JPH04127076A - 光磁界センサ - Google Patents
光磁界センサInfo
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- JPH04127076A JPH04127076A JP90247389A JP24738990A JPH04127076A JP H04127076 A JPH04127076 A JP H04127076A JP 90247389 A JP90247389 A JP 90247389A JP 24738990 A JP24738990 A JP 24738990A JP H04127076 A JPH04127076 A JP H04127076A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は光磁界センサに係り、特に光源の持つ発光出力
波長の温度依存性に伴う影響を補償するようにした光磁
界センサに関する。
波長の温度依存性に伴う影響を補償するようにした光磁
界センサに関する。
（従来の技術）
従来の光磁界センサは、第７図に示すように光源（例え
ばＬＥＤ素子）１、主軸をＸ軸に合せＬＥＤＩからの入
射光を直線偏光に変換する偏光子２、この偏光子２を通
して得られる直線偏光が入射されるファラデー効果を有
する鉛ガラスセンサ３、この鉛ガラスセンサ３を通して
得られる偏光光が入射され、偏光子２の主軸に対して４
５゜傾けた検光子４、この検光子４を通して得られる偏
光光を受光し、これを電気信号に変換するフォトダイオ
ード５、このフォトダイオード５で検出された光強度に
応じた電気信号が増幅器６を介して入力される検出回路
７から構成されている。
ばＬＥＤ素子）１、主軸をＸ軸に合せＬＥＤＩからの入
射光を直線偏光に変換する偏光子２、この偏光子２を通
して得られる直線偏光が入射されるファラデー効果を有
する鉛ガラスセンサ３、この鉛ガラスセンサ３を通して
得られる偏光光が入射され、偏光子２の主軸に対して４
５゜傾けた検光子４、この検光子４を通して得られる偏
光光を受光し、これを電気信号に変換するフォトダイオ
ード５、このフォトダイオード５で検出された光強度に
応じた電気信号が増幅器６を介して入力される検出回路
７から構成されている。
この場合、ガラスセンサ３は図示白抜矢印方向に強さＨ
の磁界が印加されると、ファラデー効果によって偏光面
がｅ反回転したＩＱ売先光出射する。
の磁界が印加されると、ファラデー効果によって偏光面
がｅ反回転したＩＱ売先光出射する。
また、検光子４はガラスセンサ３を通して入射される偏
光光を検光子主軸に合わせてＸ軸から４５″傾いた直線
偏光にして出射する。
光光を検光子主軸に合わせてＸ軸から４５″傾いた直線
偏光にして出射する。
従って、かかる構成の光磁界センサにおいては。
ガラスセンサ３部に印加される磁界の強さを、ガラスセ
ンサ３内部を通過する偏光光ビームのファラデー効果に
伴う偏光面の回転角度θの大きさとして測定することに
より、下式に示すファラデーの関係式より磁界の強さＨ
を検出することができる。
ンサ３内部を通過する偏光光ビームのファラデー効果に
伴う偏光面の回転角度θの大きさとして測定することに
より、下式に示すファラデーの関係式より磁界の強さＨ
を検出することができる。
θｍｖ＊Ｈ＊ｌ＊ｃｏｓ ψ −（１）
但し、θ：磁界による偏光面の回転角（ｄｅｇ）、■：
ベルデ定数（ｒａｄ／ＡＴ）、Ｈ；磁界の強さ（ＡＴ／
ｍ）、１：光路長（ｍ）、ψ：光路と磁界のなす角（ｄ
ｅｇ）また、光路と磁界のなす角が９０″の時は（２〕
式で近似できる。
但し、θ：磁界による偏光面の回転角（ｄｅｇ）、■：
ベルデ定数（ｒａｄ／ＡＴ）、Ｈ；磁界の強さ（ＡＴ／
ｍ）、１：光路長（ｍ）、ψ：光路と磁界のなす角（ｄ
ｅｇ）また、光路と磁界のなす角が９０″の時は（２〕
式で近似できる。
Ｈ−６１／ｖ −１・・・（２）
ここで、フォトダイオード５で検出された光強度に応じ
た電気信号Ｐは増幅器６を介して検出回路７に入力され
、次に示す関係式（３）と上記（２）式に示す関係から
磁界の強さＨが求められる。
た電気信号Ｐは増幅器６を介して検出回路７に入力され
