JPH04133369A - 誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法 - Google Patents
誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法Info
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- JPH04133369A JPH04133369A JP2254968A JP25496890A JPH04133369A JP H04133369 A JPH04133369 A JP H04133369A JP 2254968 A JP2254968 A JP 2254968A JP 25496890 A JP25496890 A JP 25496890A JP H04133369 A JPH04133369 A JP H04133369A
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- dielectric thin
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は誘電体を薄膜で構成した誘電体薄膜及びその製
造方法に関する。また本発明はこの誘電体薄膜を利用し
た、強誘電体不揮発メモリ素子、薄膜コンデンサ、エレ
クトロルミネッセンス素子、焦電型赤外線センサ、圧電
素子等に適する誘電体薄膜デバイス及びその製造方法に
関するものである。
造方法に関する。また本発明はこの誘電体薄膜を利用し
た、強誘電体不揮発メモリ素子、薄膜コンデンサ、エレ
クトロルミネッセンス素子、焦電型赤外線センサ、圧電
素子等に適する誘電体薄膜デバイス及びその製造方法に
関するものである。
［従来の技術］
これまでに、Ｓｉを中心とする半導体デバイスの集積化
、微細化を実現するために、Ｓｉ単結晶又はサファイア
などの素子や基板の上面に主として物理的手法により誘
電体薄膜を形成する技術開発が盛んに行われてきている
。
、微細化を実現するために、Ｓｉ単結晶又はサファイア
などの素子や基板の上面に主として物理的手法により誘
電体薄膜を形成する技術開発が盛んに行われてきている
。
この物理的手法により誘電体薄膜を形成する例としでは
、高周波スパッタリング法、マグネトロン高周波スパッ
タリング法等によりＺｎＯ，ＰｂＴｉ０ｓＰＺＴ等の薄
膜を基板上に形成する技術（特開昭５５−７５５４、浜
田ら、応用物理り、 ７８３ （１９８０）、Ｔ、Ｓｈ
ｉ。
、高周波スパッタリング法、マグネトロン高周波スパッ
タリング法等によりＺｎＯ，ＰｂＴｉ０ｓＰＺＴ等の薄
膜を基板上に形成する技術（特開昭５５−７５５４、浜
田ら、応用物理り、 ７８３ （１９８０）、Ｔ、Ｓｈ
ｉ。
５ａｋｉ ｅｔ ａｌ、 Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｓ ６３，２２７（１９８５）、特開昭５８−１８６１
０５等）が開示されている。
ｓ ６３，２２７（１９８５）、特開昭５８−１８６１
０５等）が開示されている。
しかし、従来のスパッタリング法により形成された薄膜
は、基板材料との熱膨張係数の相違により基板に対する
密着性が悪く、また基板との結晶構造、特に格子間隔の
相違等により、基板に対する結晶配向性が良好でない問
題点があった。
は、基板材料との熱膨張係数の相違により基板に対する
密着性が悪く、また基板との結晶構造、特に格子間隔の
相違等により、基板に対する結晶配向性が良好でない問
題点があった。
この点を解消するために、基板と薄膜の間にバッファ層
を形成して、基板と薄膜の間の格子定数及び熱膨張係数
の相違によるミスフィツトを低減し密着力の向上を図る
方法が提案されている。例えば、Ｓｉ単結晶上にＳｒＦ
、、 ＣａＦ＊のバッファ層を介してスパッタリング法
でＰｂＴｉＯ３を形成する方法（Ｍ、０ｋｕｙａｏ＋ａ
ｅｔ ａｌ、 Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、
ｖｏｌ ２４（１９８５） ５ｕｐｐ１．．２４−２．
ｐｐ、６１９−６２１、Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆ
０ｒｉｅｎｔｅｄ ＰｂＴｉＯ３ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓｏｎ ５ｉｌｉｃｏｎ
）や、気相成長法で形成したＭｇＡｌ１ｔＯ４のバッフ
ァ層を介してスパッタリング法でＰｂＴｊＯｓを形成す
る方法（特開昭６３−５５１９８）が提案されている。
を形成して、基板と薄膜の間の格子定数及び熱膨張係数
の相違によるミスフィツトを低減し密着力の向上を図る
方法が提案されている。例えば、Ｓｉ単結晶上にＳｒＦ
、、 ＣａＦ＊のバッファ層を介してスパッタリング法
でＰｂＴｉＯ３を形成する方法（Ｍ、０ｋｕｙａｏ＋ａ
ｅｔ ａｌ、 Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、、
ｖｏｌ ２４（１９８５） ５ｕｐｐ１．．２４−２．
ｐｐ、６１９−６２１、Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆ
０ｒｉｅｎｔｅｄ ＰｂＴｉＯ３ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃ Ｔｈ１ｎ Ｆｉｌｍｓｏｎ ５ｉｌｉｃｏｎ
）や、気相成長法で形成したＭｇＡｌ１ｔＯ４のバッフ
ァ層を介してスパッタリング法でＰｂＴｊＯｓを形成す
る方法（特開昭６３−５５１９８）が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、バッファ層として５ｒＦｚ、 ＣａＦ２を用い
た場合には、ＳｒＦ、、 ＣａＦ、はふっ化物であって
誘電体薄膜の酸化物組成とは異なる系であるため、また
