JPH04134618A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04134618A JPH04134618A JP2253224A JP25322490A JPH04134618A JP H04134618 A JPH04134618 A JP H04134618A JP 2253224 A JP2253224 A JP 2253224A JP 25322490 A JP25322490 A JP 25322490A JP H04134618 A JPH04134618 A JP H04134618A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film layer
- recording medium
- magnetic
- magnetic recording
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気ディスクドライブ装置用の磁気記録媒体
に関する。
に関する。
従来の技術
第２図は従来の磁気記録媒体の部分拡大断面図である。
同図において、１１はＡｔ！ −Ｍｇ合金基板、１２は
基板１１の上に湿式メッキ法によって形成されたＮｉ−
Ｐメッキ膜層であり、Ｎｉ −Ｐメッキ膜層１２の表面
は鏡面加工した後にテキスチャ加工を施しである。Ｎｉ
−Ｐメッキ膜層１２は、一般に下地処理膜とも言われて
いる。１３はＮｉ−Ｐメッキ膜層１２の上に形成された
下地膜層で、下地膜層１３はＣｒで構成されている。１
４は下地膜層１３の上に形成された磁性膜層で、磁性膜
層１４はＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−ＴａまたはＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔの合金磁性材料で構成されている。１５
は磁性膜層１４の上に形成された保護膜層で、保護膜層
１５はＣｒで構成されている。１６は保護膜層１５の上
に形成された潤滑膜層で、潤滑膜層１６はＣで構成され
ている。なお、下地膜層１３．磁性膜層１４．保護膜層
１５．潤滑膜層１６は順次に連続式インライン・スパッ
タ装置で成膜されている。
基板１１の上に湿式メッキ法によって形成されたＮｉ−
Ｐメッキ膜層であり、Ｎｉ −Ｐメッキ膜層１２の表面
は鏡面加工した後にテキスチャ加工を施しである。Ｎｉ
−Ｐメッキ膜層１２は、一般に下地処理膜とも言われて
いる。１３はＮｉ−Ｐメッキ膜層１２の上に形成された
下地膜層で、下地膜層１３はＣｒで構成されている。１
４は下地膜層１３の上に形成された磁性膜層で、磁性膜
層１４はＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−ＴａまたはＣ
ｏ−Ｃｒ−Ｐｔの合金磁性材料で構成されている。１５
は磁性膜層１４の上に形成された保護膜層で、保護膜層
１５はＣｒで構成されている。１６は保護膜層１５の上
に形成された潤滑膜層で、潤滑膜層１６はＣで構成され
ている。なお、下地膜層１３．磁性膜層１４．保護膜層
１５．潤滑膜層１６は順次に連続式インライン・スパッ
タ装置で成膜されている。
近年、磁気ディスクドライブ装置の小型化、大容量化の
ために磁気記録媒体の高密度化が研究開発されている。
ために磁気記録媒体の高密度化が研究開発されている。
この高密度化を実現するための手段として現在一般的に
進められているのは、磁気記録媒体のトラック幅を狭く
するトラック密度の向上や、ビット間隔を狭くする線密
度の向上である。しかしながら、磁気記録媒体のトラッ
ク密度および線密度を向上させて行くと、再生出力Ｃが
小さくなり、ノイズＮの占める割合（Ｃ／Ｎ比）が大き
くなるという問題点を有している。言い換えると、記録
密度特性が向上してもＣ／Ｎ比が十分に得られなければ
、高密度磁気記録媒体として使用することが困難である
。この問題点を解決するために、磁性膜の保磁力Ｈｅを
太き（するための研究開発や、ノイズＮの発生原因とな
る磁性膜の磁気的な粒子間相互作用を小さくするための
