JPH0412494A - 耐湿性ｅｌ素子 - Google Patents
耐湿性ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH0412494A JPH0412494A JP2112421A JP11242190A JPH0412494A JP H0412494 A JPH0412494 A JP H0412494A JP 2112421 A JP2112421 A JP 2112421A JP 11242190 A JP11242190 A JP 11242190A JP H0412494 A JPH0412494 A JP H0412494A
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- JP
- Japan
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- layer
- moisture
- transparent electrode
- group
- luminous layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、平面光源として用いられる厚膜型電界発光素
子（以下ＥＬ素子という）に係わり、さらに詳しくは耐
湿性に優れたＥＬ素子に関する。
子（以下ＥＬ素子という）に係わり、さらに詳しくは耐
湿性に優れたＥＬ素子に関する。
〈従来の技術〉
ＥＬ素子本体は水分に対して耐性が極めて弱いため、透
水性の少ないふっ素系の封止フィルムで封止したり、素
子本体と封止フィルムとの間にナイロン等の捕水層を設
けたりしているが、なお不十分とされている。
水性の少ないふっ素系の封止フィルムで封止したり、素
子本体と封止フィルムとの間にナイロン等の捕水層を設
けたりしているが、なお不十分とされている。
このため特開昭６３−３０１４８４号公報では、素子本
体と封止フィルムとの間に物理的な吸湿能を有する微粉
を分散した捕水被膜を設けることが提案されている。
体と封止フィルムとの間に物理的な吸湿能を有する微粉
を分散した捕水被膜を設けることが提案されている。
〈発明が解決しようとする課題〉
特開昭６３−３０１４８４号公報に提案された方法によ
るＥＬ素子は、吸湿能を有する微粉としてシリカゲル、
ゼオライトまたはモレキュラーシープを用いるものは発
光効率が低下したり発光ムラを生じ易い、一方高吸水性
樹脂を用いると、発光効率の低下や発光ムラを生じるこ
とは少ないが高温下や強い光線の下では、この捕水層は
ＥＬ素子の吸湿劣化を逆に促進することがある。
るＥＬ素子は、吸湿能を有する微粉としてシリカゲル、
ゼオライトまたはモレキュラーシープを用いるものは発
光効率が低下したり発光ムラを生じ易い、一方高吸水性
樹脂を用いると、発光効率の低下や発光ムラを生じるこ
とは少ないが高温下や強い光線の下では、この捕水層は
ＥＬ素子の吸湿劣化を逆に促進することがある。
さらに上記の方法においてはいずれも最終的には、ＥＬ
素子をふっ素糸フィルム等で封止し防湿シールする必要
がある。しかしながら、ぶつ・素糸フィルムは高価であ
ると伴に他の物資との接着が難しく、シール部分が剥離
したり、剥離防止のため高温でシールすると割れ易くな
るなどの問題があった。
素子をふっ素糸フィルム等で封止し防湿シールする必要
がある。しかしながら、ぶつ・素糸フィルムは高価であ
ると伴に他の物資との接着が難しく、シール部分が剥離
したり、剥離防止のため高温でシールすると割れ易くな
るなどの問題があった。
従って、本発明者等は過酷な使用条件下においても耐水
性に優れ、割れ等の問題も無く、かつ廉価に製造するこ
とが可能なＥＬ素子を得ることを目的として鋭意検討し
た結果、遂に本発明を完成するに至った。
性に優れ、割れ等の問題も無く、かつ廉価に製造するこ
とが可能なＥＬ素子を得ることを目的として鋭意検討し
た結果、遂に本発明を完成するに至った。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、背面電極と透明電極間に発光層を設けてなる
ＥＬ素子において、少なくとも透明電極と発光層間か透
明電極上にポリメタノカルボシラン系化合物からなる層
を配設したことを特徴とする耐湿性ＥＬ素子を提供する
にある。
ＥＬ素子において、少なくとも透明電極と発光層間か透
明電極上にポリメタノカルボシラン系化合物からなる層
を配設したことを特徴とする耐湿性ＥＬ素子を提供する
にある。
以下、本発明をさらに詳述する。
本発明はアルミ箔等の背面電極ｌ上に例えばシアノエチ
ルセルロース等の高誘電率の樹脂中にチタン酸バリウム
、チタン酸鉛、酸化チタン等の高誘電率の粉末を分散さ
せた絶縁層２、その上にシアノ・エチルセルロース等の
