JPH0412652U - - Google Patents
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- JPH0412652U JPH0412652U JP5294390U JP5294390U JPH0412652U JP H0412652 U JPH0412652 U JP H0412652U JP 5294390 U JP5294390 U JP 5294390U JP 5294390 U JP5294390 U JP 5294390U JP H0412652 U JPH0412652 U JP H0412652U
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- JP
- Japan
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- substrate
- lid
- semiconductor element
- shaped
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- Pending
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例１の断面図、第２図は
本考案の一実施例の斜視図、第３図は本考案の実
施例２の断面図である。 １……半導体素子、２，１２……金属板、３，
１３……基板、４，１４……接着剤、５，１５…
…外部導出用リード、６，１６……低融点ガラス
、７，１７……リツド。
本考案の一実施例の斜視図、第３図は本考案の実
施例２の断面図である。 １……半導体素子、２，１２……金属板、３，
１３……基板、４，１４……接着剤、５，１５…
…外部導出用リード、６，１６……低融点ガラス
、７，１７……リツド。
Claims (1)
- 紫外線消去型メモリー半導体素子を搭載する基
板と前記半導体素子を覆うように前記基板に対し
て装着されたリツドと、前記基板と前記リツドと
の間に挟持されて外部に延長し、かつ前記半導体
素子に電気的に接続されたリードとを具備する半
導体装置において、前記基板は金属板で形成され
、前記リツドは厚み０．５mm以下の透光性アルミ
ナで形成され、かつ前記リードが所望の形状に整
形され、全体厚が１．３mm以下であることを特徴
とする紫外線透過型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294390U JPH0412652U (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5294390U JPH0412652U (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412652U true JPH0412652U (ja) | 1992-01-31 |
Family
ID=31573689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5294390U Pending JPH0412652U (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412652U (ja) |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP5294390U patent/JPH0412652U/ja active Pending
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