JPH04137084A - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
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- JPH04137084A JPH04137084A JP2257382A JP25738290A JPH04137084A JP H04137084 A JPH04137084 A JP H04137084A JP 2257382 A JP2257382 A JP 2257382A JP 25738290 A JP25738290 A JP 25738290A JP H04137084 A JPH04137084 A JP H04137084A
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- Japan
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 235000015927 pasta Nutrition 0.000 description 2
- 206010048669 Terminal state Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- Television Signal Processing For Recording (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、たとえば画像データや文字データなどのデー
タを記憶するためのICメモリカードに関する。
タを記憶するためのICメモリカードに関する。
背景技術
近年、たとえば、ディジタル電子スチルカメラにおいて
は、撮像した画像を表わす画像データを記録する媒体と
して、半導体メモリを用いたICメモリカードが使用さ
れるようになっている。
は、撮像した画像を表わす画像データを記録する媒体と
して、半導体メモリを用いたICメモリカードが使用さ
れるようになっている。
このようなICメモリカードとしては、SRAM (ス
タティクRAN)が多く適用されているが、最近では主
として経済性の点からEEPRON (電気的に消去ま
たは再書込可能なROM)を用いる傾向もある。したが
って、ディジタル電子スチルカメラシステムとしては、
ICメモリカードに対するインタフェースがSRAMお
よびEEPROMの双方に互換性があることが望ましい
。
タティクRAN)が多く適用されているが、最近では主
として経済性の点からEEPRON (電気的に消去ま
たは再書込可能なROM)を用いる傾向もある。したが
って、ディジタル電子スチルカメラシステムとしては、
ICメモリカードに対するインタフェースがSRAMお
よびEEPROMの双方に互換性があることが望ましい
。
たとえば、日本電子工業振興協会(JE IDA)から
「ICメモリカードガイドライン」が提案されている。
「ICメモリカードガイドライン」が提案されている。
このガイドラインの第3版では20ビンのコネクタが定
義されている。たとえば、SRAMのICメモリカード
の場合、このICメモリカードに入出力するデータバス
は8ビツトの並列転送バスであり、8端子を使用してい
る。これらの8端子は、メモリチップに読出しまたは書
込みされるデータのみならす、その記憶位置を指定する
アドレスにも使用される。このデータとアドレスとの区
別は、別な2つのステート端子の論理状態で指定される
。メモリチップの記憶領域を指定するアドレスが複数バ
イトで構成される場合は、これら2つのステート端子の
論理状態の組合せでそれらのバイトが指定される。
義されている。たとえば、SRAMのICメモリカード
の場合、このICメモリカードに入出力するデータバス
は8ビツトの並列転送バスであり、8端子を使用してい
る。これらの8端子は、メモリチップに読出しまたは書
込みされるデータのみならす、その記憶位置を指定する
アドレスにも使用される。このデータとアドレスとの区
別は、別な2つのステート端子の論理状態で指定される
。メモリチップの記憶領域を指定するアドレスが複数バ
イトで構成される場合は、これら2つのステート端子の
論理状態の組合せでそれらのバイトが指定される。
たとえば、84にヒツトを越える記憶容量を有するSR
AMを用いたICメモリカードの場合、アドレスが3が
イトにて構成されている。この場合、2つのステート端
子がともに低レベルrLLJの場合に下位バイトのアド
レスの読込み、r LHJの場合に中位バイトのアドレ
スの読込み、r HLJの場合に上位バイトのアドレス
の読込み、さらに、ステート端子の状態がr HHJの
場合にはデータの読込み状態を示すようになっていた。
AMを用いたICメモリカードの場合、アドレスが3が
イトにて構成されている。この場合、2つのステート端
子がともに低レベルrLLJの場合に下位バイトのアド