高誘電率を有するバインダー中にＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＩ系
、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｍｎ系、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｂｒ系などの
螢光体を分散させ、さらに必要に応じ螢光染料や顔料を
適宜添加してなる発光層３、更にその上に酸化インジウ
ム−錫の薄膜をポリエステル等の透明フィルム上に形成
してなる透明電極４よりなる、所謂分散型厚膜ＥＬ素子
を対象とするものであり、本発明においてはポリメタノ
カルボシラン系化合物からなる層を防湿層として発光層
よりも上層に配設することにより発光層への水分到達を
著しく減少させ、水分による急激な輝度低下を防止し長
寿命のＥＬ素子を提供しようとするものである。
ルセルロース等の高誘電率の樹脂中にチタン酸バリウム
、チタン酸鉛、酸化チタン等の高誘電率の粉末を分散さ
せた絶縁層２、その上にシアノ・エチルセルロース等の
高誘電率を有するバインダー中にＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＩ系
、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｍｎ系、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｂｒ系などの
螢光体を分散させ、さらに必要に応じ螢光染料や顔料を
適宜添加してなる発光層３、更にその上に酸化インジウ
ム−錫の薄膜をポリエステル等の透明フィルム上に形成
してなる透明電極４よりなる、所謂分散型厚膜ＥＬ素子
を対象とするものであり、本発明においてはポリメタノ
カルボシラン系化合物からなる層を防湿層として発光層
よりも上層に配設することにより発光層への水分到達を
著しく減少させ、水分による急激な輝度低下を防止し長
寿命のＥＬ素子を提供しようとするものである。
本発明に適用するポリメタノカルボシラン系化合物とと
しては、主として一般式 （式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す） で表される主鎖骨格を有する数平均分子量が２００〜１
０００Ｇのポリカルボシランと、一般式 ％式％） （式中、Ｒｏは炭素数１〜２０個を有するアルキル基を
示す） で表されるチタンアルコキシドとから誘導された数平均
分子量が７００〜１０００００のポリチタノカルボシラ
ンであって、好ましくは、該ポリチタノカルボシランは
ケイ素原子の少なくとも１個が酸素原子を介してチタン
原子で架橋された架橋ブロック共重合体であり、そして
該ポリカルボシランブロックの （Ｓｉ ＣＨｘ）
の構造単位の全数対 （Ｔ ｔ −ｏｆ の構造単位
の全数の比率が２：１乃至２００ ： １の範囲内にあ
るポリチタノカルボシラン、或いは主として一般式 （式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す） で表される主鎖骨格を有する数平均分子量が２００〜１
００００のポリカルボシランと、一般式 ％式％ （式中、Ｘは炭素数１〜２０個を有するアルコキシ基、
フェノキシ基又はアセチルアセトキシ基を示す） で表される有機ジルコニウム化合物とから誘導された数
平均分子量が７００〜１０００００のポリジルコノカル
ボシランであって、好ましくは、該ポリジルコノカルボ
シランはケイ素原子の少なくとも１個が酸素原子を介し
てジルコニウム原子で架橋された架橋ブロック共重合体
であり、そして該ポリカルボシランブロックのｆＳｉ
ＣＨｔｆ の構造単位の全数対 イＺｒ−０）
の構造単位の全数の比率が２：ｌ乃至２００１の範囲内
にあるポリジルコノカルボシラン等であり、これらのポ
リメタノカルボシランまたはその化合物をキシレンまた
はへキサン等の有ｉ溶割に溶解し液濃度は約１０〜約８
５重量％で使用する。
しては、主として一般式 （式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す） で表される主鎖骨格を有する数平均分子量が２００〜１
０００Ｇのポリカルボシランと、一般式 ％式％） （式中、Ｒｏは炭素数１〜２０個を有するアルキル基を
示す） で表されるチタンアルコキシドとから誘導された数平均
分子量が７００〜１０００００のポリチタノカルボシラ
ンであって、好ましくは、該ポリチタノカルボシランは
ケイ素原子の少なくとも１個が酸素原子を介してチタン
原子で架橋された架橋ブロック共重合体であり、そして
該ポリカルボシランブロックの （Ｓｉ ＣＨｘ）
の構造単位の全数対 （Ｔ ｔ −ｏｆ の構造単位
の全数の比率が２：１乃至２００ ： １の範囲内にあ
るポリチタノカルボシラン、或いは主として一般式 （式中、Ｒは水素原子、低級アルキル基またはフェニル
