JPS6038903A - 局部発振回路 - Google Patents
局部発振回路Info
- Publication number
- JPS6038903A JPS6038903A JP58145751A JP14575183A JPS6038903A JP S6038903 A JPS6038903 A JP S6038903A JP 58145751 A JP58145751 A JP 58145751A JP 14575183 A JP14575183 A JP 14575183A JP S6038903 A JPS6038903 A JP S6038903A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tuning
- potential
- capacitance
- circuit
- varactor diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
- H03B5/1841—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator
- H03B5/1847—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance the frequency-determining element being a strip line resonator the active element in the amplifier being a semiconductor device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Superheterodyne Receivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ヘテロゲイン方式を使用した／ステムにおけ
る広帯域の局部発振回路に関するものであり、例えばテ
レビノヨンチューナ回路、ｓＨＦ用ダウンコンバータ回
路に用いるものである。
る広帯域の局部発振回路に関するものであり、例えばテ
レビノヨンチューナ回路、ｓＨＦ用ダウンコンバータ回
路に用いるものである。
（従来例の構成とその問題点り
分布定数回路における線路層ジピーダンス２・は、特性
インピーダンスを２゜、線路の終端インピーダンスをＺ
、線路長をｔとすれば ２π 。
インピーダンスを２゜、線路の終端インピーダンスをＺ
、線路長をｔとすれば ２π 。
となる。但し、β−７（λ、波長） ・・・（２）（１
）式においてｚＲ−０としだとき Ｚｉｎ ”’ ＪＺｏｔａｎβｔ ・−（３）となり、
これを２ で規格した特性は、第１図のよλ λ λ うになり、０から−の間で誘導性、７から７の間で容量
性、・・・、のような変化をする。この線路の０から区
の間を利用し、これに容量を与えて共振回路を構成する
ことができる。
）式においてｚＲ−０としだとき Ｚｉｎ ”’ ＪＺｏｔａｎβｔ ・−（３）となり、
これを２ で規格した特性は、第１図のよλ λ λ うになり、０から−の間で誘導性、７から７の間で容量
性、・・・、のような変化をする。この線路の０から区
の間を利用し、これに容量を与えて共振回路を構成する
ことができる。
第２図はこのような共振回路を利用した局部発振回路の
従来例を示す。すなわち、この局部発振回路は上述の共
振回路を増幅器に接続して反射型の発振器を構成したも
ので、図において、Ａは共振部ブロック、Ｂは増幅部ブ
ロックを示す。ＤｌおよびＤ２は外部直流電位すなわち
同調電位ＢＴにより容量を可変できる同調ダイオード（
以下パラフタダイオードという）で、これらの合成容量
ＣＤおよび浮遊容量Ｃｆによって共振容量を構成してい
る。Ｃ４は結合用の大容量でこの結合容量ｃ１とバラク
タダイオードＤ２のアノードとの接続点は抵抗Ｒ２を通
して接地される。Ｌｌは共振線路でその一端はバラクタ
ダイオードＤ のアノードに接続され、他端は接地され
る。共振は共振線路Ｌ１とバラクタダイオードＤ、とＤ
２の合成容量ＣＤと回路の浮遊容量Ｃ０の合成容量とで
構成される。この合成容量をＣ８とすれば、共振点にお
いての関係があり、第２図の回路はこのω。で発振する
。
従来例を示す。すなわち、この局部発振回路は上述の共
振回路を増幅器に接続して反射型の発振器を構成したも
ので、図において、Ａは共振部ブロック、Ｂは増幅部ブ
ロックを示す。ＤｌおよびＤ２は外部直流電位すなわち
同調電位ＢＴにより容量を可変できる同調ダイオード（
以下パラフタダイオードという）で、これらの合成容量
