JPH0412642B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0412642B2 JPH0412642B2 JP58090555A JP9055583A JPH0412642B2 JP H0412642 B2 JPH0412642 B2 JP H0412642B2 JP 58090555 A JP58090555 A JP 58090555A JP 9055583 A JP9055583 A JP 9055583A JP H0412642 B2 JPH0412642 B2 JP H0412642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- frequency
- capacitance
- circuit
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/1293—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator having means for achieving a desired tuning characteristic, e.g. linearising the frequency characteristic across the tuning voltage range
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2200/00—Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
- H03B2200/003—Circuit elements of oscillators
- H03B2200/004—Circuit elements of oscillators including a variable capacitance, e.g. a varicap, a varactor or a variable capacitance of a diode or transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の関連する技術分野〕
この発明は周波数選択回路に関し、特に可変周
波数選択回路に関する。
波数選択回路に関する。
テレビジヨン受像機の同調方式では、所望のテ
レビジヨンチヤンネルに対応する無線周波数RF
搬送波を局部発振器からの信号とヘテロダイン処
理して、所定の中間周波数IFの信号を生成する。
広帯域のRF搬送波を所定の中間周波数にヘテロ
ダイン変換するためには局部発振器の周波数を所
要のテレビジヨンチヤンネルに従つて生成した同
調電圧に応じて変化させる。
レビジヨンチヤンネルに対応する無線周波数RF
搬送波を局部発振器からの信号とヘテロダイン処
理して、所定の中間周波数IFの信号を生成する。
広帯域のRF搬送波を所定の中間周波数にヘテロ
ダイン変換するためには局部発振器の周波数を所
要のテレビジヨンチヤンネルに従つて生成した同
調電圧に応じて変化させる。
最大および最小の周波数を有するRF搬送波を
所定の中間周波信号に確実にヘテロダイン変換す
るには、局部発振信号の最大および最小の周波数
の調節が必要である。高い周波数におけるこの調
節を機械的に調節し得るリアクタンス素子(すな
わちインダクタンスとキヤパシタンス)を用いて
行なうと、この調節をする人の手や道具が発振器
に接近したとき発振周波数が変ることがあるの
で、困難である。この問題は2度周波数を行なう
2重交換テレビジヨン同調方式では特に大きい。
例えば最初の変換によつて415.75MHzのIF信号を
生成する2重変換同調器では、UHF帯(470〜
890MHz)用の局部発振器の周波数が887MHzと
1301MHzとの間で可変でなければならない。
所定の中間周波信号に確実にヘテロダイン変換す
るには、局部発振信号の最大および最小の周波数
の調節が必要である。高い周波数におけるこの調
節を機械的に調節し得るリアクタンス素子(すな
わちインダクタンスとキヤパシタンス)を用いて
行なうと、この調節をする人の手や道具が発振器
に接近したとき発振周波数が変ることがあるの
で、困難である。この問題は2度周波数を行なう
2重交換テレビジヨン同調方式では特に大きい。
例えば最初の変換によつて415.75MHzのIF信号を
生成する2重変換同調器では、UHF帯(470〜
890MHz)用の局部発振器の周波数が887MHzと
1301MHzとの間で可変でなければならない。
この調節の問題は発振器の同調回路調節用の機
械的同調型の誘導子とコンデンサの少なくともい
くつかをなくすることができれば緩和される。
械的同調型の誘導子とコンデンサの少なくともい
くつかをなくすることができれば緩和される。
そのためこの発明の周波数選択回路は、同調回
路に接続されたインダクタンスと第1および第2
の可変キヤパシタンス装置とを含む。第1および
第2の可変キヤパシタンス装置にはそれぞれ同じ
向きに制御電位が印加され、この2つの印加電位
を所定量だけ異ならせる装置が設けられている。
路に接続されたインダクタンスと第1および第2
の可変キヤパシタンス装置とを含む。第1および
第2の可変キヤパシタンス装置にはそれぞれ同じ
向きに制御電位が印加され、この2つの印加電位
を所定量だけ異ならせる装置が設けられている。
第1図は増幅器20とこの発明の原理による周
波数選択回路である共振回路10とを含む可変周
波数UHF局部発振器を示す。増幅器20は、
NPNバイポーラトランジスタT1を含み、その
コレクタには電圧供給端子+Vから抵抗器R7を
介して正の動作電圧が印加されている。このトラ
ンジスタT1は、抵抗器R4,R5を含む分圧器
によりそのベースに印加されるそのコレクタ電圧
の一部によつて増幅器として動作するようにバイ
アスされている。このトランジスタT1のエミツ
