JPH04134718A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH04134718A JPH04134718A JP25863390A JP25863390A JPH04134718A JP H04134718 A JPH04134718 A JP H04134718A JP 25863390 A JP25863390 A JP 25863390A JP 25863390 A JP25863390 A JP 25863390A JP H04134718 A JPH04134718 A JP H04134718A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- recording medium
- magnetic recording
- coercive force
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録媒体に係り、詳しくは、高い保磁力を
有する面内記録用磁気記録媒体に関するものである。
有する面内記録用磁気記録媒体に関するものである。
近年、コンピュータ等の情報処理技術の発達に伴い、そ
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
の外部記憶装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記
録媒体に対し、高密度記録化への要求がますます高めら
れている。
現在、面内記録用磁気ディスクに用いられる磁気記録媒
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってきている。
体の磁性層としては、スパッタリング等によりＣｒ下地
薄膜上に、エピタキシャル的に成膜されたＣｏ系合金薄
膜が主流となってきている。
しかして、このＣＯ系合金薄膜磁性層についても、高密
度記録化への要求に対し、磁気特性としてより高い保磁
力を付与することが必要とされており、従来より、その
特性についての報告が、゛数多くなされている。（例え
ば、“Ｎｅｗ ｌｏｎｇｉ −ｔｕｄｉｎａｌ ｒ
ｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄ−ｉａ Ｃｏｘ Ｎｉ
ｙ Ｃｒｚ ｆｒｏｍｈｉｇｈ ｒａｔｅ ５
ｔａｔｉｃ ｍａｇ−ｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅ
ｒｌｎｇ ｓｙｓｔｅｍ 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、Ｍａｇｎ。
度記録化への要求に対し、磁気特性としてより高い保磁
力を付与することが必要とされており、従来より、その
特性についての報告が、゛数多くなされている。（例え
ば、“Ｎｅｗ ｌｏｎｇｉ −ｔｕｄｉｎａｌ ｒ
ｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄ−ｉａ Ｃｏｘ Ｎｉ
ｙ Ｃｒｚ ｆｒｏｍｈｉｇｈ ｒａｔｅ ５
ｔａｔｉｃ ｍａｇ−ｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅ
ｒｌｎｇ ｓｙｓｔｅｍ 、ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、Ｍａｇｎ。
Ｍａｇ−２２，Ｎα５．（１９８６）、３３４；特開昭
６３−７９２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公
報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、ＣＯ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地薄膜の膜厚が１５００Å
以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾向
が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低下
し、実用上問題があることが示されている。
６３−７９２３３号公報；特開昭６３−７９９６８号公
報。） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来報告されているように、ＣＯ系合金薄膜磁性層の保
磁力は、Ｃｒ下地薄膜の膜厚とともに増大する。しかし
ながら、ある上限値を超えると飽和特性を示し、それ以
上の高保磁力化は困難である。例えば、特開昭６３−７
９９６８号公報には、Ｃｒ下地薄膜の膜厚が１５００Å
以上では磁性層の保磁力がそれ以上上昇しない飽和傾向
が認められ、それ以下では磁性層の保磁力が著しく低下
し、実用上問題があることが示されている。
また、この保磁力は、Ｃｏ系合金薄膜の膜厚の低減によ
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
り増加する。しかしながら、膜厚の低減は再生出力値の
低下につながるため、実用上、所定の膜厚以下に薄くす
ることは困難である。更に、磁性層の成膜時における成
膜ガス圧力、基板温度などのスパッタ条件の選択により
、ある程度の保磁力の向上は可能であるが、その向上効
果は小さいものである。
また、上記磁性層の保磁力を向上させる方法として、Ｃ
ｏ系合金にＰｔを添加したＣｏ−Ｐｔ系合金を用いるこ
とが種々提案されており（例えば、特開昭５９−８８８
０６号公報、同６１−１４２５２４号公報、同６３−１
８７６１４号公報等）、その保磁力は約１５００Ｏｅ程
度まで増加しているが、今だ充分とは言いがたい。
ｏ系合金にＰｔを添加したＣｏ−Ｐｔ系合金を用いるこ
とが種々提案されており（例えば、特開昭５９−８８８
