JPH04136776A - 超伝導磁束伝達回路及びその製造方法 - Google Patents
超伝導磁束伝達回路及びその製造方法Info
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- JPH04136776A JPH04136776A JP2256971A JP25697190A JPH04136776A JP H04136776 A JPH04136776 A JP H04136776A JP 2256971 A JP2256971 A JP 2256971A JP 25697190 A JP25697190 A JP 25697190A JP H04136776 A JPH04136776 A JP H04136776A
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- insulating layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、特に脳から発生する磁場等の微弱な磁場を検
出するＳＱＵＩＤ磁束計に好適な、超伝導磁束伝達回路
に関する。
出するＳＱＵＩＤ磁束計に好適な、超伝導磁束伝達回路
に関する。
従来、２つのコイル間で磁束を伝達する超伝導磁束伝達
回路については、その伝達効率を上げることを目的とし
て、２つのコイルの中間をなす超伝導線の自己インダク
タンスを低減する方法が考案されている。特開昭６０−
２００５８０号公報にはその一例が示され、！縁体でな
る基板と、この基板上に成膜した超伝導グランドプレー
ンと、この超伝導グランドプレーン上に絶縁膜を介して
成膜され上記超伝導線をなす２本の超伝導ストリップラ
インとを備えている。
回路については、その伝達効率を上げることを目的とし
て、２つのコイルの中間をなす超伝導線の自己インダク
タンスを低減する方法が考案されている。特開昭６０−
２００５８０号公報にはその一例が示され、！縁体でな
る基板と、この基板上に成膜した超伝導グランドプレー
ンと、この超伝導グランドプレーン上に絶縁膜を介して
成膜され上記超伝導線をなす２本の超伝導ストリップラ
インとを備えている。
上記従来技術は、実際に２つのコイル間をつなぐのに適
した基板の性質や、磁束伝達回路の製造方法については
特に考察されていなかった。
した基板の性質や、磁束伝達回路の製造方法については
特に考察されていなかった。
本発明の目的は、第１に超伝導線の自己インダクタンス
を上記従来技術よりさらに低減することであり、第２に
外部の電磁波雑音が超伝導線を流れる信号電流に混入す
るのを防ぐことである。第３にこれらの特徴を有する超
伝導磁束伝達回路において、２つのコイルを接続するの
に適した基板の性質を与えることであり、第４に、２組
以上の超伝導線の組に本発明を適用する場合に製造が容
易となる構造を実現することである。また、第５に、こ
れらの特徴を有する超伝導磁束伝達回路の具体的な製造
方法を与えることである６〔課題を解決するための手段
〕 上記第１．第２の目的を達成するために磁束を伝達する
超伝導線を、絶縁体を介して別の超伝導覆体で蔽ったも
のである。またこの効果を高めるために、絶縁体の一部
を基板としこれら超伝導線、超伝導覆体及び基板以外の
絶縁体を薄膜で形成し、同じ基板上にＳＱＵＩＤ素子ま
たは検出コイル。
を上記従来技術よりさらに低減することであり、第２に
外部の電磁波雑音が超伝導線を流れる信号電流に混入す
るのを防ぐことである。第３にこれらの特徴を有する超
伝導磁束伝達回路において、２つのコイルを接続するの
に適した基板の性質を与えることであり、第４に、２組
以上の超伝導線の組に本発明を適用する場合に製造が容
易となる構造を実現することである。また、第５に、こ
れらの特徴を有する超伝導磁束伝達回路の具体的な製造
方法を与えることである６〔課題を解決するための手段