タは抵抗器R6とコンデンサC5の並列回路を介
して接地電位点Gに接続され、コレクタはコンデ
ンサC6を介して接地電位点Gに接続されてい
る。
波数選択回路である共振回路10とを含む可変周
波数UHF局部発振器を示す。増幅器20は、
NPNバイポーラトランジスタT1を含み、その
コレクタには電圧供給端子+Vから抵抗器R7を
介して正の動作電圧が印加されている。このトラ
ンジスタT1は、抵抗器R4,R5を含む分圧器
によりそのベースに印加されるそのコレクタ電圧
の一部によつて増幅器として動作するようにバイ
アスされている。このトランジスタT1のエミツ
タは抵抗器R6とコンデンサC5の並列回路を介
して接地電位点Gに接続され、コレクタはコンデ
ンサC6を介して接地電位点Gに接続されてい
る。
トランジスタT1は、実質的に1を超える利得
を呈するようにその有効動作領域内にバイアスさ
れている。この増幅器20は、種々のリアクタン
スによつて再生帰還が行われ、ある周波数帯全体
にわたつて不安定で発振するようになつている
が、これらのリアクタンスには、コンデンサC
5,C6のリアクタンス、トランジスタT1のコ
レクタ、ベース間の内部キヤパシタンスのリアク
タンスおよび接続導線12と接地点Gとの間に接
続した回路(後述する)のリアクタンスが含まれ
る。これらリアクタンスの値は、例えば第1中間
周波数が415.75MHzの複変換テレビジヨン同調方
式のUHF局部発振器に必要な887〜1301MHzの周
波数範囲よりも広い周波数範囲にわたつて増幅器
20が接続導線12に負のインピーダンスを呈す
るように選択されている。
を呈するようにその有効動作領域内にバイアスさ
れている。この増幅器20は、種々のリアクタン
スによつて再生帰還が行われ、ある周波数帯全体
にわたつて不安定で発振するようになつている
が、これらのリアクタンスには、コンデンサC
5,C6のリアクタンス、トランジスタT1のコ
レクタ、ベース間の内部キヤパシタンスのリアク
タンスおよび接続導線12と接地点Gとの間に接
続した回路(後述する)のリアクタンスが含まれ
る。これらリアクタンスの値は、例えば第1中間
周波数が415.75MHzの複変換テレビジヨン同調方
式のUHF局部発振器に必要な887〜1301MHzの周
波数範囲よりも広い周波数範囲にわたつて増幅器
20が接続導線12に負のインピーダンスを呈す
るように選択されている。
増幅器20のその発振周波数は、接続導線12
と接地点Gとの間に挿入された共振回路10によ
つて決まる。この共振回路10は、インダクタン
スL1と、可変容量ダイオードCD1,CD2およ
びコンデンサC1を含むキヤパシタンスとの直列
回路から成り、この直列共振回路10が増幅器2
0の発振周波数を決定する。局部発振出力信号は
インダクタンスL1のタツプからコンデンサC3
を介して出力端子VOに供給される。
と接地点Gとの間に挿入された共振回路10によ
つて決まる。この共振回路10は、インダクタン
スL1と、可変容量ダイオードCD1,CD2およ
びコンデンサC1を含むキヤパシタンスとの直列
回路から成り、この直列共振回路10が増幅器2
0の発振周波数を決定する。局部発振出力信号は
インダクタンスL1のタツプからコンデンサC3
を介して出力端子VOに供給される。
第1図の発振器の発振周波数は抵抗器R1と導
線14を介して可変容量ダイオードCD1,CD2
の陰極に印加される正の同調電位VTによつて制
御される。CD1の陽極はインダクタンスL1を
介して接地点Gに接続され、CD2の陽極は抵抗
器R3,R2を介して接地点Gに接続されている
ので、同調電位VTは同じ向きにCD1,CD2に
供給される。すなわち、同調電位VTが上昇する
と、CD1,CD2の陰陽両極間電位もそれぞれ上
昇する。
線14を介して可変容量ダイオードCD1,CD2
の陰極に印加される正の同調電位VTによつて制
御される。CD1の陽極はインダクタンスL1を
介して接地点Gに接続され、CD2の陽極は抵抗
器R3,R2を介して接地点Gに接続されている
ので、同調電位VTは同じ向きにCD1,CD2に
供給される。すなわち、同調電位VTが上昇する
と、CD1,CD2の陰陽両極間電位もそれぞれ上
昇する。
以下の説明のため、電位差計R2の可動接点が
接地側の端部にあつて容量ダイオードCD2の陽
極の零入力電位が実質的に接地電位Gに等しいと
仮定する。従つてCD1,CD2には実質的に同じ
電位、すなわちVTが印加される。同調電位VT
がその最小値まで低下したとき、CD1,CD2は
それぞれその最小印加電位を受けて最大キヤパシ
タンスを呈し、これによつて共振回路10がその
最小共振周波数を示す。このため増幅器20がそ
の最小周波数で発振する。一方、同調電位VTが
その最大値まで上昇すると、CD1,CD2はそれ
ぞれ最大印加電位を受けて、最小キヤパシタンス
を呈し、これによつて共振回路10がその最大周
波数で共振する。このため増幅器20はその最大
周波数で発振する。
接地側の端部にあつて容量ダイオードCD2の陽
極の零入力電位が実質的に接地電位Gに等しいと
仮定する。従つてCD1,CD2には実質的に同じ
電位、すなわちVTが印加される。同調電位VT
がその最小値まで低下したとき、CD1,CD2は
それぞれその最小印加電位を受けて最大キヤパシ
タンスを呈し、これによつて共振回路10がその
最小共振周波数を示す。このため増幅器20がそ
の最小周波数で発振する。一方、同調電位VTが
その最大値まで上昇すると、CD1,CD2はそれ
ぞれ最大印加電位を受けて、最小キヤパシタンス
を呈し、これによつて共振回路10がその最大周
波数で共振する。このため増幅器20はその最大
周波数で発振する。
上述の条件では、第1図の発振器は同調電位
VTと第2図の実線の曲線100で示す関係にあ
る周波数帯域内で発振する。
VTと第2図の実線の曲線100で示す関係にあ
る周波数帯域内で発振する。
増幅器20の発振周波数の実際の範囲が少なく