ＣＤおよび浮遊容量Ｃｆによって共振容量を構成してい
る。Ｃ４は結合用の大容量でこの結合容量ｃ１とバラク
タダイオードＤ２のアノードとの接続点は抵抗Ｒ２を通
して接地される。Ｌｌは共振線路でその一端はバラクタ
ダイオードＤ のアノードに接続され、他端は接地され
る。共振は共振線路Ｌ１とバラクタダイオードＤ、とＤ
２の合成容量ＣＤと回路の浮遊容量Ｃ０の合成容量とで
構成される。この合成容量をＣ８とすれば、共振点にお
いての関係があり、第２図の回路はこのω。で発振する
。
同調電位ＢＴは高抵抗Ｒ４を通してバラクタダイオード
Ｄ１のカソードとバラクタダイオードＤ のカソードと
の接続点に加えられる。
Ｄ１のカソードとバラクタダイオードＤ のカソードと
の接続点に加えられる。
共振容量は前述したようにバラクタダイオードＤ、の同
調容量ＣＤ１とバラクタダイオードＤ２の同調容量ＣＤ
２と、結合容量Ｃ１と増幅部ブロックＢを含めた浮遊容
量Ｃｆとの和になるが、ＣはＣ、Ｃ１Ｄｌ Ｉ）２ に対して大きな値を用いるだめ実質上の合成容量ｃｏは
、 ■ となる。
調容量ＣＤ１とバラクタダイオードＤ２の同調容量ＣＤ
２と、結合容量Ｃ１と増幅部ブロックＢを含めた浮遊容
量Ｃｆとの和になるが、ＣはＣ、Ｃ１Ｄｌ Ｉ）２ に対して大きな値を用いるだめ実質上の合成容量ｃｏは
、 ■ となる。
ここで、バラクタダイオードＤ１とバラクタダイオード
Ｄ２を同等のものとすると、Ｄ４．Ｄ２には同調電位と
して等電位が印加されるので ＣＤ、＝ＣＤ２ ・・・ （６） となり、（５）式は となる。
Ｄ２を同等のものとすると、Ｄ４．Ｄ２には同調電位と
して等電位が印加されるので ＣＤ、＝ＣＤ２ ・・・ （６） となり、（５）式は となる。
第３図はバラクタダイオードＤ１及びＤ２のＣ−■特性
の例を示す。また、（７）式においてＣ，＝０．５（ｐ
Ｆ）とし第３図からのバラクタダイオードＤ１の容量Ｃ
Ｄ１の値を（７）式に代入してＣ８の値を示したものが
第４図である。さらに、（４）式のＣ８に第４図からの
値を代入し、共振線路をインピーダンス５ｏΩ。
の例を示す。また、（７）式においてＣ，＝０．５（ｐ
Ｆ）とし第３図からのバラクタダイオードＤ１の容量Ｃ
Ｄ１の値を（７）式に代入してＣ８の値を示したものが
第４図である。さらに、（４）式のＣ８に第４図からの
値を代入し、共振線路をインピーダンス５ｏΩ。
線路長１５咽として（４）式よシω。を算出し、同調電
位ＢＴに対する発振周波数ｆ。を示したのが第５図であ
る。
位ＢＴに対する発振周波数ｆ。を示したのが第５図であ
る。
この第５図から分るように、上記従来の局部発振回路の
場合、同調電位ＢＴの０〜１０（Ｖ）の変化に対する発
振周波数ｆ。の変化は、同調電位Ｂ、の１゜〜２０（Ｖ
）の変化に対するそれよりも、著しく急激であるという
欠点がある。
場合、同調電位ＢＴの０〜１０（Ｖ）の変化に対する発
振周波数ｆ。の変化は、同調電位Ｂ、の１゜〜２０（Ｖ
）の変化に対するそれよりも、著しく急激であるという
欠点がある。
（発明の目的）
本発明は、かかる欠点を改善するもので、バラクタダイ
オードＤ１のカソードに印加する同調電位ＢＴを分割し
て、バラクタダイオードＤ２０カソードにその分割電位
を印加することで、同調電位の変化に対して、発振周波
数ｆ。が急激に変化しないようにすることができる局部
発振回路を提供するものである。
オードＤ１のカソードに印加する同調電位ＢＴを分割し
て、バラクタダイオードＤ２０カソードにその分割電位
を印加することで、同調電位の変化に対して、発振周波
数ｆ。が急激に変化しないようにすることができる局部
発振回路を提供するものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するために本発明は、外部直流電位（同
調電位）にょシ容量を可変できる第１の同調ダイオード
と、共振線路と、前記外部直流電位（同調電位）を分割
して、その分割電位により容量を可変できる第２の同調
ダイオードとを直列に接続して共振回路を構成し、この
共振回路を増幅回路を構成するトランジスタのペースあ
るいはコレクタに接続して局部発振回路を構成したこと
を特徴とするもので、これにより外部直流電位（同調電
位）の変化に対する発振周波数の変化が急激にならない
ようにすることができる。
調電位）にょシ容量を可変できる第１の同調ダイオード
と、共振線路と、前記外部直流電位（同調電位）を分割
して、その分割電位により容量を可変できる第２の同調
ダイオードとを直列に接続して共振回路を構成し、この
共振回路を増幅回路を構成するトランジスタのペースあ
