JPH041375B2 - - Google Patents

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JPH041375B2
JPH041375B2 JP57054857A JP5485782A JPH041375B2 JP H041375 B2 JPH041375 B2 JP H041375B2 JP 57054857 A JP57054857 A JP 57054857A JP 5485782 A JP5485782 A JP 5485782A JP H041375 B2 JPH041375 B2 JP H041375B2
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storage device
sent
storage
parallel
storage devices
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Japanese (ja)
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Inventor
Hidetsune Kurokawa
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NEC Corp
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Nippon Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/74Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using duplex memories, i.e. using dual copies

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  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は情報処理装置の並列二重化記憶装置に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a parallel duplex storage device for an information processing device.

近年、コンピユータシステムにおいては信頼性
の要求が高まる一方であり、高信頼度を有するシ
ステムを構成するために様々な手法が採用されて
いることは知られている。なかでも主記憶装置
(MEM)は複数の中央処理装置(CPU)に共有
されており、主記憶装置に障害があるとシステム
ダウンが生ずるので、高信頼化を達成するには、
多くの場合、古くから主記憶装置を並列多重化す
る方法が提唱されている。並列二重化方式では主
記憶装置を並列接続してシステム全体の信頼度を
高めるものである。したがつて、二重化された主
記憶装置の一方が障害となつた場合には、障害を
起した装置を可及的速やかに障害から復旧させ、
並列運転を続行させるのが望ましいということは
いうまでもない。しかし、従来の主記憶装置の並
列二重化技術では、障害を起した装置を障害から
復旧させた後で二重化した2台の主記憶装置の記
憶内容を一致させるのが比較的面倒である。した
がつて、従来の二重化主記憶装置ではこの点を全
く考慮していないか、あるいはい考慮したとして
も上記記憶内容を一致させるために多くのハード
ウエアを追加して主記憶装置1台あたりの信頼度
を低下させてしまつていた。結局、このために並
列二重化による高信頼度化の効果を大幅に減じて
いるのが通常である。また、従来の技術では通常
のジヨブの実行を一時的に停止させないと2台の
主記憶装置の記憶内容を一致させることができな
いという欠点もあつた。
In recent years, demands for reliability in computer systems have been increasing, and it is known that various techniques are being adopted to configure systems with high reliability. In particular, the main memory (MEM) is shared by multiple central processing units (CPUs), and if there is a failure in the main memory, the system will go down, so in order to achieve high reliability,
In many cases, methods of parallel multiplexing main storage devices have been proposed for a long time. In the parallel duplex system, main storage devices are connected in parallel to increase the reliability of the entire system. Therefore, in the event that one of the duplexed main storage devices becomes faulty, the faulty device should be recovered from the fault as soon as possible.
It goes without saying that it is desirable to continue parallel operation. However, in the conventional parallel duplication technology for main storage devices, it is relatively troublesome to make the storage contents of two duplexed main storage devices match after recovering a failed device from a failure. Therefore, in conventional duplex main storage devices, this point is not taken into account at all, or even if it is taken into account, a lot of hardware is added to match the above-mentioned storage contents, and the It had lowered its reliability. After all, this usually greatly reduces the effect of increasing reliability through parallel duplication. Furthermore, the conventional technology has the disadvantage that the contents of the two main storage devices cannot be made to match unless the execution of a normal job is temporarily stopped.

本発明の目的は、障害を復旧する際にシステム
の正常運転にほとんど影響を与えることなく、並
列二重化された2台の主記憶装置の内容を一致さ
せ、並列二重運転を容易に再開できるように、わ
ずかなハードウエアを追加して構成した並列二重
化記憶装置を提供することにある。
An object of the present invention is to match the contents of two parallel duplex main storage devices without affecting the normal operation of the system when recovering from a failure, so that parallel duplex operation can be easily restarted. The object of the present invention is to provide a parallel duplex storage device constructed by adding a small amount of hardware.

本発明においては、中央処理装置等から並列二
重化記憶装置へのアクセス要求が定期的に禁止さ
れている。また、この禁止時間幅を第1の時間幅
と第2の時間幅の2種類の時間幅に設定すること
が可能であり、第1の時間幅が設定されていると
きは並列二重化記憶装置を構成する2台の記憶装
置のうちの一方または両方に対して、第1の時間
幅内でリフレツシユ要求が送出される。一方、第
2の時間幅が設定されたときには、第2の時間幅
の前半で2台の記憶装置のうちの第1の記憶装置
の内容を読出し、第2の記憶装置の内容をリフレ
ツシユする。第2の時間幅の後半では第1の記憶
装置の内容をリフレツシユし、第2の記憶装置に
対して書込み要求を送出する。この書込み要求が
出された時の書込みデータとしては第2の時間幅
の前半で第1の記憶装置から読出したデータを用
いる。さらに、第2の時間幅内に送出されるべき
同じ種類の動作要求の送出先アドレスを、両記憶
装置に対してすべて同一のアドレス値に固定し、
しかもこれらの一連の動作要求を並列二重化記憶
装置のすべてのアドレスに対して送出する。
In the present invention, access requests from the central processing unit and the like to the parallel duplex storage device are periodically prohibited. In addition, it is possible to set this prohibited time width to two types of time widths, a first time width and a second time width, and when the first time width is set, the parallel duplex storage device is disabled. A refresh request is sent to one or both of the two constituent storage devices within a first time interval. On the other hand, when the second time width is set, the contents of the first of the two storage devices are read out and the contents of the second storage device are refreshed in the first half of the second time width. In the latter half of the second time span, the contents of the first storage device are refreshed and a write request is sent to the second storage device. The data read from the first storage device in the first half of the second time width is used as the write data when this write request is issued. Further, the destination addresses of the same type of operation requests to be sent within the second time period are all fixed to the same address value for both storage devices,
Moreover, these series of operation requests are sent to all addresses of the parallel duplex storage device.