ＭｇＡｕｔＯ４は２成分系であってしかも代表的なペロ
ブスカイト型構造の複合酸化物にはＡｌが含まれること
が少ないため、ともに薄膜を形成するまでに薄膜の組成
に含まれない多くの元素を取扱う必要があり、薄膜の製
造プロセスが煩雑になる問題点があった。
た場合には、ＳｒＦ、、 ＣａＦ、はふっ化物であって
誘電体薄膜の酸化物組成とは異なる系であるため、また
ＭｇＡｕｔＯ４は２成分系であってしかも代表的なペロ
ブスカイト型構造の複合酸化物にはＡｌが含まれること
が少ないため、ともに薄膜を形成するまでに薄膜の組成
に含まれない多くの元素を取扱う必要があり、薄膜の製
造プロセスが煩雑になる問題点があった。
特に、特開昭６３−５５１９８号公報に示される誘電体
薄膜デバイスは、ＰｂＴｘＯｓのエピタキシャル膜を得
るためにＰｔのエピタキシャル膜を必要とし、そのため
にＭｇＡｉｔＯ４のエピタキシャル膜を要する。このＭ
ｇＡｕ ！０４のエピタキシャル膜は９５０℃の温度で
成長するため、その際基板が高温にさらされて熱的損傷
を受は易い問題点がある。また上記デバイスのＰｂＴｉ
Ｏｓのエピタキシャル膜がスパッタリングにより形成さ
れるため膜成長速度が遅く、しかも高エネルギ状態での
育成のため結晶上完全な膜になりにくい問題点がある。
薄膜デバイスは、ＰｂＴｘＯｓのエピタキシャル膜を得
るためにＰｔのエピタキシャル膜を必要とし、そのため
にＭｇＡｉｔＯ４のエピタキシャル膜を要する。このＭ
ｇＡｕ ！０４のエピタキシャル膜は９５０℃の温度で
成長するため、その際基板が高温にさらされて熱的損傷
を受は易い問題点がある。また上記デバイスのＰｂＴｉ
Ｏｓのエピタキシャル膜がスパッタリングにより形成さ
れるため膜成長速度が遅く、しかも高エネルギ状態での
育成のため結晶上完全な膜になりにくい問題点がある。
本発明の目的は、上記問題点を解決するもので薄膜の密
着性が高く、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜及びその
誘電体薄膜デバイスを提供することにある。
着性が高く、かつ誘電特性に優れた誘電体薄膜及びその
誘電体薄膜デバイスを提供することにある。
また本発明の別の目的は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学
的気相蒸着法）により一連の操作で容易に製造でき、比
較的低温かつ低エネルギで基板に熱的損傷を与えず、薄
膜を結晶上完全に育成でき、しかも生産性の高い誘電体
薄膜及びその誘電体薄膜デバイスの製造方法を提供する
ことにある。
的気相蒸着法）により一連の操作で容易に製造でき、比
較的低温かつ低エネルギで基板に熱的損傷を与えず、薄
膜を結晶上完全に育成でき、しかも生産性の高い誘電体
薄膜及びその誘電体薄膜デバイスの製造方法を提供する
ことにある。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、誘電体としてペロブスカイト型構造を有
する複合酸化物が多用されることに着目し、中間のバッ
ファ層も育成される薄膜と類似の構造にして、単純な組
成の材料で構成することにより、また薄膜の成長にＭＯ
ＣＶＤ法を用いることにより、上記目的を達成できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
する複合酸化物が多用されることに着目し、中間のバッ
ファ層も育成される薄膜と類似の構造にして、単純な組
成の材料で構成することにより、また薄膜の成長にＭＯ
ＣＶＤ法を用いることにより、上記目的を達成できるこ
とを見出し、本発明に到達した。
第１図に示すように、本発明の誘電体薄膜１は、絶縁材
料又は半導体材料からなる単結晶基板２の上面に酸化物
からなるバッファ層３を介して形成された酸化物薄膜で
あって、バッファ層３がＴｉを含む酸化物からなること
を特徴とする。この誘電体薄膜を製造するには、単結晶
基板２であるＳｉ基板又はサファイア基板の上面にＭＯ
ＣＶＤ法によりＴｉＯ２からなるバッファ層３を形成し
、このバッファ層３の上面にＭＯＣＶＤ法によりＰｂＴ
ｉＯｓの薄膜１を形成する。
料又は半導体材料からなる単結晶基板２の上面に酸化物
からなるバッファ層３を介して形成された酸化物薄膜で
あって、バッファ層３がＴｉを含む酸化物からなること
を特徴とする。この誘電体薄膜を製造するには、単結晶
基板２であるＳｉ基板又はサファイア基板の上面にＭＯ
ＣＶＤ法によりＴｉＯ２からなるバッファ層３を形成し
、このバッファ層３の上面にＭＯＣＶＤ法によりＰｂＴ
ｉＯｓの薄膜１を形成する。
また第２図に示すように、本発明の誘電体薄膜デバイス
５は、絶縁材料又は半導体材料からなる単結晶基板２の
上面に下部電極６が形成され、この下部電極６の上面に
酸化物からなるバッファ層３が形成され、このバッファ
層３の上面に酸化物からなる誘電体薄膜１が形成され、
この薄膜１の上面に上部電極７が形成されたものである
。６ ａ。
５は、絶縁材料又は半導体材料からなる単結晶基板２の
上面に下部電極６が形成され、この下部電極６の上面に
酸化物からなるバッファ層３が形成され、このバッファ
層３の上面に酸化物からなる誘電体薄膜１が形成され、
この薄膜１の上面に上部電極７が形成されたものである
。６ ａ。
７ａはそれぞれ電極６，７に電気的に接続されたリード
線である。
線である。
更に第３図に示すように、本発明の別の誘電体薄膜デバ
イス８は半導体材料からなる単結晶基板２を下部電極と
し、この基板２の上面に酸化物からなるバッファ層３が
形成され、このバッファ層３の上面に酸化物からなる誘
電体薄膜１が形成され、この薄膜１の上面に上部電極７
が形成されたものである。
イス８は半導体材料からなる単結晶基板２を下部電極と
し、この基板２の上面に酸化物からなるバッファ層３が
形成され、このバッファ層３の上面に酸化物からなる誘
電体薄膜１が形成され、この薄膜１の上面に上部電極７
が形成されたものである。
第２図に示される誘電体薄膜デバイス５を製造するには