０６号公報、同６１−１４２５２４号公報、同６３−１
８７６１４号公報等）、その保磁力は約１５００Ｏｅ程
度まで増加しているが、今だ充分とは言いがたい。
〔課題を解決するための手段］
本発明者等は上記従来技術の状況に鑑み、磁気記録媒体
の保磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結果、
非磁性基板上にクロムを主成分とする下地層を介して、
特定組成の合金磁性層が、非磁性基板側に特定電位の負
のノ＼イアス電位を印加した状態でスパッタリングによ
り形成された磁気記録媒体は保磁力が著しく向上するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
の保磁力を更に向上させるべく鋭意検討を重ねた結果、
非磁性基板上にクロムを主成分とする下地層を介して、
特定組成の合金磁性層が、非磁性基板側に特定電位の負
のノ＼イアス電位を印加した状態でスパッタリングによ
り形成された磁気記録媒体は保磁力が著しく向上するこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。
ＨＶち、本発明の要旨は、非磁性基板上にクロムを主成
分とする下地層を介して、コバルトを主成分とし、クロ
ムを５〜２０原子％、タンタルを０〜８原子％、及び白
金を１〜２０原子％含有する合金磁性層が、非磁性基板
に一７０Ｖ以下の負のバイアス電位を印加した状態でス
パッタリングにより形成されたものであることを特徴と
する磁気記録媒体、に存する。
分とする下地層を介して、コバルトを主成分とし、クロ
ムを５〜２０原子％、タンタルを０〜８原子％、及び白
金を１〜２０原子％含有する合金磁性層が、非磁性基板
に一７０Ｖ以下の負のバイアス電位を印加した状態でス
パッタリングにより形成されたものであることを特徴と
する磁気記録媒体、に存する。
以下に本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、クロムを主
成分とする下地層を介して、コバルトを主成分としクロ
ムを５〜２０原子％、タンタルを０〜８原子％、及び白
金を１〜２０原子％含有する合金磁性層が、非磁性基板
に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加した状態でス
パッタリングにより形成されたものであることを特徴と
する。
成分とする下地層を介して、コバルトを主成分としクロ
ムを５〜２０原子％、タンタルを０〜８原子％、及び白
金を１〜２０原子％含有する合金磁性層が、非磁性基板
に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加した状態でス
パッタリングにより形成されたものであることを特徴と
する。
本発明に用いられる非磁性基板としては特に制限はない
が、一般に金属、特にアルミニウム合金のディスク状基
板が用いられ、通常、アルミニウム合金基板を所定の条
件に加工したものに、第１次下地層として硬質非磁性層
、例えばＮ１−Ｐ層を無電解メツキ法により形成し、そ
の表面を鏡面研磨したものが用いられる。
が、一般に金属、特にアルミニウム合金のディスク状基
板が用いられ、通常、アルミニウム合金基板を所定の条
件に加工したものに、第１次下地層として硬質非磁性層
、例えばＮ１−Ｐ層を無電解メツキ法により形成し、そ
の表面を鏡面研磨したものが用いられる。
このような非磁性基板上にＣｒを主成分とする下地層（
以下ｒｃｒ下地層」と称することがある。）を形成する
スパッタリング条件としては特に制限はなく、通常のＣ
ｒ系下地層を形成する際に採用されるスパッタリング条
件を採用することができる。その際、基板に負のバイア
ス電位を印加しても印加しなくてもよいが、印加した場
合は磁気特性が多少向上する。Ｃｒ下地層はＣｒを主体
とするものであれば良く、Ｃｒの結晶性を損なわない限
りＣｒ以外の元素を数％含んでいてもよい。また、該Ｃ
ｒ下地層の膜厚としては通常１０〜３０００人、中でも
５０〜２０００人の範囲が好適である。
以下ｒｃｒ下地層」と称することがある。）を形成する
スパッタリング条件としては特に制限はなく、通常のＣ
ｒ系下地層を形成する際に採用されるスパッタリング条
件を採用することができる。その際、基板に負のバイア
ス電位を印加しても印加しなくてもよいが、印加した場
合は磁気特性が多少向上する。Ｃｒ下地層はＣｒを主体
とするものであれば良く、Ｃｒの結晶性を損なわない限
りＣｒ以外の元素を数％含んでいてもよい。また、該Ｃ
ｒ下地層の膜厚としては通常１０〜３０００人、中でも
５０〜２０００人の範囲が好適である。
本発明において、このようなＣｒ下地層上に形成する合
金磁性層は、Ｃｏを主成分としＣｒを５〜２０原子％、
Ｔａを０〜８原子％及びＰｔを１〜２０原子％含有し、
非磁性基板に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加し
た状態でスパッタリングにより形成される。
金磁性層は、Ｃｏを主成分としＣｒを５〜２０原子％、
Ｔａを０〜８原子％及びＰｔを１〜２０原子％含有し、
非磁性基板に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加し
た状態でスパッタリングにより形成される。
以下にこの磁性層の形成方法につき、図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の磁性層形成に用いられ
るスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。
るスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。
図中、１はターゲットであり、これに対向した位置に基