以下、図面を参照して本発明による並列二重化
記憶装置をさらに詳細に説明する。
Hereinafter, the parallel duplex storage device according to the present invention will be explained in more detail with reference to the drawings.

第1図は並列二重化記憶装置と、中央処理装置
の一部を形成する記憶制御装置との接続を示す図
である。第1図aに示すように、第1の並列二重
化記憶装置10は第1および第2の記憶装置1,
2、ならびに並列制御装置5から成立ち、第1の
記憶制御装置20に接続してある。一方、第1図
bに示すように、第3および第4の記憶装置3,
4がそれぞれ第2の記憶制御装置21に接続して
あ。第2の記憶制御装置21と接続した第3およ
び第4の記憶装置3,4によつて第2の並列二重
化記憶装置11を構成し、これによつてデータを
制御している。第1図aにおける並列制御装置5
を第1の記憶制御装置20に含めて考えれば、第
1図aは第1図bと概念的に同一のものと考える
ことも可能である。しかし、第1の記憶制御装置
20は1個のポート(インターフエース接続口)
で第1の並列二重化記憶装置10と接続されてい
るのに対して、第2の記憶制御装置21は2個の
ポートで第2の並列二重化記憶装置11と接続さ
れている。このため、記憶制御装置1台当たりの
ポート数は第1図aの方が少なく、構成上有利で
ある。反面、第1図aでは第1の記憶制御装置2
0と第1の記憶装置1または第2の記憶装置2と
の間に並列制御装置5が存在するため、アクセス
タイムは長くなり第1図bに劣る。
FIG. 1 is a diagram showing the connection between a parallel duplex storage device and a storage control device forming part of a central processing unit. As shown in FIG. 1a, the first parallel duplex storage device 10 includes the first and second storage devices 1,
2 and a parallel control device 5, which is connected to the first storage control device 20. On the other hand, as shown in FIG. 1b, the third and fourth storage devices 3,
4 are connected to the second storage control device 21, respectively. The third and fourth storage devices 3 and 4 connected to the second storage control device 21 constitute a second parallel duplex storage device 11, which controls data. Parallel control device 5 in FIG. 1a
When considered as being included in the first storage control device 20, it is possible to consider that FIG. 1a is conceptually the same as FIG. 1b. However, the first storage control device 20 has only one port (interface connection port).
The second storage control device 21 is connected to the second parallel duplex storage device 11 through two ports. Therefore, the number of ports per storage control device is smaller in FIG. 1a, which is advantageous in terms of configuration. On the other hand, in FIG. 1a, the first storage control device 2
Since the parallel control device 5 exists between 0 and the first storage device 1 or the second storage device 2, the access time is longer and inferior to that in FIG. 1b.

本発明はこれらの構成に制約されるものではな
く、また上述したように第1図aと第1図bとは
概念的には同一のものと考えることも可能である
ので、以下に主として第1図aの構成の並列二重
化記憶装置を例にとつて本発明の説明を行う。
The present invention is not limited to these configurations, and as described above, FIG. 1a and FIG. 1b can be considered to be conceptually the same. The present invention will be explained using a parallel duplex storage device having the configuration shown in FIG. 1a as an example.

第2図は並列制御装置5をさらに詳細に示した
ブロツク図である。第2図において、並列制御装
置5は第1の記憶制御装置20からの信号を受け
るための第1〜第4のバツフア31〜34と、信
号を送出するための第5〜第6のバツフア35,
36と、アドレスカウンタ60と、割込み制御回
70と、起動信号発生回路90と、第1のバツフ
ア31の出力が起動信号発生回路90の出力
REQかを送出するための第1のORゲート110
と、命令コード発生回路80と、第1〜第4の選
択回路100,120,45,55と、記憶装置
指示レジスタ130と、記憶装置指示レジスタ1
30によつて制御される第5の選択回路150
と、第5の選択回路150の出力を保持するデー
タレジスタ140と、第1および第2の記憶装置
1,2に信号を送出するための第7〜第9のバツ
フア41〜43と、第11〜第13のバツフア51〜
53と、読出されたデータを第1および第2の記
憶装置1,2から受信するための第10および第14
のバツフア44,54とから成立つ。割込み制御
回路70はアドレスカウンタ60の下位ビツト
CNTを入力し、制御信号INT,REF,STAを起
動信号発生回路90、命令コード発生回路80、
ならびに第1〜第4の選択回路100,120,
45,55等に供給する。今説明をわかりやすく
するため第2の記憶装置2が何らかの理由でシス
テムから切り離されていて第1の記憶装置1のみ
が正常に稼動しており、並列二重運転に復帰させ
るためには第1の記憶装置1の内容を第2の記憶
装置に転送して両者の記憶内容を一致させる必要
があるものと仮定する。
FIG. 2 is a block diagram showing the parallel control device 5 in more detail. In FIG. 2, the parallel control device 5 includes first to fourth buffers 31 to 34 for receiving signals from the first storage control device 20, and fifth to sixth buffers 35 for sending signals. ,
36, the address counter 60, the interrupt control circuit 70, the activation signal generation circuit 90, and the output of the first buffer 31 is the output of the activation signal generation circuit 90.
