JPH0412590Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412590Y2 JPH0412590Y2 JP1987058353U JP5835387U JPH0412590Y2 JP H0412590 Y2 JPH0412590 Y2 JP H0412590Y2 JP 1987058353 U JP1987058353 U JP 1987058353U JP 5835387 U JP5835387 U JP 5835387U JP H0412590 Y2 JPH0412590 Y2 JP H0412590Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- target
- introduction hole
- ionization chamber
- introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、試料を保持したターゲツトをイオン
化室に形成した直接試料導入穴（以下導入穴と称
す）を通してこのイオン化室内に導入し、該導入
された試料に一次粒子ビームを照射してイオン化
するタイプ（FABあるいはSIMS）のイオン源に
使用される試料保持装置に関し、特に、試料を保
持するためのターゲツトの改良に関する。
化室に形成した直接試料導入穴（以下導入穴と称
す）を通してこのイオン化室内に導入し、該導入
された試料に一次粒子ビームを照射してイオン化
するタイプ（FABあるいはSIMS）のイオン源に
使用される試料保持装置に関し、特に、試料を保
持するためのターゲツトの改良に関する。
［従来技術］
かかるイオン源における試料保持装置として
は、第３図ａの如く板体を正方形状に加工したタ
ーゲツト１ａを支持棒２を介して導入プローブ３
の先端に固定したり、あるいは第３図ｂの如く板
体を矩形状に加工したターゲツト１ｂを導入プロ
ーブ３に固定した構造が広く使用されている。そ
して、試料を分析するには、グリセリン等のマト
リクスと混合した試料４を前記ターゲツト１ａあ
るいは１ｂ上に塗布した後、導入プローブ３を介
してイオン化室側壁に設けた導入穴を通過させて
試料をイオン化室内にセツトするようにしてい
る。
は、第３図ａの如く板体を正方形状に加工したタ
ーゲツト１ａを支持棒２を介して導入プローブ３
の先端に固定したり、あるいは第３図ｂの如く板
体を矩形状に加工したターゲツト１ｂを導入プロ
ーブ３に固定した構造が広く使用されている。そ
して、試料を分析するには、グリセリン等のマト
リクスと混合した試料４を前記ターゲツト１ａあ
るいは１ｂ上に塗布した後、導入プローブ３を介
してイオン化室側壁に設けた導入穴を通過させて
試料をイオン化室内にセツトするようにしてい
る。
［考案が解決しようとする問題点］
このように導入プローブの先端に板体状のター
ゲツトを固定した構造のものでは、ターゲツトが
イオン化室の導入穴を通過する際、導入プローブ
と導入穴の軸にズレがあるとターゲツトが導入穴
の内壁に接触し、この内壁に試料が付着する。そ
のため、付着した分だけ試料が少なくなり、生成
イオン量が減少してスペクトルの強度が低下す
る。また、導入穴に付着した試料が次の試料のイ
オン化室への導入時に付着して分析されるはずの
ない試料が分析されるメモリ効果が発生する。特
に、前記イオン化室に設けた導入穴を通して
FAB用導入プローブとDCI（直接化学イオン化）
用導入プローブとを任意に切替えて挿入するよう
になしたイオン源においては、DCI時の分析にお
けるイオン化室内の気密を維持する関係上、導入
穴は円形にしてその内径をできるだけ小さくする
必要がある。そのため、FAB用導入プローブの
ターゲツトが導入穴の内壁に接触する可能性が非
常に高くなる。
ゲツトを固定した構造のものでは、ターゲツトが
イオン化室の導入穴を通過する際、導入プローブ
と導入穴の軸にズレがあるとターゲツトが導入穴
の内壁に接触し、この内壁に試料が付着する。そ
のため、付着した分だけ試料が少なくなり、生成
イオン量が減少してスペクトルの強度が低下す
る。また、導入穴に付着した試料が次の試料のイ
オン化室への導入時に付着して分析されるはずの
ない試料が分析されるメモリ効果が発生する。特
に、前記イオン化室に設けた導入穴を通して
FAB用導入プローブとDCI（直接化学イオン化）
用導入プローブとを任意に切替えて挿入するよう
になしたイオン源においては、DCI時の分析にお
けるイオン化室内の気密を維持する関係上、導入
穴は円形にしてその内径をできるだけ小さくする
必要がある。そのため、FAB用導入プローブの
ターゲツトが導入穴の内壁に接触する可能性が非
常に高くなる。
そこで、本考案はかかる不都合を解決すること
のできる試料保持装置を提供することを目的とす
るものである。
のできる試料保持装置を提供することを目的とす
るものである。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を構成するために、本考案は試料を保
持したターゲツトをイオン化室に形成した試料導
入穴を通してこのイオン化室内に導入し、該導入
された試料に一次粒子ビームを照射してイオン化
するイオン源において、前記ターゲツトの試料保
持部分を平面状に形成し、前記ターゲツトの先端
部に取付けられた突出部であつて、ターゲツトを
前記試料導入穴に挿入する際に試料保持部分が試