、単結晶基板２であるＳｉ基板又はサファイア基板の上
面にスパッタリング法によりＰｔ膜からなる下部電極６
を形成し、このＰｔ膜６の上面にＭＯＣＶＤ法によりＴ
ｉＯ２からなるバッファ層３を形成する。また第３図に
示される誘電体薄膜デバイス８を製造するには、Ｓｉ基
板２を下部電極とし、この基板２の上面にＭＯＣＶＤ法
によりＴｉｅ２からなるバッファ層３を形成する。そし
て両デバイス５．８とも、バッファ層３の上面にＭＯＣ
ＶＤ法によりＰｂＴｉＯ３の誘電体薄膜１を形成し、こ
の薄膜１の上面にスパッタリング法によりＡｎ膜からな
る上部電極７を形成してつくられる。第３図に示される
誘電体薄膜デバイス８の基板２が電極としてリード線９
ａに電気的に確実に接続するために基板２の下面のＳｉ
酸化膜を除去してから端子９が形成される。
、単結晶基板２であるＳｉ基板又はサファイア基板の上
面にスパッタリング法によりＰｔ膜からなる下部電極６
を形成し、このＰｔ膜６の上面にＭＯＣＶＤ法によりＴ
ｉＯ２からなるバッファ層３を形成する。また第３図に
示される誘電体薄膜デバイス８を製造するには、Ｓｉ基
板２を下部電極とし、この基板２の上面にＭＯＣＶＤ法
によりＴｉｅ２からなるバッファ層３を形成する。そし
て両デバイス５．８とも、バッファ層３の上面にＭＯＣ
ＶＤ法によりＰｂＴｉＯ３の誘電体薄膜１を形成し、こ
の薄膜１の上面にスパッタリング法によりＡｎ膜からな
る上部電極７を形成してつくられる。第３図に示される
誘電体薄膜デバイス８の基板２が電極としてリード線９
ａに電気的に確実に接続するために基板２の下面のＳｉ
酸化膜を除去してから端子９が形成される。
本発明の単結晶基板は、サファイア、Ｓｉ１酸化マグネ
シウム等の絶縁材料又は半導体材料からなる基板である
。その中でサファイア又はＳｉが安価で入手し易いため
好ましい。特にＳｉ基板は良質で大口径の基板が容易に
入手できるうえ、熟成したＳｉ半導体集積回路技術を利
用することによって、より高い機能を誘電体薄膜デバイ
スにもたせることができ、例えばシリコンＩＣと誘電体
薄膜デバイスを同一チップ上に形成した複合デバイスの
開発が可能となる。この基板は上面を鏡面研磨すること
により平滑面にして用いる。
シウム等の絶縁材料又は半導体材料からなる基板である
。その中でサファイア又はＳｉが安価で入手し易いため
好ましい。特にＳｉ基板は良質で大口径の基板が容易に
入手できるうえ、熟成したＳｉ半導体集積回路技術を利
用することによって、より高い機能を誘電体薄膜デバイ
スにもたせることができ、例えばシリコンＩＣと誘電体
薄膜デバイスを同一チップ上に形成した複合デバイスの
開発が可能となる。この基板は上面を鏡面研磨すること
により平滑面にして用いる。
誘電体薄膜を製造する場合には、上記基板の上面にＭＯ
ＣＶＤ法により、先ず中間層であるバッファ層を形成す
る。このバッファ層はＴｉを含む酸化物からなる。特に
Ｔｉｅ、は正方晶でＴｉｅ、の八面体構造をもち、薄膜
となるチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）等で代表されるペロ
ブスカイト型構造の複合酸化物と類似の構造をもつため
、バッファ層に好適である。
ＣＶＤ法により、先ず中間層であるバッファ層を形成す
る。このバッファ層はＴｉを含む酸化物からなる。特に
Ｔｉｅ、は正方晶でＴｉｅ、の八面体構造をもち、薄膜
となるチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯｓ）等で代表されるペロ
ブスカイト型構造の複合酸化物と類似の構造をもつため
、バッファ層に好適である。
このＴｉｅ２の結晶系にはルチル型とアナターゼ型があ
るが、ＰｂＴｉＯ３に対する結晶格子及び熱膨張係数が
それぞれ近似するアナターゼ型が好ましい。なおバッフ
ァ層はＴｉ酸化物以外に誘電体薄膜を構成する少なくと
も１種の元素を含む酸化物でもよい。
るが、ＰｂＴｉＯ３に対する結晶格子及び熱膨張係数が
それぞれ近似するアナターゼ型が好ましい。なおバッフ
ァ層はＴｉ酸化物以外に誘電体薄膜を構成する少なくと
も１種の元素を含む酸化物でもよい。
コノ場合の元素としては、Ｚｒ、 Ｐｂ、 Ｍｇ、 Ｎ
ｂ、 ＣａＳｒ、 Ｂａ等が挙げられる。
ｂ、 ＣａＳｒ、 Ｂａ等が挙げられる。
上記バッファ層の上面に酸化物からなる誘電体薄膜が形
成される。この薄膜はペロブスカイト型構造を有する複
合酸化物であって、Ｔｉを含む複合酸化物、例えばＰｂ
ＴｉＯ３、 ＢａＴｉ０．、５ｒＴｉＯｓ、 ｐｚＴ。
成される。この薄膜はペロブスカイト型構造を有する複
合酸化物であって、Ｔｉを含む複合酸化物、例えばＰｂ
ＴｉＯ３、 ＢａＴｉ０．、５ｒＴｉＯｓ、 ｐｚＴ。
ＰＬＺＴ等の他、ＰｂＺｒＯｓ、 Ｐｂ（Ｍｇ＋ｚａＮ
ｂ２７ｓ）Ｏｓ等が好ましい。特に強誘電体のＰｂＴｉ
Ｏｓであることが好ましい。
ｂ２７ｓ）Ｏｓ等が好ましい。特に強誘電体のＰｂＴｉ
Ｏｓであることが好ましい。
上記バッファ層及び上記薄膜はそれぞれＭＯＣＶＤ法で
形成される。ＭＯＣＶＤ法によるバッファ層及び薄膜の
各成長温度は約６００〜７００℃である。
形成される。ＭＯＣＶＤ法によるバッファ層及び薄膜の
各成長温度は約６００〜７００℃である。
従来のスパッタリング法と異なり、誘電体薄膜をＭＯＣ
ＶＤ法で形成することにより、基板の熱的損傷を極力少
なくでき、誘電体薄膜を比較的低エネルギで速く成長さ
せることができ、結晶上完全な膜を高い生産性で製造す
ることができる。また誘電体薄膜を紫外線を照射した状
態で光ＭＯＣＶＤ法により気相成長させると、薄膜の結
晶性及び配向性が良好になり好ましい。
ＶＤ法で形成することにより、基板の熱的損傷を極力少
なくでき、誘電体薄膜を比較的低エネルギで速く成長さ
せることができ、結晶上完全な膜を高い生産性で製造す
ることができる。また誘電体薄膜を紫外線を照射した状
態で光ＭＯＣＶＤ法により気相成長させると、薄膜の結
晶性及び配向性が良好になり好ましい。
［作 用］