とも例えば887〜1301MHzの所要範囲を含むため
には、この回路内のインダクタンスまたはキヤパ
シタンスの値を調節する必要があるが、このよう
な高い周波数では人の手や調整用の工具が回路に
近づくと発振周波数が変化することがあるため、
このような調節は困難である。
とも例えば887〜1301MHzの所要範囲を含むため
には、この回路内のインダクタンスまたはキヤパ
シタンスの値を調節する必要があるが、このよう
な高い周波数では人の手や調整用の工具が回路に
近づくと発振周波数が変化することがあるため、
このような調節は困難である。
この問題は、最高発振周波数を電気的に調節す
ると著しく低減される。これを行うには、ダイオ
ードCD2の印加電位をダイオードCD1の印加電
位と所定量だけ異ならせるのが便利である。上限
周波数の調節のためには同調電位VTの実質的に
全部を容量ダイオードCD1とCD2の各陰極に印
加すると同時に、容量ダイオードCD1の両端間
に印加される電位に追随して、その所定部分を容
量ダイオードCD2の陽極に抵抗器R3と導線1
6を介して印加する。
ると著しく低減される。これを行うには、ダイオ
ードCD2の印加電位をダイオードCD1の印加電
位と所定量だけ異ならせるのが便利である。上限
周波数の調節のためには同調電位VTの実質的に
全部を容量ダイオードCD1とCD2の各陰極に印
加すると同時に、容量ダイオードCD1の両端間
に印加される電位に追随して、その所定部分を容
量ダイオードCD2の陽極に抵抗器R3と導線1
6を介して印加する。
R2の可動接点が接地電位点Gから離れるに従
つて同調電位VTのCD2の陽極に印加される部
分が増える。従つて、導線16(CD2の陽極)
上のVTの部分が導線14(CD2の陰極)上の
VTから差引かれるため、CD2の陽極陰極間の
電位が低下する。このCD2の陽極陰極間電位の
低下によつてCD2のキヤパシタンスが増加し、
これによつてVTの所定値に対する増幅器20の
発振周波数が低下する。この低下は第2図に破線
曲線110で示すように高い周波数で著しい。R
2の設定の周波数への効果は低い周波数では余り
顕著でないため、低い周波数における調節は、イ
ンダクタンスL1の値の(機械的手段による)調
節または第3図について後述するCD2の両端間
の電位の電気的変更によつて充分に達成すること
ができる。側路コンデンサC2は発振周波数で低
インピーダンスを呈し、接続導線12上の発振信
号が抵抗器R3,R2を流れて同調電位VTの大
きさに影響をしないようにしている。
つて同調電位VTのCD2の陽極に印加される部
分が増える。従つて、導線16(CD2の陽極)
上のVTの部分が導線14(CD2の陰極)上の
VTから差引かれるため、CD2の陽極陰極間の
電位が低下する。このCD2の陽極陰極間電位の
低下によつてCD2のキヤパシタンスが増加し、
これによつてVTの所定値に対する増幅器20の
発振周波数が低下する。この低下は第2図に破線
曲線110で示すように高い周波数で著しい。R
2の設定の周波数への効果は低い周波数では余り
顕著でないため、低い周波数における調節は、イ
ンダクタンスL1の値の(機械的手段による)調
節または第3図について後述するCD2の両端間
の電位の電気的変更によつて充分に達成すること
ができる。側路コンデンサC2は発振周波数で低
インピーダンスを呈し、接続導線12上の発振信
号が抵抗器R3,R2を流れて同調電位VTの大
きさに影響をしないようにしている。
回路10における容量ダイオードCD1,CD2
の直列接続は、発振信号によるその実効キヤパシ
タンスの変化度を減ずる働らきをすることが判
る。CD1,CD2は導線12と接地電位点Gとの
間の発振信号に対して直列に接続されているた
め、それぞれ発振信号の振幅の約1/2を受け、こ
の結果それぞれ発振信号の応答中に生ずるキヤパ
シタンス変化の約1/2を呈する。その上CD1,
CD2が直列のため、その合成キヤパシタンスは
それぞれのキヤパシタンス値の約1/2で、そのた
めキヤパシタンスに対する発振信号の振幅の影響
が少ない。この特長は、第1図の発振器において
図示の素子値を用い、動作用供給電圧+Vを約
18Vとして導線12に振幅約5−10Vの発振信号
を生成するとき特に有利である。ダイオードCD
1,CD2には、ジーメンス社(Siemens A.G.)
のBB−105型バラクタを、T1には日本電気の
トランジスタ2SC2026を用いた。
の直列接続は、発振信号によるその実効キヤパシ
タンスの変化度を減ずる働らきをすることが判
る。CD1,CD2は導線12と接地電位点Gとの
間の発振信号に対して直列に接続されているた
め、それぞれ発振信号の振幅の約1/2を受け、こ
の結果それぞれ発振信号の応答中に生ずるキヤパ
シタンス変化の約1/2を呈する。その上CD1,
CD2が直列のため、その合成キヤパシタンスは
それぞれのキヤパシタンス値の約1/2で、そのた
めキヤパシタンスに対する発振信号の振幅の影響
が少ない。この特長は、第1図の発振器において
図示の素子値を用い、動作用供給電圧+Vを約
18Vとして導線12に振幅約5−10Vの発振信号
を生成するとき特に有利である。ダイオードCD
1,CD2には、ジーメンス社(Siemens A.G.)
のBB−105型バラクタを、T1には日本電気の
トランジスタ2SC2026を用いた。
第3図は第1図の発振器の変形で、発振周波数
範囲の下限付近の周波数を調節するものである。
共振回路10と増幅器20は第1図と同様のもの
でよく、また互いに同様に接続されている。低い
周波数の調節は、ダイオードCD2の印加電位を
ダイオードCD1の印加電位から所定量だけ異な
らせることによつて行われる。電位差計R8は抵
抗器R9と導線16を介して共振回路10に同調
電位VTに影響されない動作電位+Vの所定部分
を印加する。この動作電位+Vは増幅器20に印
加される動作電位と同じであれば好都合である。
導線16に印加される電位+Vの実質的に一定の