板ホルダー２が設けられており、基板ホルダー２上には
基板３が装着されている。基板ホルダー２は基板３を連
続的に成膜できるように移動可能とされている。４はタ
ーゲットｌに接続されるスパッタリング用電源である。
板ホルダー２が設けられており、基板ホルダー２上には
基板３が装着されている。基板ホルダー２は基板３を連
続的に成膜できるように移動可能とされている。４はタ
ーゲットｌに接続されるスパッタリング用電源である。
５は基板ホルダー２に負のバイアス電圧を印加させるた
めのバイアス電源である。これらスパッタリング電源４
及びバイアス電源５としては直流電源が好ましいが、Ｒ
Ｆ電源も使用できる。スパッタ装置としては、通常のＤ
Ｃマグネトロンスパッタ装置又はＲＦマグネトロンスパ
ッタ装置等が採用される。
めのバイアス電源である。これらスパッタリング電源４
及びバイアス電源５としては直流電源が好ましいが、Ｒ
Ｆ電源も使用できる。スパッタ装置としては、通常のＤ
Ｃマグネトロンスパッタ装置又はＲＦマグネトロンスパ
ッタ装置等が採用される。
上記磁性層は、Ｃｒが５〜２０原子％、Ｔａが０〜８原
子％、好ましくは１〜５原子％、Ｐｔ、が１〜２０原子
％及び残部がＣｏからなる組成のものである。該Ｃｒ含
有量が下限未満では保磁力が著しく低下し、また、上限
より多いと飽和磁化が著しく低下し、十分が記録再往出
力が得られない。
子％、好ましくは１〜５原子％、Ｐｔ、が１〜２０原子
％及び残部がＣｏからなる組成のものである。該Ｃｒ含
有量が下限未満では保磁力が著しく低下し、また、上限
より多いと飽和磁化が著しく低下し、十分が記録再往出
力が得られない。
また、該Ｔａ含有量が上限より多いと飽和磁化及び保磁
力が著しく低下するので好ましくない。
力が著しく低下するので好ましくない。
更に、該ＰＬ含有量が下限未満では保磁力が著しく低下
し、また、上限より多いと逆に保磁力が著しく低下する
と共に、ターゲットコストも高くなるので工業的でない
。ターゲット１としては上記磁性薄膜層の組成と同し組
成のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金が好適に用いられる。
し、また、上限より多いと逆に保磁力が著しく低下する
と共に、ターゲットコストも高くなるので工業的でない
。ターゲット１としては上記磁性薄膜層の組成と同し組
成のＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合金が好適に用いられる。
第１図に示すスパッタリング装置を用いて、本発明の方
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、例えば、ま
ず、上述の如きＣｒ下地層を設けた基板３を装置の基板
ホルダー２に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合
金のターゲットｌを用いて、アルゴン（Ａｒ）等の希ガ
スの存在下でスパッタリングを行なうが、この際、基板
ホルダー２に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加し
た状態、即ち、バイアス電源５により基板ホルダー２に
一７０Ｖ以下、好ましくは一７０Ｖ〜−５００、さらに
好ましくは−１００〜−５００■のバイアス電圧を印加
した状態でスパッタリングを行ない、基板３上に上記合
金磁性層を形成する。
法に従って、磁気記録媒体を製造するには、例えば、ま
ず、上述の如きＣｒ下地層を設けた基板３を装置の基板
ホルダー２に取り付け、前記Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ合
金のターゲットｌを用いて、アルゴン（Ａｒ）等の希ガ
スの存在下でスパッタリングを行なうが、この際、基板
ホルダー２に一７０Ｖ以下の負のバイアス電圧を印加し
た状態、即ち、バイアス電源５により基板ホルダー２に
一７０Ｖ以下、好ましくは一７０Ｖ〜−５００、さらに
好ましくは−１００〜−５００■のバイアス電圧を印加
した状態でスパッタリングを行ない、基板３上に上記合
金磁性層を形成する。
該バイアス電圧が上限より高いと保磁力が著しく低下す
るので好ましくない。
るので好ましくない。
本発明において、スパッタリング条件としては、通常、
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の
希ガス圧力を０．５Ｘ１０−”〜２×１０−”Ｔｏｒｒ
、望ましくはＩ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒの範囲で、基板温度を１５０″Ｃ以上、望ましく
４！ ２００〜３００℃の範囲の条件下でスパッタリ
ングを実施することができる。
磁気記録媒体の磁性層を形成させる際に採用される条件
を採用することができる。例えば、真空排気したチャン
バー内圧力をＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ以下、Ａｒ等の
希ガス圧力を０．５Ｘ１０−”〜２×１０−”Ｔｏｒｒ
、望ましくはＩ Ｘ １０−’ 〜５ Ｘ １０−’Ｔ
ｏｒｒの範囲で、基板温度を１５０″Ｃ以上、望ましく
４！ ２００〜３００℃の範囲の条件下でスパッタリ
ングを実施することができる。
このようなスパッタリングにより形成する磁性合金薄膜
層の膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と合金磁性層の膜厚
（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が２゜Ｏ〜７００Ｇ・μｍ１
中でも３ｏｏ〜６ｏｏＧ・μｍとなるような膜厚とする
のが好ましい。
層の膜厚は、残留磁性密度（Ｂｒ）と合金磁性層の膜厚
（１）との積（Ｂｒ−ｔ）が２゜Ｏ〜７００Ｇ・μｍ１