〕 上記第１．第２の目的を達成するために磁束を伝達する
超伝導線を、絶縁体を介して別の超伝導覆体で蔽ったも
のである。またこの効果を高めるために、絶縁体の一部
を基板としこれら超伝導線、超伝導覆体及び基板以外の
絶縁体を薄膜で形成し、同じ基板上にＳＱＵＩＤ素子ま
たは検出コイル。
あるいはその両方を薄膜で形成したものである。
また上記第３の目的を達成するためにこの絶縁体基板と
して薄い樹脂等のフレキシブル基板を用いたものである
。
して薄い樹脂等のフレキシブル基板を用いたものである
。
第４の目的を達成するために、２組以上の超伝導線の組
がある場合、各々の組の間に接地された超伝導線を絶縁
体を介しで設け、全体を絶縁体を介して超伝導覆体で蔽
ったものである。また、第５の目的を達成するために２
つの方法を考案したものである。その第１は超伝導線を
絶縁体で蔽い、その周囲を別の超伝導体の薄膜または網
でくるみ、あるいは絶縁体表面に蒸着、スパッタリング
またはイオンブレーティングによって超伝導薄膜を形成
するものである。その第２は１表にストリップラインを
なす超伝導線、裏に超伝導膜を成膜した絶縁体基板Ａと
、裏に超伝導膜を成膜した絶縁体基板Ｂの表同士をはり
合わせたものである。このとき絶縁体基板Ａ、Ｂは各基
板の裏面の超低導膜同士が接触するように構成したもの
である。
がある場合、各々の組の間に接地された超伝導線を絶縁
体を介しで設け、全体を絶縁体を介して超伝導覆体で蔽
ったものである。また、第５の目的を達成するために２
つの方法を考案したものである。その第１は超伝導線を
絶縁体で蔽い、その周囲を別の超伝導体の薄膜または網
でくるみ、あるいは絶縁体表面に蒸着、スパッタリング
またはイオンブレーティングによって超伝導薄膜を形成
するものである。その第２は１表にストリップラインを
なす超伝導線、裏に超伝導膜を成膜した絶縁体基板Ａと
、裏に超伝導膜を成膜した絶縁体基板Ｂの表同士をはり
合わせたものである。このとき絶縁体基板Ａ、Ｂは各基
板の裏面の超低導膜同士が接触するように構成したもの
である。
例として超伝導のマイクロストリップライン１に電流を
流した際に発生する磁力線の模式図を第１１図に示す、
第１１図（ａ）は空中に孤立している場合、第１１図（
ｂ）は超伝導のグランドプレーン３を設けた場合、第１
１図（ｃ）は全体を超伝導薄膜３で蔽った場合である。
流した際に発生する磁力線の模式図を第１１図に示す、
第１１図（ａ）は空中に孤立している場合、第１１図（
ｂ）は超伝導のグランドプレーン３を設けた場合、第１
１図（ｃ）は全体を超伝導薄膜３で蔽った場合である。
図から明らかなように周囲を超伝導体で蔽うほど空間の
磁界エネルギーの総和が減少しマイクロストリップライ
ン１の自己インダクタンスが低減する。例えば、ストリ
ップラインの厚さｔ＝３５μｍ２幅Ｗ＝１２０ ｐ ｍ
ｙ絶縁体厚ｃ ＝ １００ ｐ ｍの場合、空中に孤
立しているマイクロストリップライン１の自己インダク
タンスに対して、グランドプレーン３がある場合は１／
２９周囲を蔽った場合は１７１０程度に減少する。以上
述べた如く、一般に超伝導線を超伝導覆体で蔽うことに
より、そのインダクタンスが低減できる。第１２図に示
すように検出コイル２０．入力コイル２７とともに超伝
導の閉ループを形成し、検出コイルの鎖交磁束を入力コ
イルに伝送する磁束伝達回路において、その伝送効率は １ ／ Ｌ ｐ ＋ Ｌ −＋ Ｌ ｔＬＰ：検出コイ
ルのインダクタンス Ｌｗ：伝送線のインダクタンス Ｌｌ：入力コイルのインダクタンス に比例する。したがって伝送線をなす超伝導線を蔽う超
伝導覆体は、伝送線のインダクタンスを低減し、磁束伝
送回路の伝送効率を向上させるように動作する。またこ
の超伝導覆体は同時に静電シールド、電磁シールドとし
て動作し、伝送線をなす超伝導線の信号に対する雑音の
混入を防止するように動作する。
磁界エネルギーの総和が減少しマイクロストリップライ