基を示す） で表される主鎖骨格を有する数平均分子量が２００〜１
００００のポリカルボシランと、一般式 ％式％ （式中、Ｘは炭素数１〜２０個を有するアルコキシ基、
フェノキシ基又はアセチルアセトキシ基を示す） で表される有機ジルコニウム化合物とから誘導された数
平均分子量が７００〜１０００００のポリジルコノカル
ボシランであって、好ましくは、該ポリジルコノカルボ
シランはケイ素原子の少なくとも１個が酸素原子を介し
てジルコニウム原子で架橋された架橋ブロック共重合体
であり、そして該ポリカルボシランブロックのｆＳｉ
ＣＨｔｆ の構造単位の全数対 イＺｒ−０）
の構造単位の全数の比率が２：ｌ乃至２００１の範囲内
にあるポリジルコノカルボシラン等であり、これらのポ
リメタノカルボシランまたはその化合物をキシレンまた
はへキサン等の有ｉ溶割に溶解し液濃度は約１０〜約８
５重量％で使用する。
ＥＬ素子へのポリメタノカルボシラン系化合物層の形成
方法は、直接目的とする層上にスピンコード、スプレー
、ディフ法、及ヒバーコート、ナイフコート、グラビア
コート、スクリーン印刷法など種々の方法で形成すれば
よく、またポリエステルやナイロンさらにはエチレン酢
酸ビニル系等の感熱接着剤フィルム等の片側または両側
に上記方法により塗布形成してもよい。
方法は、直接目的とする層上にスピンコード、スプレー
、ディフ法、及ヒバーコート、ナイフコート、グラビア
コート、スクリーン印刷法など種々の方法で形成すれば
よく、またポリエステルやナイロンさらにはエチレン酢
酸ビニル系等の感熱接着剤フィルム等の片側または両側
に上記方法により塗布形成してもよい。
ポリメタノカルボシラン系化合物層の厚みは適用するポ
リメタノカルボシラン系化合物の組成やＥＬ素子の用途
、さらにはＥＬ素子を構成する他のフィルム類により一
義的ではないが、通常、約０．１ｍｇ／ｃｊ〜６０ｍｇ
／ｄ、好ましくは約ｍｇ／−〜２０ｍｇ／−の範囲で使
用される。これらは−層で用いてもよいし、複数を積層
し上記範囲で使用してもよい、上記層の厚みが薄い場合
には防湿効果の発現が低く、他方厚くなると防湿効果は
あるものの発光効率低下等の不都合が生じる。
リメタノカルボシラン系化合物の組成やＥＬ素子の用途
、さらにはＥＬ素子を構成する他のフィルム類により一
義的ではないが、通常、約０．１ｍｇ／ｃｊ〜６０ｍｇ
／ｄ、好ましくは約ｍｇ／−〜２０ｍｇ／−の範囲で使
用される。これらは−層で用いてもよいし、複数を積層
し上記範囲で使用してもよい、上記層の厚みが薄い場合
には防湿効果の発現が低く、他方厚くなると防湿効果は
あるものの発光効率低下等の不都合が生じる。
ポリメタノカルボシラン系化合物からなる層のＥＬ素子
における配設位置としては、外部より発光層への水分到
達を著しく減少せしめ得る構成であればよく、少なくと
も発光層と透明電極間か透明電極上に配設することを必
須とする。
における配設位置としては、外部より発光層への水分到
達を著しく減少せしめ得る構成であればよく、少なくと
も発光層と透明電極間か透明電極上に配設することを必
須とする。
より具体的には■発光層と透明電極との間、または透明
電極の外側に少なくとも一層配設する。この場合、背面
電極は一般にアルミニウム等の金属箔が用いられるから
、発光層と透明電極との間、または透明電極上（発光層
と反対側）に配設したポリメタノカルボシラン系化合物
の層が少なくとも発光層と背面電極の周辺端部を覆い背
面電極の裏面（発光層と反対側）まで回り込むようにし
ておけば、別途公知の防湿フィルムで被覆することなし
に充分な耐湿能ををするＥＬ素子を形成することができ
る。 ■背面電極と絶縁層との間または絶縁層と発光層
の間に少なくとも一層と、発光層の外側（発光層と透明
電極との間および／または透明電極上）に少なくとも一
層のポリメタノカルボシラン系化合物の層を配設し、少
なくともこの両層により発光層を封止する。
電極の外側に少なくとも一層配設する。この場合、背面
電極は一般にアルミニウム等の金属箔が用いられるから
、発光層と透明電極との間、または透明電極上（発光層
と反対側）に配設したポリメタノカルボシラン系化合物
の層が少なくとも発光層と背面電極の周辺端部を覆い背
面電極の裏面（発光層と反対側）まで回り込むようにし
ておけば、別途公知の防湿フィルムで被覆することなし
に充分な耐湿能ををするＥＬ素子を形成することができ
る。 ■背面電極と絶縁層との間または絶縁層と発光層
の間に少なくとも一層と、発光層の外側（発光層と透明
電極との間および／または透明電極上）に少なくとも一
層のポリメタノカルボシラン系化合物の層を配設し、少
なくともこの両層により発光層を封止する。
■背面電極の上に絶縁層、発光層及び透明電極を積層し
、リード端子を取り付けたものを、リード端子の先端部