料導入穴内壁に接触する前に該内壁に接触するこ
とにより試料保持部分の試料導入穴内壁への接触
を防止し得る位置に配設された突出部を設けたこ
とを特徴とする。
持したターゲツトをイオン化室に形成した試料導
入穴を通してこのイオン化室内に導入し、該導入
された試料に一次粒子ビームを照射してイオン化
するイオン源において、前記ターゲツトの試料保
持部分を平面状に形成し、前記ターゲツトの先端
部に取付けられた突出部であつて、ターゲツトを
前記試料導入穴に挿入する際に試料保持部分が試
料導入穴内壁に接触する前に該内壁に接触するこ
とにより試料保持部分の試料導入穴内壁への接触
を防止し得る位置に配設された突出部を設けたこ
とを特徴とする。
以下、本考案の一実施例を図面に基づいて詳説
する。
する。
［実施例］
第１図は本考案の一実施例を示す要部拡大斜視
図、第２図は本考案の動作を説明するためのであ
る。
図、第２図は本考案の動作を説明するためのであ
る。
第１図及び第２図において、５は導入プローブ
で、先端に電気絶縁物６がビス７によつて固定さ
れている。８はこの絶縁物６の先端に取付けられ
た矩形状の電気良導体製ホルダで、このホルダ部
の上面には長溝９が形成してあると共に、その先
端に鍔１０が固定してある。この鍔１０の長溝９
と対向する部分には貫通穴が形成してある。１１
はこの貫通穴を介してホルダ部８の長溝９に着脱
可能に嵌合された電気良導体製のターゲツトで、
中間部には試料１２を塗布するための切欠部１３
が形成してある。また、先端（導入プローブ５と
反対側の端部）に円盤状の突出部１４が設けてあ
り、この突出部の外径はターゲツトの先端側から
見たとき底部が平面状に形成された切欠部１３内
に塗布した試料が隠れるような大きさに選ばれて
いる。また、前記鍔１０はこの突出部１４の外径
よりも僅かに大きく形成してある。１５は前記ホ
ルダ８部分に取付けられた板バネで、ホルダの長
溝９内に嵌合されたターゲツト１１を押えてロツ
クするためのものである。１６は図示外のイオン
源内に置かれたイオン化室、１７はこのイオン化
室の側壁に形成された導入穴、１８はこの導入穴
の縁部分に形成されたテーパー、１９はスリツト
である。
で、先端に電気絶縁物６がビス７によつて固定さ
れている。８はこの絶縁物６の先端に取付けられ
た矩形状の電気良導体製ホルダで、このホルダ部
の上面には長溝９が形成してあると共に、その先
端に鍔１０が固定してある。この鍔１０の長溝９
と対向する部分には貫通穴が形成してある。１１
はこの貫通穴を介してホルダ部８の長溝９に着脱
可能に嵌合された電気良導体製のターゲツトで、
中間部には試料１２を塗布するための切欠部１３
が形成してある。また、先端（導入プローブ５と
反対側の端部）に円盤状の突出部１４が設けてあ
り、この突出部の外径はターゲツトの先端側から
見たとき底部が平面状に形成された切欠部１３内
に塗布した試料が隠れるような大きさに選ばれて
いる。また、前記鍔１０はこの突出部１４の外径
よりも僅かに大きく形成してある。１５は前記ホ
ルダ８部分に取付けられた板バネで、ホルダの長
溝９内に嵌合されたターゲツト１１を押えてロツ
クするためのものである。１６は図示外のイオン
源内に置かれたイオン化室、１７はこのイオン化
室の側壁に形成された導入穴、１８はこの導入穴
の縁部分に形成されたテーパー、１９はスリツト
である。
かかる装置における動作を以下に詳述する。
先ず、第２図は切欠部１３に試料１２を塗布し
たターゲツト１１を図示外のエアーロツク室を通
してイオン源内のイオン化室１６近傍まで導入し
た状態を示す。このとき、導入プローブ５の軸芯
と導入穴１７との軸とがズレていた状態で、導入
プローブ５を矢印Ａ方向に押し込んでもターゲツ
ト１１の先端に設けた突出部１４がテーパー１８
に沿つて導入穴１７内に挿入されるため、試料１
２が導入穴１７の内壁に付着することはない。そ
して、前記導入プローブ５を所定位置まで押し込
み、第２図中一点鎖線Ｂでその状態を示すように
ターゲツト１１をイオン化室１６の内部にセツト
した後、図示外のイオン化室１６側壁に形成した
ビーム通過孔を通して一次粒子ビームを試料１２
に照射してイオン化する。生成されたイオンＩは
スリツト１９を通過して図示外の質量分析系に送
られ、質量分析される。
たターゲツト１１を図示外のエアーロツク室を通
してイオン源内のイオン化室１６近傍まで導入し
た状態を示す。このとき、導入プローブ５の軸芯
と導入穴１７との軸とがズレていた状態で、導入
プローブ５を矢印Ａ方向に押し込んでもターゲツ
ト１１の先端に設けた突出部１４がテーパー１８
に沿つて導入穴１７内に挿入されるため、試料１
２が導入穴１７の内壁に付着することはない。そ
して、前記導入プローブ５を所定位置まで押し込
み、第２図中一点鎖線Ｂでその状態を示すように
ターゲツト１１をイオン化室１６の内部にセツト
した後、図示外のイオン化室１６側壁に形成した
ビーム通過孔を通して一次粒子ビームを試料１２
に照射してイオン化する。生成されたイオンＩは
スリツト１９を通過して図示外の質量分析系に送
られ、質量分析される。
次に、分析終了後、導入プローブ５を矢印Ａと
は逆方向に移動すると、ホルダ８の先端に設けた
鍔１０が導入穴１７に接触しながら引き抜かれる
ため、引き抜き時においても分析済試料が導入穴
１７の内壁に付着することはない。しかも、ター
ゲツトに設けた突出部１４はホルダ８の鍔１０よ