レスの読込み、r LHJの場合に中位バイトのアドレ
スの読込み、r HLJの場合に上位バイトのアドレス
の読込み、さらに、ステート端子の状態がr HHJの
場合にはデータの読込み状態を示すようになっていた。
この他に、このICメモリカードには、データの書込み
または読出しの場合に、読出しのためのタイミングクロ
ックが供給されるリードクロック端子と、データの書込
みのためのタイミングクロックが供給されるライトクロ
ック端子とが必要であっ−た。
または読出しの場合に、読出しのためのタイミングクロ
ックが供給されるリードクロック端子と、データの書込
みのためのタイミングクロックが供給されるライトクロ
ック端子とが必要であっ−た。
このようなICメモリカードでは、メモリチップの読出
し書込みを制御する制御回路を有し、複数/へイトのア
ドレスを受けると、それによってメモリチップの先頭ア
ドレスを設定する。制御回路はその後、クロック端子に
入力されるデータクロックに同期して順次アドレスを歩
進させ、メモリチップからデータを読み出し、またはこ
れに書き込む。
し書込みを制御する制御回路を有し、複数/へイトのア
ドレスを受けると、それによってメモリチップの先頭ア
ドレスを設定する。制御回路はその後、クロック端子に
入力されるデータクロックに同期して順次アドレスを歩
進させ、メモリチップからデータを読み出し、またはこ
れに書き込む。
このように従来のICメモリカードでは、外部装置すな
わちホストから与えられるアドレスやデータを共通の信
号線にて受け、その状態信号を2つのステート端子に受
けて、同じく外部装置から与えられる書込みまたは読出
しのためのクロックパルスに同期してメモリチップにデ
ータを蓄積し、またはこれから読み出すように構成され
ていた。
わちホストから与えられるアドレスやデータを共通の信
号線にて受け、その状態信号を2つのステート端子に受
けて、同じく外部装置から与えられる書込みまたは読出
しのためのクロックパルスに同期してメモリチップにデ
ータを蓄積し、またはこれから読み出すように構成され
ていた。
ところで、上述のように入出力端子の数が20ピンのよ
うに規格されて、さらにメモリカードに他の機能を増加
させたい場合には、従来のピン数から少なくとも1つ以
上の端子を減少させる必要性が生じてきた。この場合、
既述のように、2つのステート端子を用いているので、
データの書込み状態と合わせて、4状態までしかとるこ
とができない。3バイトを越えるアドレスを必要とする
場合、言換すれば記憶容量が18Mバイトを越えると、
状態信号を入力する端子が不足するという問題があった
。したがって、機能を増加させ、かつ記憶容量を大きく
したい場合に、従来の入出力方式では対応しきれないと
いう問題があった。
うに規格されて、さらにメモリカードに他の機能を増加
させたい場合には、従来のピン数から少なくとも1つ以
上の端子を減少させる必要性が生じてきた。この場合、
既述のように、2つのステート端子を用いているので、
データの書込み状態と合わせて、4状態までしかとるこ
とができない。3バイトを越えるアドレスを必要とする
場合、言換すれば記憶容量が18Mバイトを越えると、
状態信号を入力する端子が不足するという問題があった
。したがって、機能を増加させ、かつ記憶容量を大きく
したい場合に、従来の入出力方式では対応しきれないと
いう問題があった。
目 的
本発明はこのような従来技術の欠点を解消し、従来の端
子数にて、機能を増加させるための端子を確保すること
ができ、さらに3バイト以上のアドレスで指定できる記
憶容量を有するICメモリカードを提供することを目的
とする。
子数にて、機能を増加させるための端子を確保すること
ができ、さらに3バイト以上のアドレスで指定できる記
憶容量を有するICメモリカードを提供することを目的
とする。
発明の開示
本発明によれば、ホストに接続可能であり、ホストから
入力データを受け、またホストへデータを出力する入出
力手段と、データを蓄積する記憶領域を有する記憶手段
と、ホストから制御信号を受け、制御信号に応じて、入
力データを記憶手段に書き込み、また記憶手段からデー
タを読み出して入出力手段よりこれを出力する制御手段
とを有するICメモリカードは、ホストより記憶領域の
アドレスを指定するアドレスを語単位でシリアルに受け
、アドレスの語を展開して記憶領域における記憶位置を
指定するアドレス手段と、記憶手段の記憶容量に関連し
た固定情報を生成する固定情報生成手段とを有し、制御
手段は、ホストから制御信号として固定情報の読出しを
指示されると、固定情報生成手段から固定情報を読み出
して入出力手段を通してホストへ転送する。
入力データを受け、またホストへデータを出力する入出
力手段と、データを蓄積する記憶領域を有する記憶手段
と、ホストから制御信号を受け、制御信号に応じて、入
力データを記憶手段に書き込み、また記憶手段からデー
タを読み出して入出力手段よりこれを出力する制御手段
