JPH04128704A - 石英系光導波路の製造方法 - Google Patents
石英系光導波路の製造方法Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
光導波路の導波損失が減少するように工夫したものであ
る。
路は、光伝送損失が低く、また、石英系光ファイバとの
低損失な接続が可能であることから、注目を集めている
。そして、この石英系光導波路の製造方法としては、火
炎堆積法(FHD: flame hydrolysi
s deposition)によるガラス膜形成と反応
性イオンエツチング(RI E: reactive
ion etching)によるガラス膜微細加工とを
組合せた方法が最も一般的である(河内正夫、「石英系
光導波路と集積光部品への応用」光学第18巻第12号
(1989年12月)P681〜686参照)。
照しながら説明する。同図に示すように、この方法では
、まず、バーナ1に5iCj4. TiCj、などのガ
ラス原料を供給して酸水素火炎2中で加水分解反応及び
酸化反応によりガラス微粒子3を得、これをSiウェハ
などの基板4上に堆積させて、ガラス微粒子膜5a、5
bを順次形成する((al)。ここで、ガラス微粒子膜
5a、5bの両者の組成は異なるものとする。そして、
これを高温に加熱することにより、ガラス微粒子膜5m
。
とするC (bl )。以上が火炎堆積法である。次に
、反応性エツチングにより、コア層6bの不要な部分を
除去してリッジ状のコア部6Cを残す[(e))。そし
て、再び火炎堆積法によりコア部6cを覆うようにクラ
ッド層6dを形成することにより、埋め込み型の石英系
光導波路7とするC (dl )。
0.1dB/amまで低減してきているものの、同材質
で構成されている光ファイバの損失が1 dB/km以
下まで低減されていることを考えると、さらなる石英系
光導波路の低損失化が望まれている。
る導波路長が長くなってきており、より一層の低損失化
を図ることは、石英系光導波路における重要な課題であ
る。
取り囲む低屈折率部(例えばクラッド部やバッファ部)
との境界面の凹凸などの不整構造に起因する散乱が考え
られる。
ているのは、−旦プリフォームを作成し、それを125
μmφの直径に細く線引きするため、プリフォーム加工
工程でできたコア部とクラッド層、バッファ層との境界
面の凹凸も線引き工程で引き延ばされ実質的に悪影響を
及ぼさないものと考えられる。
な導波路の作り方では、導波路形成時に生じた不整構造
がそのまま残ってしまうという問題がある。特に反応性
イオンエツチング工程でコア層の不整部分を削り取る時
、垂直方向の平滑度を長手方向にも均一に高精度で作製
することは極めて難かしいものと考えられる。
、コア部とクラッド層、バッファ層にわたる屈折率が境
界面で実質的に不連続に変化している、所謂ステップ型
分布を示している。このため、例えば光ファイバのよう
に光導波路とモードフィールドの異なる光部品と結合す
る場合に、結合損失が大となるという問題がある。
図ると共に、例えば光ファイバのように光導波路とモー
ドフィールドの異なる光部品との結合損失を低減するよ
うに図った石英系光導波路及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
の構成は、基板上に設けられリッジ状のコア部と該コア
部を取り囲む低屈折率部とからなり、光を導波する石英
系光導波路において、上記コア部と該コア部を取り囲む
低屈折率部との屈折率がその境界面で連続的に変化して
いることを特徴とする。
に設けられ石英を主成分とし、リッジ状のコア部と該コ
ア部を取抄囲む低屈折率部とからなる石英系光導波路を
加熱処理し、該石英系光導波路内の屈折率を変化させろ
成分を拡散させることを特徴とする。
板上にリッジ状のコア部と、該コア部を取り囲む低屈折
率部(クラッド層。
屈折率部との屈折率分布が第2図に示すように、ガウス
分布状或いは誤差関数状に清めらかに連続して変化する
ようにしたものである。
で形成する場合、膜面に垂直な方向(B −B’方向)
については、ガラス微粒子堆積の際、時間とともに、徐
々に原料組成を変化させることにより、実現はできるが
、一方の膜面に平行な方向(A−A’力方向に対しては
、垂直にコア層の不要部分を削り取ってしまい、クラッ
ド層を形成するだけとなるので難かしい。
た従来法と同様にして基板4上にガラス微粒子によって
ガラス微粒子膜5m。
コア層6bを形成し、反応性エツチング法により、コア
層6bの不要な部分を除去してリッジ状のコア部6Cを
形成し、火炎堆積法によりコア部を覆うようにクラッド
層6dを形成した後、更に、得られた石英系光導波路を
加熱処理して、該石英系光導波路内で屈折率の変化を生
じせしめている成分によって実質的に屈折率分布を形成
するように拡散させることにより、第2図に示すような
屈折率分布を有する石英系光導波路10を得ろようにし
ている。
、例えばGeO2,F等の屈折率調整添加剤を挙げるこ
とができるが、その他石英系光導波路内を拡散し易いも
の(例えばT i O2,P、0.、 B20.等)で
