッキ面上に樹脂ワニスの電着により絶縁皮
膜を形成した電線であって、少なくとも導体の幅方向に
おける平坦面上の絶縁皮膜の厚さが５μｍ以下であるこ
とを特徴とする平角状超薄膜絶縁電線により解決され
る。

〔発明の構成並びに作用〕

本発明の絶縁電線は、原則として次のような構成を有す
る。

（ｉ）導体はアルミニウムからなること、（ii）導体は圧延により成形された平角状導体、就中極
細平角状導体であること、（iii）導体上にジンケート処理が施されていること、
又はジンケート処理面上に更に銅メッキが施されている
こと、（iv）ジンケート処理面上、又は銅メッキ面上に樹脂ワ
ニスの電着により絶縁皮膜が形成されていること、（ｖ）少なくとも導体の幅方向における平坦面（以下フ
ラット部と称する）上の絶縁皮膜の厚さが５μｍ以下の
超薄膜であること、である。

以下に、これら項目について更に詳しく説明する。

本発明の絶縁電線における導体としては、アルミニウム
からなる平角状のもの、好ましくは極細平角状のもので
ある。具体的には第１図及び第２図に示す如く、導体の
厚さｔは500μｍ以下、好ましくは10〜200μｍ程度であ
る。幅ｗは100〜5000μｍ程度である。またアスペクト
比（t:w）は1:3〜1:100程度である。

上記平角状導体は圧延により成形されたもので、圧延加
工は常套手段にて行えばよい。例えば、丸状導体を圧延
ロールなどによって極細平角状導体に成形したり、或い
は大サイズの平角状導体を圧延ロールなどによって小サ
イズの平角状導体に成形する、などが挙げられる。

圧延により平角状導体を作製することにより、以下のジ
ンケート処理、銅メッキ処理、更には電着処理による角
処理層を安定して形成することができる。即ち、従来の
技術でも述べたように、丸状導体上に絶縁皮膜を形成し
た後に平角状導体に圧延した場合に生ずる皮膜割れや耐
電圧性、耐ヒートショック性などの低下を防止できる。
また、丸状導体上にジンケート処理、銅メッキ処理を施
した導体を圧延した場合、銅メッキ層に亀裂が生じ、次
工程の電着処理で均一な絶縁皮膜が得られない。加え
て、平角状導体板から個々の平角状導体を切断する場合
に生ずる導体コーナー部の切断面の粗さによる絶縁皮膜
の形成し難さをも解決できる。

平角状導体上に施すジンケート処理、銅メッキ処理、及
び電着処理はいずれも各々の常套手段によって行うこと
ができ、次に各処理について述べる。

まず、ジンケート処理に先立ってアルミニウム製導体表
面の酸化アルミニウムを苛性ソーダなどにより除去して
おくことが望ましい。

ジンケート処理は、自体公知の技術にて行えばよく、例
えば特開昭61−148900号公報に開示の処理技術が好まし
い。ジンケート処理に用いる処理液としては、アルミニ
ウム表面にZn層を形成し得るものであればよく、例えば
酸化亜鉛などの亜鉛化合物と苛性ソーダなどの苛性アル
カリとを含有する処理液が例示される。特に好ましい処
理液は、苛性ソーダ200〜600g/l、酸化亜鉛20〜200g/
l、塩化第二鉄0.5〜20g/l、酒石酸カリウム１〜100g/
l、硝酸ソーダ0.5〜20g/lからなる水溶液である。

アルミニウム表面へのジンケート処理は、任意の温度で
行ってよいが、低温で行った場合にはZn層の形成に長時
間を要し、一方高温ではZn層がアルミニウム表面に付着
し難くなるので、20〜65℃、好ましくは25〜55℃の温度
域で行うことが望ましい。この温度域で行う場合の好ま
しい処理時間は１〜60秒間、好ましくは３〜30秒間であ
る。またジンケート処理によるZn層の厚さは、0.05〜2.
0μｍ、好ましくは0.08〜1.0μｍ程度でよい。