るいはコレクタに接続して局部発振回路を構成したこと
を特徴とするもので、これにより外部直流電位（同調電
位）の変化に対する発振周波数の変化が急激にならない
ようにすることができる。
（実施例の説明）
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
第６図は本発明の一実施例における局部発振回路の構成
を示すものである。第６図においてＣは共振部ブロック
、Ｄは増幅部ブロックである。共振部ブロックＣは増幅
部プロ、りＤと結合容量Ｃ４で接続され、結合容量Ｃ１
とバラクタダイオードＤ２のアノードとの接続点は、抵
抗Ｒ２を通して接地される。バラクタダイオードＤ２の
カソードは結合容量Ｃ２が接続されその接続点に、同調
電位Ｂ７を抵抗Ｒ６とＲ４で分割した分割電位が印加さ
れる。
を示すものである。第６図においてＣは共振部ブロック
、Ｄは増幅部ブロックである。共振部ブロックＣは増幅
部プロ、りＤと結合容量Ｃ４で接続され、結合容量Ｃ１
とバラクタダイオードＤ２のアノードとの接続点は、抵
抗Ｒ２を通して接地される。バラクタダイオードＤ２の
カソードは結合容量Ｃ２が接続されその接続点に、同調
電位Ｂ７を抵抗Ｒ６とＲ４で分割した分割電位が印加さ
れる。
バラクタダイオードＤ、のカソードは結合容量ｃ２を通
してバラクタダイオードＤ２のカソードに接続され、Ｄ
、と０２の接続点に高抵抗Ｒ７を通して同調電位ＢＴが
印加される。バラクタダイメートＤ１のアノードには、
共振線路Ｌ１の一端が接続され、共振線路Ｌ１の他端は
接地される。
してバラクタダイオードＤ２のカソードに接続され、Ｄ
、と０２の接続点に高抵抗Ｒ７を通して同調電位ＢＴが
印加される。バラクタダイメートＤ１のアノードには、
共振線路Ｌ１の一端が接続され、共振線路Ｌ１の他端は
接地される。
共振容量はバラクタダイオードＤ、の同調容量ＣＤＩと
バラクタダイオードＤ２の同調容量ｃＤ２と結合容量Ｃ
１，Ｃ２と、増喝部ブロックＤを含めた浮遊容量Ｃ２と
の合成になるが、Ｃ１＋ Ｃ２は、ｃＤ、。
バラクタダイオードＤ２の同調容量ｃＤ２と結合容量Ｃ
１，Ｃ２と、増喝部ブロックＤを含めた浮遊容量Ｃ２と
の合成になるが、Ｃ１＋ Ｃ２は、ｃＤ、。
ＣＤ２に対して大きな値を用いるため実質上の結合容量
Ｃ６は となる。
Ｃ６は となる。
上記バラクタダイオードＤ１のｃ−■特性は先に示した
第３図と同じであり、また、ここにおいてバラクタダイ
オードＤ２をり、と同等のものとし、第６図に示す同調
電位ＢＴの分割抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗比を例えば、 Ｒ３： Ｒ４＝ １ ： １ とし、バラクタダイオードＤ２のカソードに印加される
電位を常に同調電位ＢＴの棒とすると、その時のバラク
タダイオードＤ２の同調容量と同調電位ＢＴの関係は第
７図のようになる。
第３図と同じであり、また、ここにおいてバラクタダイ
オードＤ２をり、と同等のものとし、第６図に示す同調
電位ＢＴの分割抵抗Ｒ３，Ｒ４の抵抗比を例えば、 Ｒ３： Ｒ４＝ １ ： １ とし、バラクタダイオードＤ２のカソードに印加される
電位を常に同調電位ＢＴの棒とすると、その時のバラク
タダイオードＤ２の同調容量と同調電位ＢＴの関係は第
７図のようになる。
（８）式においてＣｆ＝ ｏ、 ５［ｐＦ）とし、第３
図、第７図よりバラクタダイオードＤ１． Ｄ２の同調
電位Ｂ。
図、第７図よりバラクタダイオードＤ１． Ｄ２の同調
電位Ｂ。
に対する値をそれぞれめて、（８）式に代入し、ｃｏの
値をめたものを第８図に示す。
値をめたものを第８図に示す。
ここで、（４）式のＣ８に第８図からの値を代入し、共
振線路のインピーダンス５ｏΩ、ｆｇＡ 路長１５ ｔ
ｍｎとして（４）式よりω。を算出し、同調電位ＢＴに
対する発振周波数ｆ。をめたものを第９図に示す。
振線路のインピーダンス５ｏΩ、ｆｇＡ 路長１５ ｔ
ｍｎとして（４）式よりω。を算出し、同調電位ＢＴに
対する発振周波数ｆ。をめたものを第９図に示す。
第９図と従来例の同調電位ＢＴに対する発振周波数ｆ。
の変化を示しだ第５図を比較してわかるように、本発明
を用いることにより、同調電位ＢＴの変化に対し、発振
周波数ｆ。の急激な変化を抑制することができる。
を用いることにより、同調電位ＢＴの変化に対し、発振
周波数ｆ。の急激な変化を抑制することができる。
次に、増幅部プＯ，りＤについて説明する。第６図にお
いて増幅器を構成するトランジスタ。。
いて増幅器を構成するトランジスタ。。
のベースには前述の結合容量Ｃ４を介して共振部ブロッ