とを有するICメモリカードは、ホストより記憶領域の
アドレスを指定するアドレスを語単位でシリアルに受け
、アドレスの語を展開して記憶領域における記憶位置を
指定するアドレス手段と、記憶手段の記憶容量に関連し
た固定情報を生成する固定情報生成手段とを有し、制御
手段は、ホストから制御信号として固定情報の読出しを
指示されると、固定情報生成手段から固定情報を読み出
して入出力手段を通してホストへ転送する。
実施例の説明
次に添付図面を参照して本発明によるICメモリカード
の実施例を詳細に説明する。第1図を参照と、本発明に
よるICメモリカードの実施例は、日本電子工業振興協
会(JEIDA) r ICメモリカードカイトライ
ン」第3版で提唱されている20ピンのI10バスイン
タフェースを有するICメモリカード10を含む。メモ
リカード10は、本実施例ではN(自然数)バイトのア
ドレスで指定可能なアドレス空間を有するEEPROM
(電気的消去可能なプログラム可能なROM )チッ
プ12を有する。
の実施例を詳細に説明する。第1図を参照と、本発明に
よるICメモリカードの実施例は、日本電子工業振興協
会(JEIDA) r ICメモリカードカイトライ
ン」第3版で提唱されている20ピンのI10バスイン
タフェースを有するICメモリカード10を含む。メモ
リカード10は、本実施例ではN(自然数)バイトのア
ドレスで指定可能なアドレス空間を有するEEPROM
(電気的消去可能なプログラム可能なROM )チッ
プ12を有する。
メモリカードlOのバスインタフェースは、同図に示す
ような端子DATA、 R/−il、−A/D、および
BCKを含む。これらの端子は、たとえばディジタル電
子スチルカメラやパソコンなどのホスト処理装置(図示
せず〕に着脱可能に接続される。メモリカード10は、
ホストから送られるアドレスの記憶位置にデータを蓄積
する場合、アドレスおよびデータをホストからのバスク
ロックtlOKに応動してEEPROM 12への書き
込む。
ような端子DATA、 R/−il、−A/D、および
BCKを含む。これらの端子は、たとえばディジタル電
子スチルカメラやパソコンなどのホスト処理装置(図示
せず〕に着脱可能に接続される。メモリカード10は、
ホストから送られるアドレスの記憶位置にデータを蓄積
する場合、アドレスおよびデータをホストからのバスク
ロックtlOKに応動してEEPROM 12への書き
込む。
ホストのバスに接続される端子DATAは、アドレス信
号やデータ信号の8ビツト入出力端子である。端子R/
−111は、バスDATAがメモリカード10からの出
力状態であるかまたはこれへの入力状態であるかの別を
指定する端子である。端子−A/Dは、バスDATA上
の信号がデータかまたはアドレスであるかの別を指定す
る入力ポートである。本実施例では、ボー) R/−W
および−A/Dの論理状態がr LLJr )ILJ
r LHJおよびr HHJのとき、パスDATA上
の信号がそれぞれアドレスの入力、後述する固定情報5
0(第3図)の出力、データの入力、およびデータの出
力であることを示す。
号やデータ信号の8ビツト入出力端子である。端子R/
−111は、バスDATAがメモリカード10からの出
力状態であるかまたはこれへの入力状態であるかの別を
指定する端子である。端子−A/Dは、バスDATA上
の信号がデータかまたはアドレスであるかの別を指定す
る入力ポートである。本実施例では、ボー) R/−W
および−A/Dの論理状態がr LLJr )ILJ
r LHJおよびr HHJのとき、パスDATA上
の信号がそれぞれアドレスの入力、後述する固定情報5
0(第3図)の出力、データの入力、およびデータの出
力であることを示す。
EEPROM 12の有効アドレス空間は1本実施例で
はN個の語、たとえばNバイトのアドレスで指定される
。ホストは、これらNバイトのアドレスをバスDATA
にシリアルに転送する。パスDATA上を転送される信
号がNバイトのアドレスのうちのいずれであるかは、第
5図かられかるように、パスタロックBGKを計数する
ことによって指定される。
はN個の語、たとえばNバイトのアドレスで指定される
。ホストは、これらNバイトのアドレスをバスDATA
にシリアルに転送する。パスDATA上を転送される信
号がNバイトのアドレスのうちのいずれであるかは、第
5図かられかるように、パスタロックBGKを計数する
ことによって指定される。
同図では、バスクロックBCKに同期して3バイトのア
ドレスIIQ、 Illおよび雲2がバスDATA上に
ホストから入力される様子が示されている。その際、端
子R/−Wおよび−A/Dの論理状態はr LLJであ
る。また、この論理状態がr HLJの場合は、端子D
ATAに入力されるデータがEEPROM 12に書き
込まれるべきデータであることを示す。なお、これらの
端子以外にカードlOは、チップイネーブル、電源、地