を除いてデイツプコート法等により、ポリメタノカルボ
シラン系化合物で完全に被覆する方法等があげられる。
、リード端子を取り付けたものを、リード端子の先端部
を除いてデイツプコート法等により、ポリメタノカルボ
シラン系化合物で完全に被覆する方法等があげられる。
ポリメタノカルボシラン系化合物の層はＥＬ素子の最外
層として適用してもよいし、さらに外側にポリエステル
等の保護フィルムを積層してもよい、またポリメタノカ
ルボシラン系化合物層の内側（必ずしも隣接していなく
てもよい）にナイロン等の吸湿層を設けてもよい。
層として適用してもよいし、さらに外側にポリエステル
等の保護フィルムを積層してもよい、またポリメタノカ
ルボシラン系化合物層の内側（必ずしも隣接していなく
てもよい）にナイロン等の吸湿層を設けてもよい。
またＥＬ素子の周辺端部付近のみまたは、リード端子を
取り付けた側の端部付近のみをポリメタノカルボシラン
系化合物で被覆し、その上からＥＬ素子全体をふっ素糸
等の高防湿性のフィルムで封止することもできる。この
方法はＥＬ素子の周辺部の劣化防止に優れた効果が得ら
れる。
取り付けた側の端部付近のみをポリメタノカルボシラン
系化合物で被覆し、その上からＥＬ素子全体をふっ素糸
等の高防湿性のフィルムで封止することもできる。この
方法はＥＬ素子の周辺部の劣化防止に優れた効果が得ら
れる。
〈発明の効果〉
以上詳述した本発明により得られたＥＬ素子は耐湿性に
優れるとともに、従来使用されているふっ素等の防湿フ
ィルムに比較し廉価であるとともに割れ等の問題もなく
その産業上の利用価便は頗る大なるものである。
優れるとともに、従来使用されているふっ素等の防湿フ
ィルムに比較し廉価であるとともに割れ等の問題もなく
その産業上の利用価便は頗る大なるものである。
〈実施例〉
以下に実施例を用いて、本発明をさらに詳細に説明する
。
。
尚、実施例においてＥＬ素子の耐水性は、以下の二つの
方法で評価した。
方法で評価した。
■耐水・耐光性指数（％）
ＥＬ素子を非点灯の状態で、温度６５℃、相対湿度９５
％の高温・高湿下に１００時間放置し吸湿劣化させた後
に、温度５０℃、相対湿度５０％の暗室内で１１５Ｖ、
４００Ｈｚで５０時間点灯後の輝度を、テスト開始前の
輝度との比で表したものを耐水性指数とした。
％の高温・高湿下に１００時間放置し吸湿劣化させた後
に、温度５０℃、相対湿度５０％の暗室内で１１５Ｖ、
４００Ｈｚで５０時間点灯後の輝度を、テスト開始前の
輝度との比で表したものを耐水性指数とした。
■耐水・耐光性指数（％）
ＥＬ素子を非点灯の状態で、温度６５℃、相対湿度９５
％の高温・高温下に１００時間放置し吸湿劣化させた後
に、ブランクパネル温度８３℃のカーボンアーク灯式の
サンシャインウェザ−メータ（但し水スプレーは無し）
中で４０時間処理後、温度５０℃、相対湿度５０％の暗
室内で１１５Ｖ、４００Ｈｚで５０時間点灯後の輝度を
、テスト開始前の輝度との比で表したものを耐水・耐光
性指数とした。
％の高温・高温下に１００時間放置し吸湿劣化させた後
に、ブランクパネル温度８３℃のカーボンアーク灯式の
サンシャインウェザ−メータ（但し水スプレーは無し）
中で４０時間処理後、温度５０℃、相対湿度５０％の暗
室内で１１５Ｖ、４００Ｈｚで５０時間点灯後の輝度を
、テスト開始前の輝度との比で表したものを耐水・耐光
性指数とした。
実施例１
アル壽箔製の背面電極上に、シアノエチルセルロースと
チタン酸バリウムからなる絶縁層、及びシアノエチルセ
ルロースと銅付活の硫化亜鉛系蛍光体からなる発光層、
さらにポリエステルフィルムに錫・インジウム酸化物薄
膜をスパッタした透明電極の周縁部にエポキシ樹脂に銀
の微粒子を分散した導電性ペーストで集電極を施したも
のを順次積層してＥＬ素子本体を作成し、これを重量平
均分子量５００のポリチタノカルボシラン化合物（宇部
興産株式会社製）を樹脂濃度６７重量％のキシレン溶液
中に漬け、取り出し乾燥する所謂ディンブコートを５回
繰り返し行った後、２００℃で３０分加熱し、発光層１
−当り約２ｍｇのポリチタノカルボシラン化合物で被覆
したＥＬ素子を得た。
チタン酸バリウムからなる絶縁層、及びシアノエチルセ
ルロースと銅付活の硫化亜鉛系蛍光体からなる発光層、
さらにポリエステルフィルムに錫・インジウム酸化物薄
膜をスパッタした透明電極の周縁部にエポキシ樹脂に銀
の微粒子を分散した導電性ペーストで集電極を施したも
のを順次積層してＥＬ素子本体を作成し、これを重量平
均分子量５００のポリチタノカルボシラン化合物（宇部
興産株式会社製）を樹脂濃度６７重量％のキシレン溶液
中に漬け、取り出し乾燥する所謂ディンブコートを５回
繰り返し行った後、２００℃で３０分加熱し、発光層１
−当り約２ｍｇのポリチタノカルボシラン化合物で被覆
したＥＬ素子を得た。
このものの耐水性を上記方法により実施した。
その結果を第１表に示す。
実施例２