基板の上面にバッファ層を介して誘電体薄膜を形成する
ことにより、誘電体薄膜と基板とが直接接触せず、誘電
体薄膜を構成する金属元素と基板を構成する元素が例え
ばそれぞれＰｂとＳＬであれば、これらの元素の界面相
互作用が起らず、金属元素（ｐｂ）の基板（Ｓｉ）への
拡散を防止することができる。
ことにより、誘電体薄膜と基板とが直接接触せず、誘電
体薄膜を構成する金属元素と基板を構成する元素が例え
ばそれぞれＰｂとＳＬであれば、これらの元素の界面相
互作用が起らず、金属元素（ｐｂ）の基板（Ｓｉ）への
拡散を防止することができる。
バッファ層が誘電体薄膜の構成元素を含み、或いは類似
の結晶構造をもつＴｉ酸化物からなるため、バッファ層
の熱膨張係数が薄膜の熱膨張係数と基板の熱膨張係数の
中間的な値となり、基板とバッファ層及びバッファ層と
薄膜の相互の密着性を高くすることができる。
の結晶構造をもつＴｉ酸化物からなるため、バッファ層
の熱膨張係数が薄膜の熱膨張係数と基板の熱膨張係数の
中間的な値となり、基板とバッファ層及びバッファ層と
薄膜の相互の密着性を高くすることができる。
ＭＯＣＶＤ法において、バッファ層と薄膜とに共通する
構成元素については、その元素のガスを共通に使用する
ことにより、バッファ層及び薄膜の形成を一連の操作で
容易に行うことができる。
構成元素については、その元素のガスを共通に使用する
ことにより、バッファ層及び薄膜の形成を一連の操作で
容易に行うことができる。
バッファ層がアナターゼ型のＴｉｅ、であって薄膜がＰ
ｂＴｉＯｓの場合には、Ｔｉ０ｚのＣ軸を基板に垂直に
配向させることによりその上に形成されるＰｂＴｉ０゜
の薄膜はそのＣ軸を同じ方向に配向させることがテキル
。コノ場合、ＴｉＯｘ （７ｆ ９−セ）とＰｂＴｉＯ
３のＣ軸の結晶格子のミスフィツト率は３．７％と小さ
く、相互に密着性の強い膜となる。
ｂＴｉＯｓの場合には、Ｔｉ０ｚのＣ軸を基板に垂直に
配向させることによりその上に形成されるＰｂＴｉ０゜
の薄膜はそのＣ軸を同じ方向に配向させることがテキル
。コノ場合、ＴｉＯｘ （７ｆ ９−セ）とＰｂＴｉＯ
３のＣ軸の結晶格子のミスフィツト率は３．７％と小さ
く、相互に密着性の強い膜となる。
なお、形成される誘電体薄膜がＴｉを含まない場合でも
Ｔｉを含む誘電体薄膜と同じペロブスカイト構造を有し
ていれば、Ｔｉを含む誘電体薄膜と同様にバッファ層の
効果が期待できることは容易に推察される。
Ｔｉを含む誘電体薄膜と同じペロブスカイト構造を有し
ていれば、Ｔｉを含む誘電体薄膜と同様にバッファ層の
効果が期待できることは容易に推察される。
［発明の効果コ
以上述べたように、本発明の誘電体薄膜は基板との間に
Ｔｉを含む酸化物からなるバッファ層を設けることによ
り、誘電体薄膜と基板とが直接接触せず、誘電体薄膜を
構成する金属元素が基板に拡散するのを防止できる。ま
た基板と薄膜のミスフィツトが小さく緻密で配向性の良
い、結晶性に優れた薄膜が得られる。更にバッファ層の
熱膨張係数が薄膜の熱膨張係数と基板の熱膨張係数の中
間的な値となるため、基板と薄膜とがバッファ層を介し
て強力に密着する。
Ｔｉを含む酸化物からなるバッファ層を設けることによ
り、誘電体薄膜と基板とが直接接触せず、誘電体薄膜を
構成する金属元素が基板に拡散するのを防止できる。ま
た基板と薄膜のミスフィツトが小さく緻密で配向性の良
い、結晶性に優れた薄膜が得られる。更にバッファ層の
熱膨張係数が薄膜の熱膨張係数と基板の熱膨張係数の中
間的な値となるため、基板と薄膜とがバッファ層を介し
て強力に密着する。
また本発明の製造方法は従来のスパッタリング法によら
ずにＭＯＣＶＤ法を用いるため、バッファ層と薄膜とに
共通する構成元素については、その元素のガスを共通に
使用することができ、バッファ層及び薄膜の形成を一連
の操作で容易に行うことができる。また比較的低温かつ
低エネルギで薄膜を成長できるため、薄膜の育成中に基
板に熱的損傷を与えず、薄膜を結晶上完全に育成でき、
しかも効率良く薄膜を形成できる利点がある。
ずにＭＯＣＶＤ法を用いるため、バッファ層と薄膜とに
共通する構成元素については、その元素のガスを共通に
使用することができ、バッファ層及び薄膜の形成を一連
の操作で容易に行うことができる。また比較的低温かつ
低エネルギで薄膜を成長できるため、薄膜の育成中に基
板に熱的損傷を与えず、薄膜を結晶上完全に育成でき、
しかも効率良く薄膜を形成できる利点がある。
［実施例］
次に本発明の実施例を図面に基づいて比較例とともに詳
しく説明するが、以下に示す例はあくまでも一例であっ
て、これにより本発明の技術的範囲を限定するものでは
ない。
しく説明するが、以下に示す例はあくまでも一例であっ
て、これにより本発明の技術的範囲を限定するものでは
ない。
〈実施例１〉
第４図に示すように、１０は石英ガラス製の円筒横型の
反応炉であって、蓋１０ａ、１０ｂにより密封し得るよ
うになっている。反応炉１０内には基板２を固定するた
めのステンレス製のホルダ１１が設けられ、反応炉１０
には炉内圧力を減圧しかつ炉内のガスを排出する油回転
ポンプ１２が接続される。１３は圧力計、１４は調整弁
である。
反応炉であって、蓋１０ａ、１０ｂにより密封し得るよ
うになっている。反応炉１０内には基板２を固定するた
めのステンレス製のホルダ１１が設けられ、反応炉１０
には炉内圧力を減圧しかつ炉内のガスを排出する油回転
ポンプ１２が接続される。１３は圧力計、１４は調整弁
である。
ホルダ１１の上方からは基板２にＸｅ−Ｈｇランプによ
る紫外線１６が照射され、ホルダ１１の下方からは反応
炉１０内を加熱する赤外線１７が照射される。基板温度
は基板のホルダ内に設けられた熱電対の熱起電力に応じ
て作動するデジタル温度計１５により計測される。この
基板温度は加熱用の赤外線１７の光量により調節される
。
る紫外線１６が照射され、ホルダ１１の下方からは反応
炉１０内を加熱する赤外線１７が照射される。基板温度
は基板のホルダ内に設けられた熱電対の熱起電力に応じ
