JPH04132005A - 浮上型磁気ヘッド - Google Patents
浮上型磁気ヘッドInfo
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- JPH04132005A JPH04132005A JP25101390A JP25101390A JPH04132005A JP H04132005 A JPH04132005 A JP H04132005A JP 25101390 A JP25101390 A JP 25101390A JP 25101390 A JP25101390 A JP 25101390A JP H04132005 A JPH04132005 A JP H04132005A
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- Japan
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- magnetic
- constituting
- magnetic head
- polycrystalline ferrite
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高透磁率のＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライ
トと、多結晶フェライトより高い飽和磁束密度を有する
金属磁性薄膜とで磁気回路を構成し、高周波、高密度記
録の磁気記録装置に用いられるモノリシック型の浮上型
磁気ヘッドに関し、特には、再生時のベースラインノイ
ズが小さく、再生波形形態が良好な浮上型磁気ヘッドと
、その磁気ヘッドを構成するＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フ
ェライトに関するものである。
トと、多結晶フェライトより高い飽和磁束密度を有する
金属磁性薄膜とで磁気回路を構成し、高周波、高密度記
録の磁気記録装置に用いられるモノリシック型の浮上型
磁気ヘッドに関し、特には、再生時のベースラインノイ
ズが小さく、再生波形形態が良好な浮上型磁気ヘッドと
、その磁気ヘッドを構成するＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フ
ェライトに関するものである。
（従来の技術）
高周波や高密度記録の磁気記録装置に使用される浮上型
磁気ヘッドの一つとして、第１図（ａ）、（ｂ）に示す
ような一対の磁性体コアからなるコアスライダ一方式の
モノリシック型（例えば特開昭５８−１４３１１号公報
参照）がある。
磁気ヘッドの一つとして、第１図（ａ）、（ｂ）に示す
ような一対の磁性体コアからなるコアスライダ一方式の
モノリシック型（例えば特開昭５８−１４３１１号公報
参照）がある。
第１図（ａ）、（ｂ）のモノリシック型の浮上型磁気ヘ
ッドｌは、例えば、一対のＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェ
ライトの磁性体よりなるＣ型コア５と１型コア６の突き
合わせ面に、スパッタリング等により形成されたＦｅ−
ＡＱ−５ｉ系等の金属磁性薄Ｍ４と、磁気ギャップＧ、
補強ガラス７、及び磁気ヘッド１の窓部３に巻回された
巻線（図示せず、）とで構成されている。
ッドｌは、例えば、一対のＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェ
ライトの磁性体よりなるＣ型コア５と１型コア６の突き
合わせ面に、スパッタリング等により形成されたＦｅ−
ＡＱ−５ｉ系等の金属磁性薄Ｍ４と、磁気ギャップＧ、
補強ガラス７、及び磁気ヘッド１の窓部３に巻回された
巻線（図示せず、）とで構成されている。
そして、近年の磁気記録媒体のトラック密度と線記録密
度の一層の高密度化に対処するために、磁気ギャップ部
のトラック幅Ｔｗの狭トラック化とギャップ長Ｇαの狭
ギャップ化が著しい。
度の一層の高密度化に対処するために、磁気ギャップ部