、次に示す関係式（３）と上記（２）式に示す関係から
磁界の強さＨが求められる。
Ｐ＝Ａ ｌｌ＋ｓｉｎ ２ｅ）
・＝ （３）但し、Ａ二変数、θ：磁界による偏光
面の回転角、Ｐ：フォトダイオードの電気信号 （発明が解決しようとする課８） ところで、このような従来の磁界センサにおいて、光源
として用いられている発光素子（ＬＥＤ素子）１は一般
に素子表面温度が一定であれば、発光出力波長および発
光出力は常に一定であるが、素子表面温度が外気温度に
よって変化すると発光出力波長も発光出力も共に変化し
たものとなる。
・＝ （３）但し、Ａ二変数、θ：磁界による偏光
面の回転角、Ｐ：フォトダイオードの電気信号 （発明が解決しようとする課８） ところで、このような従来の磁界センサにおいて、光源
として用いられている発光素子（ＬＥＤ素子）１は一般
に素子表面温度が一定であれば、発光出力波長および発
光出力は常に一定であるが、素子表面温度が外気温度に
よって変化すると発光出力波長も発光出力も共に変化し
たものとなる。
一方、ファラデー効果を有する鉛ガラスセンサ３部は素
子内を通過する光の波長によってファラデー効果による
磁界に対する偏光面の回転角の感度が変化する。つまり
、ガラスセンサ３部において、ｅは外気温度２０℃のと
きｅなるファラデー回転角であるのに対して、外気温度
の変化に伴いΔｅなる回転角誤差分が生じる。
子内を通過する光の波長によってファラデー効果による
磁界に対する偏光面の回転角の感度が変化する。つまり
、ガラスセンサ３部において、ｅは外気温度２０℃のと
きｅなるファラデー回転角であるのに対して、外気温度
の変化に伴いΔｅなる回転角誤差分が生じる。
一般的に発光出力の変動が大きい場合には第７図に示す
ようにＬＥＤ素子１の出射光路に設けられたビームスプ
リッタ８を介してフォトダイオード９により発光出力を
検出し、その検出信号をＬＥＤ発光モニタ補正回路１０
に入力してＬＥＤ素子１の発光出力を補正するようにし
ている。従って、このような手段を講じれば、発光出力
に対してはある程度の補正は可能であるが、温度変化に
伴うＬＥＤ素子１の発光波長の変動により鉛ガラスセン
サ３のファラデー効果による磁界に対する偏光面の回転
角の感度が変化するため、光磁界センサの出力特性中に
温度変化に伴うＬＥＤ素子１の発光出力波長の変化が誤
差として重畳されてしまう。
ようにＬＥＤ素子１の出射光路に設けられたビームスプ
リッタ８を介してフォトダイオード９により発光出力を
検出し、その検出信号をＬＥＤ発光モニタ補正回路１０
に入力してＬＥＤ素子１の発光出力を補正するようにし
ている。従って、このような手段を講じれば、発光出力
に対してはある程度の補正は可能であるが、温度変化に
伴うＬＥＤ素子１の発光波長の変動により鉛ガラスセン
サ３のファラデー効果による磁界に対する偏光面の回転
角の感度が変化するため、光磁界センサの出力特性中に
温度変化に伴うＬＥＤ素子１の発光出力波長の変化が誤
差として重畳されてしまう。
第４図はＬＥＤ素子の表面温度と素子発光波長との関係
例の特性を示し、また第５図はＬＥＤ素子の表面温度と
発光出力の関係例の特性を示し、さらに第６図は鉛ガラ
スセンサの通過光波長とファラデー効果検出感度との関
係例の特性を示している。
例の特性を示し、また第５図はＬＥＤ素子の表面温度と
発光出力の関係例の特性を示し、さらに第６図は鉛ガラ
スセンサの通過光波長とファラデー効果検出感度との関
係例の特性を示している。
いま、ＬＥＤ素子１の表面温度が定常温度４０℃から一
２０℃に低下した場合を想定すると、第４図に示すＬＥ
Ｄ素子１の温度特性から明らかなように発光出力波長が
約８７２ｙＬ１１から約８５１ｎｒａに変化することが
分かる。
２０℃に低下した場合を想定すると、第４図に示すＬＥ
Ｄ素子１の温度特性から明らかなように発光出力波長が
約８７２ｙＬ１１から約８５１ｎｒａに変化することが
分かる。
また、この発光出力波長の変化に伴い鉛ガラスセンサ５
は第６図に示す特性から同じ被測定磁界下の条件でもフ
ァラデー効果に伴う検出感度が約７％変動することが分
かる。
は第６図に示す特性から同じ被測定磁界下の条件でもフ
