JPH04137329A - 電子線発生装置及びそれを用いた画像形成装置と光信号供与装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、電子放出素子の下方に変調電極を一体に形成
し、かつ、絶縁層の厚みを異ならしめた電子線発生装置
及びこれを用いた画像表示装置。

光信号供与装置に関する。

［従来の技術］ 従来、電子線発生装置の電子放出素子としては、例えば
、ＰＮ接合に逆バイアス電圧を印加し電子なだれ降伏現
象を生ぜしめ素子外へと電子を放出する型のもの、金属
−絶縁体層−金属層の構成を有し該２つの金属の間に電
圧を印加することによりトンネル効果で絶縁体層を通過
してきた電子を金属層から素子外へと放出するもの（Ｍ
ＩＭ）、高抵抗薄膜にその膜厚方向と直交する方向に電
圧印加し該薄膜表面から素子外へと電子を放出させる表
面伝導形（ＳＣＥ）のもの、電界集中の生じ易い形状の
金属に対し電圧を印加して局所的に高密度の電界を発生
させ該金属から素子外へと電子を放出させる電界効果形
（ＦＥ）のもの等が提案されている。

ここで、上述ＳＣＥ形の電子放出素子について詳述する
と、これは、エム・アイ・エリンソン（Ｍ、１．Ｅｌｉ
ｎｓｏｎ）等によって発表された［ラジオ・エンジニア
リング・エレクトロン・フィジイッス（Ｒａｄｉｏ　　
Ｅｎｇ。

Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、　　Ｐｈｙｓ、）第１０巻。

１２９０〜１２９６頁、１９６５年］冷陰極素子であり
、基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電
流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する
もので、一般には表面伝導形電子放出素子と呼ばれてい
る。

この表面伝導形電子放出素子としては、前記エリンソン
等により開発されたＳｎＯ□　（Ｓｂ）薄膜を用いたも
のの他、Ａｕ薄膜によるもの［ジー・ディトマー：″ス
イン・ソリド・フィルムス”　　（Ｇ、Ｄｉｔｔｍｅｒ
：　“Ｔｈ１ｎＳｏｌｉｄ　　Ｆｉｌｍｓ”）、９巻、
３１７頁。

（１９７２年）］、ＩＴＯ薄膜によるもの［エム・ハー
トウェル・アンド・シー・ジー・フォンスタッド：　“
アイ・イー・イー・イー・トランス・イー・デイ−・コ
ンフ”　（Ｍ、Ｈａｒｔｗｅ　１１ａｎｄ　　Ｃ，Ｇ、
Ｆｏｎｓｔａｄ：　　Ｉ　ＥＥＥＴｒａｎｓ、　　ＥＤ
　　Ｃｏｎｆ、”）５１９頁。

（１９７５年）］、カーボン薄膜によるもの［荒木久他
：“真空”、第２６巻、第１号、２２頁。

（１９８３年）］等が報告されている。

かかる表面伝導形電子放出素子は、 １）高い電子放出効率が得られる、 ２）構造が簡単であるため、製造が容易である、３）同
一基板上に多数の素子を配列形成できる、４）応答速度
が速い、 等の利点があり、今後法（応用される可能性をもってい
る。

一方、面状に展開した複数の電子源と、この電子源から
の電子ビームの照射を各々受ける蛍光体ターゲットとを
、各々相対向させた薄形の画像表示装置が、特開昭５８
−１９５６号公報、特開昭６０−２２５３４２号公報等
で開示されている。

第８図は、電子源として熱電子源を用いた場合の画像表
示装置の概要を示すものである。本図中、５１はガラス
基板、５２は支持体、５３は配線電極、５４は電子放出
部、５５は電子通過孔、５６は変調電極、８はガラス板
、９は透明電極、１０は画像形成部材で、例えば蛍光体
、レジスト材等電子が衝突することにより発光、変色、
帯電、変質等する部材から成る。７はフェースプレート
、１２は蛍光体の輝点である。電子放出部５４は薄膜技
術により形成され、ガラス基板５１とは接触することが
ない中空構造を成すものである。配線電極５３は電子放
出部材と同一の材料を用いて形成しても、別材料を用い
ても良く、一般に融点が高く電気抵抗の小さいものが用
いられる。支持体５２は絶縁体材料もしくは導電体材料
で形成されている。