部分の値は、同調電圧VTの最小値を容量ダイオ
ードCD2の順方向電圧降下以上超えない限り任
意でよい。電位差計R8と抵抗器R9によつて
CD2の陽極と印加される電圧がその陰極に印加
される電圧から差引かれるため、発振器の周波数
範囲の下限に対応するVTの低い値に対する効果
の方が著しい。R2の可動接点が実質的に接地電
位点Gにあるときのこの調節特性を第2図に鎖線
曲線120で示す。
範囲の下限付近の周波数を調節するものである。
共振回路10と増幅器20は第1図と同様のもの
でよく、また互いに同様に接続されている。低い
周波数の調節は、ダイオードCD2の印加電位を
ダイオードCD1の印加電位から所定量だけ異な
らせることによつて行われる。電位差計R8は抵
抗器R9と導線16を介して共振回路10に同調
電位VTに影響されない動作電位+Vの所定部分
を印加する。この動作電位+Vは増幅器20に印
加される動作電位と同じであれば好都合である。
導線16に印加される電位+Vの実質的に一定の
部分の値は、同調電圧VTの最小値を容量ダイオ
ードCD2の順方向電圧降下以上超えない限り任
意でよい。電位差計R8と抵抗器R9によつて
CD2の陽極と印加される電圧がその陰極に印加
される電圧から差引かれるため、発振器の周波数
範囲の下限に対応するVTの低い値に対する効果
の方が著しい。R2の可動接点が実質的に接地電
位点Gにあるときのこの調節特性を第2図に鎖線
曲線120で示す。
この発明の周波数選択回路はインダクタンスや
キヤパシタンスのような機械的調節型のリアクタ
ンス成分の必要性を著しく減じ得ることが判る。
UHF局部発振器では満足な機械的調整型のリア
クタンス素子が得られてもそれが高価な傾向があ
るため、この利点は特に重要である。一方この発
明に用いる電位差計は特別な高周波特性を持つ必
要がなくて安価な上、発振回路自体から比較的遠
くに置けるため、調節する人の手や工具によつて
発振回路の周波数が何等かの顕著な効果を受ける
可能性が遥かに少ない。
キヤパシタンスのような機械的調節型のリアクタ
ンス成分の必要性を著しく減じ得ることが判る。
UHF局部発振器では満足な機械的調整型のリア
クタンス素子が得られてもそれが高価な傾向があ
るため、この利点は特に重要である。一方この発
明に用いる電位差計は特別な高周波特性を持つ必
要がなくて安価な上、発振回路自体から比較的遠
くに置けるため、調節する人の手や工具によつて
発振回路の周波数が何等かの顕著な効果を受ける
可能性が遥かに少ない。
第4図は第1図の発振器の周波数を887−
1301MHzの範囲にわたつて変化させたいとき満足
に動作することが判つている実施例で、基板上に
印刷導体を用いてインダクタンスL1とキヤパシ
タンスC3を構成したものである。インダクタン
スL1′はほぼZ字型でほぼ図示の寸法(単位mm)
の印刷導体領域を有し、接地電位部GはG′で示
す比較的大きい印刷導体領域から成つている。キ
ヤパシタンスG3′は、インダクタンスL1′を出
力端子VOに接続するタツプとして働らく印刷導
体との間隙によつて形成される。L1′の呈する
インダクタンス値の調節は、真ちゆうねじBSに
よつて行なわれる。ねじBSはL1′のZ字型パタ
ンの内角によつて形成される部分において印刷回
路基板ねじ込まれ、その部分全体を被う大きさの
頭部を有する。このねじBSの頭部の遠近により
L1′の印刷導体領域への電流的接続なくL1′の
インダクタンスが変る。
1301MHzの範囲にわたつて変化させたいとき満足
に動作することが判つている実施例で、基板上に
印刷導体を用いてインダクタンスL1とキヤパシ
タンスC3を構成したものである。インダクタン
スL1′はほぼZ字型でほぼ図示の寸法(単位mm)
の印刷導体領域を有し、接地電位部GはG′で示
す比較的大きい印刷導体領域から成つている。キ
ヤパシタンスG3′は、インダクタンスL1′を出
力端子VOに接続するタツプとして働らく印刷導
体との間隙によつて形成される。L1′の呈する
インダクタンス値の調節は、真ちゆうねじBSに
よつて行なわれる。ねじBSはL1′のZ字型パタ
ンの内角によつて形成される部分において印刷回
路基板ねじ込まれ、その部分全体を被う大きさの
頭部を有する。このねじBSの頭部の遠近により
L1′の印刷導体領域への電流的接続なくL1′の
インダクタンスが変る。
上述の実施例は、特許請求の範囲に限定された
この発明の技術的範囲内において種々の変形が可
能である。例えば、電位差計R8を使用して容量
ダイオードCD1,CD2の一方に電位+Vの所定
部分を供給するだけにしてもよいし、VTの一部
をCD1,CD2の一方に印加すると共に+Vの一
部をCD1,CD2の他方に印加することもでき
る。
この発明の技術的範囲内において種々の変形が可
能である。例えば、電位差計R8を使用して容量
ダイオードCD1,CD2の一方に電位+Vの所定
部分を供給するだけにしてもよいし、VTの一部
をCD1,CD2の一方に印加すると共に+Vの一
部をCD1,CD2の他方に印加することもでき
る。
この発明の周波数選択回路は、制御電位に応じ
て同調点を変えることができる共振回路網を必要
とする同調濾波器や同調増幅器のような発振回路
以外の装置にも利用することができる。また発振
回路に実施した場合でもこの明細書に開示した特
定のものに限らず、例えばコルピツツ型やハート
レ型の発振器の発振回路にも利用することができ
るし、また直列接続の容量ダイオードCD1,CD
2をインダクタンスに並列に接続した並列共振回
路にも利用することができる。
て同調点を変えることができる共振回路網を必要
とする同調濾波器や同調増幅器のような発振回路
以外の装置にも利用することができる。また発振
回路に実施した場合でもこの明細書に開示した特
定のものに限らず、例えばコルピツツ型やハート
レ型の発振器の発振回路にも利用することができ
るし、また直列接続の容量ダイオードCD1,CD