クＣが接続され、コレクタはＣ４の大容量で接地される
。また、コレクタには抵抗Ｒ６を通してバイアスが与え
られ、さらに抵抗Ｒ５によりベース電位が与えられてい
る。この場合ベースバイアスについては自己帰還型でな
くてもよい。トランジスタＱ１のエミッターコレクタ間
の容量ｃ３はエミッタとアース間の最短距離を交流的に
接地するもので、Ｃ３により、広帯域の発振の安定性を
改善してイル。Ｌ２ｉｄハイ・ぐワーをとシ出すだめの
チョークコイルである。Ｒ７はエミッタ抵抗であり、Ｃ
５を通して発振出力をと９出すもので、電流約３８ｍＡ
時に約１０ ｄＢｍの・ぐワーをとシ出すことができる
。
クＣが接続され、コレクタはＣ４の大容量で接地される
。また、コレクタには抵抗Ｒ６を通してバイアスが与え
られ、さらに抵抗Ｒ５によりベース電位が与えられてい
る。この場合ベースバイアスについては自己帰還型でな
くてもよい。トランジスタＱ１のエミッターコレクタ間
の容量ｃ３はエミッタとアース間の最短距離を交流的に
接地するもので、Ｃ３により、広帯域の発振の安定性を
改善してイル。Ｌ２ｉｄハイ・ぐワーをとシ出すだめの
チョークコイルである。Ｒ７はエミッタ抵抗であり、Ｃ
５を通して発振出力をと９出すもので、電流約３８ｍＡ
時に約１０ ｄＢｍの・ぐワーをとシ出すことができる
。
なお発振出力のとり出し方には、種々の方法があり、Ｃ
４の容量を１０ ｐＦ程度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路にＬあるいは容量結合によってとシ出
す方法も可能である。
４の容量を１０ ｐＦ程度にしてコレクタからとり出す
方法や、共振線路にＬあるいは容量結合によってとシ出
す方法も可能である。
パワーを考えれば、エミッタからと９出すのが最適であ
る。なお、出方のとシ出し方、あるいは共振線路の設定
個所については、多くの方法があるが、本発明は直列に
接続された二つの同調ダイオードに、同一の同調電位か
ら電位の違う同調電位を与えることで、同調電位の変化
に対し、発振周波数が急激に変化するのを抑制するよう
にしたことを重要なポイントとするものである。
る。なお、出方のとシ出し方、あるいは共振線路の設定
個所については、多くの方法があるが、本発明は直列に
接続された二つの同調ダイオードに、同一の同調電位か
ら電位の違う同調電位を与えることで、同調電位の変化
に対し、発振周波数が急激に変化するのを抑制するよう
にしたことを重要なポイントとするものである。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は同調電位により容量を可
変できる第１の同調ダイオードと、共振線路と、前記同
調電位を分割してその分割電位により容量を可変できる
第２の同調ダイオードとを直列に接続して共振回路を構
成し、この共振回路を増幅回路を構成するトランジスタ
のベースあるいはコレクタに接続して局部発振回路を構
成することにより、従来のように同調電位の変化に対し
発振周波数が急激に変化するのを抑制するようにしたも
のである。
変できる第１の同調ダイオードと、共振線路と、前記同
調電位を分割してその分割電位により容量を可変できる
第２の同調ダイオードとを直列に接続して共振回路を構
成し、この共振回路を増幅回路を構成するトランジスタ
のベースあるいはコレクタに接続して局部発振回路を構
成することにより、従来のように同調電位の変化に対し
発振周波数が急激に変化するのを抑制するようにしたも
のである。
従って、本発明によれば同調電圧−発振周波数特性の優
れた局部発振回路を提供することができるＯ
れた局部発振回路を提供することができるＯ
λ
第１図は片側終端の７−線路のインピーダンス特性図、
第２図は局部発振回路の従来例の回路図、第３図は同調
ダイオードのＣ−Ｖ特性図、第４図は従来例の同調容量
のＣ−Ｖ％性図、第５図は局部発振回路の従来例の同調
電圧対発振周波数の特性図、第６図は本発明の一実施例
における局部発振回路の回路図、第７図は本発明の一実
施例における局部発振回路の同調ダイオードＤ２の同調
容量対同調電位の特性図、第８図は本発明の一実施例に
おける局部発振回路の同調容量対同調電位の特性図、第
９図は本発明の一実施例における局部発振回路の同調電
圧対発振周波数の特性図、である。 Ａ、Ｃ・・・共振部ブロック、Ｂ、Ｄ・・・増幅部ブロ
ック、Ｌｌ・・・共振線路、Ｄｌ、Ｄ２・・バラクタダ
イオード、Ｑ、・・・トランジスタ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 、−−−１ 代 理 人 星 野 恒 司 （ ｈ） 第１図 第２図 「 ｓ、軒 第６図 第３図 ＢＴ 第４図 第５図 第７図 ＢＴ 第８図 第９図
