JPH0249216A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、コンピュータ、データプロセッサー等におい
て情報信号の記録、再生、交換の媒介体として使用する
磁気ディスク等の磁気記録体に関する。

（従来の技術） 磁気ディスク等の磁気記録体は、従来一般に、ディスク
形状の基体をアルミニウム合金等の非磁性材料により形
成しその上に非磁性材料の被膜層を形成して表面性状を
改善した上で、この基板表面上に磁性膜層を形成して作
成される。

第５図（イ）は、従来技術の磁気記録体の成層構造の１
具体例を示し、Ａ１合金基体（ａ）に無電解めっき法に
よりＮｉ−Ｐ被膜層（ｂ）を形成して基板とし、その表
面上にスパッタリング法によりＣｒ下地膜からＧｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ合金の磁性膜層（Ｃ）を形成したもので、その
上をＣ保護膜層（ｄ）で覆う。第５図（ロ）は成層構造
の他側を示し、Ａ２合金基体（ａ）上に同様にしてＮｉ
−Ｐ被膜層（ｂ）を形成し、その表面上にめっき法によ
りＣｏ−Ｎｉ−Ｐ合金の磁性膜層（Ｃ゛）を形成したも
ので、その上をＳｉＯ□保護膜層（ｄｏ）で覆っている
。

磁性膜層としては、上記のＣｒ／Ｃｏ−Ｎｉ合金系２層
スパッタ膜１　（Ｃ）、Ｃｏ合金系めっき膜層（Ｃ゛）
の他、γ−Ｆｅ２０．スパッタ膜層も広く用いられる。

基板側の非磁性被膜層としては、前記のＮｉ−Ｐ無電解
めっき被膜層（特公昭４８−１８８４２）が広く用いら
れる他、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ無電解めっき被膜層も知られて
いる。このＮｉ−Ｃｕ−Ｐ無電解めっき被膜層は、特開
昭６０−２６１０２２ではＣｕ含有量が２０〜６５％の
場合４００°Ｃで一定時間熱処理されても磁性を全く帯
びないこと、また特開昭５６−５１０２４ではＣｕ含有
量が６５％以上では突起物の発生が少なくなるとされて
いるが、その上に熱影響の著しいスパッタリング法によ
り磁性膜層を形成する場合の実際の特性の変化に関する
知見は未だ得られていない。

（発明が解決しようとする問題点） 従来技術の基板側がＮｔ−Ｐ無電解めっき被覆層（ｂ）
をＡｆ合金基体上に形成したものの場合、その磁気記録
体には次の問題が派生する。

（１）スパッタリング法によるＣｒ下地膜層およびＣｏ
合金磁性膜層の形成をインライン方式のスパッタ装置に
より一定の搬送速度の基板に対して順次に行った場合、
基板搬送方向に起因する磁気異方性が現れ、磁気記録体
の再生出力波形が変動する。これを解決するためには、
基板の円周方向にキズをつけるテクスチュアリング（Ｔ
ｅｘｔｕｒｉｎｇ）を施す必要があった。

（ＩＩ）磁気記録体表面への記録再生ヘッドの吸着を防
止するためにもテクスチュアリングを施す必要があった
。

（問題点を解決するための手段） 本発明は従来技術の前記問題点に解決を与え、さらに均
一かつ高抗磁力を有する磁気記録体を提供することを目
的とする。

この問題を解決するために、本発明においては、スパッ
タリング法によりＣｒ下地膜層さらにＣｏ合金磁性膜層
を形成するのに対して、その熱影響のある基板の表面側
がＮｉ−Ｃｕ−ＰまたはＮｉ−Ｃｒ−Ｐ被膜層であるよ
うにする。

すなわち、本発明の磁気記録体は、構成としては、磁気
記録体を構成する基板とその上に形成する磁性膜層との
関連において、磁性膜層の側をスパッタリング法により
Ｃｒ下地膜層を形成しさらにＣｏ合金磁性膜層を形成し
て合成する場合に、その基板側を非磁性アルミニウム合
金基体上にＮｉ−Ｃｕ−ＰおよびＮｉ−Ｃｒ−Ｐの少な
くとも１つの層を表層側として形成したことを特徴とす
る。

（作　用） 本発明の磁気記録体では、次の諸効果が特有の作用の結
果として得られる。

（１）　　Ｎｉ−Ｐ被膜層を表面に有する基板に磁性膜
層をスパッタリング施工する従来技術の場合に較べて、
磁気記録体は高い抗磁力を持ち、高記録密度化が可能と
なる。

（２）　　Ｃｒ下地膜層、Ｃｏ合金磁性膜層のスパッタ
リング施工をインライン方式で基板を搬送しながら順次
に行う場合でも、磁気記録の磁気特性が基板の搬送方向
の影響を受けにくく、均一になり再生出力波形が安定す
る。