気端子、および書込み禁止端子などを有するが、これら
は本発明の理解に直接関係ないので図示と説明を省略す
る。
ドレスIIQ、 Illおよび雲2がバスDATA上に
ホストから入力される様子が示されている。その際、端
子R/−Wおよび−A/Dの論理状態はr LLJであ
る。また、この論理状態がr HLJの場合は、端子D
ATAに入力されるデータがEEPROM 12に書き
込まれるべきデータであることを示す。なお、これらの
端子以外にカードlOは、チップイネーブル、電源、地
気端子、および書込み禁止端子などを有するが、これら
は本発明の理解に直接関係ないので図示と説明を省略す
る。
ICメモリカード10は基本的には、EEPROM 1
2の他に固定情報生成部14、セレクタ16および18
、デコーダ20、バッファ増幅器22および24、アド
レスカウンタ27を有し、これらが第1図に示すように
接続されている。同図において、太線は8ビツトの並列
転送線を示す。これらの回路要素は、平坦なカード状の
支持体に搭載され、単一のメモリカードlOを生成して
いる。
2の他に固定情報生成部14、セレクタ16および18
、デコーダ20、バッファ増幅器22および24、アド
レスカウンタ27を有し、これらが第1図に示すように
接続されている。同図において、太線は8ビツトの並列
転送線を示す。これらの回路要素は、平坦なカード状の
支持体に搭載され、単一のメモリカードlOを生成して
いる。
固定情報生成部14は、このメモリカード10に固有の
情報すなわち固定情報50を生成する回路であり、たと
えば布線論理の回路、またはROMにて構成される。固
定情報50には、EEPROM 12の記憶容量を特定
する記憶容量データDI、 D2が含まれる。
情報すなわち固定情報50を生成する回路であり、たと
えば布線論理の回路、またはROMにて構成される。固
定情報50には、EEPROM 12の記憶容量を特定
する記憶容量データDI、 D2が含まれる。
この記憶容量データDI、 D2は、たとえば記憶容量
を直接表わすデータでよく、または特定のEEFROM
12の形式もしくは種別を表わす符号でもよい。
を直接表わすデータでよく、または特定のEEFROM
12の形式もしくは種別を表わす符号でもよい。
固定情報50はまた、EEPROM 12のタイプ、種
類、アクセス速度などの他の固有データを含んでもよい
。
類、アクセス速度などの他の固有データを含んでもよい
。
固定情報50は、本実施例では第3図に例示する1バイ
トのフォーマットをとり、その最下位2ビツトDlおよ
びD2がEEPROM 12の記憶容量を示す。たとえ
ば、記憶容量データ[11,[+2がrLLJr HL
J r LHJおよびr HHJであると、EEPR
ON !2の記憶容量がそれぞれ258.84に、 I
EINおよび4Gバイトであることを示す。このような
固定情報は、布線論理またはROMにて生成される。例
示した1バイトの固定情報50など、ビット数の少ない
固定情報は、布線論理にて生成するのが有利である。
トのフォーマットをとり、その最下位2ビツトDlおよ
びD2がEEPROM 12の記憶容量を示す。たとえ
ば、記憶容量データ[11,[+2がrLLJr HL
J r LHJおよびr HHJであると、EEPR
ON !2の記憶容量がそれぞれ258.84に、 I
EINおよび4Gバイトであることを示す。このような
固定情報は、布線論理またはROMにて生成される。例
示した1バイトの固定情報50など、ビット数の少ない
固定情報は、布線論理にて生成するのが有利である。
なお、EEPROM 12の記憶容量がそれぞれ256
゜64に、 IEIMまたは4Gバイトであれば、その
記憶位置を指定するアドレスはそれぞれ、l、2.3ま
たは4バイトである。
゜64に、 IEIMまたは4Gバイトであれば、その
記憶位置を指定するアドレスはそれぞれ、l、2.3ま
たは4バイトである。
第2図に1ビツト分の固定情報を生成する布線論理回路
14の例を示す。この回路14では、ポートR/−Wお
よび−A/Dの論理状態がr HLJのとき、固定情報
50の読出しが指定され、インバータ60を介してAN
Dゲート62が付勢される。これによって2人力AND
ゲート64の一方の入力66が付勢され、その他方の入
力68の論理状態がその出カフ0に現われ、これはOR
ゲート72を通して出カフ4からセレクタ16へ出力さ
れる。ボー) R/−Wおよび−AIDの論理状態がr
HLJ以外のときは、ANDゲート78のみが付勢さ
れるので、バスDATAのうちの1本DATA−の論理
状態がORゲート72を通してセレクタ16へ出力され
る。固定情報生成部14は、このような回路を固定情報
のビ・ント数に相当する数だけ含む。
14の例を示す。この回路14では、ポートR/−Wお
よび−A/Dの論理状態がr HLJのとき、固定情報
50の読出しが指定され、インバータ60を介してAN
Dゲート62が付勢される。これによって2人力AND