First OR gate 110 for sending REQ?
, instruction code generation circuit 80 , first to fourth selection circuits 100 , 120 , 45 , 55 , storage device instruction register 130 , and storage device instruction register 1
A fifth selection circuit 150 controlled by 30
, a data register 140 that holds the output of the fifth selection circuit 150, seventh to ninth buffers 41 to 43 for sending signals to the first and second storage devices 1 and 2, and an eleventh buffer. ~13th Batsuhua 51~
53, and tenth and fourteenth storage devices for receiving read data from the first and second storage devices 1 and 2.
It is established from the buffers 44 and 54. The interrupt control circuit 70 controls the lower bits of the address counter 60.
CNT is input, and control signals INT, REF, and STA are sent to a start signal generation circuit 90, an instruction code generation circuit 80,
and first to fourth selection circuits 100, 120,
45, 55, etc. To make the explanation easier to understand, suppose that the second storage device 2 has been disconnected from the system for some reason and only the first storage device 1 is operating normally, and in order to return to parallel duplex operation, the first Assume that it is necessary to transfer the contents of one storage device 1 to a second storage device so that the stored contents of the two storage devices match.

第3図は第2図に示す実施例における一部の信
号のタイムチヤートを示したものである。第2図
におけるアドレスカウンタ60は外部のクロツク
回路からクロツク信号を受信して定常的にカウン
トアツプされ、その出力の上位ビツトADDは第
3図に示す時間T毎に1だけ増分されている。な
お、第3図では時間が0Tのときの上位ビツト
ADDの値をAとして示してある。一方、アドレ
スカウンタ60の出力の下位ビツトCNTは割込
み制御回路70に入力されている。外部の制御装
置からのトリガ信号TG0が時間0Tと1Tとの間の
期間に割込み制御回路70に加えられると、時間
1T以降に制御信号STAの状態が1となり、第1
の記憶装置1から第5の記憶装置2へデンタの転
送が開始される。これを同時に制御信号INTの
状態1の時間間隔は時間τ1から時間τ2に拡大され
る。制御信号INTは第2図から明らかなように、
第6のバツフア36を経由して第1の記憶制御装
置20に送出される。この制御信号INTが1に
なつた時に再び0に戻るまで第1の記憶制御装置
20は動作要求を送出しないように制御されてい
る。制御信号REF,STA、および記憶装置指示
レジスタ130からの制御信号MNOによつて、
命令コード発生回路80は第1および第2の命令
コードCM1,CM2を生成する。第1の命令コ
ードCM1は第1の記憶装置1に使用され、第2
の命令コードCM2の記憶装置2に使用される。
記憶装置指示レジスタ130は読出しデータをど
ちらの記憶装置から第1の記憶制御装置20へ送
出するか否かを指定する1ビツトのレジスタであ
る。前述の仮定から第1の記憶装置を指示するの
で、外部の制御装置から0が設定されている。第
1および第2の命令コードCM1,CM2は制御
信号INTが0の間は任意の値でよいため、第3
図において“DON'T CARE”と表示してある。
制御信号INTの状態が1であつて制御信号STA
が0のときにはリフレツシユ命令Refが送出され
る。一方、制御信号STAの状態が1のときは、
制御信号MNOの状態に応じ、前半に読出命令
Read、後半にリフレツシユ命令Refが送出され
るか、あるいは前半にリフレツシユ命令Ref、後
半に書込み命令Writeが送出される。いま、制御
信号MNOの状態が0であるとすれば、第3図に
示したように第1の命令コードCM1がRead→
Ref、第2の命令コードCM2がRef→Writeとな
つている。しかし、制御信号MNOの状態が1で
あると、第1および第2の命令コードCM1と
CM2との関係が逆転する。起動信号発生回路9
0は制御信号INT,REFの立下りを検出して起
動信号REQを発生する。第3図には起動信号
REQの位相関係も示してある。起動信号発生回
路90は公知の従来技術により構成したものであ
り、詳細な説明は省略する。第2図で第1〜第5
の選択回路100,120,45,55,150
はいずれも2入力形の選択回路であり、それぞれ
の制御端子Sが状態1になると、第2図の下側の
入力端子に加えた信号が選択される。したがつ
て、制御信号INTの状態が1であると、第2図
から明らかなように第1の選択回路100はアド
レスカウンタ60からの出力の上位ビツトADD
を選択し、第3およ第4の選択回路45、および
55はそれぞれ命令コード発生回路80からの第
1および第2の命令コードCM1,CM2を選択
する。また、第2の選択回路120はデータレジ
スタ140に設定されているデータを選択する。
制御信号MNOの状態が0であると仮定してある
ので、第5の選択回路150は第10のバツフア
44を経由して第1の記憶装置からのデータを選
択する。
FIG. 3 shows a time chart of some signals in the embodiment shown in FIG. Address counter 60 in FIG. 2 receives a clock signal from an external clock circuit and is constantly counted up, and the upper bit ADD of its output is incremented by 1 every time T shown in FIG. In addition, in Figure 3, the upper bit when the time is 0T
The value of ADD is shown as A. On the other hand, the lower bit CNT of the output of the address counter 60 is input to the interrupt control circuit 70. When the trigger signal TG0 from the external control device is applied to the interrupt control circuit 70 during the period between times 0T and 1T, the time
After 1T, the state of the control signal STA becomes 1, and the first
Data transfer from the storage device 1 to the fifth storage device 2 is started. At the same time, the time interval of state 1 of the control signal INT is expanded from time τ1 to time τ2. As is clear from Fig. 2, the control signal INT is
It is sent to the first storage control device 20 via the sixth buffer 36. When the control signal INT becomes 1, the first storage control device 20 is controlled not to send an operation request until it returns to 0 again. By the control signals REF, STA and the control signal MNO from the storage device instruction register 130,
The instruction code generation circuit 80 generates first and second instruction codes CM1 and CM2. The first instruction code CM1 is used for the first storage device 1, and the second
It is used for the storage device 2 of the instruction code CM2.