のトラック幅Ｔｗの狭トラック化とギャップ長Ｇαの狭
ギャップ化が著しい。
（発明が解決しようとする課！［）
Ｍ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトと、金属磁性薄膜と
で磁気回路を構成した浮上型磁気ヘッドは、金属磁性薄
膜を付与しない浮上型磁気ヘッドに比較して、記録再生
特性が良好で、特に記録電流が大きい領域での再生出力
の低下が少ないという優位性を有していた。
で磁気回路を構成した浮上型磁気ヘッドは、金属磁性薄
膜を付与しない浮上型磁気ヘッドに比較して、記録再生
特性が良好で、特に記録電流が大きい領域での再生出力
の低下が少ないという優位性を有していた。
しかしながら、近年の磁気記録媒体のトラック密度の高
密度化に対処するために、磁気ギャップ部の狭トラック
化が著しい最近の磁気ヘッドでは、な波形変動、即ちノ
イズが発生する傾向が強くなってきた。
密度化に対処するために、磁気ギャップ部の狭トラック
化が著しい最近の磁気ヘッドでは、な波形変動、即ちノ
イズが発生する傾向が強くなってきた。
気持性の差によって発生する第２図（ア）に示すような
擬似ギャップノイズとがある。
擬似ギャップノイズとがある。
この疑似ギャップノイズは、金属磁性薄膜とフェライト
コアとの間に、Ｃｒ等の薄膜を成膜することによりほぼ
解決されている。（特開昭６３−５３７０６７号公報、
特開昭６３−２９８８０５号公報等参照Σ しかしながら、再生出力波形に発生するベースラインノ
イズは、その発生原因が主磁気回路を構成する構成する
多結晶フェライトにあるのか、補助磁気回路を構成する
金属磁性薄膜によるものか、Ｃ型コアとＩ型コアとを接
合するガラス等なのか明らかでなく、未だに解決されて
いない。
コアとの間に、Ｃｒ等の薄膜を成膜することによりほぼ
解決されている。（特開昭６３−５３７０６７号公報、
特開昭６３−２９８８０５号公報等参照Σ しかしながら、再生出力波形に発生するベースラインノ
イズは、その発生原因が主磁気回路を構成する構成する
多結晶フェライトにあるのか、補助磁気回路を構成する
金属磁性薄膜によるものか、Ｃ型コアとＩ型コアとを接
合するガラス等なのか明らかでなく、未だに解決されて
いない。
そして、このようなベースラインノイズが発生すると、
ノイズによる出力波形の変動によりメインパルスのピー
ク位置が変動し、それによりビットシフトエラーが大き
くなり、相対マージンが低下する。第３図に示すように
相対マージンの低下は、トラック幅が２０μｍ以下のと
きに目立ち始め、特に１６μｍ以下になると顕著になり
、狭トラック化を指向する高密度記録用の磁気ヘッドに
とっては大きな問題となってきている。
ノイズによる出力波形の変動によりメインパルスのピー
ク位置が変動し、それによりビットシフトエラーが大き
くなり、相対マージンが低下する。第３図に示すように
相対マージンの低下は、トラック幅が２０μｍ以下のと
きに目立ち始め、特に１６μｍ以下になると顕著になり
、狭トラック化を指向する高密度記録用の磁気ヘッドに
とっては大きな問題となってきている。
（課題を解決するための手段）
本発明者らは、その発生原因が不明な再生波形のベース
ラインノイズについて調査を行ない、このノイズの特徴
として、ノイズの位置が磁気記録媒体である磁気ディス
クの回転数にほぼ反比例して変化することを確認した。
ラインノイズについて調査を行ない、このノイズの特徴
として、ノイズの位置が磁気記録媒体である磁気ディス
クの回転数にほぼ反比例して変化することを確認した。
この事実は、ベースラインノイズの発生が、磁気ディス
クと磁気ヘッドとの相対的な幾何学的配置に関連してい
ることを示唆している。
クと磁気ヘッドとの相対的な幾何学的配置に関連してい
ることを示唆している。
更に、詳細に磁気ヘッドを調査した結果、多結晶フェラ
イトの粒界層の位置と、ノイズが発生している位置とが
一対応する傾向が強い事を確認した。
イトの粒界層の位置と、ノイズが発生している位置とが
一対応する傾向が強い事を確認した。