ゲート64の一方の入力66が付勢され、その他方の入
力68の論理状態がその出カフ0に現われ、これはOR
ゲート72を通して出カフ4からセレクタ16へ出力さ
れる。ボー) R/−Wおよび−AIDの論理状態がr
HLJ以外のときは、ANDゲート78のみが付勢さ
れるので、バスDATAのうちの1本DATA−の論理
状態がORゲート72を通してセレクタ16へ出力され
る。固定情報生成部14は、このような回路を固定情報
のビ・ント数に相当する数だけ含む。
複数バイトの固定情報を生成する適用例では、生成部1
4はROMで構成するのが有利である。その場合は、第
1図に点線で示すように、バスクロックBCKを計数す
るカウンタ26が設けられ、その計数値出力28で固定
情報生成部すなわちROM 14の読出しアドレスが指
定される。ROM 14は、このアドレス指定に応動し
て1バイトずつ固定情報50をその出カフ4に出力する
。
4はROMで構成するのが有利である。その場合は、第
1図に点線で示すように、バスクロックBCKを計数す
るカウンタ26が設けられ、その計数値出力28で固定
情報生成部すなわちROM 14の読出しアドレスが指
定される。ROM 14は、このアドレス指定に応動し
て1バイトずつ固定情報50をその出カフ4に出力する
。
セレクタ16は、固定情報生成部14の読出し出カフ4
とEEPROM 12のデータ読出し出力30とを択一
的に選択する選択回路である。その出力32はバッファ
増幅器22を通して/ヘスDATAに接続されている。
とEEPROM 12のデータ読出し出力30とを択一
的に選択する選択回路である。その出力32はバッファ
増幅器22を通して/ヘスDATAに接続されている。
セレクタ16の選択動作はデコーダ20によって制御さ
れる。デコーダ20は、ポー) R/−filおよび−
AIDの論理状態を復号し、バスクロックBCKに同期
して制御線34.36.38および40を制御し、これ
によってセレクタ16および18、ならびにバッファ増
幅器22および24を制御する制御回路である。デコー
ダ20からこのカード10の、たとえばEEFROM1
2などの他の構成要素への制御線は、図の複雑化を避け
るため、図示を省略しである。
れる。デコーダ20は、ポー) R/−filおよび−
AIDの論理状態を復号し、バスクロックBCKに同期
して制御線34.36.38および40を制御し、これ
によってセレクタ16および18、ならびにバッファ増
幅器22および24を制御する制御回路である。デコー
ダ20からこのカード10の、たとえばEEFROM1
2などの他の構成要素への制御線は、図の複雑化を避け
るため、図示を省略しである。
バスDATAに接続されているセレクタ】8は、EEP
RON 12の記憶位置を指定するアドレスとしてバス
DATAにホストから送られてくるアドレスのバイトに
応じてアドレスカウンタ27のバイト段を選択する選択
回路である。アドレスカウンタ27は、EEPROM
12の記憶位置アドレスをアドレス線42によ。て新管
すふ計釣同蕗〒島為−アドレスカウンタ27は、本実施
例ではNバイトに対応する蓄積位置を有し、パスタロッ
クBCKの立下りに同期してインクリメントする。
RON 12の記憶位置を指定するアドレスとしてバス
DATAにホストから送られてくるアドレスのバイトに
応じてアドレスカウンタ27のバイト段を選択する選択
回路である。アドレスカウンタ27は、EEPROM
12の記憶位置アドレスをアドレス線42によ。て新管
すふ計釣同蕗〒島為−アドレスカウンタ27は、本実施
例ではNバイトに対応する蓄積位置を有し、パスタロッ
クBCKの立下りに同期してインクリメントする。
動作状態において、ホスト(図示せず)からメモリカー
ドlOにデータを書き込む場合、ポストは、第4図に示
すように、端子−A/DおよびR/−Wを論理状態r
LHJにすることによってEEPROM 12の記憶容
量を知ることができる。この論理状態に応動してカート
10のデコーダ20は、端子−A/DおよびR/−Wの
状態を展開する。これが状態r LHJを示していると
、バスクロックBCKの立下りで制御線34を付勢し、
セレクタ16を入カフ4を出力32に接続する状態にす
る。これとともに、デコーダ20は制御線38によりバ
ッファ増幅器22を駆動する。これによって、固定情報
生成部14から固定情報50がバスDATAに読み出さ
れる。ホストは、そのビット旧およびD2を読み取るこ
とによって、EEPROM 12の記憶容量を知ること
ができる。したがってホストを青 EEPROM +2
の7ド17ス0闇の両室し−スソ、亜かフドレスの語長
、すなわちアドレスとして何バイトを転送すればよいか
を知ることができる。たとえば、固定情報50のピッ)
DI、D2がr LHJを示していれば、EEPROM
12の記憶容量はf14にバイトであり、ホストは3
バイトのアドレスをバスDATAに与えればよい。
ドlOにデータを書き込む場合、ポストは、第4図に示