上記ジンケート処理されたアルミニウム導体におけるジ
ンケート処理面上への銅メッキ処理は、本発明では必ず
しも施す必要はなく、当該処理を省いて次の電着処理に
移ってもよい。しかし、銅メッキ処理を施しておけば、
完成後の電線使用時に端子を付ける場合に銅メッキ層が
あるから半田付処理が容易になる。しかして銅メッキ処
理は、従来公知の技術に準じて行えばよく、電気メッキ
方式、化学メッキ方式のいずれの方式でも構わない。ま
た特に厚さの大きい銅メッキ層を形成する必要はなく、
0.1〜10μｍ程度の薄層で十分である。

電着処理は、これも従来公知の技術にて行えばよい。電
着処理による絶縁皮膜において、少なくとも平角状導体
のフラット部上の皮膜厚さは５μｍ以下という従来全く
考えても見られなかった超薄膜絶縁皮膜であり、本発明
の最大の特徴の一つである。極細平角状導体につき従来
このような超薄膜絶縁層は形成されたことがなく、既に
〔従来の技術〕で説明した通り導体のコーナー部には殆
ど絶縁層を形成することができず、絶縁皮膜とはなり得
なかったものであると同時に、既に絶縁皮膜を形成した
丸状電全を圧延した場合には前述の通りの問題点がある
ものである。

この絶縁皮膜の厚さは、少なくとも平角状導体のフラッ
ト部が５μｍ以下である。より好ましくは第１図及び第
２図に示すように、導体のフラット部（幅ｗの方向にお
ける面）においては0.5〜３μｍ、特に好ましくは0.8〜
２μｍ程度であり、導体のコーナー部（厚さｔの方向に
おける面）においてはフラット部よりも大きく、通常フ
ラット部の1.1倍以上、例えば1.1〜10倍、好ましくは1.
2〜５倍程度である。絶縁皮膜は、全体としてこのよう
な超薄膜でありながら、その絶縁特性の目安の一つであ
るピンホール数（測定法はJIS C3003に拠る）において1
00個/m以下、例えば70個/m以下であって、実際的な見地
からして極めて優れた安定被覆性を有する。

かかる超薄膜絶縁層を形成する電着処理の具体例につい
て以下に説明する。

本発明における超薄膜絶縁層は、上記ジンケート処理
（及び銅メッキ処理）を施した平角状導体上に樹脂ワニ
ス、好ましくは水分散樹脂ワニスを電着して電着皮膜を
形成し、これを焼付けることにより形成される。その
際、後述する電着条件により導体コーナー部の厚さがフ
ラット部の厚さよりも1.1倍以上となるようにすること
が好ましい。次いで通常の条件で焼付けを行っても良好
な超薄肉絶縁層を形成することができる。なお参考のた
めに付言すると、溶液型樹脂ワニスを用いて電着して形
成した超薄膜の皮膜はこれを焼付けると、形成された超
薄膜の皮膜が焼付け時に樹脂ワニスの表面張力による流
れを生じて均一な皮膜が形成され難く、特にコーナー部
においてはこれが著しくて殆ど皮膜が形成されないこと
がある。たとえ形成できたとしても部分的にしか形成で
きず、良質な絶縁皮膜とはなり難い。一方、ピンホール
数はやはり計数できない程の多数のレベルになる。

本発明において使用する樹脂ワニスとしては、電着によ
り絶縁皮膜を形成し得るものであればよく、従来から電
着用樹脂ワニスとして使用されてきたものをいずれも使
用することができる。これらの中で好ましいものは、ア
クリル系樹脂の水分散ワニスである。この際のアクリル
系樹脂としては次のようなものが例示される。即ち、（ａ）成分として、式（１）； CH₂＝CR₁R₂ （１）（式中、R₁は水素原子又はアルキル基を、R₂はニトリル
基、アルデヒド基、又はカルボキシエステル基を示す）にて表される少なくとも一種の化合物、及び（ｂ）成分として、式（２）； CH₂＝CR₃R₄ （２）（式中、R₃及びR₄はそれぞれ水素原子、アルキル基、ア
ミド基、Ｎ−アルキルアミド基、アルキロール基、グリ
シジルエーテル基又はグリシジルエステル基を示す。但
し、R₃とR₄とが同時に水素原子、或いは同時にアルキル
基の場合を除く）にて表される少なくとも一種の化合物、並びに（ｃ）成
分として式（１）或いは式（２）で表される化合物の各
二重結合と反応し得る少なくとも１つの二重結合を有す
る不飽和有機酸、の少なくとも上記３成分を反応させて
得られる共重合体からなるアクリル系樹脂である。