第２図は局部発振回路の従来例の回路図、第３図は同調
ダイオードのＣ−Ｖ特性図、第４図は従来例の同調容量
のＣ−Ｖ％性図、第５図は局部発振回路の従来例の同調
電圧対発振周波数の特性図、第６図は本発明の一実施例
における局部発振回路の回路図、第７図は本発明の一実
施例における局部発振回路の同調ダイオードＤ２の同調
容量対同調電位の特性図、第８図は本発明の一実施例に
おける局部発振回路の同調容量対同調電位の特性図、第
９図は本発明の一実施例における局部発振回路の同調電
圧対発振周波数の特性図、である。 Ａ、Ｃ・・・共振部ブロック、Ｂ、Ｄ・・・増幅部ブロ
ック、Ｌｌ・・・共振線路、Ｄｌ、Ｄ２・・バラクタダ
イオード、Ｑ、・・・トランジスタ。 特許出願人 松下電器産業株式会社 、−−−１ 代 理 人 星 野 恒 司 （ ｈ） 第１図 第２図 「 ｓ、軒 第６図 第３図 ＢＴ 第４図 第５図 第７図 ＢＴ 第８図 第９図
Claims (1)
- 外部直流電位（同調電位）により容量を可変できる第１
の同調ダイオードと、共振線路と、前記外部直流電位（
同調電位）を分割してその分割電位により容量を可変で
きる第２の同調ダイオードとを直列に接続して共振回路
を構成し、この共振回路を構成するトランジスタのベー
スあるいはコレクタに接続したことを特徴とする局部発
振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145751A JPS6038903A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 局部発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58145751A JPS6038903A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 局部発振回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038903A true JPS6038903A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15392309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58145751A Pending JPS6038903A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 局部発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038903A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPH01200811A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 自動利得制御回路 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222601A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-24 | アールシーエー トムソン ライセンシング コーポレイシヨン | 周波数選択回路 |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58145751A patent/JPS6038903A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58222601A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-12-24 | アールシーエー トムソン ライセンシング コーポレイシヨン | 周波数選択回路 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS626504A (ja) * | 1985-07-03 | 1987-01-13 | Hitachi Ltd | 電圧制御発振器 |
| JPH01200811A (ja) * | 1988-02-05 | 1989-08-14 | Mitsubishi Electric Corp | 自動利得制御回路 |
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