すように、端子−A/DおよびR/−Wを論理状態r
LHJにすることによってEEPROM 12の記憶容
量を知ることができる。この論理状態に応動してカート
10のデコーダ20は、端子−A/DおよびR/−Wの
状態を展開する。これが状態r LHJを示していると
、バスクロックBCKの立下りで制御線34を付勢し、
セレクタ16を入カフ4を出力32に接続する状態にす
る。これとともに、デコーダ20は制御線38によりバ
ッファ増幅器22を駆動する。これによって、固定情報
生成部14から固定情報50がバスDATAに読み出さ
れる。ホストは、そのビット旧およびD2を読み取るこ
とによって、EEPROM 12の記憶容量を知ること
ができる。したがってホストを青 EEPROM +2
の7ド17ス0闇の両室し−スソ、亜かフドレスの語長
、すなわちアドレスとして何バイトを転送すればよいか
を知ることができる。たとえば、固定情報50のピッ)
DI、D2がr LHJを示していれば、EEPROM
12の記憶容量はf14にバイトであり、ホストは3
バイトのアドレスをバスDATAに与えればよい。
そこでホストは、第5図に示すように、端子−A/Dお
よびR/−Wを状態rLLJにしてEEPROM 12
の書込みを行なうべき記憶位置の先頭アドレスをバスD
ATAに与える。第5図に示す例では、このアドレスは
3バイト雲0. Il!、 112を含み、この順に与
えられる。これとともにホストはバスクロックBCKを
供6合する。
よびR/−Wを状態rLLJにしてEEPROM 12
の書込みを行なうべき記憶位置の先頭アドレスをバスD
ATAに与える。第5図に示す例では、このアドレスは
3バイト雲0. Il!、 112を含み、この順に与
えられる。これとともにホストはバスクロックBCKを
供6合する。
メモリカード10のデコーダ20は、端子−A/Dおよ
びR/−Wを論理状態r LLJを展開し、最初のバス
クロックBCKの立下りで制御線36を付勢する。これ
によってセレクタ1Bは、その入力DATAを第1桁の
出力に接続し、アドレスの第1バイトIIOがアドレス
カウンタ27の第1バイト段に取り込まれる。同様にし
てデコーダ20は、これに続くバスクロックBGKの立
下りでセレクタ16の第2桁の出力を選択し、アドレス
の第2バイト#1がアドレスカウンタ27の第2バイト
段に取り込まれる。同様にしてアドレスの第3バイトs
2もカウンタ26の第3段に設定される。こうして、E
EFROM 12のメモリ空間において書込みを行なう
記憶領域の先頭アドレスがカウンタ26に設定された。
びR/−Wを論理状態r LLJを展開し、最初のバス
クロックBCKの立下りで制御線36を付勢する。これ
によってセレクタ1Bは、その入力DATAを第1桁の
出力に接続し、アドレスの第1バイトIIOがアドレス
カウンタ27の第1バイト段に取り込まれる。同様にし
てデコーダ20は、これに続くバスクロックBGKの立
下りでセレクタ16の第2桁の出力を選択し、アドレス
の第2バイト#1がアドレスカウンタ27の第2バイト
段に取り込まれる。同様にしてアドレスの第3バイトs
2もカウンタ26の第3段に設定される。こうして、E
EFROM 12のメモリ空間において書込みを行なう
記憶領域の先頭アドレスがカウンタ26に設定された。
ホストは次に、端子−A/DおよびR/−を状態rHL
Jにし、書き込むべき1バイトのデータをバスDATA
に与える。デコーダ20は、端子−A/DおよびR/−
Wを論理状態rHLJを展開し、最初のバスクロックB
CKの立下りで制御線40を付勢する。これによってバ
ッファ増幅器24が駆動され、バスDATA上のデータ
は、EEPROM 12におけるアドレスカウンタ27
の示すアドレスの記憶位置に書き込まれる。アドレスカ
ウンタ27は、次のバスクロックBCKでインクリメン
トし、こうしてホストは、EEPROM 12にデータ
を書き込むことができる。
Jにし、書き込むべき1バイトのデータをバスDATA
に与える。デコーダ20は、端子−A/DおよびR/−
Wを論理状態rHLJを展開し、最初のバスクロックB
CKの立下りで制御線40を付勢する。これによってバ
ッファ増幅器24が駆動され、バスDATA上のデータ
は、EEPROM 12におけるアドレスカウンタ27
の示すアドレスの記憶位置に書き込まれる。アドレスカ
ウンタ27は、次のバスクロックBCKでインクリメン
トし、こうしてホストは、EEPROM 12にデータ
を書き込むことができる。
本実施例では、ホストは、メモリカード10にデータを
蓄積するに先立って、固定情報生成部14で生成される
EEPROM 12の記憶容量を含んだ固定情報50を
読み込むことができる。また、詳細な説明はしなかった
が、メモリカード10からデータを読み出す場合も同様
に、ホストは固定情報50を読み込むことができる。読
出しの場合、デコーダ20は、端子−A/DおよびR/
−111を論理状態r HHJを展開し、パスタロック