ン１の自己インダクタンスが低減する。例えば、ストリ
ップラインの厚さｔ＝３５μｍ２幅Ｗ＝１２０ ｐ ｍ
ｙ絶縁体厚ｃ ＝ １００ ｐ ｍの場合、空中に孤
立しているマイクロストリップライン１の自己インダク
タンスに対して、グランドプレーン３がある場合は１／
２９周囲を蔽った場合は１７１０程度に減少する。以上
述べた如く、一般に超伝導線を超伝導覆体で蔽うことに
より、そのインダクタンスが低減できる。第１２図に示
すように検出コイル２０．入力コイル２７とともに超伝
導の閉ループを形成し、検出コイルの鎖交磁束を入力コ
イルに伝送する磁束伝達回路において、その伝送効率は １ ／ Ｌ ｐ ＋ Ｌ −＋ Ｌ ｔＬＰ：検出コイ
ルのインダクタンス Ｌｗ：伝送線のインダクタンス Ｌｌ：入力コイルのインダクタンス に比例する。したがって伝送線をなす超伝導線を蔽う超
伝導覆体は、伝送線のインダクタンスを低減し、磁束伝
送回路の伝送効率を向上させるように動作する。またこ
の超伝導覆体は同時に静電シールド、電磁シールドとし
て動作し、伝送線をなす超伝導線の信号に対する雑音の
混入を防止するように動作する。
また、ここで絶縁体の一部をフレキシブル基板とし、他
の構造物を薄膜で形成することにより。
の構造物を薄膜で形成することにより。
伝送線全体にフレキシビリティを持たせれば、その両端
に例えば検出コイルとＳＱＵＩＤ素子を接続する場合、
実装が容易となる。
に例えば検出コイルとＳＱＵＩＤ素子を接続する場合、
実装が容易となる。
さらに磁束伝達回路の基板と同じ基板上に検出コイル、
ＳＱＵＩＤ素子を形成すれば、その接続の信頼性が向上
するのみならず、この基板を折り曲げることにより検出
コイルを微分コイルとして形成することも可能となる。
ＳＱＵＩＤ素子を形成すれば、その接続の信頼性が向上
するのみならず、この基板を折り曲げることにより検出
コイルを微分コイルとして形成することも可能となる。
以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の基本構成を示す、超伝導磁束伝達回路
の断面図である。１が伝送線をなす超伝導線、２が絶縁
体、３が本発明による超伝導覆体である。
の断面図である。１が伝送線をなす超伝導線、２が絶縁
体、３が本発明による超伝導覆体である。
第２図は本発明を基板上で薄膜形成した場合の実施例で
ある。４が絶縁体の基板である。この基板として例えば
厚さ１００μｍ程度のポリイミドを用いれば磁束伝達回
路全体にフレキシビリティを持たせる。
ある。４が絶縁体の基板である。この基板として例えば
厚さ１００μｍ程度のポリイミドを用いれば磁束伝達回
路全体にフレキシビリティを持たせる。
なお基板にフレキシビリティをもたせるためには基板４
は２００μｍ以下の樹脂で形成するのが好ましい。この
ような基板の上に第１の超伝導層、第１の絶縁層、第２
の超伝導層、第２の絶縁層、第３の超伝導層を順次形成
する。ここで、第２の超伝導層により伝送線をなす超伝
導線１−１．１−２を並べて形成する。また第１．第２
の絶縁層２−１．２−２によりこれを覆う絶縁体を形成
する。さらに第１．第３の超伝導層３−１．３−２によ
り絶縁体を覆う超伝導覆体を形成する。
は２００μｍ以下の樹脂で形成するのが好ましい。この
ような基板の上に第１の超伝導層、第１の絶縁層、第２
の超伝導層、第２の絶縁層、第３の超伝導層を順次形成
する。ここで、第２の超伝導層により伝送線をなす超伝
導線１−１．１−２を並べて形成する。また第１．第２
の絶縁層２−１．２−２によりこれを覆う絶縁体を形成
する。さらに第１．第３の超伝導層３−１．３−２によ
り絶縁体を覆う超伝導覆体を形成する。
第３図はこのフレキシブルな磁束伝達回路を用いた多チ
ヤネル磁束計の構成例である。この装置は心臓磁場、脳
磁場等の微弱な生体磁場信号を検出するのに適している
。本図では検出コイル２０゜本発明による磁束伝達回路
