JPH04133451A - 半導体集積回路パッケージ - Google Patents
半導体集積回路パッケージInfo
- Publication number
- JPH04133451A JPH04133451A JP2256695A JP25669590A JPH04133451A JP H04133451 A JPH04133451 A JP H04133451A JP 2256695 A JP2256695 A JP 2256695A JP 25669590 A JP25669590 A JP 25669590A JP H04133451 A JPH04133451 A JP H04133451A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- chip
- circuit chip
- package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/63—Vias, e.g. via plugs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、半導体集積回路用パッケージに関し、特に熱
抵抗の低いセラミックパッケージに関する。
抵抗の低いセラミックパッケージに関する。
[従来の技術]
従来、この種の半導体集積回路用パッケージは、半導体
集積回路チップを導電性接着剤を介してセラミックケー
スに実装し、次に金属あるいはセラミック材料で気密封
止して半導体集積回路パッケージを構成するのが一般的
であった。そして、半導体集積回路チップを実装するセ
ラミックケースには、その内部に配線導体を含みながら
ヒートシンクとしての作用を有するものと、配線導体を
含まずヒートシンクのみの作用を有するものとの2種類
があった。
集積回路チップを導電性接着剤を介してセラミックケー
スに実装し、次に金属あるいはセラミック材料で気密封
止して半導体集積回路パッケージを構成するのが一般的
であった。そして、半導体集積回路チップを実装するセ
ラミックケースには、その内部に配線導体を含みながら
ヒートシンクとしての作用を有するものと、配線導体を
含まずヒートシンクのみの作用を有するものとの2種類
があった。
〔発明が解決しようとする課題]
上述した従来の半導体集積回路パッケージに、消費電力
の太きい、つまり発熱量の大きい半導体集積回路チップ
を実装すると、パッケージのもつ高い熱抵抗のため、半
導体集積回路チップの熱による破壊が発生しやすいとい
う欠点があった。更に半導体集積回路パッケージのキャ
ップに放熱フィンを設けてパッケージの熱抵抗を下げる
というパッケージ構造の場合も、ある値以上のハイパワ
ーの半導体集積回路チップに対しては十分でないという
欠点を有していた。
の太きい、つまり発熱量の大きい半導体集積回路チップ
を実装すると、パッケージのもつ高い熱抵抗のため、半
導体集積回路チップの熱による破壊が発生しやすいとい
う欠点があった。更に半導体集積回路パッケージのキャ
ップに放熱フィンを設けてパッケージの熱抵抗を下げる
というパッケージ構造の場合も、ある値以上のハイパワ
ーの半導体集積回路チップに対しては十分でないという
欠点を有していた。
本発明の目的は半導体集積回路チップの放熱効果を向上
した半導体集積回路パッケージを提供することにある。
した半導体集積回路パッケージを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路
パッケージにおいては、半導体集積回路チップと、実装
構造体と、金属柱とを有する半導体集積回路パッケージ
であって、 半導体集積回路チップは、実装構造体に実装されたもの
であり、 実装構造体は、実装された半導体集積回路チップを気密
封止するものであり、 金属柱は、実装構造体に埋設され、駆動時に半導体集積
回路チップに生ずる熱を放熱するものである。
パッケージにおいては、半導体集積回路チップと、実装
構造体と、金属柱とを有する半導体集積回路パッケージ
であって、 半導体集積回路チップは、実装構造体に実装されたもの
であり、 実装構造体は、実装された半導体集積回路チップを気密
封止するものであり、 金属柱は、実装構造体に埋設され、駆動時に半導体集積
回路チップに生ずる熱を放熱するものである。
[作用〕
半導体集積回路チップlに対向し、かつ隣接して金属柱
7が設けられている。これにより、金属柱7を介してチ
ップ1からの熱が効率的に放熱される。
7が設けられている。これにより、金属柱7を介してチ
ップ1からの熱が効率的に放熱される。
[実施例]
次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1)
第1図は、本発明の実施例1を示す縦断面図である。
図において、半導体集積回路チップlは、配線導体2を
含むセラミック配線構造体3の表面に実装され、配線導
体2は、外部接続端子4に接続されている。ここに、セ
ラミック配線構造体3は、チップ1を実装する実装構造
体を構成する。5は半導体集積回路チップ]と配線導体
2を接続する接続線であり、6は、気密封止用キャップ
である。
含むセラミック配線構造体3の表面に実装され、配線導
体2は、外部接続端子4に接続されている。ここに、セ
ラミック配線構造体3は、チップ1を実装する実装構造
体を構成する。5は半導体集積回路チップ]と配線導体
2を接続する接続線であり、6は、気密封止用キャップ
である。
セラミック配線構造体3の内部には、半導体集積回路チ
ップ1と配線導体2の両者と電気的に絶縁し、かつ半導
体集積回路チップ1に対向し、かつ隣接して複数の金属
柱7,7.・・・が設けられている。
ップ1と配線導体2の両者と電気的に絶縁し、かつ半導
体集積回路チップ1に対向し、かつ隣接して複数の金属
柱7,7.・・・が設けられている。
この隣接した金属柱7によって半導体集積回路チップ1
からの熱を効率的に放熱する。つまりセラミック配線構
造体3の熱伝導率を高めることができる。一方、セラミ
ック配線構造体3の熱応力は金属柱7との一体化によっ
て増加するので、金属柱7を多数個設ける場合は注意が
必要であるが、この場合、半導体集積回路チップ1と金
属柱7とが分離されているため、熱応力的には軽微であ
る。
からの熱を効率的に放熱する。つまりセラミック配線構
造体3の熱伝導率を高めることができる。一方、セラミ
ック配線構造体3の熱応力は金属柱7との一体化によっ
て増加するので、金属柱7を多数個設ける場合は注意が
必要であるが、この場合、半導体集積回路チップ1と金
属柱7とが分離されているため、熱応力的には軽微であ
る。
8はヒートシンクであり、セラミック配線構造体3によ
る放熱で十分でないとき設けられる。
る放熱で十分でないとき設けられる。
(実施例2)
第2図は、本発明の実施例2を示す縦断面図である。
本実施例では、半導体集積回路チップlを導電性接着剤
10によって、セラミックより構成されるセラミック封
止構造体9上に実装した例である。
10によって、セラミックより構成されるセラミック封
止構造体9上に実装した例である。
ここに、セラミック封止構造体9は、チップ1を実装す
る実装構造体を構成する。セラミツク封止構造体9内部
に半導体集積回路チップ1と絶縁して、かつ半導体集積
回路チップlに対向し、かつ隣接して金属柱7を複数個
設け、セラミック封止構造体9の熱伝導率を向上させる
ことは、前記第1図に示す実施例に示す場合と同じであ
る。
る実装構造体を構成する。セラミツク封止構造体9内部
に半導体集積回路チップ1と絶縁して、かつ半導体集積
回路チップlに対向し、かつ隣接して金属柱7を複数個
設け、セラミック封止構造体9の熱伝導率を向上させる
ことは、前記第1図に示す実施例に示す場合と同じであ
る。
[発明の効果]
以上説明したように本発明はセラミック配線構造体内部
、あるいはセラミック封止構造体内部に金属柱を埋込む
ことにより、半導体集積回路チップの放熱効果を高め、
熱抵抗の小さい半導体集積回路パッケージを実現できる
