JPH04133451A - 半導体集積回路パッケージ - Google Patents

半導体集積回路パッケージ

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Publication number
JPH04133451A
JPH04133451A JP2256695A JP25669590A JPH04133451A JP H04133451 A JPH04133451 A JP H04133451A JP 2256695 A JP2256695 A JP 2256695A JP 25669590 A JP25669590 A JP 25669590A JP H04133451 A JPH04133451 A JP H04133451A
Authority
JP
Japan
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integrated circuit
semiconductor integrated
chip
circuit chip
package
Prior art date
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Pending
Application number
JP2256695A
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English (en)
Inventor
Takeo Yoshikawa
吉川 武夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04133451A publication Critical patent/JPH04133451A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • HELECTRICITY
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    • H10W90/731Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路用パッケージに関し、特に熱
抵抗の低いセラミックパッケージに関する。
[従来の技術] 従来、この種の半導体集積回路用パッケージは、半導体
集積回路チップを導電性接着剤を介してセラミックケー
スに実装し、次に金属あるいはセラミック材料で気密封
止して半導体集積回路パッケージを構成するのが一般的
であった。そして、半導体集積回路チップを実装するセ
ラミックケースには、その内部に配線導体を含みながら
ヒートシンクとしての作用を有するものと、配線導体を
含まずヒートシンクのみの作用を有するものとの2種類
があった。
〔発明が解決しようとする課題] 上述した従来の半導体集積回路パッケージに、消費電力
の太きい、つまり発熱量の大きい半導体集積回路チップ
を実装すると、パッケージのもつ高い熱抵抗のため、半
導体集積回路チップの熱による破壊が発生しやすいとい
う欠点があった。更に半導体集積回路パッケージのキャ
ップに放熱フィンを設けてパッケージの熱抵抗を下げる
というパッケージ構造の場合も、ある値以上のハイパワ
ーの半導体集積回路チップに対しては十分でないという
欠点を有していた。
本発明の目的は半導体集積回路チップの放熱効果を向上
した半導体集積回路パッケージを提供することにある。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するため、本発明に係る半導体集積回路
パッケージにおいては、半導体集積回路チップと、実装
構造体と、金属柱とを有する半導体集積回路パッケージ
であって、 半導体集積回路チップは、実装構造体に実装されたもの
であり、 実装構造体は、実装された半導体集積回路チップを気密
封止するものであり、 金属柱は、実装構造体に埋設され、駆動時に半導体集積
回路チップに生ずる熱を放熱するものである。
[作用〕 半導体集積回路チップlに対向し、かつ隣接して金属柱
7が設けられている。これにより、金属柱7を介してチ
ップ1からの熱が効率的に放熱される。
[実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第1図は、本発明の実施例1を示す縦断面図である。
図において、半導体集積回路チップlは、配線導体2を
含むセラミック配線構造体3の表面に実装され、配線導
体2は、外部接続端子4に接続されている。ここに、セ
ラミック配線構造体3は、チップ1を実装する実装構造
体を構成する。5は半導体集積回路チップ]と配線導体
2を接続する接続線であり、6は、気密封止用キャップ
である。
セラミック配線構造体3の内部には、半導体集積回路チ
ップ1と配線導体2の両者と電気的に絶縁し、かつ半導
体集積回路チップ1に対向し、かつ隣接して複数の金属
柱7,7.・・・が設けられている。
この隣接した金属柱7によって半導体集積回路チップ1
からの熱を効率的に放熱する。つまりセラミック配線構
造体3の熱伝導率を高めることができる。一方、セラミ
ック配線構造体3の熱応力は金属柱7との一体化によっ
て増加するので、金属柱7を多数個設ける場合は注意が
必要であるが、この場合、半導体集積回路チップ1と金
属柱7とが分離されているため、熱応力的には軽微であ
る。
8はヒートシンクであり、セラミック配線構造体3によ
る放熱で十分でないとき設けられる。
(実施例2) 第2図は、本発明の実施例2を示す縦断面図である。
本実施例では、半導体集積回路チップlを導電性接着剤
10によって、セラミックより構成されるセラミック封
止構造体9上に実装した例である。
ここに、セラミック封止構造体9は、チップ1を実装す
る実装構造体を構成する。セラミツク封止構造体9内部
に半導体集積回路チップ1と絶縁して、かつ半導体集積
回路チップlに対向し、かつ隣接して金属柱7を複数個
設け、セラミック封止構造体9の熱伝導率を向上させる
ことは、前記第1図に示す実施例に示す場合と同じであ
る。
[発明の効果] 以上説明したように本発明はセラミック配線構造体内部
、あるいはセラミック封止構造体内部に金属柱を埋込む
ことにより、半導体集積回路チップの放熱効果を高め、
熱抵抗の小さい半導体集積回路パッケージを実現できる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例1を示す縦断面図、第2図は
、本発明の実施例2を示す縦断面図である。 ■・・・半導体集積回路チップ 2・・・配線導体3・
・・セラミック配線構造体 4・・・外部接続端子5・
・・接続線         6・・・キャップ7・・
・金属柱         8・・・ヒートシンク9・
・・セラミック封止構造体 10・・・導電性接着剤特
許出願人  日本電気株式会社 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路チップと、実装構造体と、金属柱
    とを有する半導体集積回路パッケージであって、 半導体集積回路チップは、実装構造体に実装されたもの
    であり、 実装構造体は、実装された半導体集積回路チップを気密
    封止するものであり、 金属柱は、実装構造体に埋設され、駆動時に半導体集積
    回路チップに生ずる熱を放熱するものであることを特徴
    とする半導体集積回路パッケージ。
JP2256695A 1990-09-26 1990-09-26 半導体集積回路パッケージ Pending JPH04133451A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2256695A JPH04133451A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 半導体集積回路パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

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JP2256695A JPH04133451A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 半導体集積回路パッケージ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04133451A true JPH04133451A (ja) 1992-05-07

Family

ID=17296196

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2256695A Pending JPH04133451A (ja) 1990-09-26 1990-09-26 半導体集積回路パッケージ

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JP (1) JPH04133451A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675183A (en) * 1995-07-12 1997-10-07 Dell Usa Lp Hybrid multichip module and methods of fabricating same
US6812066B2 (en) * 2000-12-04 2004-11-02 Fujitsu Limited Semiconductor device having an interconnecting post formed on an interposer within a sealing resin

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675183A (en) * 1995-07-12 1997-10-07 Dell Usa Lp Hybrid multichip module and methods of fabricating same
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