１０，ＳＱＵＩＤアレイ３０、信号線束５０の部分を示
しており、実際の装置では、信号線束は検出回路を経て
信号処理装置に接続する。本図の磁束伝達回路１０の断
面は第４図に示すように、巾の広い基板４を用い、第２
図の構造を多数並べた形になっている。
ヤネル磁束計の構成例である。この装置は心臓磁場、脳
磁場等の微弱な生体磁場信号を検出するのに適している
。本図では検出コイル２０゜本発明による磁束伝達回路
１０，ＳＱＵＩＤアレイ３０、信号線束５０の部分を示
しており、実際の装置では、信号線束は検出回路を経て
信号処理装置に接続する。本図の磁束伝達回路１０の断
面は第４図に示すように、巾の広い基板４を用い、第２
図の構造を多数並べた形になっている。
ＳＱＵＩＤアレイ部分は円筒形の超伝導磁気シールド６
０の中に入っている。検出コイル゛２ｏを形成するＮｂ
−Ｔｉなどの超伝導ワイヤ１３との第２図のフレキシブ
ル基板上に形成した伝達回路１０と接続部分Ａを詳細に
示したのが第９図（ａ）である。第９図（ａ）では簡単
のため、２個の検出コイルを接続する超伝導磁束伝達回
路の例を示している。磁束伝達回路の端部は、ストリッ
プライン状のにした超伝導線１−１．１−２．及び第３
の超伝導層３−２が露出している。すなわち、伝達回路
１０の端部のＢ−Ｂ’方向断面を示す第９図（ｂ）でわ
かる通り、伝達回路１０の上面は被覆５で覆われている
が、第２の絶縁層２−２の端部は厚く形成され、この位
置では第３の超伝導層３−２が表面に露出する。検出コ
イル２０の超伝導ワイヤ１３を接続する際に、下部固定
具１１の溝１４に沿って超伝導ワイヤの先端をストリッ
プライン１に接触させ、上部固定具１２−１でしめつけ
、すべての超伝導ワイヤ１３の位置を固定する。この後
、ワイヤ１３とストリップライン１を各々セラソルザで
超伝導接続する。その後、上部固定具１２−２で圧力を
加え、接続を強固なものとする。ここで、上部固定具１
２−２の内面は超伝導体となっており、第３の超伝導層
３−２の露出部が接触する。これによって検出コイルの
接続部においても、伝送線インダクタンスの低減および
外部雑音の防止が図られている。
０の中に入っている。検出コイル゛２ｏを形成するＮｂ
−Ｔｉなどの超伝導ワイヤ１３との第２図のフレキシブ
ル基板上に形成した伝達回路１０と接続部分Ａを詳細に
示したのが第９図（ａ）である。第９図（ａ）では簡単
のため、２個の検出コイルを接続する超伝導磁束伝達回
路の例を示している。磁束伝達回路の端部は、ストリッ
プライン状のにした超伝導線１−１．１−２．及び第３
の超伝導層３−２が露出している。すなわち、伝達回路
１０の端部のＢ−Ｂ’方向断面を示す第９図（ｂ）でわ
かる通り、伝達回路１０の上面は被覆５で覆われている
が、第２の絶縁層２−２の端部は厚く形成され、この位
置では第３の超伝導層３−２が表面に露出する。検出コ
イル２０の超伝導ワイヤ１３を接続する際に、下部固定
具１１の溝１４に沿って超伝導ワイヤの先端をストリッ
プライン１に接触させ、上部固定具１２−１でしめつけ
、すべての超伝導ワイヤ１３の位置を固定する。この後
、ワイヤ１３とストリップライン１を各々セラソルザで
超伝導接続する。その後、上部固定具１２−２で圧力を
加え、接続を強固なものとする。ここで、上部固定具１
２−２の内面は超伝導体となっており、第３の超伝導層
３−２の露出部が接触する。これによって検出コイルの
接続部においても、伝送線インダクタンスの低減および
外部雑音の防止が図られている。
以上の実施例では検出コイル２０の交換が容易であると
いう利点があるが、検出コイルとＳＱＵＩＤ間に接続点
を必要とする。この接続点をなくし、信頼性の向上を図
ったのが第５図の実施例である。この例ではＳＱＵＩＤ
素子３１、検出コイル２０．磁束伝達回路１０がすべて
同じフレキシブル基板上に形成されており、超伝導体間
の機械的接続点をもたない。検出コイル部は第６図のよ