この装置は、配線電極５３に電圧を印加せしめ中空構造
をなす電子放出部より電子を放出させ、これら電子流を
情報信号に応じて変調する変調電極５６に電圧を印加す
ることにより電子を取り出し、取り出した電子を加速さ
せ画像形成部材９に衝突させるものである。また、配線
電極５３と変調電極５６でＸＹマトリックスを形成せし
め、蛍光体上に画像表示を行うものである。

また、第９図に示すものは、前述表面伝導形電子放出素
子を電子源として用いた、画像表示装置の構成図である
。

本図中、６０は絶縁性基板、６１は配線電極、６２は素
子電極、６３は電子放出部である。この画像表示装置は
、配線電極６１間に素子を並べた線電子源群と変調電極
６６群でＸＹマトリックス駆動を行うことにより画像表
示するものである。

これらの画像表示装置は、通常ｌＸｌ０−’〜１ＸＩＯ
−’ｔｏｒｒの真空状態で駆動させる為に、系全体を真
空封止することによりデイスプレィ装置を製作しなけれ
ばならない。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上述した画像表示装置（デイスプレィ）
には、次のような問題点があった。

■、フェースプレート１０に設けた画像形成部材９と変
調電極５６．６６と電子放出部５４６３の位置合わせが
難しい為、大画面で高精細なデイスプレィが作製しがた
い。

■、変調電極５６．６６と電子放出部５４．６３の絶対
的な位置が場所によって異なると表示画像にむらが生じ
る。よって、極めて正確に位置合わせをして製造する必
要がある。

■、■、■を鑑みて大画面で高精細なデイスプレィを製
造するには、多大な設備投資が必要であり、デイスプレ
ィの価格も非常に高価になる。

■、上記■、■、■を解消すべく手段、例えば変調電極
の構成位置を異ならしめても、電子放出素子の特性等に
は何ら影響を与えないような構成とする必要がある。

すなわち、本発明の目的とするところは、上述のような
問題点を解消した電子線発生装置及びこれを用いた画像
表示装置、さらには光信号供与装置を提供することにあ
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明の特徴とするところは、 第１に、基板上に、電子流を情報信号に応じて変調する
変調電極及びその上方に電子放出素子を、絶縁層を介し
て一体に形成し、かつ、該電子放出素子の電子放出部下
方に位置する絶縁層膜厚が、他の領域に比べ厚（形成さ
れている電子線発生装置としている点にある。

第２に、基板上に、電子流を情報信号に応じて変調する
変調電極及びその上方に電子放出素子を、絶縁層を介し
て一体に形成し、かつ、該電子放出素子の電子放出部下
方に位置する絶縁層膜厚が、他の領域に比べ簿（形成さ
れている電子線発生装置を特徴とする。

すなわち、薄膜製造技術により、変調電極と電子放出素
子とを、絶縁層を介して一体に形成することで相互のア
ライメント精度の向上を図り、かつ、電子放出素子の下
方に位置する絶縁層の膜厚を他の領域と異ならしめる（
厚膜化あるいは薄膜化）ことで、電子放出部には影響を
及ぼさず放出された電子線の整形（収束あるいは発散）
を行うものである。

第３に、前記第１又は第２に記載の電子放出素子として
、表面伝導形電子放出素子（ＳＣＥ）を構成要素とした
電子線発生装置を特徴とする。

第４に、前記電子放出部下方に位置する絶縁層の膜厚Ｌ
　ｍａｔと他の領域に位置する絶縁層の膜厚Ｌ　ｍ　ｌ
　ｎとの関係が、 Ｌ　ｖａａｘ　　Ｌ　ｌｌ１Ｉｎ≧０．３Ｌ、、。

となるように形成した前記第１又は第３に記載の電子線
発生装置を特徴とする。

第５に、前記電子放出部下方に位置する絶縁１の膜厚り
。１ｏと他の領域に位置する絶縁の膜厚し□うとの関係
が、 Ｌ　ｅａａｘ　−Ｌ　□。≧０．３Ｌｍ、。

となるように形成した前記第２又は第３に記載の電子線
発生装置を特徴とする。

第６に、前記電子放出素子を複数配列させた線状電子源
をストライプ状に配置し、前記変調電極を該線状電子源
に直交するように設けてＸＹマトリックスを構成した前
記第１〜第５いずれかに記載の電子線発生装置を特徴と
する。

