JPH04128642A - Ｘ線分析装置 - Google Patents

Ｘ線分析装置

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JPH04128642A
JPH04128642A JP2250579A JP25057990A JPH04128642A JP H04128642 A JPH04128642 A JP H04128642A JP 2250579 A JP2250579 A JP 2250579A JP 25057990 A JP25057990 A JP 25057990A JP H04128642 A JPH04128642 A JP H04128642A
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JP
Japan
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conductive material
semiconductor detector
refrigerator
heat conductive
vacuum chamber
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Application number
JP2250579A
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Inventor
Yasuhiko Suzuki
泰彦 鈴木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＸ線分析装置に関し、特に半導体検出器を用い
たエネルギー分散型Ｘ線分析装置に関する。
〔従来の技術〕
従来のＸ線分析装置は、第２図に示すように、真空チャ
ンバー１ａ内で保持されている試料２へ電子ビーム３を
集束させて照射させ、その時発生するＸ線４を半導体検
出器５へ入射させ、半導体検出器５からの出力信号を計
数演算装置６で処理するＸ線分析装置において、半導体
検出器５に熱伝導材７の一端を接触させ、熱伝導材７の
他端を液体窒素８が満たされた容器９に取り付け、半導
体検出器を冷却する構造である。容器９及び熱伝導材７
は真空チャンバー１ｂにより真空断熱されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のＸ線分析装置は、半導体検圧器の冷却に液体窒素
を使用しているので、液体窒素が気化するため定期的に
液体窒素を補充するという手間がかかる問題点があった
。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のＸ線分析装置は、真空チャンバー内で保持され
ている試料へ電子ビームを集束させて照射させ、半導体
検出器からの出力信号を計数演算装置で処理するＸ線分
析装置において、半導体検出器に熱伝導材の一端を接触
させ、熱伝導材の他端をカルノー冷凍サイクルを応用し
た冷凍器に取り付け、冷凍器及び熱伝導材は真空断熱で
きる真空チャンバー内に備えられている構成である。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例のＸ線分析装置の断面図であ
る。真空チャンバー１ａ内で保持される試料２へ電子ビ
ーム３を集束させて照射させ、半導体検出器５からの出
力信号を計数演算装置６で処理する。半導体検出器５は
、熱伝導材７の一端に接触している。熱伝導材７の他端
はカルノー冷凍サイクルを応用した冷凍器１０に取り付
けられている。冷凍器１０及び熱伝導材７は真空断熱で
きる真空チャンバー１ｂ内に備えられている。
半導体検出器５で発生した熱は熱伝導材７を伝わりカル
ノー冷凍サイクルを応用した冷凍器１０により外部へ放
熱され、半導体検出器５は極低温が保たれる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、真空チャンバー内で保持
される試料へ電子ビームを集束させて照射させ、半導体
検出器からの出力信号を計数演算装置で処理するＸ線分
析装置において、半導体検出器に熱伝導材の一端を接触
させ、熱伝導材の他端をカルノー冷凍サイクルを応用し
た冷凍器に取り付け、冷凍器及び熱伝導材は真空断熱で
きる真空チャンバーを備えているので、従来のＸ線分析
装置では、半導体検出器の冷却用の液体窒素が気化する
ために定期的に液体窒素を補充するという手間がかかる
問題点を無くすことができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図は従来
の技術を示す断面図である。 ｌａ、ｂ・・・真空チャンバー、２・・・試料、３・・
・電子ビーム、４・・・Ｘ線、５・・・半導体検出器、
６・・・計数演算装置、７・・・熱伝導材、８・・・液
体窒素、９・・容器、 Ｏ・・・冷凍器。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 真空チャンバー内で保持されている試料へ電子ビームを
    集束させて照射させ、発生するＸ線を半導体検出器へ入
    射させ、半導体検出器からの出力信号を計数演算装置で
    処理するＸ線分析装置において、半導体検出器の冷却に
    冷凍サイクルを応用した極低温冷凍器を用いたことを特
    徴とするＸ線分析装置。
JP2250579A 1990-09-20 1990-09-20 Ｘ線分析装置 Pending JPH04128642A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH109700A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Seiko Epson Corp 低温デバイス装置
JP2005257349A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Sii Nanotechnology Inc 超伝導ｘ線分析装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH109700A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Seiko Epson Corp 低温デバイス装置
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