そこで、粒界層や粒界層近傍が擬似ギャップ的作用を有
し、それがベースラインノイズの発生原因であるとの推
定に基づき、焼結性、結晶粒径、粒界層等に影響を与え
る種々の添加物を選択し、その添加量とベースラインノ
イズの発生状況との関連を調査した。また、そのときの
粒界層とその近傍の解析を行なうことにより、次のよう
な解決策を見出した。
し、それがベースラインノイズの発生原因であるとの推
定に基づき、焼結性、結晶粒径、粒界層等に影響を与え
る種々の添加物を選択し、その添加量とベースラインノ
イズの発生状況との関連を調査した。また、そのときの
粒界層とその近傍の解析を行なうことにより、次のよう
な解決策を見出した。
すなわち、本願発明は、Ｍ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェラ
イトよりなり、突き合わせ面に磁気ギャップを有し、主
磁気回路を構成する一対の磁性体コアと、その磁性体コ
アの少なくとも一方のコアの突き合せ面に、前記磁気ギ
ャップに接して形成され、補助磁気回路を構成する金属
磁性薄膜と、前記磁性体コアの患部に巻線された励磁用
のコイルとを有し、 トラック幅が１６μｍ以下の狭トラックであるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを
構成するＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトに、主成分
（Ｍｎ Ｏｙ Ｚ ｎ Ｏｓ Ｆ ｅｘ Ｏｓ）に対
し、重量％で副成分としてのＺｒＯ，及びｌまたはＮｂ
２Ｏ５を０．０１〜０．２ｗｔ％（ＺｒＯ８とＮｂ２Ｏ
５の２種類含有の場合は、その合計が０．０１〜０．２
ｗｔ％）添加含有させることにより、再生出力波形のベ
ースラインノイズが小さく、その波形形態が良好なこと
を特徴とする浮上型磁気ヘッドを提供するものである。
イトよりなり、突き合わせ面に磁気ギャップを有し、主
磁気回路を構成する一対の磁性体コアと、その磁性体コ
アの少なくとも一方のコアの突き合せ面に、前記磁気ギ
ャップに接して形成され、補助磁気回路を構成する金属
磁性薄膜と、前記磁性体コアの患部に巻線された励磁用
のコイルとを有し、 トラック幅が１６μｍ以下の狭トラックであるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを
構成するＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトに、主成分
（Ｍｎ Ｏｙ Ｚ ｎ Ｏｓ Ｆ ｅｘ Ｏｓ）に対
し、重量％で副成分としてのＺｒＯ，及びｌまたはＮｂ
２Ｏ５を０．０１〜０．２ｗｔ％（ＺｒＯ８とＮｂ２Ｏ
５の２種類含有の場合は、その合計が０．０１〜０．２
ｗｔ％）添加含有させることにより、再生出力波形のベ
ースラインノイズが小さく、その波形形態が良好なこと
を特徴とする浮上型磁気ヘッドを提供するものである。
更に、本願発明の磁気ヘッドは、前記Ｍ ｎ −Ｚｎ多
結晶フェライトの結晶粒子間の粒界層の幅が１００Å以
下であり、 また、前記Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトは、触針式粗さ
計で測定した面粗さｏ、１〜１．２５μｍのエツチング
条件に於いて、粒界層及び多結晶粒子の粒界層近傍部に
沿ったエツチング容易域の幅が１μｍ以下で、 再生出力波形のベースラインノイズが小さく、その波形
形態が良好なことを特徴とするものである。
結晶フェライトの結晶粒子間の粒界層の幅が１００Å以
下であり、 また、前記Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトは、触針式粗さ
計で測定した面粗さｏ、１〜１．２５μｍのエツチング
条件に於いて、粒界層及び多結晶粒子の粒界層近傍部に
沿ったエツチング容易域の幅が１μｍ以下で、 再生出力波形のベースラインノイズが小さく、その波形
形態が良好なことを特徴とするものである。
（作用）
多結晶フェライトの粒界層は、原料に含まれていた不純