うに折り曲げることにより１次微分コイルの形状となる
。ＳＱＵＩＤ素子３１の部分は第３図による実施例同様
、磁気シールド６０で蔽う。
いう利点があるが、検出コイルとＳＱＵＩＤ間に接続点
を必要とする。この接続点をなくし、信頼性の向上を図
ったのが第５図の実施例である。この例ではＳＱＵＩＤ
素子３１、検出コイル２０．磁束伝達回路１０がすべて
同じフレキシブル基板上に形成されており、超伝導体間
の機械的接続点をもたない。検出コイル部は第６図のよ
うに折り曲げることにより１次微分コイルの形状となる
。ＳＱＵＩＤ素子３１の部分は第３図による実施例同様
、磁気シールド６０で蔽う。
本実施例では１チャネルＳＱＵＩＤ磁束計の例を示した
が、多チャネルでも全く同様である。
が、多チャネルでも全く同様である。
第７図、第８図は、本発明の製造方法を示す実施例であ
る。第７図は蒸着による超伝導覆体の成膜を示したもの
で、絶縁体に蔽われた超伝導線２５に、超伝導体、例え
ば鉛−金−インジウム合金の蒸着を行って、本発明の構
成を得る。
る。第７図は蒸着による超伝導覆体の成膜を示したもの
で、絶縁体に蔽われた超伝導線２５に、超伝導体、例え
ば鉛−金−インジウム合金の蒸着を行って、本発明の構
成を得る。
第８図は、本発明の別な製造方法である。一方の基板４
には超伝導覆体３−１と、ストリップライン状の超伝導
＄１が成膜されている。これに超伝導覆体３−２の成膜
されているもう一方の基板４′をはり合わせて、本発明
の構成を得る。ここで各々の超伝導覆体は内側におりこ
まれた形状になっておりはり合わせることにより超伝導
接続するように構成されている。
には超伝導覆体３−１と、ストリップライン状の超伝導
＄１が成膜されている。これに超伝導覆体３−２の成膜
されているもう一方の基板４′をはり合わせて、本発明
の構成を得る。ここで各々の超伝導覆体は内側におりこ
まれた形状になっておりはり合わせることにより超伝導
接続するように構成されている。
実施例第３図に示すように、多数の超伝導線を超伝導覆
体で蔽う場合は、第１０図の構成が適している。本構成
では第１図の例と同様に絶縁基板４の上に第１の超伝導
層３−１、第１の絶縁層２−１、第２の超伝導層、第２
の絶縁層２−２、及び第３の超伝導層３−２が順に積層
される。ただし、上記第２の超伝導層は多数のストリッ
プラインの配列の形で形成される。そのうち、２本ずつ
で対をなして信号伝送を行なう超伝導線１の各組の間の
ストリップライン３５は接地された超伝導線とする。本
構成においては、絶縁体２を十分薄くすることにより、
各伝送線間のクロストークを一４ＯｄＢ以下の実用可能
な程度にすることが可能であり、その動作は第４図の実
施例と同等である。
体で蔽う場合は、第１０図の構成が適している。本構成
では第１図の例と同様に絶縁基板４の上に第１の超伝導
層３−１、第１の絶縁層２−１、第２の超伝導層、第２
の絶縁層２−２、及び第３の超伝導層３−２が順に積層
される。ただし、上記第２の超伝導層は多数のストリッ
プラインの配列の形で形成される。そのうち、２本ずつ
で対をなして信号伝送を行なう超伝導線１の各組の間の
ストリップライン３５は接地された超伝導線とする。本
構成においては、絶縁体２を十分薄くすることにより、
各伝送線間のクロストークを一４ＯｄＢ以下の実用可能
な程度にすることが可能であり、その動作は第４図の実
施例と同等である。
本発明による磁束伝送回路によれば、
ＳＱＵＩＤ磁束計において、検出コイルで検出した磁束
信号を、高効率、低雑音でＳＱＵＩＤ素子部に伝送でき
る効果がある。また、このとき磁束伝達回路にフレキシ
ビリティを持たせることができるので、実装が容易とな
る効果がある。さらにＳＱＵＩＤ磁束計が多チャネルの
場合にも対応可能である。
信号を、高効率、低雑音でＳＱＵＩＤ素子部に伝送でき
る効果がある。また、このとき磁束伝達回路にフレキシ
ビリティを持たせることができるので、実装が容易とな