ァラデー効果に伴う検出感度が約７％変動することが分
かる。
さらに、併せて第５・図に示すＬＥＤ素子ｌの発光出力
と温度の関係に着目すると、同じＬＥＤ素子１表面の温
度が定常温度４０℃から一２０℃に低下した場合を想定
すると、発光出力は約３０９６増加することが分かる。
と温度の関係に着目すると、同じＬＥＤ素子１表面の温
度が定常温度４０℃から一２０℃に低下した場合を想定
すると、発光出力は約３０９６増加することが分かる。
ここで、前記した光強度検出方式の関係式（３）でその
影響を考えると、発光出力波長の変動分に伴う位相検出
変動分Δｅと発光出力の変動分ΔＰとを盛込んだ関係式
は次式のようになる。
影響を考えると、発光出力波長の変動分に伴う位相検出
変動分Δｅと発光出力の変動分ΔＰとを盛込んだ関係式
は次式のようになる。
Ｐ−Ａ ｆ ｌ ＋５ｉｎ（θ＋Δｅ）ｌ ＋ΔＰ
・・・ （４） 但し、Ａ：変数、ｅ：磁界による偏光面の回転角、Ｐ：
フォトダイオードの電気出力、ΔＰ：ＬＥＤ素子の発光
出力における温度変化に伴う変動分、Δθ： ＬＥＤ素
子の発光出力波長変動に伴う位相検出変動分 上記（４）式を変形すると θ十Δθ 一５ｉｎ−１１［（Ｐ ＋ΔＰ）／Ａココ−１１−１／
２従って、フォトダイオードによって検出される光強度
の電気信号の中にはこの（５）式で近似したように、Ｌ
ＥＤ素子の温度変化に伴う出力変動分ΔＰと波長変動分
Δｅの影響を誤差として取込むことになる。
・・・ （４） 但し、Ａ：変数、ｅ：磁界による偏光面の回転角、Ｐ：
フォトダイオードの電気出力、ΔＰ：ＬＥＤ素子の発光
出力における温度変化に伴う変動分、Δθ： ＬＥＤ素
子の発光出力波長変動に伴う位相検出変動分 上記（４）式を変形すると θ十Δθ 一５ｉｎ−１１［（Ｐ ＋ΔＰ）／Ａココ−１１−１／
２従って、フォトダイオードによって検出される光強度
の電気信号の中にはこの（５）式で近似したように、Ｌ
ＥＤ素子の温度変化に伴う出力変動分ΔＰと波長変動分
Δｅの影響を誤差として取込むことになる。
しかし、前者の出力変動分ΔＰは出力モニタ補正回路１
０によって一定出力Ｐに補正されるので問題ないが、後
者の波長変動分Δｅに対しては前記（２）式で一般化さ
れたファラデーの関係式で処理する限り補正が不可能で
あり、したがってＬＥＤ素子の表面の温度変化に対する
磁界検出特性か低下するという問題かある。
０によって一定出力Ｐに補正されるので問題ないが、後
者の波長変動分Δｅに対しては前記（２）式で一般化さ
れたファラデーの関係式で処理する限り補正が不可能で
あり、したがってＬＥＤ素子の表面の温度変化に対する
磁界検出特性か低下するという問題かある。
本発明は光源の発光波長の温度変化特性による影響を補
正して温度変化に対する検出特性の高粘度化を図ること
かできる光磁界センサを提供することを目的とする。
正して温度変化に対する検出特性の高粘度化を図ること
かできる光磁界センサを提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するだめの手段）
本発明は上記のような目的を達成するため、光源から出
射する先ビームを直線偏光にして磁界が印加されるファ
ラデーセンサに入射し、このファラデーセンサから出射
されるファラデー効果により偏光面が回転した偏光光を
検出し、この偏光光を電気信号に変換して前記ファラデ
ーセンサに印加される磁界の強さを前記偏光面の回転角
をもとに測定するようにした光磁界センサにおいて、前
記光源の表面温度を測定する温度測定手段と、この温度
測定手段から温度情報を取込み前記光源の持つ発光出力
波長と温度に伴う変化特性から前記ファラデーセンサの
波長変化と検出感度の関係を補正・する補正手段とを備
えた構成とするものである。
射する先ビームを直線偏光にして磁界が印加されるファ
ラデーセンサに入射し、このファラデーセンサから出射
されるファラデー効果により偏光面が回転した偏光光を
検出し、この偏光光を電気信号に変換して前記ファラデ
ーセンサに印加される磁界の強さを前記偏光面の回転角
をもとに測定するようにした光磁界センサにおいて、前
記光源の表面温度を測定する温度測定手段と、この温度