BCKの立下りで制御線34および36を制御し、セレ
クタ16を入力30の側にスイッチさせ、またバッファ
増幅器22を付勢する。これによって、EEPROM
12から読み出されるデータは、セレクタ18およびバ
ッファ22を通ってバスDATAに出力される。
蓄積するに先立って、固定情報生成部14で生成される
EEPROM 12の記憶容量を含んだ固定情報50を
読み込むことができる。また、詳細な説明はしなかった
が、メモリカード10からデータを読み出す場合も同様
に、ホストは固定情報50を読み込むことができる。読
出しの場合、デコーダ20は、端子−A/DおよびR/
−111を論理状態r HHJを展開し、パスタロック
BCKの立下りで制御線34および36を制御し、セレ
クタ16を入力30の側にスイッチさせ、またバッファ
増幅器22を付勢する。これによって、EEPROM
12から読み出されるデータは、セレクタ18およびバ
ッファ22を通ってバスDATAに出力される。
このようにホストは、メモリカーFIOの読出しまたは
書込みに先立ってカード10において利用可能なアドレ
ス空間の大きさを認識することができる。ホストに接続
されるメモリカーt”10は、その有するEEPROM
12の記憶容量が不定である。本実施例では、この個
々のカード10に固有の記憶容量に関連した記憶容量デ
ータが固定情報50として固宇恰vJ汗[#郁14から
子線され為、メモリカート10は、その設計に応じて理
論的には無限のアドレス空間が利用可能である。本実施
例においてホストは、個々のメモリカード10に固有の
利用可能なアドレス空間を知ることができ、したがって
アドレス空間の指定に必要なアドレスの語長を知ること
ができる。
書込みに先立ってカード10において利用可能なアドレ
ス空間の大きさを認識することができる。ホストに接続
されるメモリカーt”10は、その有するEEPROM
12の記憶容量が不定である。本実施例では、この個
々のカード10に固有の記憶容量に関連した記憶容量デ
ータが固定情報50として固宇恰vJ汗[#郁14から
子線され為、メモリカート10は、その設計に応じて理
論的には無限のアドレス空間が利用可能である。本実施
例においてホストは、個々のメモリカード10に固有の
利用可能なアドレス空間を知ることができ、したがって
アドレス空間の指定に必要なアドレスの語長を知ること
ができる。
固定情報50がRO)lの形で固定情報生成部14より
生成される場合も同様である。固定情報が複数バイトを
含む場合、ホストは、固定情報のバイトに応じて複数の
バスクロックBCKを生成する。カート10のカウンタ
2BはこのクロックBCKを計数し、ROM 14の読
出し記憶位置のアドレスがこれによって指定される。こ
うしてROM 14からバイト単位でシリアルに固定情
報がセレクタ16およびバッファ22を通してバスDA
TAに読み出される。
生成される場合も同様である。固定情報が複数バイトを
含む場合、ホストは、固定情報のバイトに応じて複数の
バスクロックBCKを生成する。カート10のカウンタ
2BはこのクロックBCKを計数し、ROM 14の読
出し記憶位置のアドレスがこれによって指定される。こ
うしてROM 14からバイト単位でシリアルに固定情
報がセレクタ16およびバッファ22を通してバスDA
TAに読み出される。
ところで第5図を参照すると、本実施例では、EEPR
OM 12の記憶位置を指定するアドレスが下位バイト
から順にアドレスカウンタ27の対応するバイト段に上
書きされる。したがってホストは、アドレスに台まれる
バイトのうネ下位の蛍aすたえ+複数バイトを書き替え
てアドレスカウンタ27にバスDATAに供給し、上位
のバイトはアドレスカウンタ27に前の状態まま保持さ
せておくことによって、EEPROM 12のアドレス
空間のうちの所望の領域を巡回的に繰返しアクセスする
ことができる。
OM 12の記憶位置を指定するアドレスが下位バイト
から順にアドレスカウンタ27の対応するバイト段に上
書きされる。したがってホストは、アドレスに台まれる
バイトのうネ下位の蛍aすたえ+複数バイトを書き替え
てアドレスカウンタ27にバスDATAに供給し、上位
のバイトはアドレスカウンタ27に前の状態まま保持さ
せておくことによって、EEPROM 12のアドレス
空間のうちの所望の領域を巡回的に繰返しアクセスする
ことができる。
効 果
このように本発明によれば、メモリカードのアドレス空
間を指定するアドレスのバイトをシリアルに与えること
ができ、その際、カードに含まれている固定情報を読み
出すことによってアドレス空間の大きさを知ることがで
きる。したがって、アドレス空間に論理的な制限はない
。また、ホストはアクセス可能な領域を認識でき、アド
レス空間の指定に必要なアドレスの語長を知ることがで
きる。
間を指定するアドレスのバイトをシリアルに与えること
ができ、その際、カードに含まれている固定情報を読み