2をインダクタンスに並列に接続した並列共振回
路にも利用することができる。
第1図はこの発明による一例周波数選択回路を
共振回路として使用した発振回路の回路図、第2
図は第1図の回路の動作の説明に用いる図表、第
3図および第4図は第1図の実施例の変形を示す
回路図である。 10……共振回路、20……電気信号源、VT
……制御電位、CD1,CD2……可変容量手段、
L1……インダクタンス、C1,C12……電気
信号を共振回路に供給する手段、R1,R2,R
3;R1,R2,R3,R8,R9……制御電位
を可変容量手段に印加する手段、R2,R3,1
6;R2,R8,R9……印加電位を異ならせる
手段。
共振回路として使用した発振回路の回路図、第2
図は第1図の回路の動作の説明に用いる図表、第
3図および第4図は第1図の実施例の変形を示す
回路図である。 10……共振回路、20……電気信号源、VT
……制御電位、CD1,CD2……可変容量手段、
L1……インダクタンス、C1,C12……電気
信号を共振回路に供給する手段、R1,R2,R
3;R1,R2,R3,R8,R9……制御電位
を可変容量手段に印加する手段、R2,R3,1
6;R2,R8,R9……印加電位を異ならせる
手段。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電気信号源と、制御電位源と、それぞれが第
1および第2の電極を有しこれら第1と第2の電
極間に印加される制御電位に応じて値が変化する
容量を上記両電極間に呈しかつ双方の第1電極を
相互にDC結合することにより直列接続された第
1および第2の可変容量手段とインダクタンスと
を含む共振回路と、上記双方の第1電極の相互接
続点から上記第1および第2の可変容量手段のそ
れぞれに両端間に上記制御電位を同一極性で印加
する手段と、上記電気信号源を上記共振回路に結
合する手段と、上記第2の可変容量手段の第2電
極に上記制御電位の一部分を印加することによつ
て上記第2の可変容量手段の両端間に印加される
電位を第1の可変容量手段の両端間に印加される
電位に追随するある大きさだけ異ならせる手段と
を具備し、 上記結合手段は目的とする所定周波数の交流信
号を上記第2の可変容量手段の第2電極に発生さ
せるものであり、 また上記第1の可変容量手段の第2電極におけ
る上記交流信号の大きさは上記第2の可変容量手
段の第2電極に生成する交流信号の大きさと実質
的に異なることを特徴とする、周波数選択回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/381,735 US4494081A (en) | 1982-05-24 | 1982-05-24 | Variable frequency U. H. F. local oscillator for a television receiver |
| US381735 | 1995-02-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222601A JPS58222601A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0412642B2 true JPH0412642B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=23506178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090555A Granted JPS58222601A (ja) | 1982-05-24 | 1983-05-23 | 周波数選択回路 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4494081A (ja) |
| JP (1) | JPS58222601A (ja) |
| KR (1) | KR910002979B1 (ja) |
| CA (1) | CA1204175A (ja) |
| DE (1) | DE3318536C2 (ja) |
| FR (1) | FR2527406B1 (ja) |
| GB (1) | GB2120886B (ja) |
| HK (1) | HK59791A (ja) |
| IT (1) | IT1171675B (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038903A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 局部発振回路 |
| JPS6129519U (ja) * | 1984-07-26 | 1986-02-22 | ソニー株式会社 | 可変容量素子用電圧供給回路 |
| US4625183A (en) * | 1985-06-21 | 1986-11-25 | Capetronic (Bsr) Ltd. | Low-cost VCO using lumped elements in microwave band |
| WO1987000993A1 (en) * | 1985-07-30 | 1987-02-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Local oscillation circuit |
| JP2580116B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1997-02-12 | ソニー株式会社 | Ic化高周波可変周波数発振回路 |
| US4709409A (en) * | 1986-08-25 | 1987-11-24 | Ma John Y | TVRO receiver with surface mounted high frequency voltage-controlled oscillator |