測定手段から温度情報を取込み前記光源の持つ発光出力
波長と温度に伴う変化特性から前記ファラデーセンサの
波長変化と検出感度の関係を補正・する補正手段とを備
えた構成とするものである。
（作用）
このような構成の光磁界センサにあっては、光源の表面
温度の測定により得られる温度情報をもとに光源の持つ
発光出力波長と温度に伴う変化特性からファラデーセン
サの波長変化と検出感度の関係が補正されるので、光源
の表面温度の変化により発光波長が変化し、ファラデー
センサの検出感度が変動しても何らその影響を受けるこ
となく、磁界の大きさを高精度で測定することが可能と
なる。
温度の測定により得られる温度情報をもとに光源の持つ
発光出力波長と温度に伴う変化特性からファラデーセン
サの波長変化と検出感度の関係が補正されるので、光源
の表面温度の変化により発光波長が変化し、ファラデー
センサの検出感度が変動しても何らその影響を受けるこ
となく、磁界の大きさを高精度で測定することが可能と
なる。
（実施例）
以下本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明による光磁界センサの構成例を示すもの
で、第７図と同一部分には同一記号を付して説明する。
で、第７図と同一部分には同一記号を付して説明する。
第１図において、１は発光素子（ＬＥＤ素子）、２は主
軸をＸ軸に合せＬＥＤ素子１からの入射光を直線１−先
に変換する偏光子２．３はこの偏光子２を通して得られ
る直線偏光が入射されるファラデー効果を有する鉛ガラ
スセンサで、この鉛ガラスセンサ３は図示白抜矢印方向
に強さＨの磁界が印加されるとファラデー効果によって
偏光面がθ反回転した偏光光を出射するものである。ま
た、４は鉛ガラスセンサ３より偏光光か入射される検光
子で、この検光子４は偏光子２の主軸に対して４５°傾
けて偏光光を検光子主軸に合わせてＸ軸から４５°傾い
た直線偏光にして出射するものである。５はこの検光子
４を通して得られる直線偏光を受光し、これを光強度の
電気信号に変換するフォトダイオードで、このフォトダ
イオード５から出力される電気信号は増幅器６を介して
検出回路７に与えられる。
軸をＸ軸に合せＬＥＤ素子１からの入射光を直線１−先
に変換する偏光子２．３はこの偏光子２を通して得られ
る直線偏光が入射されるファラデー効果を有する鉛ガラ
スセンサで、この鉛ガラスセンサ３は図示白抜矢印方向
に強さＨの磁界が印加されるとファラデー効果によって
偏光面がθ反回転した偏光光を出射するものである。ま
た、４は鉛ガラスセンサ３より偏光光か入射される検光
子で、この検光子４は偏光子２の主軸に対して４５°傾
けて偏光光を検光子主軸に合わせてＸ軸から４５°傾い
た直線偏光にして出射するものである。５はこの検光子
４を通して得られる直線偏光を受光し、これを光強度の
電気信号に変換するフォトダイオードで、このフォトダ
イオード５から出力される電気信号は増幅器６を介して
検出回路７に与えられる。
一方、８は光源１の出射光路に設けられたビームスプリ
ッタ、９はこのビームスプリッタ８を介して光源１の発
光出力を検出するフォトダイオード、１０はこのフォト
ダイオード９により検出された発光出力に応じた電気信
号を入力して光源１の発光比力を補正するＬＥＤ発光モ
ニタ補正回路である。
ッタ、９はこのビームスプリッタ８を介して光源１の発
光出力を検出するフォトダイオード、１０はこのフォト
ダイオード９により検出された発光出力に応じた電気信
号を入力して光源１の発光比力を補正するＬＥＤ発光モ
ニタ補正回路である。
このような構成の光磁界センサにおいて、本実施例では
光源としてのＬＥＤ素子１に表面温度を直接測定可能な
温度センサ１１を取付け、この温度センサ１１により測
定されたＬＥＤ素子１の表面温度に応じた電気信号を検
出回路７に入力し、補正手段１２によりＬＥＤ素子１の
持つ発光波長と温度に伴う変化特性から鉛ガラスセンサ
３の波長変化と検出感度の関係を補正するものである。
光源としてのＬＥＤ素子１に表面温度を直接測定可能な
温度センサ１１を取付け、この温度センサ１１により測