あればいずれを用いてもよい。上記G e O,やFは
、石英ガラス中の拡散速度が比較的大きく且つ導波路損
失に悪影響を及ぼさないので特に好ましい。
剤を加熱処理によって導波路内で実質的に屈折率分布を
形成するようにして、コア部と低屈折率部(バッファ層
、クラッド層)との分布をガウス分布状や誤差関数状と
なるように清めらかに連続して変化させている。
には、従来と同様の第8図に示す火炎堆積法において、
ガラス微粒子合成工程で原料ガスとして、5iCjにG
eCjを加えるようにすればよい。但し、ガラス微粒子
内に形成されたG e O2は熱処理での揮散が早いた
め、透明ガラス化工程での加熱処理中で揮散し、一部は
バッファ層用ガラス微粒子層に再付着するため、バッフ
ァ層とコア層との区別が十分につかなくなる。このため
−旦バッファ層のみを形成し、透明ガラス化した後、改
めてG a O。
、バッファ層とコア層とのガラス微粒子堆積工程を分離
する必要がある。
には、該Fにはガラスの屈折率を下げる効果があるため
、コア部以外の低屈折率部となる部分(クラッド層、バ
ッファ層)に添加する必要がある。またガラス微粒子形
成工程で原料ガス中に添加するよりも、Fを含む雰囲気
中でガラス微粒子膜を加熱処理することにより、F成分
がガラス微粒子膜内に拡散し、その結果F?Ti+加が
なされることとなる。
ラス化よりやや低い濃度で実施しても良いし、透明ガラ
ス化と同時に実施するようにしてもよい。
部との屈折率がその境界面で連続的に変化させる部分を
、光導波路の全体に亙って加熱処理するのではなく、導
波路の一部のみを加熱することにより、導波路のモード
フィールド形状を長手方向に連続して変化させることに
も応用できる。
は、より小さく導波路を曲げる必要がある。一方、光フ
ァイバによって光を導波路と結合させる際には、導波路
のモードフィールド形状が光ファイバのモードフィール
ド形状とできるだけ近づけておくことが低損失な結合を
する場合必要なこととなる。そこで、光ファイバとの接
合部分近傍のみを局所的に加熱し、屈折率調整用添加剤
を拡散させておくことにより、その部分のモードフィー
ルド径を拡大し、光ファイバのモードフィールド径と一
致させておき、徐々に拡散の度合が小さくなるにつれて
モードフィールド径が連続的に小さくしていくことが可
能となる。
の電気炉、マイクロトーチ等があるが、後の実施例で示
すように、電気炉内の温度分布を利用することにより、
簡凌に行うことができる。
−P2O5−B20.からなるバッファ用ガラス微粒子
膜15aを作成した。P2O5及びB20゜は5iC1
4と共にPOCl3. BCl3を加えることにより添
加した。このガラス微粒子膜15aを1250℃の温度
及びHe: 90%、02:10%の雰囲気下で2時間
加熱して透明ガラス化し、約20μmのバッファ層16
aを得た。
−P2へ−B203からなるコア層用ガラス微粒子膜1
5aを形成し、前記バッファ層16mと同様に透明ガラ
ス化し、約8μm厚のコア層16bを得た。この際、コ
ア層16bとバッファ層16mとの光屈折率差は0.4
%であった。また、厚み方向の屈折率分布は第3図(b
lに示すようなものであった。
化し、反応性イオンエツチング法により、7μm X
7μmの断面矩形状のりッジ型導波路としてのコア部1
6cを形成した。
り、その結果コア部16c中の屈折率はバッファ層16
mに比へ、0.4%高い均一なものになった。
層16dを火炎堆積法により形成した後透明化し、バッ
ファ層16a及びクラッド層16bからなる低屈折率部
18と、7μm X 7μmのりツジ状のコア部16c
とを有する石英系の埋め込み型導波路17を得た。
で0.15 dB/amであった。
12時間に亙って加熱したところ、第4図に示すように
コア径が約9μmまで拡がった。この状態で導波損失を
測定した結果は、波長1.3μmで0.09 dB/a
nであり、改善効果が見られた。
にバッファ層用ガラス微粒子膜15aを形成した後、こ
のガラス微粒子膜をSiF4:10%、O□:10%、
He: 80%の雰囲気下、1200℃で3時間加熱
し、透明ガラス化した。
ラス微粒子膜15bを形成し、He:90%、02:1
0%の雰囲気下、1250℃で2時間加熱し、約7μm
のコア層16bを得た。
このバッファ層16aにはFが添加されており、コア層
に比べて比屈折率が0.4%下っていた。
ン化し、反応性イオンエツチング法により、7μm X
7μmの断面矩形状のりッジ型導波路を形成した。
炎堆積法により形成し、バッファ層16a及びクラッド
層16bからなる低屈折率部18と、7μm X 7μ
mのり、ジ状のコア部1.6cとを有する石英系の埋め
込み型導波路17を擾な。
3μmでO−2dB/■であった。
00℃で4日間に亙って加熱処理した。この結果第5図
に示すようにコア径が8μmにまで拡がった。この状態
で導波損失を測定した結果は0.07 dB/anであ
り、改善効果が発現された。
の石英系光導波路17を形成した。この導波路17を用
いて、通常のシングルモード光ファイバ20(比屈折率
差0.3%。
せ、この状態での結合損失を測定したところ、波長1.