る効果がある。さらにＳＱＵＩＤ磁束計が多チャネルの
場合にも対応可能である。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の実施例の断面図、第
４図、第１ｏ図は特に多チャネルに対応する実施例の断
面図である。第３図、及び、第９図は本発明をＳＱＵＩ
Ｄ磁束計に実装した実施例、第５図、第６図は本発明を
ＳＱＵＩＤ磁束計として実装した別の実施例である。ま
た第７図、第８図は本発明の製造法を示す図である。ま
た第１１図、第１２図は本発明の動作原理を示す説明図
である。 １・・・超伝導線、２・・・絶縁体、３・・・超伝導覆
体。 ４・・・（フレキシブル）基板、１０・・・超伝導磁束
伝送回路、２０・・・検出コイル、３０・・・ＳＱＵＩ
Ｄアレイ、 ３１・・・ＳＱＵＩＤ素子。 特 許 出 願 人 工業技術院長 杉浦 賢 復代理人
４図、第１ｏ図は特に多チャネルに対応する実施例の断
面図である。第３図、及び、第９図は本発明をＳＱＵＩ
Ｄ磁束計に実装した実施例、第５図、第６図は本発明を
ＳＱＵＩＤ磁束計として実装した別の実施例である。ま
た第７図、第８図は本発明の製造法を示す図である。ま
た第１１図、第１２図は本発明の動作原理を示す説明図
である。 １・・・超伝導線、２・・・絶縁体、３・・・超伝導覆
体。 ４・・・（フレキシブル）基板、１０・・・超伝導磁束
伝送回路、２０・・・検出コイル、３０・・・ＳＱＵＩ
Ｄアレイ、 ３１・・・ＳＱＵＩＤ素子。 特 許 出 願 人 工業技術院長 杉浦 賢 復代理人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、２つの超伝導コイルを２本の超伝導線で接続して１
つの超伝導閉回路を形成してなる超伝導磁束伝達回路に
おいて、超伝導線が、これを蔽う絶縁体を介して別の超
伝導体で蔽われていることを特徴とする超伝導磁束伝達
回路。 ２、２つの超伝導コイルを２本の超伝導線で接続して１
つの超伝導閉回路を形成してなる超伝導磁束伝達回路に
おいて、絶縁基板の上に第１の超伝導層及び第１の絶縁
層が順に形成され、上記第２の絶縁層の上に形成された
第２の超伝導層にて上記２本の超伝導層が形成され、上
記第２の超伝導層の上に被着される第２の絶縁層と前記
第１の絶縁層により上記２本の超伝導線は周囲を覆われ
、かつ上記第２の絶縁層の上に被着される第３の超伝導
層と上記第１の超伝導層とにより上記第１、第２の絶縁
層は周囲を覆われることを特徴とする超伝導磁束伝達回
路。 ３、複数組の対をなす超伝導コイルをそれぞれ対をなす
複数の超伝導線の組で接続して複数の超伝導閉回路を形
成してなる超伝導磁束伝達回路にて、絶縁基板の上に第
１の超伝導層及び第１の絶縁層が順に形成され、上記第
１の絶縁層の上に形成された第２の超伝導層により上記
複数の超伝導線の組が列をなして形成され、上記第２の
超伝導層の上に形成される第２の絶縁層と前記第１の絶
縁層により上記複数の超伝導線の組は周囲を覆われ、上
記第２の絶縁層の上に被着される第３の超伝導層と上記
第１の超伝導層とにより上記第１、第２の絶縁層は周囲
を覆われるとともに、上記複数の組の超電導線の組同志
の間には上記第２の超伝導層で形成される接地用の線が
配列されていることを特徴とする超伝導磁束伝達回路。 ４、請求項２もしくは３に記載の磁束伝達回路において
、絶縁体基板が樹脂でかつ厚さ２００ミクロン以下のフ
レキシブル基板であることを特徴とする超伝導磁束伝達
回路。 ５、請求項２、３もしくは４に記載の磁束伝達回路にお
いて、磁束伝達回路と同一基板上にＳＱＵＩＤ素子ある
いは検出コイル、あるいはその両方が薄膜で形成されて
いることを特徴とする超伝導磁束伝達回路。 ６、絶縁体に蔽われている超伝導線を超伝導体の薄膜ま
たは網でくるみ、あるいは絶縁体表面に蒸着、スパッタ
リングまたはイオンブレーティングで超伝導薄膜を形成