かかる構成によれば、線状電子源群と変調電極群とでＸ
Ｙマトリックス駆動を行うことにより、電子線を走査さ
せることができる。

第７に、電子放出素子と変調電極に、独立の電圧印加手
段を設けた前記第１〜第６いずれかに記載の電子線発生
装置を特徴とする。

すなわち、電子放出素子を駆動する印加電圧と変調電極
を駆動する印加電圧とを独立したものとすることにより
、情報信号に応じて変調電極に電圧を印加し、素子駆動
に関係な（電子線を変調させることかできる。

第８に、前記第１〜第７いずれかに言己載の電子線発生
装置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像
を形成する画像形成部材を設けた画像表示装置を特徴と
する。

ここで、画像形成部材としては、例えば蛍光体、レジス
ト材等電子が衝突することにより発光、帯電、変質等す
る部材であれば良い。

第９に、前記第１〜第７いずれかに記載の電子線発生装
置の電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発生す
る発光体を設け、該電子の衝突による発光を信号として
用い得る構成を特徴とした光信号供与装置にある。

以上が本発明の構成であり、その具体的内容については
実施例にて詳述する。

［イ乍　用］ 本発明の基本概念である、電子放出素子の下方に絶縁層
を介して変調電極を一体形成し、かつ、電子放出素子（
少な（とも電子放出部）下方に位置する絶縁層の膜厚を
他の領域に位置する絶縁層の膜厚と異ならしめる（厚く
するあるいは薄くする）構成は、以下のような作用を奏
する。

先ず、後述する実施例に示すような薄膜製造技術を用い
、変調電極が電子放出素子と絶縁層を介して一体に形成
されることで、従来のようなアライメントのバラツキが
な（、その結果、電子流を情報信号に応じ精度良く変調
することが可能となる。

次に、電子放出部下方の絶縁層膜厚が他の領域に比べて
厚く形成されている場合、第４図（ａ）に示すように、
変調電極２を一側として電圧を印加することで、電子放
出部４近傍が凹状となる電界が得られる。かかる状態に
おいて電子放出部４から電子が放出されると、電界に対
し直角方向の速度ベクトルが加わり、電子は凹状電界分
布の中心側へ収束することになる。

一方、第４図（ａ）下段に示すように、変調電極２を＋
側として電圧を印加することで、電子放出部４近傍が凸
状となる電界が得られる。かかる状態において電子放出
部４から電子が放出されると、電界に対し直角方向の速
度ベクトルが加わり、電子は凸状電界分布の中心から遠
ざかる方向へ発散することになる。

次に、第４図（ｂ）に示すように、電子放出部下方の絶
縁層膜厚が他の領域に比べて薄く形成されている場合に
も、厚（形成した場合と逆向きの電圧を変調電極に印加
することで同様の収束９発散作用を得ることが可能とな
る。

前述の第４図（ａ）、（ｂ）で示したように、電子放出
部下方の絶縁層の厚さを厚くしても薄くしても電子ビー
ムの収束１発散を制御できるが、変調電極に印加する電
圧が正でＯＮ制御、負でＯＦＦ制御をする場合には、Ｏ
Ｎ制御と同時にビームを収束させることの可能な前者が
より好ましい。

以上のような作用が最も効率良く得られる為には、絶縁
層５の厚さが０．５〜１０μｍの領域において、絶縁層
膜厚の最大値と最小値の差が、最大値の３０％以上とな
るように形成すればよい。

絶縁層膜厚の最大値と最小値の差が大きければ大きい程
前述の効果が顕著となるが、実用上の効果を得るために
は３０％以上あれば十分である。

さらに、以上のような作用効果を有する電子線発生装置
を用いた画像表示装置及び光信号供与装置にあっては、
高精細で表示むらのない画像表示及び光信号を得ること
ができることになる。

［実施例］ 以下、実施例を用いて本発明を具体的に詳述する。

夾」１糺１ 本実施例では、電子線発生装置の一例を第１図及び第２
図に基づいて説明する。尚、第２図は第１図中のＡ−Ａ
断面を示す。

第１図は、本装置の斜視構成図であり、１は絶縁性基板
、２は本発明の特徴とする変調電極、３は表面伝導形電
子放出素子（ＳＣＥ）を構成する素子電極、４はその電
子放出部、さらに５は、電子放出素子（３及び４）と基
板１及び変調電極２との間に積層された絶縁層である。