3μmで0.2dBであった(第6図ia)参照)。
,21を有する電気炉22中に押入し、導波路17の中
央部を電気炉内の最高温度部に置き、最高温度を120
0℃とし、12時間加熱した(電気炉22内の1度分布
を第6図(C1に示す)。
(山に示すように長手方向に連続的に変化していた。
A、20Bとし、一方の導波路20Aのその加熱した導
波路の端面部23とシングルモード光ファイバ20との
結合損失を測定したところ1.3μmで0.1dB以下
に低減していた。
れば石英系光導波路の低損失化を実現できろと共に、例
えば光ファイバのように光導波路とモードフィールドの
異なる光部品と光導波路との結合損失を低減することが
できる。
2図は光導波路を加熱処理した後の導波路断面の屈折率
分布図、第3図(alは実施例1に係る石英系光導波路
の製造工程図、第3図(blは実施例1に係るバッファ
部とコア部までを形成した段階での膜面に垂直方向の屈
折率分布図、第4図は実施例1に係る光導波路断面の屈
折率分布図、第5図は実施例2に係ろ光導波路断面の屈
折率分布図、第6図は実施例3に係る光導波路の説明図
、第7図は従来例に係る光導波路の断面の屈折率分布図
、第8図は火炎堆積法を用いた石英系光導波路の製造工
程図である。 図 面 中、 1はバーナ、 2は酸水素火炎、 3はガス黴粒子、 4は基板、 5m、5bはガラス微粒子膜、 6aはバッファ層、 6bはコア層、 6cはコア部、 6dはクラッド層、 7は光導波路、 14はシリコン基板、 15aはバッファ層用ガラス微粒子膜、15bはコア層
用ガラス微粒子膜、 16aはバッファ層、 16bはコア層、 16cはコア部、 16dはクラフト層、 17は石英系光導波路、 18は低屈折率部、 20は光ファイバ、 21はヒータ、 22は電気炉、 23は加熱した導波路の端面部である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に設けられリッジ状のコア部と該コア部を取
り囲む低屈折率部とからなり、光を導波する石英系光導
波路において、 上記コア部と該コア部を取り囲む低屈折率 部との屈折率がその境界面で連続的に変化していること
を特徴とする石英系光導波路。 2)請求項1記載の石英系光導波路において、コア部に
少なくともGeへを添加してなり、該GeO_2により
実質的に屈折率分布を形成していることを特徴とする石
英系光導波路。 3)請求項1記載の石英系光導波路において、コア部を
取り囲む低屈折率部に少なくとも Fを添加してなり、該Fにより実質的に屈折率分布を形
成していることを特徴とする石英系光導波路。 4)基板上に設けられ石英を主成分とし、リッジ状のコ
ア部と該コア部を取り囲む低屈折率部とからなる石英系
光導波路を加熱処理し、該石英系光導波路内の屈折率を
変化させる成分を拡散させることを特徴とする石英系光
導波路の製造方法。 5)請求項5記載の石英系光導波路の製造方法において
、 石英系光導波路の一部を局所的に加熱処理 し、該石英系光導波路内の屈折率を変化させる成分を拡
散させ、モードフィールド形状を連続的に変化せしめる
ことを特徴とする石英系光導波路の製造方法。
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| JP2855832B2 JP2855832B2 (ja) | 1999-02-10 |
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| JP (1) | JP2855832B2 (ja) |
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