The storage device instruction register 130 is a 1-bit register that specifies from which storage device read data is to be sent to the first storage control device 20. Since the first storage device is specified based on the above assumption, 0 is set by the external control device. Since the first and second instruction codes CM1 and CM2 may have any value while the control signal INT is 0, the third
In the diagram, "DON'T CARE" is displayed.
The state of the control signal INT is 1 and the state of the control signal STA
When is 0, a refresh command Ref is sent. On the other hand, when the state of the control signal STA is 1,
Read command in the first half according to the state of control signal MNO
Read and a refresh command Ref is sent in the second half, or a refresh command Ref is sent in the first half and a write command Write is sent in the second half. Now, if the state of the control signal MNO is 0, the first command code CM1 is Read→
Ref, the second instruction code CM2 is Ref→Write. However, if the state of the control signal MNO is 1, the first and second instruction codes CM1 and
The relationship with CM2 is reversed. Start signal generation circuit 9
0 detects the fall of the control signals INT and REF and generates the activation signal REQ. Figure 3 shows the activation signal.
The phase relationship of REQ is also shown. The activation signal generation circuit 90 is constructed using a known conventional technique, and detailed description thereof will be omitted. 1 to 5 in Figure 2
selection circuits 100, 120, 45, 55, 150
Both are two-input type selection circuits, and when each control terminal S becomes state 1, the signal applied to the lower input terminal in FIG. 2 is selected. Therefore, when the state of the control signal INT is 1, as is clear from FIG.
, and the third and fourth selection circuits 45 and 55 select the first and second instruction codes CM1 and CM2 from the instruction code generation circuit 80, respectively. Further, the second selection circuit 120 selects data set in the data register 140.
Since it is assumed that the state of the control signal MNO is 0, the fifth selection circuit 150 selects data from the first storage device via the tenth buffer 44.

以上の説明から明らかなように、制御信号
STAの状態が0の間は第1および第2の記憶装
置1,2の双方に対して並列制御装置5から周期
Tで同時にリフレツシユ要求が送出される。制御
信号STAの状態が1のときには並列制御装置5
は周期Tで第1の記憶装置1からデータを読出し
てデータレジスタ140にセツトすると同時に、
第2の記憶装置2をリフレツシユする。その直
後、第1の記憶装置1をリフレツシユして第2の
記憶装置2にはデータレジスタ140のデータを
書込む。すなわち、第1の記憶装置1における指
定アドレスのデータを第2の記憶装置2の指定ア
ドレスに転送し、そのアドレスのデータを第1の
記憶装置1と第2の記憶装置2とで一致させてい
る。この動作がすべてのアドレスに対して完了し
たときに制御信号STAの状態が再び0になるよ
うに割込み制御回路70が動作し、それ以降は制
御信号INTの状態が1になつても並列制御装置
5は第1および第2の記憶装置1,2の双方をリ
フレツシユする以外に何の動作も行わない。制御
信号INTの状態が0のときには、第1の記憶制
御装置20から正常な読出し要求や書込み要求が
送出される。しかし、制御信号STAの状態が0
から1に変化した後で書込みは必ず第1および第
2の記憶装置1,2の双方に対して実行されるよ
うに外部の制御装置によつて制御されている。制
御信号INTの状態が1のときには、第1の記憶
制御装置20における書込み要求のアドレスに無
関係にデータは転送されるので、第1の記憶装置
1から第2の記憶装置2へのデータ転送が完了し
ていないアドレスに対して第1の記憶制御装置2
0からの書込みが行われると、その時点でそのア
ドレスのデータは一致する。したがつて、それ以
後、原理的にはデータの転送は必要ない。しか
し、本発明においては上記説明から明らかなよう
に、第1の記憶制御装置20からの書込みが行わ
れた場合には、あるアドレスにおいて第1の記憶
装置1と第2の記憶装置2とで内容が一致したか
否かにかかわらず、並列制御装置5はすべてのア
ドレスに対して第1の記憶装置1から第2の記憶
装置2へのデータの転送を行うように構成してあ
る。しかし、すでに内容の一致したアドレスでは
データの転送を省略するように並列制御装置5を
構成することも可能である。この場合、転送時間
が短縮されるとはいえハードウエアが増加して制
御が複雑になり、場合によつてはハードウエア量
の増大によるコスト高、信頼性の低下など不利益
の方がはるかに大きくなつてしまうこともある。
As is clear from the above explanation, the control signal
While the state of STA is 0, refresh requests are simultaneously sent from the parallel control device 5 to both the first and second storage devices 1 and 2 at a period T. When the state of the control signal STA is 1, the parallel control device 5
reads data from the first storage device 1 at period T and sets it in the data register 140, and at the same time,