上記（ａ）成分のR₁、R₂、（ｂ）成分のR₃、R₄、及び
（ｃ）成分である有機酸の各炭素数は、得られるポリア
クリル樹脂の耐熱性の点から約30以下、特に好ましくは
15以下である。

（ａ）成分の好ましい例としては、アクリロニトリル、
メタアクリロニトリル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリ
ル酸プロピル、アクロレインがある。（ａ）成分のうち
特に好ましい例としては、得られるポリアクリル樹脂の
耐熱性の点から合計炭素数が15以下のものである。

（ｂ）成分の好ましい例としては、グリシジルアクリレ
ート、グリシジルメタアクリレート、アリルグリシジル
エーテル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミ
ド、エチロールアクリルアミドがある。

（ｃ）成分の好ましい例としては、一塩基酸としてアク
リル酸、クロトン酸、ビニール酢酸、メタアクリル酸、
α−エチルアクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグリ
ン酸、２−ペンテン酸、２−ヘキセン酸、２−ヘプテン
酸、２−オクテン酸、10−ウンデセン酸、９−オクタデ
セン酸、桂皮酸、アトロパ酸、α−ベンジルアクリル
酸、メチルアトロパ酸、2,4−ペンタジエン酸、2,4−ヘ
キサジエン酸、2,4−ドデカンジエン酸、9,12−オクタ
デカジエン酸など、二塩基酸としてマレイン酸、フマー
ル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、グルタ
コン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸など、三塩基酸と
して1,2,4−ブテントリカルボン酸などが例示される。
より好ましい（ｃ）成分の例としてはアクリル酸、メタ
アクリル酸、α−エチルアクリル酸、クロトン酸、マレ
イン酸、フマール酸がある。

本発明で用いるポリアクリル樹脂は公知の重合法、例え
ば乳化重合、溶液重合、懸濁重合により、上記（ｂ）成
分１モル当たり（ａ）成分１〜20モル、好ましくは２〜
10モル、最も好ましくは４〜６モルと、（ａ）成分プラ
ス（ｂ）成分１モル当たり0.01〜0.2モル、好ましくは
0.03〜0.1モルの（ｃ）成分とを反応させて得られる。

上記のポリアクリル樹脂はスチレン及びその誘導体、ジ
オレフィンにより変性されたものであってもよい。この
際のスチレン誘導体としては、スチレンのフェニル基が
ニトリル基、ニトロ基、水酸基、アミノ基、ビニール
基、フェニル基、塩素、臭素などのハロゲン原子、アル
キル基、アラルキル基、Ｎ−アルキルアミノ基、の少な
くとも一つにより置換された化合物である。

本明細書において、アルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、イソブチルなどの炭素数１〜４
のものが好適であり、これは、例えばアラルキル基、Ｎ
−アルキクアミド基、アルキロール基などのように当該
基の一部にアルキル部分を含む基についても同様であ
る。また、アラルキル基としてはベンジル基、α或いは
β−フェニルエーテルなどがあり、Ｎ−アルキルアミノ
基としてはＮ−メチルアミノ、Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−
プロピルアミノなどがある。就中、好ましいスチレン誘
導体の例としては、メチルスチレン、エチルスチレン、
ジビニルベンゼン、クロロスチレンがあり、更に上記ジ
オレフィンの好ましい例としてはブタジエン、ペンタジ
エン、メチル−ブタジエンなどがある。これら変性剤を
含むポリアクリル樹脂は前記した公知の重合法により
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）成分の混合物に一つ或いはそれ
以上の上記変性剤を加えて重合することにより得られる
が、スチレン及びその誘導体やジオレフィンの添加量は
（ａ）成分１モル当たり前者の場合で約２モル或いはそ
れ以下、後者の場合で約１モル或いはそれ以下に抑える
べきである。この理由としてはスチレンの場合、得られ
るポリアクリル樹脂の可撓性が乏しくなること、一方ジ
オレフィンの場合、軟化温度が低くなることが挙げられ
る。