ここで、基板材としては、絶縁性を有するものであれば
よく、ガラス、アルミナセラミックス等が好ましい。ま
た、変調電極材としては、金。

ニッケル、タングステン等の導電性材料であればよいが
、基板材との熱膨張率がなるべ（近いものが好ましい。

さらに、絶縁層を成す材料としては、二酸化ケイ素、ガ
ラス、その他のセラミックス材料が好適である。

次に、本装置の製造工程について説明する。

■、先ず、絶縁性基板１である石英ガラス（コーニング
社製）を中性洗剤によるこすり洗い、有機溶剤による超
音波洗浄等にて十分洗浄した後、ホトリソグラフィー技
術によりレジストパターンを形成した。

０９次に、抵抗加熱法により、下引き材（密着性向上の
為）であるＴｉを約５０人と変調電極材であるＮｉを約
５０００人レジストパターン上全面に蒸着した後、リフ
トオフ法により幅約２ｍｍの変調電極パターン２を形成
した。

００次に、ホトリソグラフィー技術を用い、変調電極層
を部分的に薄くするためのレジストパターンを形成した
。

００次に、エツチングにより、電子放出素子（３及び４
）下方に相当する部分のＮｉを約４０００人エツチング
した（第２図）。エッチャントには、過硫酸アンモニウ
ム、硝酸水溶液を用いた。

０９次に、レジストを剥離し、幅２ｍｍ中心部より一方
が約５０００入庫他方が約１０００人厚入庫る所望の変
調電極パターン２を得た。

００次に、スパッタ法により、絶縁層５としてＳ　ｉ　
Ｏｘを必要部に約３μｍマスクデポジションした。

０１次に、Ｓ　ｉ　Ｏｚの積層されていない部分を予め
保護した後、イオンミーリングによりＳ　ｉ　０２表面
を平坦化した。この時の第２図中Ｂ部の厚さは約１．５
μｍであった。

０３次に、前述■の変調電極パターン形成法と全（同様
の方法にて、上記変調電極２の上方にギャップの存在す
る、ＳＣＥの素子電極パターン３を形成した。この時の
素子電極幅は、１５μｍ、電極ギャップは２μｍであっ
た。

０９次に、後述する電子放出材料をバターニングするた
めのＣｒを、抵抗加熱法により約１０００入金面蒸着し
た。

［相］１次に、ホトリソグラフィー技術を用いて、電子
放出部４近傍（１０μｍＸ　１５０１．Ｌｍ）のＣｒの
みを除去するためのレジストパターンを形成した。

０１次に、エツチングにより所望のＣｒを除去した。エ
ッチャントには、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸
水溶液を用いた。

０、次に、放出材料である有機パラジウム（奥野製薬社
製ＣＣＰ−４２３０）を分散塗布し、その後大気中〜３
００℃にて１２分間焼成し全面に形成した。

０１次に、前述０のエッチャントを用い族８材料パター
ニング用Ｃｒをエッチアウトした。

上記手法により作製した電子線発生装置を用い、かかる
装置の上方５ｍｍの位置に蛍光板を配置し、系全体を約
２　Ｘ　１０−’Ｔ　ｏ　ｒ　ｒの環境下において、外
部より蛍光板にＩＫＶの電圧を印加し、素子電極３間に
１４Ｖの電圧パルスを印加した。その結果、蛍光板に放
出された電子ビームに対応するスポット光が観察された
。

更に、変調電極２に一４ＯＶ〜＋３０Ｖの電圧を印加し
たところ、変調電圧に対応して電子ビーム量が連続的に
変化するのみならず、ビーム形状も０１以上で第５図の
ように変化した。尚、この時、前記変調型極厚が５ｏｏ
ｏ人側の領域上に放出部を有する様作製した。また、変
調電圧が一４Ｏｖ以下でＯＦＦ制御＋３０Ｖ以上でＯＮ
制御が可能であった。

夫１■ユ 実施例１と同種の一般的なホトリソグラフィー技術を用
いて第３図の様な電子線発生装置を作製した。ただし、
この時のＬｍａｘが２．０ｕｍ。

Ｌｍｉｎが１゜０μｍであった。

実施例１と同様の評価を行ったところ、−５０ＶでＯＦ
Ｆ制御、＋２５■でＯＮ制御が可能であった。また、変
調電圧に対応してビーム量が連続的のみならず、Ｏｖ以
下では０７以上に比して収束性の高いビーム形状となっ
た。