| JPS6355632U (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | ||
| US4743866A (en) * | 1986-11-26 | 1988-05-10 | Rca Corporation | Wide range oscillator |
| US4843358A (en) * | 1987-05-19 | 1989-06-27 | General Electric Company | Electrically positionable short-circuits |
| JPH01246906A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Nec Eng Ltd | 電圧制御発振器 |
| KR0153379B1 (ko) * | 1995-09-26 | 1998-11-16 | 김광호 | 디지탈 무선통신시스템의 업/다운컨버터용 전압제어발진기 |
| GB2339984B (en) * | 1998-07-24 | 2002-05-15 | Nec Technologies | Multi-band voltage controlled oscillator |
| US7221243B2 (en) * | 2001-04-11 | 2007-05-22 | Kyocera Wireless Corp. | Apparatus and method for combining electrical signals |
| US7394430B2 (en) * | 2001-04-11 | 2008-07-01 | Kyocera Wireless Corp. | Wireless device reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| US6690251B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-02-10 | Kyocera Wireless Corporation | Tunable ferro-electric filter |
| US7746292B2 (en) * | 2001-04-11 | 2010-06-29 | Kyocera Wireless Corp. | Reconfigurable radiation desensitivity bracket systems and methods |
| CN100419440C (zh) * | 2001-04-11 | 2008-09-17 | 京瓷无线公司 | 测定铁电元件引致的耗损的方法 |
| US7174147B2 (en) * | 2001-04-11 | 2007-02-06 | Kyocera Wireless Corp. | Bandpass filter with tunable resonator |
| US7154440B2 (en) * | 2001-04-11 | 2006-12-26 | Kyocera Wireless Corp. | Phase array antenna using a constant-gain phase shifter |
| US7164329B2 (en) | 2001-04-11 | 2007-01-16 | Kyocera Wireless Corp. | Tunable phase shifer with a control signal generator responsive to DC offset in a mixed signal |
| US7071776B2 (en) | 2001-10-22 | 2006-07-04 | Kyocera Wireless Corp. | Systems and methods for controlling output power in a communication device |
| US7176845B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-13 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for impedance matching an antenna to sub-bands in a communication band |
| US7184727B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-27 | Kyocera Wireless Corp. | Full-duplex antenna system and method |
| US7180467B2 (en) * | 2002-02-12 | 2007-02-20 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for dual-band antenna matching |
| US7720443B2 (en) | 2003-06-02 | 2010-05-18 | Kyocera Wireless Corp. | System and method for filtering time division multiple access telephone communications |
| US7248845B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-07-24 | Kyocera Wireless Corp. | Variable-loss transmitter and method of operation |