Refresh the second storage device 2. Immediately after that, the first storage device 1 is refreshed and the data in the data register 140 is written into the second storage device 2. That is, the data at the specified address in the first storage device 1 is transferred to the specified address in the second storage device 2, and the data at that address is made to match between the first storage device 1 and the second storage device 2. There is. When this operation is completed for all addresses, the interrupt control circuit 70 operates so that the state of the control signal STA becomes 0 again, and from then on, even if the state of the control signal INT becomes 1, the parallel control circuit 70 5 performs no operation other than refreshing both the first and second storage devices 1 and 2. When the state of the control signal INT is 0, a normal read request or write request is sent from the first storage control device 20. However, the state of the control signal STA is 0
After the change from 1 to 1, writing is always performed to both the first and second storage devices 1 and 2 under control by an external control device. When the state of the control signal INT is 1, data is transferred regardless of the address of the write request in the first storage control device 20, so data transfer from the first storage device 1 to the second storage device 2 is not possible. the first storage controller 2 for addresses that have not been completed;
When writing from 0 is performed, the data at that address match at that point. Therefore, in principle, there is no need to transfer data after that. However, in the present invention, as is clear from the above description, when writing is performed from the first storage control device 20, the first storage device 1 and the second storage device 2 are connected at a certain address. The parallel control device 5 is configured to transfer data from the first storage device 1 to the second storage device 2 for all addresses, regardless of whether the contents match or not. However, it is also possible to configure the parallel control device 5 so as to omit data transfer for addresses whose contents already match. In this case, although the transfer time is shortened, the amount of hardware increases and control becomes complicated, and in some cases, the disadvantages such as higher costs and lower reliability due to the increased amount of hardware may far outweigh the disadvantages. Sometimes it gets bigger.

第4図は第2図の命令コード発生回路80の具
体的な構成例を示すものである。第4図におい
て、制御信号STAは4入力形の第6および第7
の選択回路185,186の制御端子Eおよびイ
ンバータ184に入力れ、制御信号REFおよび
制御信号MNOは第6および第7の選択回路18
5,186の選択端子S0およびS1にそれぞれ
入力されている。第1〜第3のコード生成回路1
81〜183はそれぞれリフレツシユコード、読
出しコード、およ書込みコードを生成し、第6お
よび第7の選択回路185,186の入力端子A
0〜A3、あるいは第1のANDゲート187に
接続してある。第6の選択回路185の出力は第
2のORゲート188に入力し、第1のANDゲー
ト187の出力との論理和をとる。その結果、得
られた論理和を第1の命令コードCM1として送
出する。第7の選択回路186の出力は第3の
ORゲート189に入力し、第1のANDゲート1
87の出力との論理和をとる。その結果、得られ
た論理和を第2の命令コードCM2として送出す
る。次に、第6および第7の選択回路185,1
86の選択端子S0,S1に供給される信号をS
0,S1で表せば、制御端子Eに現れる信号の状
態が1であつて、S0,S1が(0,0),(0,
1),(1,0),(1,1)のときには、それぞれ
入力端子A0,A1,A2,A3に入力された信
号が選択される。したがつて、制御信号STAの
状態が0のときには、第6および第7の選択回路
185,186の出力の状態は常に0である。一
方、第1のANDゲート187は第1のコード生
成回路181の入力をそのまま出力するので、第
1および第2の命令モードCM1,CM2は共に
リフレツシユコードとなる。逆に、制御信号
STAの状態が1であると、上述の説明から明ら
かなように制御信号REF,MNOの値に応じて第
1および第2の命令コードCM1,CM2は第5
図の状態に示すように送出される。第4図に詳細
裁に示したような命令コード発生回路で第2図、
あるいは第3図で説明した動作が可能であること
はいうまでもない。
FIG. 4 shows a specific example of the structure of the instruction code generation circuit 80 shown in FIG. 2. In FIG. In FIG. 4, the control signal STA is input to the sixth and seventh input terminals
The control signal REF and the control signal MNO are input to the control terminals E and the inverter 184 of the selection circuits 185 and 186 of the sixth and seventh selection circuits 18
5,186 selection terminals S0 and S1, respectively. First to third code generation circuits 1
81 to 183 generate refresh codes, read codes, and write codes, respectively, and input terminals A of the sixth and seventh selection circuits 185 and 186.