本発明で用いるポリアクリル樹脂は、通常約10,000〜1,
000,000の重合度を有するが、重合度が余り低いと得ら
れるポリアクリル樹脂の強靱さが乏しくなり、一方重合
度が余り高いと塗装に際しての作業性が悪くなるため、
より好ましいポリアクリル樹脂の重合度は100,000〜50
0,000程度である。

アクリル系樹脂のうち、特に好ましいのはエポキシアク
リル系樹脂である。また一般に乳化重合により製造され
るポリアクリル樹脂の乳化物それ自身、或いは界面活性
剤と共にポリアクリル樹脂を水中に分散させたものがワ
ニスとして好ましい。

本発明の平角状超薄膜絶縁電線を製造する場合における
樹脂ワニスの濃度は0.1〜10重量％、好ましくは0.3〜５
重量％程度とするのが適当である。該樹脂ワニスの濃度
が10重量％よりも高くなると良好な超薄膜は形成し難く
なり、一方0.1重量％よりも低くなるとピンホール数が
増加して絶縁性が不十分となる。また水分散ワニス中の
樹脂分散粒子の大きさは通常1.0μｍ以下、好ましくは
0.5μｍ以下程度であり、余り分散粒子が大きくなり過
ぎると良好な超薄膜は形成し難い。

本発明において、電着処理は樹脂ワニスに導体を浸漬し
電着する。この際の電着条件としては、直流電圧は５〜
100V、好ましくは７〜30V、電着時間は通常0.01〜30
秒、好ましくは0.03〜15秒程度、電着の際のワニス温度
は５〜40℃、好ましくは10〜35℃である。その際直流荷
電に交流荷電を重畳させることも可能である。また、電
着層の焼付温度は通常100〜700℃、好ましくは200〜600
℃である。

以下、本発明の平角状超薄膜絶縁電線の具体的製造法を
第３図に示す工程流れ図に基づいて説明する。

先ず、巻取機10に巻き取られているアルミニウム製丸状
導体Ｃ′（例えば、直径300μｍ程度）を圧延ロール11
により圧延し、平角状導体Ｃ（例えば、厚さt70μｍ、
幅w1000μｍ、アスペクト比1:14.3）に成形する。

次に、苛性ソーダ水溶液（例えば、120g/l）による処理
にて平角状導体表面の酸化アルミニウム層を除去する
（この工程は図示せず）。その後、苛性ソーダ（例え
ば、400g/l）、酸化亜鉛（例えば、100g/l）、塩化第二
鉄（例えば、1g/l）、酒石酸カリウム（例えば、5g/
l）、硝酸ソーダ（例えば、5g/l）よりなるジンケート
処理水溶液槽20（例えば、温度30℃）に浸漬（例えば、
30秒間）し、平角状導体の表面にZn層（例えば、厚さ0.
1μｍ）を析出させ、これを水洗槽21に浸して水洗す
る。

そして電気メッキ方式による銅メッキを行うべく電気メ
ッキ浴槽30を通過させ、Zn層上に銅メッキ層（例えば、
厚さ1.0μｍ）を形成する。その後、これを水洗槽31に
浸して水洗し、必要ならば更に乾燥機32によって乾燥さ
せることにより、導体Ｃ上に順にZn層及び銅メッキ層を
有するアルミニウム平角状導体を得る。

次に、直流電源（図示せず）の陽極側に接続した導体Ｃ
が水分散型樹脂ワニス41で満たされた電着バス40中を通
過する。円筒状の陰極42が電着バス40中に置かれ、陽極
である導体Ｃと陰極42と間の電位差により樹脂が導体Ｃ
の銅メッキ層上に均一に析出する。

なお、本発明において、水分散型ワニスとして前記した
ポリアクリル樹脂系ワニスを用いた場合、その電着層を
直ちに乾燥、焼付けてもよいが、乾燥、焼付前に有機溶
剤51を満たした溶剤槽50中を通過させることが特に好ま
しい。この有機溶剤51としては、水を少なくとも約１重
量％、好ましくは少なくとも約10重量％溶解し、且つ導
体上に析出した乾燥、焼付前の、しかして半硬化状態又
はそれより前のポリアクリル樹脂を少なくとも膨潤、好
ましくは溶解するものが用いられる。例えば、メタノー
ル、エタノール、プロパール、エチレングリコール、グ
リセリンなどの１価又は多価アルコール、或いはエチレ
ングリコールモノメチルエテル、エチレングリコールモ
ノエチルエーテル、エチレングリコールイソプロピルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチ
レングリコールジエチルエーテル、エチレングリコール
ジブチルエーテル、エーテルグリコールモノフェニルエ
ーテルなどのセロソルブ類、或いはN,N−ジメチルホル
ムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−
２−ピロリドンなどの含窒素溶剤、ジメチルスルホキシ
ドなどの含イオン溶剤が例示される。特に、N,N−ジメ
チルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、Ｎ−
メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホキシドが好ま
しい。