定されたＬＥＤ素子１の表面温度に応じた電気信号を検
出回路７に入力し、補正手段１２によりＬＥＤ素子１の
持つ発光波長と温度に伴う変化特性から鉛ガラスセンサ
３の波長変化と検出感度の関係を補正するものである。
すなわち、この補正手段１２は第４図のＬＥＤ素子１の
発光波長と温度の関係および第６図の鉛ガラスセンサ５
の通過光波長とファラデー回転角の検出感度の関係を示
した特性例に基いてＬＥＤ素子１表面の現在温度から鉛
ガラスセンサ５のファラデー回転角変動分Δｅを導出し
てＬＥＤ素子の持つ発光波長の温度変化特性の影響を補
正するものである。
発光波長と温度の関係および第６図の鉛ガラスセンサ５
の通過光波長とファラデー回転角の検出感度の関係を示
した特性例に基いてＬＥＤ素子１表面の現在温度から鉛
ガラスセンサ５のファラデー回転角変動分Δｅを導出し
てＬＥＤ素子の持つ発光波長の温度変化特性の影響を補
正するものである。
次にこのように構成された光磁界センサの作用を第２図
に示すフローチャートを用いて述べる。
に示すフローチャートを用いて述べる。
第２図において、ステップａてフォトダイオード５より
光強度に応じた電気信号が検出回路７に人力されると、
ステップｂで前述した（５）式の関係に沿った演算処理
が実施され、ステップＣでｅ＋Δθか求められる。一方
、ステップｄにおいて温度センサ１１により測定された
ＬＥＤ素子１表面の温度情報か検出回路７の補正手段１
２に入力されると、ステップｅでＬＥＤ素子１の表面温
度とファラデー回転角の検出感度の関係から現在温度に
おけるファラデー回転角変動分Δｅを算出する。この場
合、第４図および第６図に示す特性例をもとにＬＥＤ素
子１の表面温度と鉛ガラスセンサ５の検出感度の関係を
求めると第３図に示す総合的な補正特性が得られるので
、この補正特性から現在温度におけるファラデー回転角
変動分Δθを容易に算出することかできる。
光強度に応じた電気信号が検出回路７に人力されると、
ステップｂで前述した（５）式の関係に沿った演算処理
が実施され、ステップＣでｅ＋Δθか求められる。一方
、ステップｄにおいて温度センサ１１により測定された
ＬＥＤ素子１表面の温度情報か検出回路７の補正手段１
２に入力されると、ステップｅでＬＥＤ素子１の表面温
度とファラデー回転角の検出感度の関係から現在温度に
おけるファラデー回転角変動分Δｅを算出する。この場
合、第４図および第６図に示す特性例をもとにＬＥＤ素
子１の表面温度と鉛ガラスセンサ５の検出感度の関係を
求めると第３図に示す総合的な補正特性が得られるので
、この補正特性から現在温度におけるファラデー回転角
変動分Δθを容易に算出することかできる。
次にステップｆにおいて、ステップＣで求められたｅ＋
Δθに対しステップｅで求められたΔｅにより補正して
、２０℃におけるファラデー回転角ｅを導出する。そし
て、ステップｇで前述した（２）式をもとに被Ｉｌ！ｌ
ｊ定磁界Ｈを算出し、ステップｈおいて被測定磁界Ｈの
測定結果が出力される。
Δθに対しステップｅで求められたΔｅにより補正して
、２０℃におけるファラデー回転角ｅを導出する。そし
て、ステップｇで前述した（２）式をもとに被Ｉｌ！ｌ
ｊ定磁界Ｈを算出し、ステップｈおいて被測定磁界Ｈの
測定結果が出力される。
このように本実施例では補正回路１２において、第３図
に示す温度変化による補正特性をもとに温度センサ１１
からの温度情報と合せて第２図に示すような処理に沿っ
て補正を行なうようにしたので、簡単にＬＥＤ素子１の
表面温度依存変動の影響を補正することができる。
に示す温度変化による補正特性をもとに温度センサ１１
からの温度情報と合せて第２図に示すような処理に沿っ
て補正を行なうようにしたので、簡単にＬＥＤ素子１の
表面温度依存変動の影響を補正することができる。
なお、本発明では前記実施例のようにＬＥＤ索子１の発
光波長の温度依存性および鉛ガラスセンサ５の波長と検
出感度の関係は概ね第４図および第６図に示す特性で一
般化できるが、より一層の高精度化を図る場合、もしく
は素材が異なる場合には前記第４図に示す発光波長の温
度依存性および第６図のガラスセンサの波長と検出感度
との関係に相当する各素材固有の特性関係を調査の上、