実施例１の方法においてＥＬ素子本体として透明電極上
にアクリル酸／ビニルアルコール共重合高吸水性樹脂粉
末（スミカゲルＧＲＣ−ＥＶＨ−１１０；住友化学工業
株式会社製）２０重量％を分散含有した厚さ１２０μｍ
のエチレン／酢酸ビニル系樹脂フィルムを積層したもの
を用いた他は実施例１と同様にしてポリチタノカルボシ
ラン化合物で被覆したＥＬ素子を得た。
にアクリル酸／ビニルアルコール共重合高吸水性樹脂粉
末（スミカゲルＧＲＣ−ＥＶＨ−１１０；住友化学工業
株式会社製）２０重量％を分散含有した厚さ１２０μｍ
のエチレン／酢酸ビニル系樹脂フィルムを積層したもの
を用いた他は実施例１と同様にしてポリチタノカルボシ
ラン化合物で被覆したＥＬ素子を得た。
このものの耐水性を測定した。その結果を第１表に示す
。
。
実施例３
実施例１においてＥＬ素子本体の透明電極上に厚さ１０
５μｍのナイロン６フィルムを積層し、次いで実施例１
と同様にポリチタノカルボシラン化合物で被覆し、さら
にこれを厚さ５０μｍのポリエステルフィルムで被覆し
ＥＬ素子を得た。
５μｍのナイロン６フィルムを積層し、次いで実施例１
と同様にポリチタノカルボシラン化合物で被覆し、さら
にこれを厚さ５０μｍのポリエステルフィルムで被覆し
ＥＬ素子を得た。
このものの耐水性を測定した。その結果を第１表に示す
。
。
比較例１
実施例１の方法においてＥＬ素子本体をポリチタノカル
ボシラン化合物で被覆しないでその耐水性を測定した。
ボシラン化合物で被覆しないでその耐水性を測定した。
結果を第１表に示す。
比較例２
実施例１の方法においてＥＬ素子本体をポリチタノカル
ボシラン化合物の被覆に代えて厚さ１００μｍの三フッ
化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）フィルムで被覆しＥＬ素
子を得た。このものの耐水性測定結果を第１表に示す。
ボシラン化合物の被覆に代えて厚さ１００μｍの三フッ
化塩化エチレン（ＰＣＴＦＥ）フィルムで被覆しＥＬ素
子を得た。このものの耐水性測定結果を第１表に示す。
第１表
Claims (2)
- １．背面電極と透明電極間に発光層を設けてなるＥＬ素
子において、少なくとも透明電極と発光層間か透明電極
上にポリメタノカルボシラン系化合物からなる層を配設
したことを特徴とする耐湿性ＥＬ素子。 - ２．ポリメタノカルボシラン系化合物がポリチタノカル
ボシランまたはポリジルコノカルボシランであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の耐湿性ＥＬ素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112421A JPH0412494A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 耐湿性ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2112421A JPH0412494A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 耐湿性ｅｌ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412494A true JPH0412494A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14586231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2112421A Pending JPH0412494A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 耐湿性ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412494A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541631A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド | 光電子工学的表示装置 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2112421A patent/JPH0412494A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002541631A (ja) * | 1999-04-07 | 2002-12-03 | マイクロエミッシブ ディスプレイズ リミティド | 光電子工学的表示装置 |
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