て作動するデジタル温度計１５により計測される。この
基板温度は加熱用の赤外線１７の光量により調節される
。
蓋１０ａに貫通してキャリヤガスの管路１８が設けられ
る。この管路１８には０□源として０２ガスを供給する
管路１９とＡｒガスを供給する管路２０及び２１が接続
される。管路１８及び管路２０は保温材２４で被包され
る。管路２０にはＴｉ源としてチタニウムイソプロポキ
シド（以下、ＴＩＰという）の有機溶液の入った恒温貯
留槽２２が、また管路２１にはＰｂ源としてテトラエチ
ル鉛（以下、置という）の有機溶液が入った恒温貯留槽
２３がそれぞれ管路２２ａ、２２ｂ及び２３ａ、２３ｂ
を介して接続される。１９ａ、２０ａ、２１ａは開閉弁
、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは流量制御弁、１９ｃ、２０
ｃ〜２０ｅ、２１ｅ〜２１ｅ、２２ｃ、２２ｄ、２３ｃ
、２３ｄは弁、２０ｆ及び２１ｆは圧力計である。
る。この管路１８には０□源として０２ガスを供給する
管路１９とＡｒガスを供給する管路２０及び２１が接続
される。管路１８及び管路２０は保温材２４で被包され
る。管路２０にはＴｉ源としてチタニウムイソプロポキ
シド（以下、ＴＩＰという）の有機溶液の入った恒温貯
留槽２２が、また管路２１にはＰｂ源としてテトラエチ
ル鉛（以下、置という）の有機溶液が入った恒温貯留槽
２３がそれぞれ管路２２ａ、２２ｂ及び２３ａ、２３ｂ
を介して接続される。１９ａ、２０ａ、２１ａは開閉弁
、１９ｂ、２０ｂ、２１ｂは流量制御弁、１９ｃ、２０
ｃ〜２０ｅ、２１ｅ〜２１ｅ、２２ｃ、２２ｄ、２３ｃ
、２３ｄは弁、２０ｆ及び２１ｆは圧力計である。
この装置を用いて、誘電体薄膜を製造する方法を説明す
る。
る。
先ず、１０ｍｍＸ １５ｍｍのＣ１面のサファイア基板
２を反応炉１０のホルダ１１に固定した後、炉１０を密
封し油回転ポンプ１２で炉内のエアを排出し、４ Ｔｏ
ｒｒに維持し、赤外線１７で基板温度を６５０℃に維持
した。一方、Ａｒガスをバブリングして１００ｓｃｃｍ
（ｓｔａ１００５ｃ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅ
ｒ ｐｅｒ ｍ１ｎｕｔｅ）の流量で５０℃に維持され
たＴＩＰを含んだ飽和蒸気を管路２０及び１８より反応
炉１０に導入した。紫外線１６は照射せず、また置及び
０□は反応炉１０へ導入しなかった。ＴＩＰの飽和蒸気
導入後、１２０分でサファイア基板２の上面にＴｉｅ、
膜が形成した。
２を反応炉１０のホルダ１１に固定した後、炉１０を密
封し油回転ポンプ１２で炉内のエアを排出し、４ Ｔｏ
ｒｒに維持し、赤外線１７で基板温度を６５０℃に維持
した。一方、Ａｒガスをバブリングして１００ｓｃｃｍ
（ｓｔａ１００５ｃ ｃｕｂｉｃ ｃｅｎｔｉｍｅｔｅ
ｒ ｐｅｒ ｍ１ｎｕｔｅ）の流量で５０℃に維持され
たＴＩＰを含んだ飽和蒸気を管路２０及び１８より反応
炉１０に導入した。紫外線１６は照射せず、また置及び
０□は反応炉１０へ導入しなかった。ＴＩＰの飽和蒸気
導入後、１２０分でサファイア基板２の上面にＴｉｅ、
膜が形成した。
このＴｉＯ□膜は厚さが約１２００人で平坦でかつ緻密
なアナターゼ型のＴｉｅ、膜であった。
なアナターゼ型のＴｉｅ、膜であった。
次いで、基板温度を６５０℃にし反応炉１０の圧力を１
０−’Ｔｏｒｒ以下に保ち、かつ紫外線１６を照射して
反応炉１０に、０℃に維持された置を含んだ飽和蒸気を
５０ｓｅｃｍ、 ５０℃に維持されたＴＩＰを含んだ飽
和蒸気を１００ｓｅｃ＋＋、 ２５℃の０．ガスを１０
１００５ｅそれぞれ管路２１，２０．１９を介して管路
１８により導入し、Ｔｉｅ、膜の上にＰｂＴｉＯｓの薄
膜を形成した。このＰｂＴｉＯ３膜の厚さは約０．６μ
ｍであった。
０−’Ｔｏｒｒ以下に保ち、かつ紫外線１６を照射して
反応炉１０に、０℃に維持された置を含んだ飽和蒸気を
５０ｓｅｃｍ、 ５０℃に維持されたＴＩＰを含んだ飽
和蒸気を１００ｓｅｃ＋＋、 ２５℃の０．ガスを１０
１００５ｅそれぞれ管路２１，２０．１９を介して管路
１８により導入し、Ｔｉｅ、膜の上にＰｂＴｉＯｓの薄
膜を形成した。このＰｂＴｉＯ３膜の厚さは約０．６μ
ｍであった。
く比較例１〉
実施例１と同じサファイア基板を反応炉に入れ固定した
。基板温度を６００℃にし反応炉の圧力を１０−’Ｔｏ
ｒｒ以下に保ち、かつ紫外線を照射して、この基板の上
面に直接ＰｂＴｉ０ｍの薄膜を成長させた。
。基板温度を６００℃にし反応炉の圧力を１０−’Ｔｏ
ｒｒ以下に保ち、かつ紫外線を照射して、この基板の上
面に直接ＰｂＴｉ０ｍの薄膜を成長させた。
置を含んだ飽和蒸気、ＴＩＰを含んだ飽和蒸気及び０□
ガスは実施例１と同様に反応炉に導入した。
ガスは実施例１と同様に反応炉に導入した。
〈実施例２〉
サファイアの代わりに、１０ｍｍＸ １５ｍｍの（１０
０）面のＳｉ基板を用いた以外は実施例１と同様にして
、基板の上面にＴｉｅ、膜のバッファ層を介してＰｂＴ
ｉ０ａの薄膜を形成した。
０）面のＳｉ基板を用いた以外は実施例１と同様にして
、基板の上面にＴｉｅ、膜のバッファ層を介してＰｂＴ
ｉ０ａの薄膜を形成した。
〈比較例２〉
実施例２と同じＳｉ基板を反応炉に入れ固定した。
比較例１と同様に基板温度を６００℃にし反応炉の圧力
を１０””Ｔｏｒｒ以下に保ち、がっ紫外線を照射して
、この基板の上面に直接ＰｂＴｉＯｓの薄膜を成長させ
た。置を含んだ飽和蒸気、ＴＩＰを含んだ飽和蒸気及び
０２ガスは実施例１と同様に反応炉に導入した。
を１０””Ｔｏｒｒ以下に保ち、がっ紫外線を照射して
、この基板の上面に直接ＰｂＴｉＯｓの薄膜を成長させ
た。置を含んだ飽和蒸気、ＴＩＰを含んだ飽和蒸気及び
０２ガスは実施例１と同様に反応炉に導入した。
実施例１，２及び比較例１．２の各誘電体薄膜をＸ＃！
回折により配向性を調べた。比較例１の薄膜はＣ軸方向
に配向した（００１） （００２）の回折線と同程度
の強さの（１１１）の回折線が見られたのに対して、実