双方から第３図に示すような総合補正特性を得ることに
より、前述同様のシステムで適用することが可能である
。
光波長の温度依存性および鉛ガラスセンサ５の波長と検
出感度の関係は概ね第４図および第６図に示す特性で一
般化できるが、より一層の高精度化を図る場合、もしく
は素材が異なる場合には前記第４図に示す発光波長の温
度依存性および第６図のガラスセンサの波長と検出感度
との関係に相当する各素材固有の特性関係を調査の上、
双方から第３図に示すような総合補正特性を得ることに
より、前述同様のシステムで適用することが可能である
。
また、本発明による光磁界センサは例えば通電導体から
発生する磁界の強さをΔＩＩ＋定して電流値を検出する
光変流器に適用することができる。
発生する磁界の強さをΔＩＩ＋定して電流値を検出する
光変流器に適用することができる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、光源の表面温度の測
定により得られる温度情報をもとに光源の持つ発光波長
と温度に伴う変化特性からファラデーセンサの波長変化
と検出感度の関係を補正するようにしたので、光源の表
面温度の変化により発光波長が変化し、ファラデーセン
サの検出感度が変動しても何らその影響を受けることな
く、磁界の強さを高精度で測定することができる光磁界
センサを提供できる。
定により得られる温度情報をもとに光源の持つ発光波長
と温度に伴う変化特性からファラデーセンサの波長変化
と検出感度の関係を補正するようにしたので、光源の表
面温度の変化により発光波長が変化し、ファラデーセン
サの検出感度が変動しても何らその影響を受けることな
く、磁界の強さを高精度で測定することができる光磁界
センサを提供できる。
第１図は本発明による光磁界センサの一実施例を示す構
成図、第２図は同実施例における検出回路の処理の流れ
を示すフローチャート、第３図は同実施例で用いられる
ＬＥＤ素子の表面温度によるファラデー効果検出感度の
補正特性図、第４図はＬＥＤ−素子の表面温度と発光波
長の関係の一例を示す特性図、第５図はＬＥＤ素子の表
面温度と発光出力の関係の一例を示す特性図、第６図は
鉛ガラスセンサの通過光波長とファラデー効果検出感度
との関係の一例を示す特性図、第７図は従来の光磁界セ
ンサの一例を示す構成図である。 １・・・光源（ＬＥＤ素子） ２・・・偏光子、３・・
・鉛ガラスセンサ、４・・・：検光子、５・・・フォト
ダイオード、７・・・検出回路、８・・・ビームスプリ
ッタ、９・・・フォトダイオード、１０・・・ＬＥＤ発
光出力モニタ補正回路、１１・・・温度センサ、１２・
・・補正手段。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 朝（°Ｃ） 第 図 滉廣Ｔｃ（’Ｃ） 第 図 〉皮侵入（ｍｍ） 第 図
成図、第２図は同実施例における検出回路の処理の流れ
を示すフローチャート、第３図は同実施例で用いられる
ＬＥＤ素子の表面温度によるファラデー効果検出感度の
補正特性図、第４図はＬＥＤ−素子の表面温度と発光波
長の関係の一例を示す特性図、第５図はＬＥＤ素子の表
面温度と発光出力の関係の一例を示す特性図、第６図は
鉛ガラスセンサの通過光波長とファラデー効果検出感度
との関係の一例を示す特性図、第７図は従来の光磁界セ
ンサの一例を示す構成図である。 １・・・光源（ＬＥＤ素子） ２・・・偏光子、３・・
・鉛ガラスセンサ、４・・・：検光子、５・・・フォト
ダイオード、７・・・検出回路、８・・・ビームスプリ
ッタ、９・・・フォトダイオード、１０・・・ＬＥＤ発
光出力モニタ補正回路、１１・・・温度センサ、１２・
・・補正手段。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 朝（°Ｃ） 第 図 滉廣Ｔｃ（’Ｃ） 第 図 〉皮侵入（ｍｍ） 第 図
Claims (1)
- 光源から出射する光ビームを直線偏光にして磁界が印加
されるファラデーセンサに入射し、このファラデーセン
サから出射されるファラデー効果により偏光面が回転し
た偏光光を検出し、この偏光光を電気信号に変換して前