効果がある。
、あるいはセラミック封止構造体内部に金属柱を埋込む
ことにより、半導体集積回路チップの放熱効果を高め、
熱抵抗の小さい半導体集積回路パッケージを実現できる
効果がある。
第1図は、本発明の実施例1を示す縦断面図、第2図は
、本発明の実施例2を示す縦断面図である。 ■・・・半導体集積回路チップ 2・・・配線導体3・
・・セラミック配線構造体 4・・・外部接続端子5・
・・接続線 6・・・キャップ7・・
・金属柱 8・・・ヒートシンク9・
・・セラミック封止構造体 10・・・導電性接着剤特
許出願人 日本電気株式会社 第 図
、本発明の実施例2を示す縦断面図である。 ■・・・半導体集積回路チップ 2・・・配線導体3・
・・セラミック配線構造体 4・・・外部接続端子5・
・・接続線 6・・・キャップ7・・
・金属柱 8・・・ヒートシンク9・
・・セラミック封止構造体 10・・・導電性接着剤特
許出願人 日本電気株式会社 第 図
Claims (1)
- (1)半導体集積回路チップと、実装構造体と、金属柱
とを有する半導体集積回路パッケージであって、 半導体集積回路チップは、実装構造体に実装されたもの
であり、 実装構造体は、実装された半導体集積回路チップを気密
封止するものであり、 金属柱は、実装構造体に埋設され、駆動時に半導体集積
回路チップに生ずる熱を放熱するものであることを特徴
とする半導体集積回路パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256695A JPH04133451A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体集積回路パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256695A JPH04133451A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体集積回路パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04133451A true JPH04133451A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17296196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256695A Pending JPH04133451A (ja) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | 半導体集積回路パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04133451A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675183A (en) * | 1995-07-12 | 1997-10-07 | Dell Usa Lp | Hybrid multichip module and methods of fabricating same |
| US6812066B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-11-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having an interconnecting post formed on an interposer within a sealing resin |
-
1990
- 1990-09-26 JP JP2256695A patent/JPH04133451A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5675183A (en) * | 1995-07-12 | 1997-10-07 | Dell Usa Lp | Hybrid multichip module and methods of fabricating same |
| US6812066B2 (en) * | 2000-12-04 | 2004-11-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having an interconnecting post formed on an interposer within a sealing resin |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR930002804B1 (ko) | 수지밀봉형 반도체장치 | |
| US6566164B1 (en) | Exposed copper strap in a semiconductor package | |
| US5705851A (en) | Thermal ball lead integrated package | |
| JPH0312781B2 (ja) | ||
| CN102983114B (zh) | 具有超薄封装的高性能功率晶体管 | |
| US20040124508A1 (en) | High performance chip scale leadframe package and method of manufacturing the package | |
| KR102172689B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
| JPH0492462A (ja) | 半導体装置 | |
| US5939781A (en) | Thermally enhanced integrated circuit packaging system | |
| JP5172290B2 (ja) | 半導体装置 | |
| EP1531494A2 (en) | Double-sided multi-chip circuit component | |
| JPH02310954A (ja) | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPS58154254A (ja) | 半導体装置 | |
| US5517058A (en) | Semiconductor package and method with vertically extended electrode leads | |
| JPH02201949A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04133451A (ja) | 半導体集積回路パッケージ | |
| JPS63308943A (ja) | 半導体装置 | |
| US8482019B2 (en) | Electronic light emitting device and method for fabricating the same | |
| JPH02278856A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR102378171B1 (ko) | 커플드 반도체 패키지 | |
| KR102228938B1 (ko) | 커플드 반도체 패키지 | |
| JPH06326236A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP2765242B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| US20250201666A1 (en) | Power Module For An Electronic Computing Device | |
| KR101443987B1 (ko) | 반도체 모듈 패키지 |