施例１の薄膜は比較例１と比べて（１１１）の回折線強
度は１／ｌＯ以下に減少し、（００１）（００２）の回
折線強度は１，５〜２０倍に増加してＣ軸配向性の強い
ことか判明した。実施例１の薄膜は他に（１００）
（２００）のａ軸方向からのピークが見られるが、これ
らのピークはＣ軸方向からのピークの２０〜３０％以下
であった。
回折により配向性を調べた。比較例１の薄膜はＣ軸方向
に配向した（００１） （００２）の回折線と同程度
の強さの（１１１）の回折線が見られたのに対して、実
施例１の薄膜は比較例１と比べて（１１１）の回折線強
度は１／ｌＯ以下に減少し、（００１）（００２）の回
折線強度は１，５〜２０倍に増加してＣ軸配向性の強い
ことか判明した。実施例１の薄膜は他に（１００）
（２００）のａ軸方向からのピークが見られるが、これ
らのピークはＣ軸方向からのピークの２０〜３０％以下
であった。
比較例２の薄膜はほぼ無配向であった。特に（００１）
（００２）のＣ軸方向に配向した回折線強度は（１
１１） （１１０） （１０１）の回折線強度と比
べて１０％以下であった。これに対して実施例２の薄膜
における（ １１１） （１１０） （１０１）の
回折線強度は減少し、（００１） （００２）のＣ軸
方向に配向した回折線強度は主なピーク全体の強度の和
に対して６０％以上の比率となり、Ｃ軸に強く配向して
いた。
（００２）のＣ軸方向に配向した回折線強度は（１
１１） （１１０） （１０１）の回折線強度と比
べて１０％以下であった。これに対して実施例２の薄膜
における（ １１１） （１１０） （１０１）の
回折線強度は減少し、（００１） （００２）のＣ軸
方向に配向した回折線強度は主なピーク全体の強度の和
に対して６０％以上の比率となり、Ｃ軸に強く配向して
いた。
第５図は実施例１のサファイア基板上のＴｉｅ、膜のバ
ッファ層のＸ線回折パターン、第６図は実施例２のＳｉ
基板上のＴｉＯ＊膜のバッファ層のＸ線回折パターンを
それぞれ示す。両図より実施例１及び２のバッファ層は
Ｃ軸に配向しく ００４）の回折線ピークか見られた。
ッファ層のＸ線回折パターン、第６図は実施例２のＳｉ
基板上のＴｉＯ＊膜のバッファ層のＸ線回折パターンを
それぞれ示す。両図より実施例１及び２のバッファ層は
Ｃ軸に配向しく ００４）の回折線ピークか見られた。
実施例１．２及び比較例１．２の各誘電体薄膜をＲＨＥ
ＥＤ （反射高速電子回折）により調べると、比較例１
及び２はともに回折線ピークが弱いのに対して、実施例
１及び２はともにＣ軸に配向しく ００４）の回折線ピ
ークが強く出ており、結晶性に優れていることが判明し
た。また走査電子顕微鏡により各誘電体薄膜を観察した
ところ、比較例１及び２の各誘電体薄膜は平坦でなくか
つ表面粗さが大きかったのに対して、実施例１及び２の
各誘電体薄膜は平坦でかつ表面粗さが極めて小さかった
。
ＥＤ （反射高速電子回折）により調べると、比較例１
及び２はともに回折線ピークが弱いのに対して、実施例
１及び２はともにＣ軸に配向しく ００４）の回折線ピ
ークが強く出ており、結晶性に優れていることが判明し
た。また走査電子顕微鏡により各誘電体薄膜を観察した
ところ、比較例１及び２の各誘電体薄膜は平坦でなくか
つ表面粗さが大きかったのに対して、実施例１及び２の
各誘電体薄膜は平坦でかつ表面粗さが極めて小さかった
。
〈実施例３〉
誘電体薄膜の電気特性を調べるため、実施例１の誘電体
薄膜に第２図に示すような下部電極及び上部電極を形成
した誘電体薄膜デバイスを作製した。
薄膜に第２図に示すような下部電極及び上部電極を形成
した誘電体薄膜デバイスを作製した。
先ず、図示しないスパッタリング装置を用いて、基板温
度を６００℃に保ち、２Ｘ １０−”Ｔｏｒｒでスパッ
タして実施例１と同一のサファイア基板２の上面にＰｔ
（白金）膜からなる下部電極を形成した。このＰｔ膜の
上面に実施例１と同様にしてＴｉＯ２膜のバッファ層、
更に続いてＰｂＴｉＯｓの薄膜を形成した。このとき下
部電極の一部に２ｍｍＸ ２ｍｍのＳｉ小片をマスクと
して置いて７ｉ０２． ＰｂＴｉＯｓがその部分に析出
するのを防止した。この防止箇所を電極の取出し端子と
し、この端子にリード線を接続した。
度を６００℃に保ち、２Ｘ １０−”Ｔｏｒｒでスパッ
タして実施例１と同一のサファイア基板２の上面にＰｔ
（白金）膜からなる下部電極を形成した。このＰｔ膜の
上面に実施例１と同様にしてＴｉＯ２膜のバッファ層、
更に続いてＰｂＴｉＯｓの薄膜を形成した。このとき下
部電極の一部に２ｍｍＸ ２ｍｍのＳｉ小片をマスクと
して置いて７ｉ０２． ＰｂＴｉＯｓがその部分に析出
するのを防止した。この防止箇所を電極の取出し端子と
し、この端子にリード線を接続した。
次に、１．５ｍｍφの孔のあいた銅製のマスクをＰｂＴ
ｉＯ３の薄膜の上面に置き、孔の部分にＡｌｌを真空蒸
着し上部電極を形成した。ｌを蒸着する前の薄膜は、下
部電極のＰｔ膜のない場合と同様に、平坦度が良好でＣ
軸への配向度の強い、結晶度に優れた薄膜が得られた。
ｉＯ３の薄膜の上面に置き、孔の部分にＡｌｌを真空蒸
着し上部電極を形成した。ｌを蒸着する前の薄膜は、下
部電極のＰｔ膜のない場合と同様に、平坦度が良好でＣ
軸への配向度の強い、結晶度に優れた薄膜が得られた。
〈実施例４〉
誘電体薄膜の電気特性を調べるため、実施例２の誘電体
薄膜に第３図に示すようなＳｉ基板自体を下部電極とし
、更に上部電極を形成した誘電体薄膜デバイスを作製し
た。
薄膜に第３図に示すようなＳｉ基板自体を下部電極とし
、更に上部電極を形成した誘電体薄膜デバイスを作製し
た。
実施例２のＳｉ基板の上面にＴｉｅ、膜のバッファ層を
介してＰｂＴｉＯｓの薄膜を形成した後、Ｓｉ基板の下
面のＳｉ酸化膜を取り除き、実施例３の下部電極用のマ
スクをしてから実施例３と同様にｉを真空蒸着し下部電
極用端子を形成した。上部電極は実施例３と同様にして
、ＰｂＴｉＯｓの薄膜の上面に形成した。
介してＰｂＴｉＯｓの薄膜を形成した後、Ｓｉ基板の下