0 to A3 or the first AND gate 187. The output of the sixth selection circuit 185 is input to the second OR gate 188 and is logically summed with the output of the first AND gate 187. As a result, the obtained logical sum is sent out as the first instruction code CM1. The output of the seventh selection circuit 186 is
OR gate 189 and first AND gate 1
The logical OR with the output of 87 is taken. As a result, the obtained logical sum is sent out as the second instruction code CM2. Next, the sixth and seventh selection circuits 185,1
The signal supplied to the selection terminals S0 and S1 of 86 is
0, S1, the state of the signal appearing at the control terminal E is 1, and S0, S1 are (0, 0), (0,
1), (1,0), and (1,1), the signals input to the input terminals A0, A1, A2, and A3 are selected, respectively. Therefore, when the control signal STA is in the 0 state, the outputs of the sixth and seventh selection circuits 185 and 186 are always in the 0 state. On the other hand, since the first AND gate 187 outputs the input of the first code generation circuit 181 as it is, both the first and second instruction modes CM1 and CM2 become refresh codes. Conversely, the control signal
When the state of STA is 1, as is clear from the above explanation, the first and second instruction codes CM1 and CM2 are set to the fifth instruction code according to the values of the control signals REF and MNO.
It is sent as shown in the diagram. In the instruction code generation circuit shown in detail in Fig. 4, Fig. 2,
It goes without saying that the operation described in FIG. 3 is also possible.

第6図は第2図に示した割込み制御回路70の
具体的実例を詳細に説明する図である。第6図に
おいて、デコーダ71は第2図のアドレスカウン
タ60の出力の下位ビツトCNTを入力して解読
する。解読の結果、出力端子C0,C1からは順
次あらかじめ定められた時間間隔で状態1を出力
する。デコーダ71の出力端子C0,C1は第5
図に示すように第1および第2のフリツプフロツ
プ72,73のセツト端子Sに接続してあり、出
力端子C2はリセツト端子R、ならびに第2〜第
4のANDゲート171,172,173に接続
してある。第2および第3のANDゲート171,
172はそれぞれ第3のフリツプフロツプ74の
出力および、カウンタ76の出力をいま一方の入
力としており、これらのゲートはそれぞれ第4の
フリツプフロツプ75のセツト端子Sおよびリセ
ツト端子Rに信号を供給する。第4のフリツプフ
ロツプ75の出力端子Qは第4および第6のゲー
ト173,175の入力端子に接続してあり、さ
らに第3のフリツプフロツプ74のリセツト端子
Rにも接続してある。また、第4のフリツプフロ
ツプ75の出力端子Qからの出力は制御信号
STAとして外部に送出してある。一方の出力端
子0は第5およい第7のゲート174,176に
接続してあり、さらに割込みカウンタ76のクリ
ア端子CLにも接続してある。割込みカウンタ7
6のカウントアツプ端子CUには第4のANDゲー
ト173からのカウントアツプ信号を加え割込み
カウンタ76のカウント数が所定の値になると出
力端子CRから状態1が出力される。初期状態に
おいては第3および第4のフリツプフロツプ7
4,75は共にリセツト状態にあるため、割込み
カウンタ76もクリア状態となつている。一方、
第1および第2のフリツプフロツプ72,73は
定期的にセツトとリセツトを繰り返し、第6およ
び第7のANDゲート175,176を経由して
第4のORゲート177に対して出力を供給す
る。第1のフリツプフロツプ72の出力がセツト
された時には第3図に示した制御信号INTのパ
ルス幅(状態1)は時間τ2になる。一方、第3図
からも明らかなように第2のフリツプフロツプ7
3の出力は制御信号REFとして送出される。し
かし、制御信号INTは第4のORゲート177の
出力であり、初期状態において制御信号REFと
同一の波形であることはいうまでもない。初期状
態で外部の制御装置からトリガ信号TGOが入力
されると、第5のANDゲート174で得られた
論理積が1になり、これによつて第3のフリツプ
フロツプ74がセツトされる。そこで第3のフリ
ツプフロツプ74の出力の状態は1となる。この
時、デコーダ71の出力端子C2に1が現れる
と、第2のANDゲート171の出力の状態が1
となり、第4のフリツプフロツプ75がセツトさ
れる。この結果、第5および第6のANDゲート
174,175の出力の状態は0となり、割込み
カウンタ76はタリア状態から解放される。制御
信号STAの状態が1になると、第3のフリツプ
フロツプ74はリセツトされ、第4のANDゲー
ト173が開かれる。よつて、割込みカウンタ7
6はデコーダ71の出力端子C2に1が現れる毎
にカウントアツプされ、第6のANDゲート17
5が開かれる。したがつて、制御信号INTは第
1のフリツプフロツプ72の出力と同じ波形であ
る。割込みカウンタ76がカウントアツプを続け
てカウント値が所定の値、すなわち第2図におけ
る第1および第2の記憶装置のワード数に等しい
値になると、割込みカウンタ76の出力端子CR
には1が現れ、第3のANDゲート172が開く。
その結果、デコーダ71の出力端子に1が現れた
ときに第4のフリツプフロツプ75はリセツトさ
れ、制御信号STAの状態は0になり、割込み制
御回路7は初期状態に戻る。
FIG. 6 is a diagram illustrating in detail a specific example of the interrupt control circuit 70 shown in FIG. 2. In FIG. 6, a decoder 71 inputs and decodes the lower bit CNT of the output of the address counter 60 in FIG. As a result of the decoding, state 1 is sequentially output from the output terminals C0 and C1 at predetermined time intervals. The output terminals C0 and C1 of the decoder 71 are the fifth
As shown in the figure, it is connected to the set terminals S of the first and second flip-flops 72, 73, and the output terminal C2 is connected to the reset terminal R and the second to fourth AND gates 171, 172, 173. There is. second and third AND gates 171,
172 each has the output of the third flip-flop 74 and the output of the counter 76 as other inputs, and these gates supply signals to the set terminal S and reset terminal R of the fourth flip-flop 75, respectively. The output terminal Q of the fourth flip-flop 75 is connected to the input terminals of the fourth and sixth gates 173, 175, and is also connected to the reset terminal R of the third flip-flop 74. Furthermore, the output from the output terminal Q of the fourth flip-flop 75 is a control signal.