物や製造工程で添加した微量成分のうちで、フェライト
結晶粒中に固溶しにくい成分が残留して、薄い境界層を
形成したものである。
物や製造工程で添加した微量成分のうちで、フェライト
結晶粒中に固溶しにくい成分が残留して、薄い境界層を
形成したものである。
粒界層は非晶質であったり、粒界層及び結晶粒の粒界層
近傍は、Ｃａ＊Ｚ ｓｉ←のような非磁性イオンが扁
析し易いために、非磁性であったり。
近傍は、Ｃａ＊Ｚ ｓｉ←のような非磁性イオンが扁
析し易いために、非磁性であったり。
磁気的特性が劣化している。
また、結晶粒とは化学組成が具なるために熱膨張係数の
差により、粒界層を含めたその近傍には応力が発生し、
結晶粒の内部に比較して容易にエツチングされ易いエツ
チング容易域が形成されると考えられる。
差により、粒界層を含めたその近傍には応力が発生し、
結晶粒の内部に比較して容易にエツチングされ易いエツ
チング容易域が形成されると考えられる。
しかしながら、このような磁気的特性が劣る粒界層やエ
ツチング容易域でも、Ｃａ″＋、Ｓｉ４＋のような非磁
性イオンの扁析を低減し、その幅を１００Å以下や１μ
ｍ以下にすることにより、再生波形に与える影響の度合
いを弱めることができると考えられる。
ツチング容易域でも、Ｃａ″＋、Ｓｉ４＋のような非磁
性イオンの扁析を低減し、その幅を１００Å以下や１μ
ｍ以下にすることにより、再生波形に与える影響の度合
いを弱めることができると考えられる。
尚、Ｍ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトに添加する副成
分の添加含有量の限定理由は次の通りである。
分の添加含有量の限定理由は次の通りである。
ＺｒＯ，とＮｂ２Ｏ５の添加の目的は、ＣａＯやＳ ｉ
Ｏ，等の不純物が粒界層、及び、結晶粒の粒界層近傍
へ扁析することを抑制するものであるが、０．０１ｗｔ
％以下ではその効果がなく、０．２ｗｔ％以上含有させ
てもその効果に変わりがなく、逆に異相の析出を生じ易
くするために０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲とした。
Ｏ，等の不純物が粒界層、及び、結晶粒の粒界層近傍
へ扁析することを抑制するものであるが、０．０１ｗｔ
％以下ではその効果がなく、０．２ｗｔ％以上含有させ
てもその効果に変わりがなく、逆に異相の析出を生じ易
くするために０．０１〜０．２ｗｔ％の範囲とした。
ところで、特開昭６４−４９０５号公報には、ＺｒＯ，
を０．Ｏ２Ｎ２．２ｗｔ％、添加したＭｎ−Ｚｎ多結晶
フェライトを磁気へラドコアとし、そのフェライトコア
のギャップ部に金属磁性薄膜を形成した磁気ヘッドが記
載されているが、同号公報の目的は製作時のフェライト
のテープ摺動面の結晶粒の脱落を減少することが主体で
あり、磁気ヘッドの構成は類似していても、その作用、
効果は本発明とは異なる。
を０．Ｏ２Ｎ２．２ｗｔ％、添加したＭｎ−Ｚｎ多結晶
フェライトを磁気へラドコアとし、そのフェライトコア
のギャップ部に金属磁性薄膜を形成した磁気ヘッドが記
載されているが、同号公報の目的は製作時のフェライト
のテープ摺動面の結晶粒の脱落を減少することが主体で
あり、磁気ヘッドの構成は類似していても、その作用、
効果は本発明とは異なる。
また、特開平２−４４０９８号公報には、結晶粒子が針
状であるＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトに、ＺｒＯ
，を０．００５〜０．５ｗｔ含有した多結晶フェライト
の例が開示され、その目的として、５〜ｌＯＭＨｚの高
周波領域での透磁率を高めることが記載されている。
状であるＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトに、ＺｒＯ
，を０．００５〜０．５ｗｔ含有した多結晶フェライト
の例が開示され、その目的として、５〜ｌＯＭＨｚの高
周波領域での透磁率を高めることが記載されている。
また、特開昭５８−６０６２９号公報には、Ｃａｏ、Ｖ
