JPH04134875A - 有機超電導体膜とその製造方法 - Google Patents
有機超電導体膜とその製造方法Info
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- JPH04134875A JPH04134875A JP2255386A JP25538690A JPH04134875A JP H04134875 A JPH04134875 A JP H04134875A JP 2255386 A JP2255386 A JP 2255386A JP 25538690 A JP25538690 A JP 25538690A JP H04134875 A JPH04134875 A JP H04134875A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超電導性を有する有機膜に関し、さらに詳し
くは、ｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）、Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ
）−］Ｂｒ膜からなるＴｃ （超電導を示す臨界温度
）が高い有機超電導体膜とその製造方法に関する。
くは、ｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）、Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ
）−］Ｂｒ膜からなるＴｃ （超電導を示す臨界温度
）が高い有機超電導体膜とその製造方法に関する。
［従来の技術］
有機超電導体は、有機化合物の種類で分類すると、ＢＥ
ＤＴ−ＴＴＦ系、ＴＭＴＦ系、ＤＭＥＴ系、ＭＤＴ系、
ｄｍｉｔ系の５つの系が知られており、これまでに３０
個以上の物質が発見されている。しかし、いずれの有機
超電導体も、通常、数ｍｍないしは１０ｍｍ程度の結晶
として得られるのみであった。
ＤＴ−ＴＴＦ系、ＴＭＴＦ系、ＤＭＥＴ系、ＭＤＴ系、
ｄｍｉｔ系の５つの系が知られており、これまでに３０
個以上の物質が発見されている。しかし、いずれの有機
超電導体も、通常、数ｍｍないしは１０ｍｍ程度の結晶
として得られるのみであった。
最近、Ｋ−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）＊Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ）＊
］Ｂｒなる新規な有機超電導体結晶が合成され、そのＴ
ｃは１２．５にであると報告されている（Ｊｌｉｌｌｉ
ａｍｓ。
］Ｂｒなる新規な有機超電導体結晶が合成され、そのＴ
ｃは１２．５にであると報告されている（Ｊｌｉｌｌｉ
ａｍｓ。
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ
ｏｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ５ｕｐｅｒ−ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｓ Ｍａｙ ２０−２４．１９９０） ｏ しかしな
がら、超電導を示す有機膜については、報告されていな
い。
ｏｎ Ｏｒｇａｎｉｃ ５ｕｐｅｒ−ｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒｓ Ｍａｙ ２０−２４．１９９０） ｏ しかしな
がら、超電導を示す有機膜については、報告されていな
い。
有機膜は、ＬＢ腹膜法蒸着法、ＩＣＥ（クラスターイオ
ンビーム蒸着）法およびＭＢＥ（分子線エピタキシ）法
などの技術により製造される。これらの有機膜製造方法
により、テトラシアノキノジメタン（Ｔ（：ＮＱ） 、
テトラチオフルバレン−テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＴＦ−ＴＣＮＱ） 、金属フタロシアニン等の半導電性
ないし導電性の有機膜や、脂肪酸などの絶縁膜が作成さ
れてきた。しかし、高い導電性をもつ、金属的な有機膜
は、いまだ作成されていない。従来の導電性有機膜の電
導度の温度依存性は、金属的な挙動を示さず、そして、
超電導を示すものも知られていない。
ンビーム蒸着）法およびＭＢＥ（分子線エピタキシ）法
などの技術により製造される。これらの有機膜製造方法
により、テトラシアノキノジメタン（Ｔ（：ＮＱ） 、
テトラチオフルバレン−テトラシアノキノジメタン（Ｔ
ＴＦ−ＴＣＮＱ） 、金属フタロシアニン等の半導電性
ないし導電性の有機膜や、脂肪酸などの絶縁膜が作成さ
れてきた。しかし、高い導電性をもつ、金属的な有機膜
は、いまだ作成されていない。従来の導電性有機膜の電
導度の温度依存性は、金属的な挙動を示さず、そして、
超電導を示すものも知られていない。
また、ビスエチレンジチアテトラチアフルバレン（ＢＥ
ＤＴ−ＴＴＦ）は、融点と分解温度が近いため、分解物