It is sent externally as STA. One output terminal 0 is connected to the fifth and seventh gates 174 and 176, and also to the clear terminal CL of the interrupt counter 76. Interrupt counter 7
A count-up signal from the fourth AND gate 173 is applied to the count-up terminal CU of 6, and when the count of the interrupt counter 76 reaches a predetermined value, state 1 is output from the output terminal CR. In the initial state, the third and fourth flip-flops 7
Since interrupt counters 4 and 75 are both in the reset state, the interrupt counter 76 is also in the clear state. on the other hand,
The first and second flip-flops 72, 73 are periodically set and reset and provide outputs to the fourth OR gate 177 via the sixth and seventh AND gates 175, 176. When the output of the first flip-flop 72 is set, the pulse width (state 1) of the control signal INT shown in FIG. 3 becomes time .tau.2. On the other hand, as is clear from FIG. 3, the second flip-flop 7
The output of No. 3 is sent out as a control signal REF. However, it goes without saying that the control signal INT is the output of the fourth OR gate 177 and has the same waveform as the control signal REF in the initial state. When the trigger signal TGO is input from an external control device in the initial state, the logical product obtained by the fifth AND gate 174 becomes 1, thereby setting the third flip-flop 74. Therefore, the state of the output of the third flip-flop 74 becomes 1. At this time, when 1 appears at the output terminal C2 of the decoder 71, the state of the output of the second AND gate 171 changes to 1.
Then, the fourth flip-flop 75 is set. As a result, the states of the outputs of the fifth and sixth AND gates 174 and 175 become 0, and the interrupt counter 76 is released from the tally state. When the state of the control signal STA goes to 1, the third flip-flop 74 is reset and the fourth AND gate 173 is opened. Therefore, interrupt counter 7
6 is counted up every time 1 appears at the output terminal C2 of the decoder 71, and the sixth AND gate 17
5 will be held. Therefore, the control signal INT has the same waveform as the output of the first flip-flop 72. When the interrupt counter 76 continues to count up and reaches a predetermined value, that is, a value equal to the number of words of the first and second storage devices in FIG.
1 appears, and the third AND gate 172 opens.
As a result, when 1 appears at the output terminal of decoder 71, fourth flip-flop 75 is reset, the state of control signal STA becomes 0, and interrupt control circuit 7 returns to its initial state.

以上の説明から明らかなように、第6図の回路
は第2図および第3図で説明した機能を十分に果
していることは勿論である。さて、以上本発明の
詳細を説明してきたが、本発明によれは割込み時
間が若干増加するのみで、他には中央処理装置の
動作に一切影響を与えず、第2の記憶装置2の内
容を第1の記憶装置1に一致させ得ることは明ら
かである。また本発明を採用しない場合に比べて
ハードウエアは増加するが、これらは第2図から
明らかなように第1〜第4の選択回路100,1
20,45,55、割込み制御回路70、命令コ
ード発生回80など、わずかな量であるためシス
テムの信頼度に重大な影響を与えるものではな
い。
As is clear from the above description, it goes without saying that the circuit shown in FIG. 6 satisfactorily performs the functions explained in FIGS. 2 and 3. Now, the details of the present invention have been explained above, but according to the present invention, the interrupt time is only slightly increased, and the operation of the central processing unit is not affected at all, and the contents of the second storage device 2 are It is clear that the first storage device 1 can be made to correspond to the first storage device 1. Further, although the amount of hardware increases compared to the case where the present invention is not adopted, these are the first to fourth selection circuits 100, 1 as is clear from FIG.