研究開発が進められている。
進められているのは、磁気記録媒体のトラック幅を狭く
するトラック密度の向上や、ビット間隔を狭くする線密
度の向上である。しかしながら、磁気記録媒体のトラッ
ク密度および線密度を向上させて行くと、再生出力Ｃが
小さくなり、ノイズＮの占める割合（Ｃ／Ｎ比）が大き
くなるという問題点を有している。言い換えると、記録
密度特性が向上してもＣ／Ｎ比が十分に得られなければ
、高密度磁気記録媒体として使用することが困難である
。この問題点を解決するために、磁性膜の保磁力Ｈｅを
太き（するための研究開発や、ノイズＮの発生原因とな
る磁性膜の磁気的な粒子間相互作用を小さくするための
研究開発が進められている。
ノイズＮの発生原因となる磁性膜の磁気的な粒子間相互
作用について説明する。
作用について説明する。
一般にスパッタ法等を用いて薄膜を形成すると、第３図
に示すように下地基板２１の上に小さな柱状晶２２とな
ってスパッタ薄膜２３が形成される。このような柱状晶
は、薄膜の形成条件や材料絃成等によって様々なものが
できるといわれている。磁性膜の場合は、この柱状晶で
ある結晶粒の粒径が小さく、かつ、粒子と粒子おの間が
磁気的に分離され、互いに影響を及ぼさないようにする
と、磁壁移動が抑制されノイズＮが低下すると言われて
おり、様々な研究開発が進められている。
に示すように下地基板２１の上に小さな柱状晶２２とな
ってスパッタ薄膜２３が形成される。このような柱状晶
は、薄膜の形成条件や材料絃成等によって様々なものが
できるといわれている。磁性膜の場合は、この柱状晶で
ある結晶粒の粒径が小さく、かつ、粒子と粒子おの間が
磁気的に分離され、互いに影響を及ぼさないようにする
と、磁壁移動が抑制されノイズＮが低下すると言われて
おり、様々な研究開発が進められている。
また、静磁気特性の面から説明すると次のようになる。
第４図は磁気記録媒体のヒステリシス曲線を示すもので
ある。一般に保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、残留磁束
密度Ｂｒ、角形比５（−Ｂｒ／Ｂｓ）、保磁力角形比Ｓ
′″（＝ｂ／ａ）のパラメータを用いて評価を行う。こ
こで、Ｓ′″の小さい磁性膜は、粒子間相互作用が小さ
く、ノイズが低いことが学会等でよく言われている。す
なわち、理想的には、Ｈｃが大きく、Ｓが太きく、ｓ”
が小さいことが望ましいと考えられている。
ある。一般に保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓ、残留磁束
密度Ｂｒ、角形比５（−Ｂｒ／Ｂｓ）、保磁力角形比Ｓ
′″（＝ｂ／ａ）のパラメータを用いて評価を行う。こ
こで、Ｓ′″の小さい磁性膜は、粒子間相互作用が小さ
く、ノイズが低いことが学会等でよく言われている。す
なわち、理想的には、Ｈｃが大きく、Ｓが太きく、ｓ”
が小さいことが望ましいと考えられている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、従来のＮｉ−Ｐメッキ膜層上にＣｒ膜層
およびＣｏ系合金磁性膜層を形成した磁気記録媒体では
、薄膜形成条件を最適化してノイズ低減の対策を行うに
しても限界があり、さらにノイズを小さくするための新
しい研究開発が必要とされる。
およびＣｏ系合金磁性膜層を形成した磁気記録媒体では
、薄膜形成条件を最適化してノイズ低減の対策を行うに
しても限界があり、さらにノイズを小さくするための新
しい研究開発が必要とされる。
本発明は、従来の磁気記録媒体よりさらにノイズを低減
させ、より高密度な磁気ディスクドライブ装置が可能と
なる磁気記録媒体を提供することを目的としている。
させ、より高密度な磁気ディスクドライブ装置が可能と
なる磁気記録媒体を提供することを目的としている。
課題を解決するための手段
上記の目的を達成するために本発明の磁気記録媒体は、
非磁性基板とＣｏ系合金磁性膜層の下地膜層であるＣｒ
膜層との間に、Ｃｕ膜層を形成したことを特徴とするも
のである。
非磁性基板とＣｏ系合金磁性膜層の下地膜層であるＣｒ
膜層との間に、Ｃｕ膜層を形成したことを特徴とするも