を発生させずに蒸発させることが極めて困難である。そ
のために、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸看蒸着用いて、高い電導
度、さらには超電導を示す有機膜の得られることは報告
されていない。
ＤＴ−ＴＴＦ）は、融点と分解温度が近いため、分解物
を発生させずに蒸発させることが極めて困難である。そ
のために、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸看蒸着用いて、高い電導
度、さらには超電導を示す有機膜の得られることは報告
されていない。
本発明の目的は、超電導を示し、Ｔｃの高い新規な有機
膜を提供することにある。
膜を提供することにある。
本発明者らは、鋭意研究した結果、ＢＥＤＴ−ＴＴＦを
、減圧下（１０−”〜１０−”Ｔｏｒｒ以上の真空下）
で、２６０℃以下の温度で加熱することにより、基板上
に製膜することが可能であり、また、得られたＢＥＤＴ
−ＴＴＦＷ ＩＦ膜に電子アクセプターをドーピングす
ると、導電性の有機膜の得られることを見出し、先に、
特許出願を行なった（特願平２−１１８５９６号）。
、減圧下（１０−”〜１０−”Ｔｏｒｒ以上の真空下）
で、２６０℃以下の温度で加熱することにより、基板上
に製膜することが可能であり、また、得られたＢＥＤＴ
−ＴＴＦＷ ＩＦ膜に電子アクセプターをドーピングす
ると、導電性の有機膜の得られることを見出し、先に、
特許出願を行なった（特願平２−１１８５９６号）。
上記特許出願の明細書に開示した有機超電導体膜のＴｃ
の最高値は、ｇ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃｕ （
ＮＣＳ） ２膜の９にであった。この膜は、ＢＥＤＴ−
ＴＴＦ蒸看蒸着陰イオンＣｕ （ＳＣＳＩ ２−をドー
ピングすることにより得られたｇ −（ＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆ） ２ｃｕ （ＮＣ３） ２微結晶の集合体膜であっ
た。
の最高値は、ｇ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃｕ （
ＮＣＳ） ２膜の９にであった。この膜は、ＢＥＤＴ−
ＴＴＦ蒸看蒸着陰イオンＣｕ （ＳＣＳＩ ２−をドー
ピングすることにより得られたｇ −（ＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆ） ２ｃｕ （ＮＣ３） ２微結晶の集合体膜であっ
た。
より高いＴｃを持つ有機超電導体膜を得るには、新規な
陰イオンをドーピングすることが考えられる。そこで、
さらに検討を継続した結果、導電性基板上にＢＥＤＴ−
ＴＴＦ膜を作成し、ついでＣｕ ［Ｎ （ＣＮ） ２］
Ｂｒ−イオンを電解法によりドーピングすることにより
、高いＴｃを持つｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃ
ｕ ［Ｎ（ＣＮ）、］Ｂｒ膜の得られることを見出し、
その知見に基づいて本発明を完成するに至った。
陰イオンをドーピングすることが考えられる。そこで、
さらに検討を継続した結果、導電性基板上にＢＥＤＴ−
ＴＴＦ膜を作成し、ついでＣｕ ［Ｎ （ＣＮ） ２］
Ｂｒ−イオンを電解法によりドーピングすることにより
、高いＴｃを持つｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃ
ｕ ［Ｎ（ＣＮ）、］Ｂｒ膜の得られることを見出し、
その知見に基づいて本発明を完成するに至った。
か（して、本発明によれば、に−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）
２Ｃｕ ［Ｎ （ＣＮ） 、］Ｂｒ膜からなることを特
徴とする有機超電導体膜が提供される。
２Ｃｕ ［Ｎ （ＣＮ） 、］Ｂｒ膜からなることを特
徴とする有機超電導体膜が提供される。
また、本発明によれば、導電性基板上にＢＥＤＴ−ＴＴ
Ｆ膜を作成し、ついで電子アクセプターとじてＣｕ［Ｎ
（ＣＮ）ａ］Ｂｒ−を電解法によりドーピングすること
を特徴とするに−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）、Ｃｕ［Ｎ（Ｃ
Ｎ）ｚ］Ｂｒ膜からなる有機超電導体膜の製造方法が提
供される。
Ｆ膜を作成し、ついで電子アクセプターとじてＣｕ［Ｎ
（ＣＮ）ａ］Ｂｒ−を電解法によりドーピングすること
を特徴とするに−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）、Ｃｕ［Ｎ（Ｃ
Ｎ）ｚ］Ｂｒ膜からなる有機超電導体膜の製造方法が提
供される。
以下、本発明について詳述する。
（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜の製造）
本発明においては、蒸着法またはＬＢ腹膜法より、導電
