JPH0413665U - - Google Patents

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JPH0413665U
JPH0413665U JP5221990U JP5221990U JPH0413665U JP H0413665 U JPH0413665 U JP H0413665U JP 5221990 U JP5221990 U JP 5221990U JP 5221990 U JP5221990 U JP 5221990U JP H0413665 U JPH0413665 U JP H0413665U
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JP
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temperature
molecular beam
beam epitaxy
epitaxy apparatus
high temperature
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JP5221990U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例である分子線エピタ
キシ装置の結晶成長室を示す縦断面図、第2図は
第1図の基板ホルダ部を示す部分断面図、第3図
は従来の基板ホルダ部を示す部分断面図、第4図
は第1図の分子線源部を示す部分断面図、第5図
は従来の分子線源部を示す部分断面図である。 1……結晶成長室、5,6,7……分子線源、
9……基板ホルダ、4……基板、12……センサ
ー、16……センサー。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 1 真空室内で高温に温度制御される要素を有す
    る分子線エピタキシ装置において、前記要素の温
    度を検出してフイードバツク回路を構成する温度
    制御手段のうち、前記真空室内にのみ配置されて
    いる前記温度を検出する温度センサを同じものと
    し複数個設けて構成したことを特徴とする分子線
    エピキタシ装置。 2 前記高温に温度制御される要素が基板ホルダ
    または、マニプユレータである特許請求の範囲第
    1項記載の分子線エピタキシ装置。 3 前記高温に温度制御する要素が、分子線セル
    である特許請求の範囲第1項記載の分子線エピタ
    キシ装置。
JP5221990U 1990-05-21 1990-05-21 Pending JPH0413665U (ja)

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JPH0413665U true JPH0413665U (ja) 1992-02-04

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