のである。
作用
本発明は上記の構成により、Ｃｏ系合金磁性膜層の容易
軸方向か膜面に対して垂直方向となる。
軸方向か膜面に対して垂直方向となる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する
。
。
実施例１
第１図は、本発明の一実施例における磁気記録媒体の部
分拡大断面図である。同図において、１は非磁性基板、
２は膜厚２００ＯＡのＣｕ膜層、３はＣｕ膜層２の上に
形成されＣｒで構成された膜厚５００人の下地膜層、４
は下地膜Ｈ３の上に形成されＣ０７ＯＮ ｉ ７（ＩＣ
ｒ ｔｏ合金磁性材料で構成された膜厚６００Ａの磁性
薄膜、５は磁性膜層４の上に形成され磁性膜層４が腐食
するのを防止するためのＣｒで構成された保護膜層であ
る。６は保護膜層５の上に形成された炭素（Ｃ）で構成
された潤滑膜層である。なお、この磁気記録媒体の作成
は次のように行った。非磁性基板Ｉとしてダイヤターン
加工を施し鏡面となったＡｌ −Ｍｇ合金基板を用い、
この基板の上に乾式メッキ法であるスパッタ法にてＣｕ
膜層２を２０００Ａの膜厚に成膜し、その後、Ｃｕ膜層
２の表面にテクスチャ加工を施した。そして次に連続式
インライン・スパッタ装置にて順次Ｃｒ膜層３．ＣｏＮ
ｉＣｒ膜層４゜Ｃｒ膜層５．Ｃ膜層６を形成した磁気記
録媒体である。以上のように構成された磁気記録媒体は
、Ｓ”が小さく、ノイズＮが低いため、Ｃ／Ｎ比が非常
に大きい。その結果を第１表に示す。
分拡大断面図である。同図において、１は非磁性基板、
２は膜厚２００ＯＡのＣｕ膜層、３はＣｕ膜層２の上に
形成されＣｒで構成された膜厚５００人の下地膜層、４
は下地膜Ｈ３の上に形成されＣ０７ＯＮ ｉ ７（ＩＣ
ｒ ｔｏ合金磁性材料で構成された膜厚６００Ａの磁性
薄膜、５は磁性膜層４の上に形成され磁性膜層４が腐食
するのを防止するためのＣｒで構成された保護膜層であ
る。６は保護膜層５の上に形成された炭素（Ｃ）で構成
された潤滑膜層である。なお、この磁気記録媒体の作成
は次のように行った。非磁性基板Ｉとしてダイヤターン
加工を施し鏡面となったＡｌ −Ｍｇ合金基板を用い、
この基板の上に乾式メッキ法であるスパッタ法にてＣｕ
膜層２を２０００Ａの膜厚に成膜し、その後、Ｃｕ膜層
２の表面にテクスチャ加工を施した。そして次に連続式
インライン・スパッタ装置にて順次Ｃｒ膜層３．ＣｏＮ
ｉＣｒ膜層４゜Ｃｒ膜層５．Ｃ膜層６を形成した磁気記
録媒体である。以上のように構成された磁気記録媒体は
、Ｓ”が小さく、ノイズＮが低いため、Ｃ／Ｎ比が非常
に大きい。その結果を第１表に示す。
（以 下 余 白）
同表において、比較例１は下地膜層としてＮｉ −Ｐメ
ッキ膜層を設げた従来品、比較例２と比較例３は下地膜
層としてそれぞれＴｉとＡｌを用いたものである。
ッキ膜層を設げた従来品、比較例２と比較例３は下地膜
層としてそれぞれＴｉとＡｌを用いたものである。
なお、各々の下地処理膜の表面にはテクスチャ加工を施
してあり、また各々の下地処理膜の上には、同一の成膜
条件で下地Ｃｒ膜層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜層、保護膜層
、潤滑膜層が順次に成膜しである。
してあり、また各々の下地処理膜の上には、同一の成膜
条件で下地Ｃｒ膜層、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ膜層、保護膜層
、潤滑膜層が順次に成膜しである。
同表から明らかなように実施例１は、角形比Ｓ。
記録再生出力ＣおよびＤｓｏは比較例１〜３とほぼ同一
であるが、Ｓ宰が小さく、Ｈｃが大きくなっている。特
にＣ／Ｎ比は従来品より３ｄＢも向上している。すなわ
ち、実施例１は、比較例１（従来品）よりもノイズＮが
３ｄＢ低減していることが分る。また、比較例２と比較
例３では、Ｓが小さくなり、記録再生出力Ｃも小さくな
っており［）ｓｏは低下し、Ｃ／Ｎ比も悪くなっている
。このことから、本発明においては、Ｃｕ膜層の存在が
大きな効果をもたらすものと考えられる。
であるが、Ｓ宰が小さく、Ｈｃが大きくなっている。特
にＣ／Ｎ比は従来品より３ｄＢも向上している。すなわ