記ファラデーセンサに印加される磁界の強さを前記偏光
面の回転角をもとに測定するようにした光磁界センサに
おいて、前記光源の表面温度を測定する温度測定手段と
、この温度測定手段から温度情報を取込み前記光源の持
つ発光出力波長と温度に伴う変化特性から前記ファラデ
ーセンサの波長変化と検出感度の関係を補正する補正手
段とを備えたことを特徴とする光磁界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP90247389A JPH04127076A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 光磁界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP90247389A JPH04127076A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 光磁界センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127076A true JPH04127076A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17162705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP90247389A Pending JPH04127076A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 光磁界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127076A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2818300B2 (ja) * | 1993-04-14 | 1998-10-30 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 温度補償を行った光学的交流測定方法及びこの方法を実施する装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59669A (ja) * | 1982-06-26 | 1984-01-05 | Nec Corp | 光フアイバ磁界センサ |
| JPS6080778A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁界測定装置 |
| JPS61133826A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光計測装置 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP90247389A patent/JPH04127076A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59669A (ja) * | 1982-06-26 | 1984-01-05 | Nec Corp | 光フアイバ磁界センサ |
| JPS6080778A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁界測定装置 |
| JPS61133826A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | 光計測装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2818300B2 (ja) * | 1993-04-14 | 1998-10-30 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | 温度補償を行った光学的交流測定方法及びこの方法を実施する装置 |
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