性基板上にＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を作成する。
性基板上にＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を作成する。
ＢＥＤＦ−ＴＴＦは、融点（Ｔｍ＝＝２５８℃）と分解
温度（２６０℃）が近いため、加熱して蒸発させようと
しても、はとんど蒸発することなく、分解するものと見
られていた。ところが、ＢＥＤＴ−ＴＴＦを、減圧下で
、室温から２６０”Ｃ以下の所定の温度に昇温加熱し、
該所定温度よりも低温に保持された基板の上に製膜させ
ると、意外なことに分解物の含有量の抑制されたＢＥＤ
Ｔ−ＴＴＦの蒸着膜が得られる。
温度（２６０℃）が近いため、加熱して蒸発させようと
しても、はとんど蒸発することなく、分解するものと見
られていた。ところが、ＢＥＤＴ−ＴＴＦを、減圧下で
、室温から２６０”Ｃ以下の所定の温度に昇温加熱し、
該所定温度よりも低温に保持された基板の上に製膜させ
ると、意外なことに分解物の含有量の抑制されたＢＥＤ
Ｔ−ＴＴＦの蒸着膜が得られる。
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜の形成は、真空蒸着法またはＭ
ＢＥ法により、通常の熱蒸着装置、好ましくは管状容器
を用いて行なうことができる。具体的には、ＢＥＤＦ−
ＴＴＦを１０−” Ｔｏｒｒ以上の真空下、好ましくは
１０−３〜１０−” Ｔｏｒｒ、さらに好ましくは１０
−’〜１０−” Ｔｏｒｒの高真空下で、２６０℃以下
、好ましくは１８０〜２５０℃の温度で加熱することに
より、基板上に蒸着膜を形成させる。
ＢＥ法により、通常の熱蒸着装置、好ましくは管状容器
を用いて行なうことができる。具体的には、ＢＥＤＦ−
ＴＴＦを１０−” Ｔｏｒｒ以上の真空下、好ましくは
１０−３〜１０−” Ｔｏｒｒ、さらに好ましくは１０
−’〜１０−” Ｔｏｒｒの高真空下で、２６０℃以下
、好ましくは１８０〜２５０℃の温度で加熱することに
より、基板上に蒸着膜を形成させる。
上記操作を管状の蒸着容器中で、かつ、管壁に温度勾配
をもたせて行なうことにより、分解物を含まないＢＥＤ
Ｔ−ＴＴＦの蒸着膜が効率よく得られる。
をもたせて行なうことにより、分解物を含まないＢＥＤ
Ｔ−ＴＴＦの蒸着膜が効率よく得られる。
蒸着膜の膜厚は、原料セルと基板管距離、原料セルの加
熱温度、加熱温度での保持時間、減圧度等により調節す
ることができる。良好な膜質のＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸看蒸
着、赤色ないしオレンジ色を呈しており、目視観察によ
り容易に判別することができる。
熱温度、加熱温度での保持時間、減圧度等により調節す
ることができる。良好な膜質のＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸看蒸
着、赤色ないしオレンジ色を呈しており、目視観察によ
り容易に判別することができる。
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜は、常法によりＬＢ腹膜法よっても
作成することができる。
作成することができる。
（導電性基板）
本発明で使用する導電性基板は、特に限定されず、具体
例としては、ＮＥＳＡガラス、酸化インジウムコートガ
ラスなどの導電膜付きガラス、シリコンウエハ、金、白
金、導電性高分子フィルムや薄膜、導電性ＬＢ膜、カー
ボン、グラファイトなどからなる基板を挙げることがで
きる。
例としては、ＮＥＳＡガラス、酸化インジウムコートガ
ラスなどの導電膜付きガラス、シリコンウエハ、金、白
金、導電性高分子フィルムや薄膜、導電性ＬＢ膜、カー
ボン、グラファイトなどからなる基板を挙げることがで
きる。
（有機超電導体膜）
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜またはＬＢ膜は、それ自体は絶
縁体であるが、電子受容体（アクセプター）をドーピン
グすることによって、導電性、さらには超厚電性の有機
膜を得ることができる。
縁体であるが、電子受容体（アクセプター）をドーピン
グすることによって、導電性、さらには超厚電性の有機
膜を得ることができる。
本発明の有機超電導体膜の製造方法は、基本的に次の２
つの工程から構成される。
つの工程から構成される。
（１）蒸着法またはＬＢ腹膜法より、導電性基板上にＢ
ＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形成させる工程。
ＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形成させる工程。
（２）電子アクセプターとしてＣｕ ［Ｎ （ＣＮ）
ａ ］ ８ｒ−をドーピングする工程。
ａ ］ ８ｒ−をドーピングする工程。
上記工程（１）および工程（２）は、通常、順次行なう
が、 ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形成すると同時にドーピン