面のＳｉ酸化膜を取り除き、実施例３の下部電極用のマ
スクをしてから実施例３と同様にｉを真空蒸着し下部電
極用端子を形成した。上部電極は実施例３と同様にして
、ＰｂＴｉＯｓの薄膜の上面に形成した。
実施例３及び実施例４の各誘電体薄膜デバイスの誘電率
をインピーダンスアナライザ（ＹＨＰ４１９２Ａ）を用
いて、下部電極と上部電極の間にＶｅ−ｐが１０ｍＶで
１ｋＨｚの交流を印加して測定した。実施例３の誘電体
薄膜デバイスの誘電率は１００〜１５０、実施例４の誘
電率は８０〜１１０であった。また実施例３及び実施例
４の各デバイスとも、それぞれソーヤ・タワー（Ｓａｗ
ｙｅｒ−Ｔｏｗｅｒ）回路によりＤ−Ｅヒステリシスが
確認され、抗電界はそれぞれ４〜５ｋＶ／ｍｍ及び約５
，５ｋＶ／ｍａ＋であった。
をインピーダンスアナライザ（ＹＨＰ４１９２Ａ）を用
いて、下部電極と上部電極の間にＶｅ−ｐが１０ｍＶで
１ｋＨｚの交流を印加して測定した。実施例３の誘電体
薄膜デバイスの誘電率は１００〜１５０、実施例４の誘
電率は８０〜１１０であった。また実施例３及び実施例
４の各デバイスとも、それぞれソーヤ・タワー（Ｓａｗ
ｙｅｒ−Ｔｏｗｅｒ）回路によりＤ−Ｅヒステリシスが
確認され、抗電界はそれぞれ４〜５ｋＶ／ｍｍ及び約５
，５ｋＶ／ｍａ＋であった。
以上のことから、実施例３及び実施例４の誘電体薄膜デ
バイスはＣ軸方向に高い配向性があり、強誘電体的特性
をもっていることが判明した。
バイスはＣ軸方向に高い配向性があり、強誘電体的特性
をもっていることが判明した。
第１図は本発明の基板上にバッファ層を介して形成され
た誘電体薄膜の断面図。 第２図及び第３図は本発明のその誘電体薄膜デバイスの
断面図。 第４図は本発明の誘電体薄膜の製造装置の構成図。 第５図及び第６図はそのバッファ層のＸ線回折の回折線
強度を示す図。 １：誘電体薄膜、 ２：単結晶基板、 ３：バッファ層、 ５．８：誘電体薄膜デバイス、 ６：下部電極、 ７：上部電極。 第１ 第２図 回 Ｕ； 普 謎 圓 牢 貴 屈
た誘電体薄膜の断面図。 第２図及び第３図は本発明のその誘電体薄膜デバイスの
断面図。 第４図は本発明の誘電体薄膜の製造装置の構成図。 第５図及び第６図はそのバッファ層のＸ線回折の回折線
強度を示す図。 １：誘電体薄膜、 ２：単結晶基板、 ３：バッファ層、 ５．８：誘電体薄膜デバイス、 ６：下部電極、 ７：上部電極。 第１ 第２図 回 Ｕ； 普 謎 圓 牢 貴 屈
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）絶縁材料又は半導体材料からなる単結晶基板（２）
の上面に酸化物からなるバッファ層（３）を介して形成
され、酸化物からなる誘電体薄膜（１）において、 前記バッファ層（３）がＴｉを含む酸化物からなること
を特徴とする誘電体薄膜。 ２）前記薄膜（１）がペロブスカイト型構造を有する複
合酸化物からなる請求項１記載の誘電体薄膜。 ３）前記バッファ層（３）がＴｉ酸化物からなり、前記
薄膜（１）がＴｉを含む複合酸化物からなる請求項２記
載の誘電体薄膜。 ４）前記バッファ層（３）がＴｉ酸化物からなり、前記
薄膜（１）がＰｂＴｉＯ＿３を含む複合酸化物からなる
請求項３記載の誘電体薄膜。 ５）前記バッファ層（３）がＴｉ酸化物からなり、かつ
少なくとも前記酸化物がＴｉＯ＿２であって、その結晶
系がアナターゼ型を含む請求項３又は４記載の誘電体薄
膜。 ６）前記単結晶基板（２）がＳｉ基板又はサファイア基
板である請求項１ないし５いずれか記載の誘電体薄膜。 ７）Ｓｉ基板又はサファイア基板（２）の上面にＭＯＣ
ＶＤ法によりＴｉＯ＿２からなるバッファ層（３）を形
成し、 このバッファ層（３）の上面にＭＯＣＶＤ法によりＰｂ
ＴｉＯ＿３の薄膜（１）を形成する誘電体薄膜の製造方
法。 ８）絶縁材料又は半導体材料からなる単結晶基板（２）
の上面に下部電極（６）が形成され、この下部電極（６
）の上面に酸化物からなるバッファ層（３）が形成され
、このバッファ層（３）の上面に酸化物からなる誘電体
薄膜（１）が形成され、この薄膜（１）の上面に上部電
極（７）が形成された誘電体薄膜デバイス。 ９）半導体材料からなる単結晶基板（２）を下部電極と
し、この基板（２）の上面に酸化物からなるバッファ層
（３）が形成され、このバッファ層（３）の上面に酸化
物からなる誘電体薄膜（１）が形成され、この薄膜（１
）の上面に上部電極（７）が形成された誘電体薄膜デバ
イス。 １０）前記バッファ層（３）がＴｉを含む酸化物からな
る請求項８又は９記載の誘電体薄膜デバイス。 １１）Ｓｉ基板又はサファイア基板（２）の上面にスパ
ッタリング法によりＰｔ膜からなる下部電極（６）を形
成し、 このＰｔ膜（６）の上面にＭＯＣＶＤ法によりＴｉＯ＿
２からなるバッファ層（３）を形成し、 このバッファ層（３）の上面にＭＯＣＶＤ法によりＰｂ
ＴｉＯ＿３の薄膜（１）を形成し、 この薄膜（１）の上面にスパッタリング法によりＡｌ膜
からなる上部電極（７）を形成する誘電体薄膜デバイス
の製造方法。 １２）Ｓｉ基板（２）を下部電極とし、 この基板（２）の上面にＭＯＣＶＤ法によりＴｉＯ＿２
からなるバッファ層（３）を形成し、 このバッファ層（３）の上面にＭＯＣＶＤ法によりＰｂ
ＴｉＯ＿３の薄膜（１）を形成し、 この薄膜（１）の上面にスパッタリング法によりＡｌ膜
からなる上部電極（７）を形成する誘電体薄膜デバイス
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254968A JP3013418B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2254968A JP3013418B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133369A true JPH04133369A (ja) | 1992-05-07 |