かかる有機溶剤による処理により電着層中のポリアクリ
ル樹脂粒子同士の焼付け時における融合が効果的に進行
し、しかして一層ピンホールの少ない均一な皮膜を形成
することができる。なお電着樹脂層を溶剤槽50中を通過
させることに代えて、上記の有機溶剤の蒸気やミスト中
を通過させることによっても同様に効果的な処理を行う
ことができる。

次に、電着槽40及び有機溶剤槽50の出口に、例えばエア
ーワイパー、ローラワイパーなどのワイピング装置（図
示せず）を設け、析出樹脂層上に付着した電着槽液41及
び有機溶剤槽液51の過剰分を連続的に除去することも考
えられる。特に、高速にて電着塗装を行った際、付着し
た槽液が焼付工程にて発泡作用し、高速作業を妨げるこ
とがある。このため上記したワイピング方法により槽液
を除去すれば、発泡が防止され、約50m/分以上の高速作
業が可能になる。

有機溶剤槽50を出た導体は乾燥装置60に入る。そこで導
体は加熱され、析出樹脂層中の有機溶剤及び水が蒸発除
去される。乾燥装置60の温度は有機溶剤の種類により変
わるが、一般に60〜300℃、好ましくは約100〜250℃で
ある。乾燥装置60において高温度（例えば、約200〜500
℃）が液体の蒸発除去の促進と導体上の電着樹脂の半硬
化又は完全硬化を同時に行うために適用し得る。換言す
れば、乾燥装置60の出口付近の部分を電着樹脂を硬化し
得るような高温に維持してもよいし、また乾燥装置の後
に別の焼付、硬化装置を設けてもよい。この場合、樹脂
層は最初約150℃程度の比較的低温にて乾燥し、その後
高温にて焼付、硬化する。

乾燥終了後、焼付炉70に移送されて焼付、硬化が行わ
れ、更に巻取機80により巻き取られる。焼付温度は200
〜700℃前後で行われる。なお、乾燥時に焼付硬化まで
十分行われたものは焼付炉70での焼付、硬化を省略して
もよい場合がある。

本発明の電線には、それがコイルに巻かれる場合の作業
を助けるため自己融着層を絶縁層の上層として設けても
よいのは言うまでもない。この場合、絶縁層を半硬化、
或いは完全硬化した後に自己融着層を形成する。自己融
着層の形成方法としては、それが絶縁としての機能は不
要であり、また層厚さはかなり不均一であっても許容さ
れるので従来のいわゆるディップ方式の塗装でよく、ワ
ニス絞りはフェルトなどで適宜行えばよい。

上記の製造工程により、例えば第１図に示した如くアル
ミニウム製平角状導体１上にZn層２、銅メッキ層３、絶
縁皮膜４を順に形成した絶縁電線が得られる。

第２図に示す絶縁電線は、銅メッキ層３を有しないもの
で、これは上記製造工程において銅メッキ処理工程を省
略し、ジンケート尻工程後に電着処理工程を行えばよ
い。

〔実施例〕

以下に実施例及び比較例を示して本発明をより詳しく説
明する。以下の実施例において用いられる水分散樹脂ワ
ニスは、下記の如く調製した。

〔ワニスＡ〕

アクリルニトリル５モル、アクリル酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水760g、ウラ
リル硫酸エステルソーダ7.5g、過硫酸ソーダ0.13gから
なる混合物をフラスコ内に入れ、室温、窒素気流下15〜
30分間攪拌を続ける。その後、この混合物を50〜60℃の
温度にて４時間反応させると水分散型アクリルワニスが
得られた。