グを行なってもよい。
が、 ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形成すると同時にドーピン
グを行なってもよい。
電子アクセプターのドーピング法としては、電界法や気
相法があるが、電解法によるのが好ましい。電解法によ
るドーピングは、例えば、公知の電解結晶成長装置など
を用いて、常法により行なうことができる。
相法があるが、電解法によるのが好ましい。電解法によ
るドーピングは、例えば、公知の電解結晶成長装置など
を用いて、常法により行なうことができる。
具体的には、導電性基板上に形成されたＢＥＤＴＴＴＦ
膜を、ＣｕＢｒ、ＮａＮ （ＣＮ）２．１８−クラウン
−６−エーテルをエタノール等のアルコールに溶解させ
た電解液中に浸漬し、そして、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形
成した導電性基板を陽極とし、陰極側に白金板等を用い
、直流定電流を数日間流すことにより電解ドーピングを
行なう。
膜を、ＣｕＢｒ、ＮａＮ （ＣＮ）２．１８−クラウン
−６−エーテルをエタノール等のアルコールに溶解させ
た電解液中に浸漬し、そして、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を形
成した導電性基板を陽極とし、陰極側に白金板等を用い
、直流定電流を数日間流すことにより電解ドーピングを
行なう。
Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ） ２］Ｂｒ−のドーピングにより、
ＢＥＤＴＴＴＦ膜は、赤オレンジ色から黒茶色に変化す
る。
ＢＥＤＴＴＴＦ膜は、赤オレンジ色から黒茶色に変化す
る。
３日間程度で、膜全体が黒茶色となり、電荷移動錯体膜
が得られる。この膜は、ｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）
２Ｃｕ［Ｎ （ＣＮ）−］Ｂｒ微結晶の集合体であり
、Ｔｃは１２Ｋを越える高いものである。
が得られる。この膜は、ｐｃ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）
２Ｃｕ［Ｎ （ＣＮ）−］Ｂｒ微結晶の集合体であり
、Ｔｃは１２Ｋを越える高いものである。
以下、本発明について実施例を挙げて具体的に説明する
が、本発明は、これらの実施例のみに限定されるもので
はない。
が、本発明は、これらの実施例のみに限定されるもので
はない。
［実施例１］
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ ３０ ｍ ｇを入れた原料セルおよ
びＮＥＳＡガラス基板（ｌ ＯｍｍＸ ３０ｍｍＸ １
ｍｍ）を石英製反応管内に、原料セルと基板間の距離が
１０ｃｍとなるように設置し、反応管を２ゾーン管状炉
にセットした。
びＮＥＳＡガラス基板（ｌ ＯｍｍＸ ３０ｍｍＸ １
ｍｍ）を石英製反応管内に、原料セルと基板間の距離が
１０ｃｍとなるように設置し、反応管を２ゾーン管状炉
にセットした。
反応管内を排気減圧し、１０−” Ｔｏｒｒの真空度で
、原料セル部を約２〜ｂ ２５０℃に加熱し、２５０℃で３０分間保持した。基板
部温度は１７５℃であった。
、原料セル部を約２〜ｂ ２５０℃に加熱し、２５０℃で３０分間保持した。基板
部温度は１７５℃であった。
室温に放冷後、基板を取り出したところ、赤オレンジ色
の蒸着膜が得られた。
の蒸着膜が得られた。
この膜のＦＴ−Ｉ Ｒスペクトルは、原料のＢＥＤＴ−
ＴＴＦのＦＴ−Ｉ Ｒスペクトルと一致し、分解するこ
となく ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜の得られたことが確
認された。
ＴＴＦのＦＴ−Ｉ Ｒスペクトルと一致し、分解するこ
となく ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜の得られたことが確
認された。
得られた蒸着膜について、光学顕微鏡および走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）による観察を行なったところ、 ＢＥ
ＤＴ−ＴＴＦの微結晶が集合したピンホールのない良好
な膜であった。
顕微鏡（ＳＥＭ）による観察を行なったところ、 ＢＥ
ＤＴ−ＴＴＦの微結晶が集合したピンホールのない良好
な膜であった。
次いで、反応器中、窒素ガス雰囲気中で、ＣｕＢｒ８４
ｍｇ、ＮａＮ （ＣＮ）２ １ １５ｍｇ、１８−ク
ラウン−６−エーテル ２１１ｍｇを１００ｍβのエタ
ノールに溶解させ、電解液を調製した。
ｍｇ、ＮａＮ （ＣＮ）２ １ １５ｍｇ、１８−ク
ラウン−６−エーテル ２１１ｍｇを１００ｍβのエタ
ノールに溶解させ、電解液を調製した。
ＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜を形成した基板を陽極側に金属
クリップで保持し、陰極側にｔｍｍφの白金線を用い、