| US7548762B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-06-16 | Kyocera Corporation | Method for tuning a GPS antenna matching network |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1265238B (de) * | 1965-04-24 | 1968-04-04 | Telefunken Patent | Parallelschwingkreis fuer eine Frequenzmodulationseinrichtung |
| DE1591121A1 (de) * | 1966-03-07 | 1970-05-14 | Fujitsu Ltd | Frequenzmodulator |
| DE1539858B1 (de) * | 1966-04-04 | 1970-04-23 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Schwingkreisanordnung zum Erhoehen der Kapazitaetsvariation von Kapazitaetsdioden |
| FR1493522A (fr) * | 1966-05-27 | 1967-09-01 | Thomson Houston Comp Francaise | Perfectionnements aux dispositifs de moudlation |
| US3492514A (en) * | 1967-04-17 | 1970-01-27 | Motorola Inc | Voltage variable capacitance range extender |
| GB1232202A (ja) * | 1967-08-14 | 1971-05-19 | ||
| DE1791070B2 (de) * | 1968-09-06 | 1976-11-25 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Eingangsschaltung fuer autorundfunkempfaenger |
| DE2130095C3 (de) * | 1970-07-10 | 1974-11-14 | Autophon Ag, Solothurn (Schweiz) | Schaltungsanordnung zur Erzeugung einer in ihrer Frequenz intermittierend modulierbaren Hochfrequenzschwingung hoher Frequenzgenauigkeit |
| JPS50104553A (ja) * | 1974-01-18 | 1975-08-18 | ||
| US4011526A (en) * | 1976-01-05 | 1977-03-08 | Motorola, Inc. | Temperature compensated surface acoustic wave oscillator |
| US4074209A (en) * | 1976-12-13 | 1978-02-14 | Rca Corporation | Wide range frequency modulation of narrow loop bandwidth phase-locked oscillators |
| JPS54109301A (en) * | 1978-02-15 | 1979-08-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electronic tuner circuit |
| JPS6024023Y2 (ja) * | 1979-05-18 | 1985-07-17 | 三洋電機株式会社 | 自動周波数制御回路 |
| US4316108A (en) * | 1979-09-25 | 1982-02-16 | Rogers Jr Walter M | Tracking filter for FM threshold extension |
| DE2945546C2 (de) * | 1979-11-10 | 1983-09-29 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Schaltungsanordnung für abstimmbare HF-Kreise |
| FR2494929B1 (fr) * | 1980-11-27 | 1986-04-11 | Orega Electro Mecanique | Oscillateur hyperfrequence a transistor, accordable par tension |
| JPS57101402A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Voltage controlled variable frequency oscillator |
| US4375621A (en) * | 1981-03-02 | 1983-03-01 | Ael Microtel, Ltd. | Circuit for linearizing frequency modulated oscillators on microstrip |
| US4402089A (en) * | 1981-09-16 | 1983-08-30 | Rca Corporation | Television tuning system with electronic frequency adjustment apparatus |
-
1982