支１■ユ 本実施例では、実施例１の概念に基づいた電子線発生装
置を複数配列すると共に、その上方に画像表示部を形成
した画像表示装置について説明する。本実施例において
は、変調電極、絶縁層両者の膜厚を変えたが、勿論変調
電極の厚さは一定で絶縁層の厚さのみ変えても、本発明
の効果は何んら損なわれることはない。

第６図は本実施例を示す図である。本図中、ｌは絶縁性
基板、２は変調電極、５は絶縁層、６は配線電極、３は
ＳＣＥ形電子源の素子電極、４は電子放出部であり、こ
れらにより一つの線状電子源が構成される。また、７は
ガラス板８．透明電極９．蛍光体１０．メタルバック１
１が順次積層されたフェースプレート、１２はスポット
光の位置である。

かかる装置の作製にあたっては、先ず、ＳＣＥ形の電子
放出素子を配線電極６間にライン状に複数配列（２ｍｍ
ピッチ）した線状電子源を、さらに２　ｍ　ｍピッチで
配列し、かつ、複数の変調電極２を該ライン状電子放出
素子の各列に対応させて直交配列し、さらに、上記配線
電極６としてＣｕを厚さ２μｍ積層した以外は、実施例
１と全く同様の方法にて絶縁性基板１である青板ガラス
（市川特殊ガラス社製）上に電子線発生装置を形成した
。

次に、画像形成部材である蛍光体１０を有するフェース
プレート７を基板１から５ｍｍ離して設け、（外囲器は
不図示）、画像表示装置を作製した。尚、本装置は２０
行Ｘ２０列のマルチ素子構成とした。

以上のような構成から成る画像表示装置において、蛍光
体面に１．５ＫＶのバイアス電圧を印加すると共に、一
対の配線電極６に１４Ｖの電圧パルスを印加して、ライ
ン状に並べた複数の電子放出素子から電子を放出させた
。さらに、これと同時に、情報信号として変調電極２群
に電圧を印加することにより、電子ビームをＯＮ１０　
Ｆ　Ｆ制御した。

また、この隣りの配線電極６に電圧パルスを印加し、前
述の一ライン表示を行った。これを順次行い一画面の画
像を表示させた。つまり配線電極６を走査電極として、
走査電極６と変調電極２でＸＹマトリックスを形成し、
画像表示が可能であった。

以上説明したように、本実施例では電子放出素子と変調
電極が一体に形成されているので、アライメントが容易
で、薄形かつ高輝度の画像表示装置を提供するものであ
る。また、電子放出素子下部の絶縁層５を厚くしたこと
により、素子の整形（収束１発散）を容易ならしめるも
のである。さらに、製造技術として、薄膜製造技術を用
いて作製している為、大画面で高精細なデイスプレィを
安価に得ることができ、さらに、電子放出部と変調電極
の間隔を極めて精度良（作製することができるので輝度
むらのない極めて−様な画像表示装置を得ることができ
た。

夾１ｕ硼Ａ 本実施例では、前述実施例３で示した電子線発主装置を
用いた光信号供与装置について説明する。

かかる装置の作製にあたっては、実施例３で得られた電
子線発生装置において、その基板から５ｍｍ上方の位置
に、電子の衝突により発光する蛍光体１０を有するフェ
ースプレートを設けて光信号供与装置を作製した。

かかる装置において、蛍光体面に１．５ＫＶのバイアス
電圧を印加すると共に、一対の配線電極に１４Ｖの電圧
パルスを印加して、ライン状に並べた複数の電子放出素
子から電子を放出させた。

さらに、これと同時に、情報信号として変調電極に＋３
０Ｖ〜−４ＯＶの電圧を印加することにより、電子ビー
ムをＯＮ１０　Ｆ　Ｆ制御した。

上記手法を用いれば、例えば第７図に示すように構成さ
れた装置において、光信号供与装置４１に外部情報とし
て電気信号を与えると、上記電気信号が光信号となり画
素信号として光受容体であるドラム４３上の感光紙４５
に到達する。さらに、ドラム４３．４４の回転により移
動させることで、感光紙上に所望の画像を形成すること
が可能となる。

［発明の効果］ 以上説明したように、変調電極と電子放出素子とを基板
に一体形成し、かつ、電子放８部下方の絶縁層膜厚を他
の領域の膜厚と異ならしめる構成とすることで、以下の
ような効果がある。