〔ワニスＢ〕

〔ワニスＡ〕の単量体混合物の代わりにアクロレイン５
モル、メタアクリル酸１モル、アクリルアミド0.3モル
を単量体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法
で調製した。

〔ワニスＣ〕

アクリル酸エチル５モル、アクリル酸１モル、メチロー
ルアクリルアミド0.3モル、イオン交換水1200g、ウラリ
ル硫酸エステルソーダ12g、過硫酸ソーダ0.2gを単量体
として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調製し
た。

〔ワニスＤ〕

アクリルニトリル５モル、マレイン酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水840g、ラウ
リル硫酸エステルソーダ8g、過硫酸ソーダ0.15gを単量
体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調製
した。

〔ワニスＥ〕

アクリル酸エチル５モル、マレイン酸１モル、グリシジ
ルアクリレート0.3モル、イオン交換水1300g、ラウリル
硫酸エステルソーダ13g、過硫酸ソーダ0.2gを単量体と
して用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調製し
た。

〔ワニスＦ〕

メタアクリルニトリル５モル、メタアクリル酸１モル、
メチロールアクリルアミド0.3モル、イオン交換水900
g、ラウリル硫酸エステルソーダ9g、過硫酸ソーダ0.2g
を単量体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法
で調製した。

〔ワニスＧ〕

メタアクリルニトリル５モル、マレイン酸１モル、アリ
ールグリシジルエーテル0.3モル、イオン交換水970g、
ラウリル硫酸エステルソーダ10g、過硫酸ソーダ0.15gを
単量体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で
調製した。

〔ワニスＨ〕

アクリルニトリル３モル、アクリル酸エチル２モル、ア
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリシジル
メタアクリレート0.2モル、アクリルアミド0.1モル、イ
オン交換水950g、ラウリル硫酸エステルソーダ9.5g、過
硫酸ソーダ0.16gを単量体として用いる以外は〔ワニス
Ａ〕と同様の方法で調製した。

〔ワニスＩ〕

メタアクリル酸メチル５モル、アクリル酸0.5モル、メ
タアクリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレート0.2
モル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換水1200g、ラ
ウリル硫酸エステルソーダ12g、過硫酸ソーダ0.2gを単
量体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調
製した。

〔ワニスＪ〕

アクリル酸ブチル５モル、アクリル酸0.5モル、メタア
クリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレート0.2モ
ル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換水1500g、ラウ
リル硫酸エステルソーダ15g、過硫酸ソーダ0.25gを単量
体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調製
した。

〔ワニスＫ〕

アクリルニトリル５モル、アクリル酸１モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、スチレン２モル、イオン
交換水1200g、ラウリル硫酸エステルソーダ12g、過硫酸
ソーダ0.2gを単量体として用いる以外は〔ワニスＡ〕と
同様の方法で調製した。

〔ワニスＬ〕

アクリルニトリル３モル、アクリル酸エチル２モル、ア
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリシジル
メタアクリレート0.2モル、アクリルアミド0.1モル、1,
3−ブタジエン１モル、イオン交換水1100g、ラウリル硫
酸エステルソーダ11g、過硫酸ソーダ0.18gを単量体とし
て用いる以外は〔ワニスＡ〕と同様の方法で調製した。

〔ワニスＭ〕

ビスフェノールＡのジグリシジルポリエーテル100重量
部、無水トリメリト酸とアジピン酸と無水マレイン酸と
エチレングリコールとからなるポリエステル100重量
部、及びハイドロキノン0.2重量部とを150℃で１時間反
応させ、次いでこれにジオキサン40重量部とメチルエチ
ルケトン60重量部をそれぞれ徐々に添加して溶解し、均
一な樹脂溶液を得た。ラウリル硫酸エステルソーダ２重
量部を溶解した30重量％アンモニア水20重量部に前記樹
脂溶液を攪拌下に分散し、次いで該分散液を窒素雰囲気
中で加熱して有機溶剤とアンモニアを除去し、かくして
エポキシエステルの水分散液を得た。

該エポキシエステルの水分散液250重量部、スチレン10
重量部、過硫酸カリウム0.05重量部、亜硫酸水素ナトリ
ウム0.017重量部、及びイオン交換水50重量部からなる
系を70℃で３時間乳化重合して水分散型エポキシエステ
ルワニスを得た。