温度２０℃に保たれた恒温器中で、両電極間に１０μへ
の直流定電流を流した。
クリップで保持し、陰極側にｔｍｍφの白金線を用い、
温度２０℃に保たれた恒温器中で、両電極間に１０μへ
の直流定電流を流した。
赤オレンジ色のＢＥＤＴ−ＴＴＦ蒸着膜中に黒茶色の部
分が生成し始め、徐々に膜全体に広がっていくのが観察
された。
分が生成し始め、徐々に膜全体に広がっていくのが観察
された。
３日間の電解ドーピングを行なった後、基板を取り出し
、エタノールで洗浄し、乾燥させた。
、エタノールで洗浄し、乾燥させた。
得られた膜を基板から剥離した。３ｍｍＸ１ｍｍサイズ
の試料片の室温抵抗を４端子法で測定したところ、０．
１ｏΩ・ｃｍであった。また、直流帯磁率を測定したと
ころ、１２にでマイスナー効果が認められ、高い臨界温
度（Ｔｃ）で超電導を示すｇ−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）＊
Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ）ｚｌＢｒ膜の得られたことが確認でき
た。
の試料片の室温抵抗を４端子法で測定したところ、０．
１ｏΩ・ｃｍであった。また、直流帯磁率を測定したと
ころ、１２にでマイスナー効果が認められ、高い臨界温
度（Ｔｃ）で超電導を示すｇ−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）＊
Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ）ｚｌＢｒ膜の得られたことが確認でき
た。
本発明により、これまでに合成された有機超電導体膜よ
りも高いＴｃを持つＫ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃ
ｕ［Ｎ （ＣＮ） ２］ Ｂｒ膜が提供される。
りも高いＴｃを持つＫ −（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ） ２Ｃ
ｕ［Ｎ （ＣＮ） ２］ Ｂｒ膜が提供される。
本発明により得られる有機超電導体膜は、ミクロ配線、
ストリップ線路、センサ、表示素子、メモリ、スイッチ
ング素子などへの応用が期待される。また、その低い作
成温度のゆえに、各種の基板材料の上に薄膜製作、加工
が可能であり、接合の作成やセンサ、デバイスの作成に
有効に利用できる。
ストリップ線路、センサ、表示素子、メモリ、スイッチ
ング素子などへの応用が期待される。また、その低い作
成温度のゆえに、各種の基板材料の上に薄膜製作、加工
が可能であり、接合の作成やセンサ、デバイスの作成に
有効に利用できる。
Claims (2)
- （１）κ−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）＿２Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ）
＿２］Ｂｒ膜からなることを特徴とする有機超電導体膜
。 - （２）導電性基板上にＢＥＤＴ−ＴＴＦ膜を作成し、つ
いで電子アクセプターとしてＣｕ［Ｎ（ＣＮ）＿２］Ｂ
ｒ−を電解法によりドーピングすることを特徴とするκ
−（ＢＥＤＴ−ＴＴＦ）＿２Ｃｕ［Ｎ（ＣＮ）＿２］Ｂ
ｒ膜からなる有機超電導体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255386A JPH04134875A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 有機超電導体膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2255386A JPH04134875A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 有機超電導体膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134875A true JPH04134875A (ja) | 1992-05-08 |
Family
ID=17278040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2255386A Pending JPH04134875A (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 有機超電導体膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04134875A (ja) |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2255386A patent/JPH04134875A/ja active Pending
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