りも僅かに小さい径に形成されているため、ター
ゲツト１１の取出しの過程で突出部１４が導入穴
１７に接触することがなく、ターゲツト１１がホ
ルダ８から外れてしまうようなこともない。
は逆方向に移動すると、ホルダ８の先端に設けた
鍔１０が導入穴１７に接触しながら引き抜かれる
ため、引き抜き時においても分析済試料が導入穴
１７の内壁に付着することはない。しかも、ター
ゲツトに設けた突出部１４はホルダ８の鍔１０よ
りも僅かに小さい径に形成されているため、ター
ゲツト１１の取出しの過程で突出部１４が導入穴
１７に接触することがなく、ターゲツト１１がホ
ルダ８から外れてしまうようなこともない。
尚、前述の説明は本考案の一例であり、実施に
あたつては幾多の変形が考えられる。例えば、タ
ーゲツトに設ける突出部は円盤状となしたが、こ
れに限定されることなく、円盤状の上下部を切り
欠いたりあるいは多角形状に形成する等、突出部
の全部もしくは一部が導入穴に接触して試料がこ
の試料導入穴に触れないようにした形状であれば
どのようなものでも良い。
あたつては幾多の変形が考えられる。例えば、タ
ーゲツトに設ける突出部は円盤状となしたが、こ
れに限定されることなく、円盤状の上下部を切り
欠いたりあるいは多角形状に形成する等、突出部
の全部もしくは一部が導入穴に接触して試料がこ
の試料導入穴に触れないようにした形状であれば
どのようなものでも良い。
［効果］
以上詳述した如く本考案によれば、ターゲツト
をイオン化室内に挿入する際、試料が導入穴に付
着することを防止することができるため、試料量
の減少に伴うスペクトルの強度の低下を防止する
ことができると共に、メモリ効果の影響を皆無と
なすことができる。
をイオン化室内に挿入する際、試料が導入穴に付
着することを防止することができるため、試料量
の減少に伴うスペクトルの強度の低下を防止する
ことができると共に、メモリ効果の影響を皆無と
なすことができる。
第１図は本考案の一実施例を示す要部斜視図、
第２図は本考案の動作を説明するための図、第３
図ａ及びｂは従来のターゲツトを示す図である。 １ａ，１ｂ，１１……ターゲツト、２……支持
棒、３，５……導入プローブ、４，１２……試
料、６……電気絶縁物、７……ビス、８……ホル
ダ、９……長溝、１０……鍔、１３……切欠部、
１４……突出部、１５……板バネ、１６……イオ
ン化室、１７……試料導入穴、１８……テーパ
ー、１９……スリツト。
第２図は本考案の動作を説明するための図、第３
図ａ及びｂは従来のターゲツトを示す図である。 １ａ，１ｂ，１１……ターゲツト、２……支持
棒、３，５……導入プローブ、４，１２……試
料、６……電気絶縁物、７……ビス、８……ホル
ダ、９……長溝、１０……鍔、１３……切欠部、
１４……突出部、１５……板バネ、１６……イオ
ン化室、１７……試料導入穴、１８……テーパ
ー、１９……スリツト。
Claims (1)
- 試料を保持したターゲツトをイオン化室に形成
した試料導入穴を通してこのイオン化室内に導入
し、該導入された試料に一次粒子ビームを照射し
てイオン化するイオン源において、前記ターゲツ
トの試料保持部分を平面状に形成し、前記ターゲ
ツトの先端部に取付けられた突出部であつて、タ
ーゲツトを前記試料導入穴に挿入する際に試料保
持部分が試料導入穴内壁に接触する前に該内壁に
接触することにより試料保持部分の試料導入穴内
壁への接触を防止し得る位置に配設された突出部
を設けたことを特徴とするイオン源における試料
保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987058353U JPH0412590Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987058353U JPH0412590Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63165763U JPS63165763U (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0412590Y2 true JPH0412590Y2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=30888849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987058353U Expired JPH0412590Y2 (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412590Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS592521U (ja) * | 1982-11-11 | 1984-01-09 | 積水化成品工業株式会社 | 折箱用周壁材の加熱融着装置 |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP1987058353U patent/JPH0412590Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63165763U (ja) | 1988-10-28 |
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