２Ｏ５、Ｓｉｎ、を添加して、粒界の幅を５０〜１５０
人制御し、加工性を改良して、研磨時のカケや割れを少
なくしたスピネル型のフェライトが開示されている。
２Ｏ５、Ｓｉｎ、を添加して、粒界の幅を５０〜１５０
人制御し、加工性を改良して、研磨時のカケや割れを少
なくしたスピネル型のフェライトが開示されている。
しかし、上記公報に記載の発明も本発明とはその構成、
作用、効果が異なるものである。
作用、効果が異なるものである。
（実施例）
「実施例１」
主成分（Ｆｅ２Ｏ５： ５３．５ｍｏＱ％、Ｚｎ○：１
５．５ｍｏｊ２％、ＭｎＯ： ３１．Ｏｍｏｎ％）に対
し、副成分としてＺｒＯ，、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ，５ｒ
ＣＯ，、Ｇｄ、ＯＩＩ Ｙ２Ｏ５、Ｔａｇ、Ｍｏ０．、
Ｉ ｎ２Ｏ５、Ｇｅｍ、のうちの１種類のみを０．
１ｗｔ％含有するように添加し、ボールミルで混合し、
１次焼結での焼結性を高めるために、仮焼後の仮焼粉の
スピネル化率が４０〜８０％になるように、窒素雰囲気
の下で９８０−１１００℃の温度で仮焼を行なった。そ
の後、１２５０℃で一吹焼結を行ない、更に１２００℃
、１０００気圧で熱間静水圧プレスを行ないＭ ｎ −
Ｚ ｎフェライトの焼結体を得た。
５．５ｍｏｊ２％、ＭｎＯ： ３１．Ｏｍｏｎ％）に対
し、副成分としてＺｒＯ，、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ，５ｒ
ＣＯ，、Ｇｄ、ＯＩＩ Ｙ２Ｏ５、Ｔａｇ、Ｍｏ０．、
Ｉ ｎ２Ｏ５、Ｇｅｍ、のうちの１種類のみを０．
１ｗｔ％含有するように添加し、ボールミルで混合し、
１次焼結での焼結性を高めるために、仮焼後の仮焼粉の
スピネル化率が４０〜８０％になるように、窒素雰囲気
の下で９８０−１１００℃の温度で仮焼を行なった。そ
の後、１２５０℃で一吹焼結を行ない、更に１２００℃
、１０００気圧で熱間静水圧プレスを行ないＭ ｎ −
Ｚ ｎフェライトの焼結体を得た。
これ等のＭｎ−Ｚｎフェライトの焼結体を焼結性、結晶
粒径により評価した結果を表１に示す。
粒径により評価した結果を表１に示す。
Ｚ ｒ ０１１ Ｎ Ｉ）ｉ０ｓ＋ Ｇｄ１ｏｓ＋ Ｙ
ｓＯｓのうち１種類のみ各々０．１ｗｔ％添加含有させ
た焼結体は、磁気ヘッドとして十分に使用可能であった
。
ｓＯｓのうち１種類のみ各々０．１ｗｔ％添加含有させ
た焼結体は、磁気ヘッドとして十分に使用可能であった
。
第１表
「実施例２」
副成分（７）Ｚ ｒ Ｏａｔ Ｎ ｂｊ○、、 Ｇｄ２
Ｏ５、Ｙ、０、を添加することにより、良好な焼結性と
適度な結晶粒径を示したＭｎ−Ｚｎ多結晶フェライトの
ブロックを所定の寸法に加工し、Ｃ型コアとＩ型コアと
を製作し、そして、Ｃ型コアの１型コアとの突き合わせ
面に、厚さ約２μｍのＦ ｅ −Ａ Ｑ −５ｉの金属
磁性薄膜を形成した０次いで、Ｃ型コアと１型コアとを
ガラスにより接合し、所定の寸法へ研削、研磨すること
により、トラック幅１２μｍ、ギャップ長０．６μｍ、
ギャップ深さ８μｍのモノリシック型の浮上型磁気ヘッ
ドを作製した。
Ｏ５、Ｙ、０、を添加することにより、良好な焼結性と
適度な結晶粒径を示したＭｎ−Ｚｎ多結晶フェライトの
ブロックを所定の寸法に加工し、Ｃ型コアとＩ型コアと
を製作し、そして、Ｃ型コアの１型コアとの突き合わせ
面に、厚さ約２μｍのＦ ｅ −Ａ Ｑ −５ｉの金属
磁性薄膜を形成した０次いで、Ｃ型コアと１型コアとを
ガラスにより接合し、所定の寸法へ研削、研磨すること
により、トラック幅１２μｍ、ギャップ長０．６μｍ、
ギャップ深さ８μｍのモノリシック型の浮上型磁気ヘッ
ドを作製した。
この磁気ヘッドにコイルを巻線し、３．５インチの磁気
記録装置により、再生波形のベースラインノイズに及ぼ
す添加副成分の影響を調査した。
記録装置により、再生波形のベースラインノイズに及ぼ
す添加副成分の影響を調査した。
この時の磁気ディスクはＨｃが１２００ （Ｏｅ）のス
パッタディスクで、回転数は３６００ｐμｍ、浮上量は
０．１９μｍであった。