| JP3013418B2 JP3013418B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=17272373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2254968A Expired - Fee Related JP3013418B2 (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 誘電体薄膜と薄膜デバイスとそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013418B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576564A (en) * | 1993-12-28 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film with intermediate buffer layer |
| EP0826985A1 (en) * | 1996-08-28 | 1998-03-04 | Applied Materials, Inc. | Reflector for a semiconductor processing chamber |
| US5846096A (en) * | 1996-02-29 | 1998-12-08 | Hirose Electric Co., Ltd. | PC card electrical connector with expandable ejector |
| WO2003057797A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Sony Corporation | Fluorescent substance, composite material, coating material, paint, ink, artificial skin, method for processing of information on contact with artificial skin, artificial luminescent skin, artificial luminescent hair, luminescent element, electronic device, luminescent system, display system, flexible luminescent material, |
| JP2006032627A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 |
| JP2006032628A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 |
| JP2006351827A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP2254968A patent/JP3013418B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576564A (en) * | 1993-12-28 | 1996-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Ferroelectric thin film with intermediate buffer layer |
| US5846096A (en) * | 1996-02-29 | 1998-12-08 | Hirose Electric Co., Ltd. | PC card electrical connector with expandable ejector |
| EP0826985A1 (en) * | 1996-08-28 | 1998-03-04 | Applied Materials, Inc. | Reflector for a semiconductor processing chamber |
| WO2003057797A1 (en) * | 2001-12-28 | 2003-07-17 | Sony Corporation | Fluorescent substance, composite material, coating material, paint, ink, artificial skin, method for processing of information on contact with artificial skin, artificial luminescent skin, artificial luminescent hair, luminescent element, electronic device, luminescent system, display system, flexible luminescent material, |
| JP2006032627A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 |
| JP2006032628A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、圧電アクチュエーター、圧電ポンプ、インクジェット式記録ヘッド、インクジェットプリンター、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、薄膜圧電共振器、および電子機器 |
| JP2006351827A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3013418B2 (ja) | 2000-02-28 |
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