することにより、請求項２、３、もしくは５の磁束伝達
回路の構造を実現する超伝導磁束伝達回路の製造方法。 ７、少なくとも第１、第３の超伝導層をそれぞれ有する
２枚の基板をはり合わせることによって請求項２、３、
もしくは４の磁束伝達回路の構造を実現する超伝導磁束
伝達回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256971A JPH04136776A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 超伝導磁束伝達回路及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2256971A JPH04136776A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 超伝導磁束伝達回路及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04136776A true JPH04136776A (ja) | 1992-05-11 |
Family
ID=17299919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2256971A Pending JPH04136776A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 超伝導磁束伝達回路及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04136776A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009529142A (ja) * | 2006-03-06 | 2009-08-13 | マグナ・シユタイル・フアールツオイクテヒニク・アクチエンゲゼルシヤフト・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシヤフト | 低温液体用レベル検出器及びこれを持つ容器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196781A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路用配線構造 |
| JPS61122585A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 三次構造のグラデイオメーターの製造方法 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2256971A patent/JPH04136776A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196781A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路用配線構造 |
| JPS61122585A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 三次構造のグラデイオメーターの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009529142A (ja) * | 2006-03-06 | 2009-08-13 | マグナ・シユタイル・フアールツオイクテヒニク・アクチエンゲゼルシヤフト・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシヤフト | 低温液体用レベル検出器及びこれを持つ容器 |
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