パッタディスクで、回転数は３６００ｐμｍ、浮上量は
０．１９μｍであった。
第２表はその結果を示したものであり、副成分としてＺ
ｒＯ，またはＮｂ２Ｏ５をＯ，１ｗｔ％添加含有させた
ものは、再生波形のベースラインノイズが低減された良
好な浮上型磁気ヘッドが得られることが分かった。
ｒＯ，またはＮｂ２Ｏ５をＯ，１ｗｔ％添加含有させた
ものは、再生波形のベースラインノイズが低減された良
好な浮上型磁気ヘッドが得られることが分かった。
第２表
「実施例３」
実施例２により、再生出力波形のベースラインノイズを
低減することが分かった副成分としての、ＺｒＯ，、Ｎ
ｂ、○、の好適な添加含有量を確認するために、実施例
１と組成が等しい主成分（Ｆｅ２Ｏ５、ＺｎＯ，Ｍｎ０
）に対し、副成分としてのＺｒＯ，及び／またはＮｂ、
○、を０．０２〜０゜３ｗｔ％添加含有し、以下実施例
１と同様の方法でＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトを
作り、実施例２と同様の方法で浮上型磁気ヘッドを製作
した。
低減することが分かった副成分としての、ＺｒＯ，、Ｎ
ｂ、○、の好適な添加含有量を確認するために、実施例
１と組成が等しい主成分（Ｆｅ２Ｏ５、ＺｎＯ，Ｍｎ０
）に対し、副成分としてのＺｒＯ，及び／またはＮｂ、
○、を０．０２〜０゜３ｗｔ％添加含有し、以下実施例
１と同様の方法でＭ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトを
作り、実施例２と同様の方法で浮上型磁気ヘッドを製作
した。
そして、これ等の磁気ヘッドについて、その焼結性と再
生波形のノイズについての調査を行なった。調査の方法
は実施例２と同様である。
生波形のノイズについての調査を行なった。調査の方法
は実施例２と同様である。
その結果を表３に示す。
ＺｒＯ，またはＮｂ２Ｏ５を添加含有させないものは、
不純物のＣａＯやＳｉｎ、が粒界層とその近傍部に高濃
度に扁析するためか、再生波形ノイズは低減できない。
不純物のＣａＯやＳｉｎ、が粒界層とその近傍部に高濃
度に扁析するためか、再生波形ノイズは低減できない。
そして、ＺｒＯ，またはＮｂ２Ｏ５を０．２ｗｔ％より
多く添加すると異相が析出して、磁気ヘッドとしては使
用できなかった。ＺｒＯ，またはＮｂ、０．を０．０１
〜０．２ｗｔ％の範囲で添加含有させれば、再生ノイズ
の発生がない良好な磁気ヘッドを得ることができた。
多く添加すると異相が析出して、磁気ヘッドとしては使
用できなかった。ＺｒＯ，またはＮｂ、０．を０．０１
〜０．２ｗｔ％の範囲で添加含有させれば、再生ノイズ
の発生がない良好な磁気ヘッドを得ることができた。
第３表
「実施例４」
次に、ベースラインノイズ及ぼすＭｎ−Ｚｎ多結晶フェ
ライトの粒界層の幅、及びエツチング容易域の幅を調査
した。
ライトの粒界層の幅、及びエツチング容易域の幅を調査
した。
Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライトの粒界層の幅は焼結体ブロ
ックを数１０ＯＡまで研磨し、透過型電子顕微鏡で粒界
層を観察し測定した。エツチング容易域は、焼結体ブロ
ックを鏡面加工し、８０’ＣのＨＣＱ５０％溶液に１分
間浸し、そのエツチングされた試料表面を走査型電子顕
微鏡で観察し、その幅を測定した。また、同時に試料片
のエツチング面を触針式粗さ計でその面粗さを測定した
６面粗さは０．１〜１．２５μｍの範囲であった。
ックを数１０ＯＡまで研磨し、透過型電子顕微鏡で粒界
層を観察し測定した。エツチング容易域は、焼結体ブロ
ックを鏡面加工し、８０’ＣのＨＣＱ５０％溶液に１分
間浸し、そのエツチングされた試料表面を走査型電子顕
微鏡で観察し、その幅を測定した。また、同時に試料片
のエツチング面を触針式粗さ計でその面粗さを測定した
６面粗さは０．１〜１．２５μｍの範囲であった。
第４表に粒界層′の幅と再生波形ノイズとの関係、第５
表エツチング容易域と再生波形ノイズとの関係を示す。
表エツチング容易域と再生波形ノイズとの関係を示す。