ち、実施例１は、比較例１（従来品）よりもノイズＮが
３ｄＢ低減していることが分る。また、比較例２と比較
例３では、Ｓが小さくなり、記録再生出力Ｃも小さくな
っており［）ｓｏは低下し、Ｃ／Ｎ比も悪くなっている
。このことから、本発明においては、Ｃｕ膜層の存在が
大きな効果をもたらすものと考えられる。
このような効果が得られる理由としては、Ｃｒ膜層およ
びＣｏ系台金磁性膜層のエピタキシィ的結晶成長は同等
な膜質を有しているためにＳは同等となっていると考え
られる。しかし、形状的には柱状晶の状態が異なり、Ｃ
ｕ膜層を設けた本発明においては、粒子と粒子の間に生
じる磁気的相互作用が弱くなっているために８本が小さ
くなったものと考えられる。すなわち、結晶異方性は膜
面に対して平行な方向が容易軸方向となっているか、形
状異方性は膜面に対して垂直な方向が容易軸方向となっ
ているために、Ｓｔが小さくてＳが大きい磁性膜が得ら
れたものと考えられる。恐ら＜、Ｃｕ膜層の上に形成さ
れたＣｒ膜の成膜初期における核成畏過程が従来品と異
なっていると推察される。
びＣｏ系台金磁性膜層のエピタキシィ的結晶成長は同等
な膜質を有しているためにＳは同等となっていると考え
られる。しかし、形状的には柱状晶の状態が異なり、Ｃ
ｕ膜層を設けた本発明においては、粒子と粒子の間に生
じる磁気的相互作用が弱くなっているために８本が小さ
くなったものと考えられる。すなわち、結晶異方性は膜
面に対して平行な方向が容易軸方向となっているか、形
状異方性は膜面に対して垂直な方向が容易軸方向となっ
ているために、Ｓｔが小さくてＳが大きい磁性膜が得ら
れたものと考えられる。恐ら＜、Ｃｕ膜層の上に形成さ
れたＣｒ膜の成膜初期における核成畏過程が従来品と異
なっていると推察される。
なお、本発明の一実施例では非磁性基板１としてダイヤ
ターン加工を施したＡｌ−Ｍｇ合金基板を用いたが、Ａ
ｌ−Ｍｇ合金母材の上にＮｉ −Ｐメッキを施したメッ
キ基板あるいはプラスチック基板でも第２表に示すよう
に同様の結果を得た。
ターン加工を施したＡｌ−Ｍｇ合金基板を用いたが、Ａ
ｌ−Ｍｇ合金母材の上にＮｉ −Ｐメッキを施したメッ
キ基板あるいはプラスチック基板でも第２表に示すよう
に同様の結果を得た。
また、非磁性基板１としてガラス基板を使用しても同様
な結果が得られた。
な結果が得られた。
また、本発明の一実施例ではＣｕ膜層２の成膜方法とし
て乾式メッキ法であるスパッタ法を用いたが、真空蒸着
法やＣＶＤ法等で成膜したり、電解メッキ法や無電解メ
ッキ法等の湿式メッキ法にて成膜しても同様な結果を得
た。さらにＣｕ膜層に代えてＣｕの合金膜層を設けても
第２表に示すような同様の結果を得ることができた。
て乾式メッキ法であるスパッタ法を用いたが、真空蒸着
法やＣＶＤ法等で成膜したり、電解メッキ法や無電解メ
ッキ法等の湿式メッキ法にて成膜しても同様な結果を得
た。さらにＣｕ膜層に代えてＣｕの合金膜層を設けても
第２表に示すような同様の結果を得ることができた。
本発明の一実施例ではＣｏ系合金磁性膜層としてＣｏＮ
ｉ Ｃｒ膜を使用したが、ＣｏＣｒＴａ膜等の他のＣ
ｏ系合金磁性膜層を使用しても同様な結果を得た。
ｉ Ｃｒ膜を使用したが、ＣｏＣｒＴａ膜等の他のＣ
ｏ系合金磁性膜層を使用しても同様な結果を得た。
発明の効果
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板とＣｏ系合金磁性
膜層の下地膜層であるＣｒ膜層との間に、Ｃｕ膜層を形
成することにより、Ｃｏ系合金磁性膜の容易軸が膜面に
対して垂直方向となるので、静磁気特性である８本を小
さくし、記録再生出力Ｃの低下を引き起こすことなく、
ノイズＮを低減させることができ、従来の磁気記録媒体
に比べ高いＣ／Ｎ比が得られる。このため本発明の磁気
記録媒体を使用すればさらに高密度な磁気ディスクドラ
イブ装置を作成することが可能となる。
膜層の下地膜層であるＣｒ膜層との間に、Ｃｕ膜層を形
成することにより、Ｃｏ系合金磁性膜の容易軸が膜面に
対して垂直方向となるので、静磁気特性である８本を小
さくし、記録再生出力Ｃの低下を引き起こすことなく、