〔ワニスＮ〕酸価140のポリエステルアミドイミド樹脂の粉末100重量
部を、該粉末100重量部当りベンゼンスルホン酸ソーダ
１重量部と30重量％アンモニア水７重量部を溶解した水
に分散し、次いで該分散液を窒素雰囲気中で加熱してア
ンモニアを除去し、固形分20重量％のポリエステルアミ
ドイミド樹脂の水分散液を得た。

実施例１〜７前記の如く、アルミニウム製丸状導体を圧延により平角
状導体に成形した後、ジンケート処理、銅メッキ処理を
施し、導体上にZn層、銅メッキ層を順に形成した。次
に、竪型炉にて第１表に表記の条件及び下記条件の電着
塗装法に従って陽極である平角状導体に、上記の〔ワニ
スＡ〕〜〔ワニスＧ〕をそれぞれ水で希釈して２重量％
の濃度としたものを塗布した。第１表に示す以外の電着
条件は以下に示す通りである。

陰極：直径6cm、長さ30cmの銅製円筒陽陰極間距離:3cm ワニス温度 :20℃ 次いで得られた塗装導体線は、N,N−ジメチルホルムア
ミドの飽和蒸気で満たされた長さ1mのチャンバーを通過
する。そこでアルミニウム導体線上に析出しているアク
リル樹脂層上にN,N−ジメチルホルムアミドの蒸気が付
与される。このようにN,N−ジメチルホルムアミド蒸気
で処理された析出層は、200℃で乾燥され、400℃で焼付
け、第１表に表記する如き超薄膜が形成された第１図に
示す如き構造を有する絶縁電線を得た。

実施例８〜14 銅メッキ処理を施さない他は、実施例１〜７と同様の工
程を行い、第２図に示す如き絶縁電線を得た。

比較例１ジンケート処理及び銅メッキ処理を行わない以外は、実
施例１と同様にして作製したが、表記の如くフラット部
及びコーナー部共に絶縁皮膜は形成されなかった。

比較例２ワニスとして溶液型樹脂ワニス（商品名:X−600W、日東
電工（株）製）を用い、ディップコート方式により、ワ
ニス浸漬→フェルト絞り→焼付、の工程を２回繰り返し
て絶縁皮膜を形成した。勿論、ジンケート処理及び銅メ
ッキ処理は行っていない。

実験例１各実施例、比較例における電線製造の条件、製造された
電線の構造、ピンホールテストの結果、並びに電線の外
観の美麗さを第１表に示す。なお、ピンホールテスト
は、JIS C3003に従って電線1m当たりのピンホール数を
示した。

〔発明の効果〕本発明の平角状超薄膜絶縁電線は、以上説明したように
構成されているから下記の効果を有する。

平角状導体のフラット部のみならずコーナー部の絶縁皮
膜は、ピンホール、耐電圧性、耐ヒートショック性、割
れなどの欠陥が極めて少ない。

また、少なくともフラット部の絶縁皮膜の厚さは５μｍ
以下と薄く、電線全体として超薄膜の絶縁皮膜である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の平角状絶縁電線の一例を示す断面図、
第２図は本発明の平角状絶縁電線の別例を示す断面図、
第３図は本発明の絶縁電線の製造工程を示す概略流れ図
である。 1:平角状導体 2:Zn層 3:銅メッキ層 4:絶縁皮膜 t:厚さ w:幅 C:平角状導体Ｃ′：丸状導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開昭47−33733（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−9462（ＪＰ，Ａ) 特開昭49−41481（ＪＰ，Ａ) 特開昭54−60232（ＪＰ，Ａ) 特公昭48−27187（ＪＰ，Ｂ１) 特公昭50−8421（ＪＰ，Ｂ１)

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧延により平角状に成形したアルミニウム
からなる導体上にジンケート処理を施し、又はジンケー
ト処理面上に更に銅メッキを施し、当該ジンケート処理
面上又は銅メッキ面上に樹脂ワニスの電着により絶縁皮
膜を形成した電線であって、少なくとも導体の幅方向に
おける平坦面上の絶縁皮膜の厚さが５μｍ以下であるこ
とを特徴とする平角状超薄膜絶縁電線。