（３）磁気記録体の表面が粗くなり、記録再生ヘッドの
吸着が防止でき、テクスチュアリング処理が不要となる
。

これらの効果は本発明においてはＮｉ−Ｃｕ−Ｐ被膜層
Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ被膜層に直接するＣｒ層の粒径が粗くな
ることに基因すると推考される。さらにＮｉ−Ｃｒ−Ｐ
被膜層等の表面を鏡面研磨することにより磁気記録体の
磁気特性の均質性がよくなる。

（実施例） 本発明の磁気記録体の代表的実施例を、第５図従来技術
例と対比されるその成層構造により第１図に示す。

この磁気記録体は非磁性基板と磁性膜層と表面保護とに
より構成される。その基板側はＡｌ−Ｍｇ合金の厚さ１
．９ＩＴＩＩ１１のディスク基体（１）上にＮｉ−Ｃｕ
−Ｐ被膜層（２）を無電解めっき法により厚さ１５μｍ
に形成する。

これを基板として、その表面を鏡面研磨し、その面にイ
ンライン形式スパッタ装置により先ずＣｒ下地層（３）
を厚さ０．３　μｍに形成し、これに重ねてＣｏ　７０
％、Ｎｉ　１７％、Ｃｒ　１３％（重りのＣｏ合金の磁
性膜層（４）を厚さ０．０６μｍに形成する。

さらにＣ保護膜層（５）を厚さ０．０３μｍに形成した
。

こうして作成した本発明の磁気記録体の特性を、従来技
術の基体上にＮｉ−Ｐ下地めっき被膜層（ロ）を有する
比較例と対比して下表に示す。比較例もＮｉ−Ｐ被膜層
表面は鏡面研磨した。

磁気特性比較表 上表から知られるように、本発明の磁気記録体は、従来
技術のものに較べ、残留磁束密度の増加は殆どないが、
保磁力Ｈｃが向上しその面内分布の均一性は顕著に改善
され、従ってまたその再生出力波形の変動割合も明らか
に低減する。

また本発明の磁気記録体の場合、記録再生ヘッドの吸着
も生じなかった。

本発明においては、次の各種の変更実施が成り立つ。

すなわち、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ被膜層（２）のＣｕ含有率に
ついては、２０重量％以下でも磁気記録体の磁気特性の
平均化の改善効果が認められ、明確な下限は確認困難で
ある。２０％以下とした場合は、３００°Ｃ以下の低い
温度で成膜するので帯磁の問題はなく、耐蝕性について
は向上を期待できる。

方Ｃｕ含有率が７０重量％を越えると無電解めっき法に
よる膜成長速度が遅くなるので、実用的実施が困難とな
る。

本発明はまた、第２図の成層構造に示すように、基体（
１）上にＮｉ−Ｐ被膜１１　（ｂ）とＮｉ−Ｃｕ−Ｐ被
膜層（２）からなる重層被膜層を形成して実施すること
ができ、耐蝕性の向上が期待できる。

また第３図の成層構造に示すように、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ被
膜層の代わりにＮｉ−Ｃｒ−Ｐ被膜層（２゛）を形成し
て実施することができ、被膜層の成長速度は下がるが耐
蝕性の向上が期待できる。さらに第４図の成層構造に示
すように、Ｎｉ−Ｐ′＃７Ｎ膜層（ｂ）とＮｉ−Ｃｒ−
Ｐ被膜層（２°）とからなる重層被膜層を形成して実施
することもできる。

（発明の効果） 以上のように、本発明によると磁性膜層をインライン方
式スパッタ装置で形成した場合も、作成した磁気記録体
ディスクの磁気特性に異方性があられれることが少なく
、再生出力波形が安定し、異方性是正等の目的でのテク
スチュアリング処理を特に加える必要がなくなり、また
記録再生ヘッドのディスクへの吸着を防止できる効果が
得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の代表的実施例の磁気記録体の成層構造
を模型的に示す図、第２図はその第１変形実施例の同様
の図、第３図は第２変形実施例の同様の図、第４図はそ
の第３変形実施例の同様の図、第５図（イ）は従来技術
の磁気記録体の１具体例の成層構造を模型的に示す図、
第５図（ロ）は同じく他の具体例の同様の図である。 （１）・・・ディスク基体、（２）・・・Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｐ被膜層、（２’）・＝Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ被膜層、（３）
　・・・Ｃｒ下地層、（４）　・・・磁性膜層、（５）
・・・Ｃ保護膜層、（ａ）・・・基体、（ｂ）・・・Ｎ
ｉ−Ｐ被膜層、（ｃ）（ｃ’）・・・磁性膜層、（ｄ）
（ｄ’）・・・保護膜層。 舘 図 ］ 算 ５図 昭和６３年１２月 日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気記録体を構成する基板とその上に形成する磁性膜層
   との関連において、磁性膜層の側をスパッタリング法に
   よりＣｒ下地膜層を形成しさらにＣｏ合金磁性膜層を形
   成して合成する場合に、その基板側を非磁性アルミニウ
   ム合金基体上にＮｉ−Ｃｕ−ＰおよびＮｉ−Ｃｒ−Ｐの
   少なくとも１つの層を表層側として形成したことを特徴
   とする磁気記録体。