ノイズＮを低減させることができ、従来の磁気記録媒体
に比べ高いＣ／Ｎ比が得られる。このため本発明の磁気
記録媒体を使用すればさらに高密度な磁気ディスクドラ
イブ装置を作成することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例における磁気記録媒体の部分
拡大断面図、第２図は従来の磁気記録媒体の部分拡大断
面図、第３図はスパッタ法等により成膜された薄膜の柱
状晶モデルを示す断面図、第４図は一般の磁気記録媒体
のヒステリシス曲線を示す特性図である。 １・・・・・・非磁性基板、２・・・・・・Ｃｕ膜層、
３・・・・・・Ｃｒ膜層、４・・・・・・Ｃｏ系合金磁
性膜層、５・・自・・保護膜層、６・・・・・・潤滑膜
層。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 はが２８第 図 ／ ｉｆ 瑳 惟 ｍ 仮 第 図
拡大断面図、第２図は従来の磁気記録媒体の部分拡大断
面図、第３図はスパッタ法等により成膜された薄膜の柱
状晶モデルを示す断面図、第４図は一般の磁気記録媒体
のヒステリシス曲線を示す特性図である。 １・・・・・・非磁性基板、２・・・・・・Ｃｕ膜層、
３・・・・・・Ｃｒ膜層、４・・・・・・Ｃｏ系合金磁
性膜層、５・・自・・保護膜層、６・・・・・・潤滑膜
層。 代理人の氏名 弁理士小蝦治明 はが２８第 図 ／ ｉｆ 瑳 惟 ｍ 仮 第 図
Claims (5)
- （１）非磁性基板上に順次Ｃｕ膜層、Ｃｒ膜層、Ｃｏ系
合金磁性膜層、保護膜層、潤滑膜層を形成した磁気記録
媒体。 - （２）Ｃｕ膜層が、湿式メッキ法または乾式メッキ法に
て形成されている請求項１記載の磁気記録媒体。 - （３）Ｃｕ膜層の表面が、テキスチャ加工を施されてい
る請求項１または２記載の磁気記録媒体。 - （４）非磁性基板がプラスチック基板、鏡面加工を施し
たＡｌ−Ｍｇ合金基板、Ａｌ−Ｍｇ合金母材の上にＮｉ
−Ｐメッキを施したメッキ基板のうちのいずれかである
請求項１記載の磁気記録媒体。 - （５）Ｃｕ膜層に代えてＣｕの合金膜層を形成した請求
項１、２または３記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253224A JPH04134618A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253224A JPH04134618A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134618A true JPH04134618A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17248299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253224A Pending JPH04134618A (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134618A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900323A (en) * | 1995-02-20 | 1999-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording drive |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2253224A patent/JPH04134618A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5900323A (en) * | 1995-02-20 | 1999-05-04 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic recording drive |
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