中でも３ｏｏ〜６ｏｏＧ・μｍとなるような膜厚とする
のが好ましい。
本発明においては、合金磁性層の組成及び基板側へのバ
イアス電圧を上記範囲内に設定することにより、１６０
０Ｏｅ以上の保磁力を有する面内記録用の磁気記録媒体
が得られる。
イアス電圧を上記範囲内に設定することにより、１６０
０Ｏｅ以上の保磁力を有する面内記録用の磁気記録媒体
が得られる。
本発明の磁気記録媒体は、磁性層の上に更に必要に応じ
て炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
て炭素等の保護層及び／又は適宜の潤滑剤よりなる潤滑
層を形成してもよい。
〔実施例］
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例−１〜６及び比較例−１〜４
アルミニウム基板表面に無電解めっきにより非磁性Ｎ１
−Ｐ層を形成し、下地層としてＣｒ層（膜厚１５００人
）を形成したものを基板３として第１図に示すマグネト
ロンスパッタリング装置に装入し、Ｔａ及びＰｔチップ
を適装置いたＣ。
−Ｐ層を形成し、下地層としてＣｒ層（膜厚１５００人
）を形成したものを基板３として第１図に示すマグネト
ロンスパッタリング装置に装入し、Ｔａ及びＰｔチップ
を適装置いたＣ。
Ｃｒ合金ターゲット１を用いてバイアス電源５に第１表
に示す電圧を印加させた状態で、チャンバー内圧力Ｉ
Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２ Ｘ
１０−３Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の条件下でスパッ
タリングを行い、第１表に示す組成の合金磁性層（４０
０Ｇ・μｍ）を形成した。
に示す電圧を印加させた状態で、チャンバー内圧力Ｉ
Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ以下、アルゴンガス圧力２ Ｘ
１０−３Ｔｏｒｒ、基板温度２５０℃の条件下でスパッ
タリングを行い、第１表に示す組成の合金磁性層（４０
０Ｇ・μｍ）を形成した。
得られた磁気記録媒体の保磁力を試料振動型磁力計で測
定し、結果を第１表に示した。
定し、結果を第１表に示した。
本発明の磁気記録媒体は、以上詳述した特定の構成とす
ることにより、著しく高保磁力を有する高特性の磁気記
録媒体であり、工業的な利用価値が高い。
ることにより、著しく高保磁力を有する高特性の磁気記
録媒体であり、工業的な利用価値が高い。
第１図は、本発明の磁気記録媒体を得るのに好適なスパ
ッタリング装置の一例を示す概略構成図である。 １：ターゲット、２：基板ホルダー ３二基板、４ニス
バツタリング用電源、５：バイアス電源。
ッタリング装置の一例を示す概略構成図である。 １：ターゲット、２：基板ホルダー ３二基板、４ニス
バツタリング用電源、５：バイアス電源。
Claims (2)
- （１）非磁性基板上に、クロムを主成分とする下地層を
介して、コバルトを主成分としクロムを５〜２０原子％
、タンタルを０〜８原子％、及び白金を１〜２０原子％
含有する合金磁性層が、非磁性基板に−７０Ｖ以下の負
のバイアス電圧を印加した状態でスパッタリングにより
形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。 - （２）請求項１記載の磁気記録媒体において、磁気記録
媒体の面内記録方向の保磁力が１６００Ｏｅ以上である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863390A JPH04134718A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25863390A JPH04134718A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134718A true JPH04134718A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17322984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25863390A Pending JPH04134718A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134718A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245016A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02154323A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP25863390A patent/JPH04134718A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256017A (ja) * | 1988-04-04 | 1989-10-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH02154323A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Mitsubishi Kasei Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04245016A (ja) * | 1991-01-31 | 1992-09-01 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
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