（１）、電子源と変調電極の位置合わせが容易になり、
ミスアライメント等による製品の歩留りが改善される。

（２）、変調電極に印加する電圧の向きを変えることで
、電子流の収束あるいは発散を行うことができる。

（３）１画像表示装置及び光信号供与装置にあっては、
高精細で表示むらあるいは発光むらのない画像表示、光
信号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子線発生装置の一例を示す斜視構
成図である。 第２図は、第１図中Ａ−Ａ部の断面図である。 第３図は、本発明の第２の実施例を示す断面図である。 第４図は、電子の収束、発散作用を説明する為の電界分
布図である。 第５図は、本発明の電子線発生装置による輝点の状態を
示した図である。 第６図は、本発明の画像表示装置の一例を示す斜視構成
図である。 第７図は、本発明の光信号供与装置の適用例を示す図で
ある。 第８図及び第９図は、従来の画像表示装置を示す斜視構
成図である。 １．６０・・・絶縁性基板　２・・・変調電極３．６２
・・・素子電極　　４，６３・・・電子放出部５・・・
絶縁層　　　　　　６．６１・・・配線電極７・・・フ
ェースプレート　８・・・ガラス板９・・・透明電極　
　　　　１０・・・蛍光体１１・・・メタルバック　　
１２・・・スポット光４１・・・光信号供与装置　４３
．４４・・・ドラム５・・・感光紙 ２・・・支持体 ４・・・電子放出部 ６．６６・・・変調電極 ５１・・・ガラス基板 ５３・・・配線電極 ５５．６５・・・電子通過孔

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に、電子流を情報信号に応じて変調する変
   調電極及びその上方に電子放出素子を、絶縁層を介して
   一体に形成し、かつ、該電子放出素子の電子放出部下方
   に位置する絶縁層膜厚が、他の領域に比べ厚く形成され
   ていることを特徴とする電子線発生装置。
2. （２）基板上に、電子流を情報信号に応じて変調する変
   調電極及びその上方に電子放出素子を、絶縁層を介して
   一体に形成し、かつ、該電子放出素子の電子放出部下方
   に位置する絶縁層膜厚が、他の領域に比べ薄く形成され
   ていることを特徴とする電子線発生装置。
3. （３）前記電子放出素子として、表面伝導形電子放出素
   子を構成要素とすることを特徴とする請求項１又は２記
   載の電子線発生装置。
4. （４）前記電子放出部下方に位置する絶縁層の膜厚Ｌ＿
   ｍ＿ａ＿ｘと他の領域に位置する絶縁層の膜厚Ｌ＿ｍ＿
   ｉ＿ｎとの関係が、 Ｌ＿ｍ＿ａ＿ｘ−Ｌ＿ｍ＿ｉ＿ｎ≧０．３Ｌ＿ｍ＿ａ＿
   ｘであることを特徴とする請求項１又は３記載の電子線
   発生装置。
5. （５）前記電子放出部下方に位置する絶縁層の膜厚Ｌ＿
   ｍ＿ｉ＿ｎと他の領域に位置する絶縁の膜厚Ｌ＿ｍ＿ａ
   ＿ｘとの関係が、 Ｌ＿ｍ＿ａ＿ｘ−Ｌ＿ｍ＿ｉ＿ｎ≧０．３Ｌ＿ｍ＿ａ＿
   ｘであることを特徴とする請求項２又は３記載の電子線
   発生装置。
6. （６）前記電子放出素子を複数配列させた線状電子源を
   ストライプ状に配置し、前記変調電極を該線状電子源に
   直交するように設けてＸＹマトリックスを構成したこと
   を特徴とする請求項１〜５いずれかに記載の電子線発生
   装置。
7. （７）前記電子放出素子と変調電極に電圧を印加する電
   圧印加手段が、別個独立であることを特徴とする請求項
   １〜６いずれかに記載の電子線発生装置。
8. （８）請求項１〜７いずれかに記載の電子線発生装置の
   電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して画像を形成
   する画像形成部材を設けたことを特徴とする画像表示装
   置。
9. （９）請求項１〜７いずれかに記載の電子線発生装置の
   電子放出側に、少なくとも、電子が衝突して発生する発
   光体を設け、該電子の衝突による発光を信号として用い
   得る構成としたことを特徴とする光信号供与装置。