出すことによってアドレス空間の大きさを知ることがで
きる。したがって、アドレス空間に論理的な制限はない
。また、ホストはアクセス可能な領域を認識でき、アド
レス空間の指定に必要なアドレスの語長を知ることがで
きる。
第1図は本発明によるICメモリカードの実施例を示す
ブロック図、 第2図は、第1図に示す実施例における固定情報生成部
の構成例を示す機能回路図、 第3図は同実施例における固定情報のデータ形式を例示
する説明図、 第4図は同実施例における固定情報の読出しタイミング
を例示するタイミング図、 第5図は同実施例におけるアドレス指定のタイミングを
例示するタイミング図である。 10、、。 +2.、。 14、、。 IJ18.。 20、、。 26、、。 27、、。 主要部分の符号の説明 ICメモリカード EEPROMチップ 固定情報生成部 セレクタ テコータ カウンタ アドレスカウンタ
ブロック図、 第2図は、第1図に示す実施例における固定情報生成部
の構成例を示す機能回路図、 第3図は同実施例における固定情報のデータ形式を例示
する説明図、 第4図は同実施例における固定情報の読出しタイミング
を例示するタイミング図、 第5図は同実施例におけるアドレス指定のタイミングを
例示するタイミング図である。 10、、。 +2.、。 14、、。 IJ18.。 20、、。 26、、。 27、、。 主要部分の符号の説明 ICメモリカード EEPROMチップ 固定情報生成部 セレクタ テコータ カウンタ アドレスカウンタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ホストに接続可能であり、前記ホストから入力デー
タを受け、また該ホストへデータを出力する入出力手段
と、データを蓄積する記憶領域を有する記憶手段と、前
記ホストから制御信号を受け、該制御信号に応じて、前
記入力データを前記記憶手段に書き込み、また該記憶手
段からデータを読み出して前記入出力手段よりこれを出
力する制御手段とを有するICメモリカードにおいて、
該カードは、 前記ホストより前記記憶領域のアドレスを指定するアド
レスを語単位でシリアルに受け、該アドレスの語を展開
して該記憶領域における記憶位置を指定するアドレス手
段と、 前記記憶手段の記憶容量に関連した固定情報を生成する
固定情報生成手段とを有し、 前記制御手段は、前記ホストから前記制御信号として前
記固定情報の読出しを指示されると、前記固定情報生成
手段から該固定情報を読み出して前記入出力手段を通し
て前記ホストへ転送することを特徴とするICメモリカ
ード。 2、請求項1に記載のカードにおいて、 該カードは、前記記憶手段の出力および前記固定情報生
成手段の出力を選択的に前記入出力手段に接続する選択
手段を有し、 前記制御手段は、前記固定情報の読出しを指示されると
、前記選択手段を制御して前記固定情報生成手段の出力
を選択的に前記入出力手段に接続することを特徴とする
ICメモリカード。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257382A JPH04137084A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
| US08/465,619 US5584044A (en) | 1990-09-28 | 1995-06-05 | Integrated circuit memory card for write in/read out capability having plurality of latching means for expandable addressing using counting means for enabling latches thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257382A JPH04137084A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04137084A true JPH04137084A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17305614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257382A Pending JPH04137084A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04137084A (ja) |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2257382A patent/JPH04137084A/ja active Pending
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