粒界層の幅が１００Å以下、エツチング容易域幅が１μ
ｍ以下のＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトでコアを構成した
浮上型磁気ヘッドは再生波形ノイズが小さく良好である
ことが分かった。
ｍ以下のＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトでコアを構成した
浮上型磁気ヘッドは再生波形ノイズが小さく良好である
ことが分かった。
第 ４ 表
第５表
（発明の効果）
本発明、は、Ｍ ｎ −Ｚ ｎ多結晶フェライトで主磁
気回路を、金属磁性薄膜で補助磁気回路を構成した、モ
ノリシック型の浮上型磁気ヘッドに発生する再生波形の
ベースラインノイズの原因を調査し、Ｍｎ−Ｚｎ多結晶
フェライトの主成分に対し、Ｚｒ０１、Ｎｂ２Ｏ５の副
成分を添加し、且つ、その含有量を好適な値とすること
により、 また、多結晶フェライトの粒界層の幅を１００人と適度
に制御することにより、 高密度記録化に対処するための磁気記録媒体の高保磁力
化、磁気ヘッド自体の特に狭トラック化が進展した磁気
記録装置においても、記録再生特性の良好な浮上型磁気
ヘッドを提供することが可能となった。
気回路を、金属磁性薄膜で補助磁気回路を構成した、モ
ノリシック型の浮上型磁気ヘッドに発生する再生波形の
ベースラインノイズの原因を調査し、Ｍｎ−Ｚｎ多結晶
フェライトの主成分に対し、Ｚｒ０１、Ｎｂ２Ｏ５の副
成分を添加し、且つ、その含有量を好適な値とすること
により、 また、多結晶フェライトの粒界層の幅を１００人と適度
に制御することにより、 高密度記録化に対処するための磁気記録媒体の高保磁力
化、磁気ヘッド自体の特に狭トラック化が進展した磁気
記録装置においても、記録再生特性の良好な浮上型磁気
ヘッドを提供することが可能となった。
第１図（ａ）はモノリシック型の浮上型磁気ヘッドの構
成を表す斜視図、同図（ｂ）は磁気ギャップの主要部の
斜視図、第２図（ａ）は再生波形の疑似ギャップノイズ
、同図（ｂ）はベースラインノイズを表す図である。ま
た、第３図はトラック幅と相対マージンとの関係を表す
図である。 １、磁気ヘッド ３、巻線窓 ５、Ｃ型コア ７、補強用ガラス Ｇ、ギャップ ＧΩ、ギャップ長 ２、スライダー ４、金属磁性薄膜 ６、 Ｉ型コア Ｔｗ。 トラック幅 第１図（α） 第 １ 図（ｂ） 第 図（ｃＬ） 第 図（ｂ） ｍ−→時間 第 図 トラックＩＦｍ（７ＬＪ７ｒＬ）
成を表す斜視図、同図（ｂ）は磁気ギャップの主要部の
斜視図、第２図（ａ）は再生波形の疑似ギャップノイズ
、同図（ｂ）はベースラインノイズを表す図である。ま
た、第３図はトラック幅と相対マージンとの関係を表す
図である。 １、磁気ヘッド ３、巻線窓 ５、Ｃ型コア ７、補強用ガラス Ｇ、ギャップ ＧΩ、ギャップ長 ２、スライダー ４、金属磁性薄膜 ６、 Ｉ型コア Ｔｗ。 トラック幅 第１図（α） 第 １ 図（ｂ） 第 図（ｃＬ） 第 図（ｂ） ｍ−→時間 第 図 トラックＩＦｍ（７ＬＪ７ｒＬ）
Claims (3)
- （１）Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトよりなり、突き合わ
せ面に磁気ギャップを有し、主磁気回路を構成する一対
の磁性体コアと、 その磁性体コアの少なくとも一方のコアの突き合せ面に
、前記磁気ギャップに接して形成され、補助磁気回路を
構成する金属磁性薄膜と、 前記磁性体コアの窓部に巻線された励磁用のコイルとを
有し、 トラック幅が１６μｍ以下の狭トラックであるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを
構成するＭｎ−Ｚｎ多結晶フェライトが、主成分（Ｍｎ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３）に対し、重量％で副成分
としてのＺｒＯ＿２及び／またはＮｂ＿２Ｏ＿５を０．
０１〜０．２ｗｔ％（ＺｒＯ＿２とＮｂ＿２Ｏ＿５の２
種類含有の場合は、その合計が０．０１〜０．２ｗｔ％