20, 45, 55, interrupt control circuit 70, instruction code generation times 80, etc., are only a small amount and do not seriously affect the reliability of the system.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による並列二重化記憶装置の構
成の実施例を示す図であり、第1図aに第1の実
施例、第1図bに第2の実施例を示す。第2図は
本発明により第1図aに示した実施例の詳細なブ
ロツク図であり、特に並列制御装置の詳細なブロ
ツク構成を示す図である。第3図は第2図に示し
た並列制御装置の制御信号のタイミングダイアグ
ラムを示す図である。第4図は第2図に示した並
列制御装置に使用する命令コード発生回路の構成
の一実施例の詳細を示すブロツク図である。第5
図は第4図に示した命令コード発生回路の制御信
号の状態と命令コードとの関係を示す図である。
第6図は第2図に示した並列制御装置に使用する
割込み制御回路の構成の一実施例の詳細を示すブ
ロツク図である。 1,2,3,4……記憶装置、5……並列制御
装置、10,11……並列二重化記憶装置、2
0,21……記憶制御装置、60……アドレスカ
ウンタ、70……割込み制御装置、80……命令
コード発生回路、130……記憶装置指示レジス
タ、90……起動信号発生回路、100,12
0,45,55,150,185,186……選
択回路、140……データレジスタ、31〜3
6,41〜44,51〜54……バツフア、11
0,188,189,177……ORゲート、1
87,171〜176……ANDゲート、184
……インバータ、181〜183……コード生成
回路、71……デコーダ、72〜75……フリツ
プフロツプ、76……割込みカウンタ。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the configuration of a parallel duplex storage device according to the present invention. FIG. 1a shows the first embodiment, and FIG. 1b shows the second embodiment. FIG. 2 is a detailed block diagram of the embodiment shown in FIG. 1a according to the present invention, and particularly shows a detailed block configuration of the parallel control device. FIG. 3 is a diagram showing a timing diagram of control signals of the parallel control device shown in FIG. 2. FIG. 4 is a block diagram showing details of one embodiment of the configuration of an instruction code generation circuit used in the parallel control device shown in FIG. 2. Fifth
This figure is a diagram showing the relationship between the state of the control signal of the instruction code generation circuit shown in FIG. 4 and the instruction code.
FIG. 6 is a block diagram showing details of one embodiment of the configuration of an interrupt control circuit used in the parallel control device shown in FIG. 2. 1, 2, 3, 4... Storage device, 5... Parallel control device, 10, 11... Parallel duplex storage device, 2
0, 21...Storage control device, 60...Address counter, 70...Interrupt control device, 80...Instruction code generation circuit, 130...Storage device instruction register, 90...Start signal generation circuit, 100, 12
0, 45, 55, 150, 185, 186...Selection circuit, 140...Data register, 31-3
6, 41-44, 51-54...Batsuhua, 11
0,188,189,177...OR gate, 1
87, 171-176...AND gate, 184
...Inverter, 181-183...Code generation circuit, 71...Decoder, 72-75...Flip-flop, 76...Interrupt counter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 相互に冗長系を構成するように同一アドレス
に対して同一内容の情報を記憶するための第1お
よび第2の記憶装置と、前記第1および第2の記
憶装置の前記同一アドレスに対して同一内容の情
報を書込み、あるいは読出すための制御を行うた
めの並列制御装置とを具備した並列二重化記憶装
置において、前記並列制御装置がアドレスカウン
タと、割込み制御回路と、命令コード発生回路
と、記憶装置指示レジスタと、データレジスタ
と、起動信号発生回路と、複数箇の選択回路と、
複数箇のバツフアと、1箇または複数箇のORゲ
ートとを具備し、且つ、前記命令コード発生回路
が複数箇のコード生成回路と、複数箇の選択回路
と、複数箇のORゲートと、1箇または複数箇の
ANDゲートと、1箇または複数箇のインバータ
とを具備し、且つ、前記割込み制御回路がデコー
ダと、割込みカウンタと、複数箇のフリツプフロ
ツプと、複数箇のANDゲートと、1箇または複
数箇のORゲートとを具備し、且つ、前記割込み
制御回路が第1の時間幅ならびに第2の時間幅を
定義するため複数の制御信号を送出し、且つ、前
記命令コード発生回路が前記第1の時間幅に対応
して前記第1および第2の記憶装置に対してリフ
レツシユ命令を送出し、前記第2の時間幅の前半
に対応してリード命令を前記第1の記憶装置に送
出すると共にリフレツシユ命令を前記第2の記憶
装置に送出し、前記第2の時間幅の後半に対応し
てリフレツシユ命令を前記第1の記憶装置に送出
すると共にライト命令を前記第2の記憶装置に送
出するように構成したことを特徴とする並列二重
化記憶装置。
1 first and second storage devices for storing information with the same content at the same address so as to mutually configure a redundant system, and storage devices for the same address of the first and second storage devices; A parallel duplex storage device comprising a parallel control device for controlling writing or reading information of the same content, wherein the parallel control device includes an address counter, an interrupt control circuit, an instruction code generation circuit, a storage device instruction register, a data register, a start signal generation circuit, a plurality of selection circuits,
1, comprising a plurality of buffers and one or more OR gates, and the instruction code generation circuit includes a plurality of code generation circuits, a plurality of selection circuits, and a plurality of OR gates; item or items
The interrupt control circuit includes an AND gate, one or more inverters, and the interrupt control circuit includes a decoder, an interrupt counter, a plurality of flip-flops, a plurality of AND gates, and one or more ORs. a gate, and the interrupt control circuit sends a plurality of control signals to define a first time width and a second time width, and the instruction code generation circuit defines the first time width. A refresh command is sent to the first and second storage devices in response to the above, and a read command is sent to the first storage device and a refresh command is sent in response to the first half of the second time width. The refresh command is sent to the second storage device, and the refresh command is sent to the first storage device and the write command is sent to the second storage device corresponding to the second half of the second time width. A parallel duplex storage device characterized by:
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