- 1982-05-24 US US06/381,735 patent/US4494081A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-04-27 CA CA000426796A patent/CA1204175A/en not_active Expired
- 1983-05-05 GB GB08312303A patent/GB2120886B/en not_active Expired
- 1983-05-17 IT IT21144/83A patent/IT1171675B/it active
- 1983-05-20 DE DE3318536A patent/DE3318536C2/de not_active Expired
- 1983-05-23 JP JP58090555A patent/JPS58222601A/ja active Granted
- 1983-05-24 FR FR8308530A patent/FR2527406B1/fr not_active Expired
- 1983-05-24 KR KR1019830002270A patent/KR910002979B1/ko not_active Expired
-
1991
- 1991-08-01 HK HK597/91A patent/HK59791A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2120886A (en) | 1983-12-07 |
| IT1171675B (it) | 1987-06-10 |
| KR840004989A (ko) | 1984-10-31 |
| FR2527406A1 (fr) | 1983-11-25 |
| GB2120886B (en) | 1986-08-20 |
| DE3318536C2 (de) | 1987-01-02 |
| DE3318536A1 (de) | 1983-11-24 |
| HK59791A (en) | 1991-08-09 |
| CA1204175A (en) | 1986-05-06 |
| JPS58222601A (ja) | 1983-12-24 |
| IT8321144A0 (it) | 1983-05-17 |
| FR2527406B1 (fr) | 1987-11-27 |
| IT8321144A1 (it) | 1984-11-17 |
| US4494081A (en) | 1985-01-15 |
| KR910002979B1 (ko) | 1991-05-11 |
| GB8312303D0 (en) | 1983-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0412642B2 (ja) | ||
| JPH0550883B2 (ja) | ||
| JP3522283B2 (ja) | 周波数変化可能な発振器装置 | |
| JP2525242B2 (ja) | Uhf同調装置 | |
| JP2580116B2 (ja) | Ic化高周波可変周波数発振回路 | |
| US4906947A (en) | Millimeter wave microstrip voltage-controlled oscillator with adjustable tuning sensitivity | |
| JPS5922404A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US4003000A (en) | Sinusoidal oscillator with electronically variable frequency | |
| US3775698A (en) | A circuit for generating a high power rf signal having low am and fm noise components | |
| US4990865A (en) | Transistor microwave oscillator having adjustable zone of potential instability | |
| US2960666A (en) | Transistor oscillator with impedance transformation in feedback circuit | |
| US2203085A (en) | Electrical oscillator for generation of high frequencies | |
| JPH09307354A (ja) | 共振器とこれを用いた電圧制御発振器 | |
| JPS626504A (ja) | 電圧制御発振器 | |
| JP2940053B2 (ja) | 発振装置 | |
| US1975615A (en) | Crystal controlled oscillator circuits | |
| JPS6236332Y2 (ja) | ||
| JP2819034B2 (ja) | 電圧制御発振器 | |
| US3408576A (en) | Variable frequency transistorized rf amplifier with amplitude compensated output | |
| JPH104315A (ja) | 高周波発振回路 | |
| JPH10173565A (ja) | Amラジオ受信機 | |
| JPH0648972Y2 (ja) | 局部発振回路 | |
| US3384836A (en) | Transistor microwave oscillator having second harmonic coutput | |
| US3732497A (en) | Transistor transmitter using variable line length tuner | |
| JP2925567B2 (ja) | 高周波発振器 |