）含有し、 再生出力波形のベースラインノイズが小さく、その波形
形態が良好なことを特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - （２）Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトよりなり、突き合わ
せ面に磁気ギャップを有し、主磁気回路を構成する一対
の磁性体コアと、 その磁性体コアの少なくとも一方のコアの突き合せ面に
、前記磁気ギャップに接して形成され、補助磁気回路を
構成する金属磁性薄膜と、 前記磁性体コアの窓部に巻線された励磁用のコイルとを
有し、 トラック幅が１６μｍ以下の狭トラックであるモノリシ
ック型の浮上型磁気ヘッドにおいて、前記磁性体コアを
構成するＭｎ−Ｚｎ多結晶フェライトが、主成分（Ｍｎ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｆｅ＿２Ｏ＿３）に対し、重量％で副成分
としてのＺｒＯ＿２及び／またはＮｂ＿２Ｏ＿５を０．
０１〜０．２ｗｔ％（ＺｒＯ＿２とＮｂ＿２Ｏ＿５の２
種類含有の場合は、その合計が０．０１〜０．２ｗｔ％
）含有し、 その結晶粒子間の粒界層の厚さが１００Å以下で、再生
出力波形のベースラインノイズが小さく、その波形形態
が良好なことを特徴とする浮上型磁気ヘッド。 - （３）前記Ｍｎ−Ｚｎ多結晶フェライトは、触針式粗さ
計で測定した面粗さ０．１〜１．２５μｍのエッチング
条件に於いて、粒界層及び多結晶粒子の粒界層近傍部に
沿ったエッチング容易域の幅が１μｍ以下で、再生出力
波形のベースラインノイズが小さく、その波形形態が良
好なことを特徴とする請求項１または２記載の浮上型磁
気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25101390A JPH04132005A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 浮上型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25101390A JPH04132005A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 浮上型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132005A true JPH04132005A (ja) | 1992-05-06 |
Family
ID=17216339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25101390A Pending JPH04132005A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 浮上型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132005A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243342A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Eaton Corp | イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25101390A patent/JPH04132005A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243342A (ja) * | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Eaton Corp | イオン注入装置用の可変開口アセンブリ、ビームラインアセンブリ及びそのための制御装置 |
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