JPH04132695A - アルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方法 - Google Patents

アルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方法

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JPH04132695A
JPH04132695A JP25393190A JP25393190A JPH04132695A JP H04132695 A JPH04132695 A JP H04132695A JP 25393190 A JP25393190 A JP 25393190A JP 25393190 A JP25393190 A JP 25393190A JP H04132695 A JPH04132695 A JP H04132695A
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alumina
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戸嶋 博昭
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敏郎 古滝
Yoichi Yaguchi
洋一 矢口
Hideta Uchiumi
秀太 内海
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、融液からザファイヤ等高品質なアルミナ系高
融点酸化物単結晶を育成する製造方法に関するものであ
る。
[従来の技術および課題] 融液からサファイヤ等アルミナ系高融点酸化物単結晶を
育成する方法としては、ベルヌーイ法、チョクラルスキ
法、バクダサロフ法、熱交換法、EFG法等が知られて
いる。大型アルミナ系高融点酸化物単結晶を育成する方
法としては、チョクラルスキ法、バクダサロフ法、熱交
換法、E、FG法によるルツボを用いた方法があり、量
産化されている。しかしながらルツボを用いるとチョク
ラルスキ法やEFG法においては結晶中に気泡が入りや
すく、高品質化することができない。この気泡を除去す
る方法としては、結晶成長速度を遅くしたり、原材料の
前処理として粉末原料を溶融固化させることが行なわれ
ている。しかしながら結晶成長速度を遅くすることは量
産性において不利であり、原材料粉末を溶融固化させる
ことは原料単価を引上げる要因となり、高品質なアルミ
ナ系高融点酸化物単結晶を低価格で供給することはでき
ない。
本発明はこの点を鑑みて、気泡のない大型で高品質な単
結晶を低価格で供給することを目的とする。
[課題を解決するための手段コ アルミナ系高融点酸化物単結晶をルツボを用いて育成す
る方法において、気泡の発生する原因が高温でアルミナ
(/V20:i)が分解して生成する酸素原子(0)お
よび酸素分子(02)が融液中に過飽和に存在し、それ
が析出することによることを見出した。そのため本発明
は融液中に過飽和に存在する酸素原子および酸素分子の
除去方法としては還元性ガスを用いるものであり、水素
および一酸化炭素が有効である。
還元性ガスはルツボとの反応性があるが、不活性ガスに
より希釈することで防止でき、容量比が1/100未満
であると融液中に過飽和に存在するOおよびo2を除去
することができないので、1/100以上必要である。
還元性ガスにより融液中に過飽和に存在するOおよび0
2を化学反応により除去するため、希釈ガスを用いた場
合においては、引き上げる結晶およびルツボに仕込んだ
原材料に依存する。
[実施例1] 原料として純度9999%のアルミナを使用し、ルツボ
としてモリブデンを採用した。チョクラルスキ法により
溶融し、育成雰囲気としては静20vo1%H2とし、
育成条件としては引上げ方位<001> 、回転数3O
rpm 、引上げ速度4mm/hrで、仕込み重量の約
75%の単結晶を得た。得られた結晶は、直径約25〜
20悶φで、長さが直胴部で約100Mである。結晶の
色は無色透明であり、気泡は観察されなかった。
[実施例2] 原料として純度99.99%のアルミナを使用し、ルツ
ボとしてモリブデンを採用した。チョクラルスキ法によ
り溶融し、育成雰囲気としてはAr−10vo1%H2
とし、育成条件としては引上げ方位<001> 、回転
数3Orpm 、引上げ速度4m/hrで、仕込み重量
の約15%の単結晶を得た。得られた結晶は、直径約2
5〜20摩φで、長さが直胴部で約100#である。結
晶の色は無色透明であり、気泡は観察されなかった。
[実施例3] 原料として純度99.99%のアルミナを使用し、ルツ
ボとしてモリブデンを採用した。チョクラルスキ法によ
り溶融し、育成雰囲気としては酵5volXCOとし、
育成条件としては引上げ方位<001> 、回転数3O
rpm 、引上げ速度4m+/hrで、仕込み重量の約
75%の単結晶を得た。得られた結晶は、直径的25〜
20mmφで、長さが直胴部で約i 00Mである。結
晶の色は無色透明であり、気泡は観察されなかった。
[発明の効果] 本発明により、アルミナ系高融点酸化物単結晶をルツボ
を用いて育成する方法において、気泡の発生する原因で
ある融液中の過飽和な酸素原子および酸素分子を水素お
よび一酸化炭素等還元性ガスにより除去し、高品質なア
ルミナ系高融点酸化物大型単結晶を低価格において製造
する方法を確立することができた。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)融液成長法によるアルミナ系高融点酸化物単結晶
    の育成方法において、還元性ガス雰囲気内にて行なうこ
    とを特徴としたアルミナ系高融点酸化物単結晶の製造方
    法。
  2. (2)還元性ガス雰囲気として水素ガスを含有し、水素
    混合比が少なくとも容量比で、1/100以上である請
    求項(1)記載のアルミナ系高融点酸化物単結晶の製造
    方法。
  3. (3)還元性ガス雰囲気として一酸化炭素ガスを含有し
    、一酸化炭素混合比が少なくとも容量比で、1/100
    以上である請求項(1)記載のアルミナ系高融点酸化物
    単結晶の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06199597A (ja) * 1992-10-15 1994-07-19 Natl Inst For Res In Inorg Mater 酸化アルミニウム単結晶の製造方法
US6788026B2 (en) 2001-08-30 2004-09-07 Yamaha Corporation Battery charger, including an amplifier for audio signals, for portable audio devices
JP2007197230A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化アルミニウム単結晶の製造方法及びこの方法を用いて得られる酸化アルミニウム単結晶
JP2011195423A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶の製造方法
JP2013095611A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Sumco Corp サファイア単結晶の製造方法
CN103194791A (zh) * 2013-04-24 2013-07-10 哈尔滨工业大学 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法

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JP4844429B2 (ja) * 2007-02-26 2011-12-28 日立化成工業株式会社 サファイア単結晶の製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06199597A (ja) * 1992-10-15 1994-07-19 Natl Inst For Res In Inorg Mater 酸化アルミニウム単結晶の製造方法
US6788026B2 (en) 2001-08-30 2004-09-07 Yamaha Corporation Battery charger, including an amplifier for audio signals, for portable audio devices
JP2007197230A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化アルミニウム単結晶の製造方法及びこの方法を用いて得られる酸化アルミニウム単結晶
JP2011195423A (ja) * 2010-03-24 2011-10-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶の製造方法
JP2013095611A (ja) * 2011-10-28 2013-05-20 Sumco Corp サファイア単結晶の製造方法
CN103194791A (zh) * 2013-04-24 2013-07-10 哈尔滨工业大学 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法
CN103194791B (zh) * 2013-04-24 2016-05-04 哈尔滨工业大学 大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法

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