JPH0413773A - シアニン化合物およびそれを用いた情報記録媒体 - Google Patents
シアニン化合物およびそれを用いた情報記録媒体Info
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の分野]
本発明は、新規な色素化合物および高エネルキー密度の
レーザビームを用いて情報のSき込みが可能な情報記録
媒体に関するものである。
レーザビームを用いて情報のSき込みが可能な情報記録
媒体に関するものである。
[発明の技術的背景]
近年において、レーザー光等の高エネルキー密度のビー
ムを用いる情報記録媒体か開発され、実用化されている
。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ヒテオ・デ
ィスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画
像ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク・メモ
リなどとして使用されている。
ムを用いる情報記録媒体か開発され、実用化されている
。この情報記録媒体は光ディスクと称され、ヒテオ・デ
ィスク、オーディオ・ディスク、さらには大容量静止画
像ファイルおよび大容量コンピュータ用ディスク・メモ
リなどとして使用されている。
D RA W (Direct Read After
Write)型の光ディスクは基本構造として、ガラ
ス、合成樹脂などからなる円盤状の基板と、この上に設
けられたBi、Sn、In、Te等の金属または半金属
:またはシアニン系、金属錯体系、キノン系等の色素か
らなる記録層とを有する。なお、記録層が設けられる側
の基板表面には通常、基板の平面性の改善、記録層との
接着力の向上あるいは光ディスクの感度の向上などの点
から、高分子物質からなる中間層が設けられることが多
い。光ディスクへの情報の書き込みはレーザービームを
この光ディスクに照射することにより行なわれ、記録層
の照射部分かその光を吸収して局所的に温度上昇し、物
理的あるいは化学的な変化(たとえば、ピットの生成)
か生じてその光学的特性を変えることにより情報か記録
される。v4Ilaの読み取りもまた、レーザービーム
を光ディスクに照射することにより行なわれ、記録層の
光学的特性の変化に応した反射光または透過光を検出す
ることにより情報か再生される。
Write)型の光ディスクは基本構造として、ガラ
ス、合成樹脂などからなる円盤状の基板と、この上に設
けられたBi、Sn、In、Te等の金属または半金属
:またはシアニン系、金属錯体系、キノン系等の色素か
らなる記録層とを有する。なお、記録層が設けられる側
の基板表面には通常、基板の平面性の改善、記録層との
接着力の向上あるいは光ディスクの感度の向上などの点
から、高分子物質からなる中間層が設けられることが多
い。光ディスクへの情報の書き込みはレーザービームを
この光ディスクに照射することにより行なわれ、記録層
の照射部分かその光を吸収して局所的に温度上昇し、物
理的あるいは化学的な変化(たとえば、ピットの生成)
か生じてその光学的特性を変えることにより情報か記録
される。v4Ilaの読み取りもまた、レーザービーム
を光ディスクに照射することにより行なわれ、記録層の
光学的特性の変化に応した反射光または透過光を検出す
ることにより情報か再生される。
このような情報記録媒体の記録層を形成する記録材料と
して上記のように金属類や色素等が知られている。色素
を用いた情報記録媒体は、金属等の記録材料に比べて高
感度であるなど記録媒体自体の特性において長所を有す
る他に、記録層を塗布法により簡単に形成することがで
きるという製造上の大きな利点を有している。従って、
このような光ディスクに利用することかできる色素の開
発か行なわれ、また種々実用化されている。光ディスク
に適用するために要求される特性としては、半導体レー
ザーの発振波長領域である700〜900nmに色素の
吸収かあること、吸収係数かある程度大きいこと、反射
率が高いことなどが挙げられる。半導体レーサーの発振
波長領域の拡大への研究や光デイスクドライブの改良、
開発か行なわれており、これに伴ない使用できる色素の
の種類の拡大やなどの変化もf想される。従って、光デ
イスク用の色素の種類の豊富化か望まわる。
して上記のように金属類や色素等が知られている。色素
を用いた情報記録媒体は、金属等の記録材料に比べて高
感度であるなど記録媒体自体の特性において長所を有す
る他に、記録層を塗布法により簡単に形成することがで
きるという製造上の大きな利点を有している。従って、
このような光ディスクに利用することかできる色素の開
発か行なわれ、また種々実用化されている。光ディスク
に適用するために要求される特性としては、半導体レー
ザーの発振波長領域である700〜900nmに色素の
吸収かあること、吸収係数かある程度大きいこと、反射
率が高いことなどが挙げられる。半導体レーサーの発振
波長領域の拡大への研究や光デイスクドライブの改良、
開発か行なわれており、これに伴ない使用できる色素の
の種類の拡大やなどの変化もf想される。従って、光デ
イスク用の色素の種類の豊富化か望まわる。
このような色素からなる記録層は、一般に反射率か低い
、再生信号のC/Nが低い等の特性上の開運、および色
素記録層が光の照射により経時的に劣化し易いなどの欠
点を有している。
、再生信号のC/Nが低い等の特性上の開運、および色
素記録層が光の照射により経時的に劣化し易いなどの欠
点を有している。
上記反射率およびC/Nが向上した色素からなる記録層
として、特開昭64−40382号公報にヘンジインド
レニン骨格を有するシアニン系色素からなる記録層を有
する光ディスクが開示されている。しかしながら、この
ような色素記録層を有する情報記録媒体は、C/Nにつ
いては比較的良好なものであるが、反射率、さらに耐光
性については満足できるものではない。
として、特開昭64−40382号公報にヘンジインド
レニン骨格を有するシアニン系色素からなる記録層を有
する光ディスクが開示されている。しかしながら、この
ような色素記録層を有する情報記録媒体は、C/Nにつ
いては比較的良好なものであるが、反射率、さらに耐光
性については満足できるものではない。
反射率を高くするため、色素記録層の上にさらに反射層
を設けることが一般的に行なわれている。このような例
が、日経エレクトロニクス(I07頁、1989年 1
月23日発行)に記載されており、こ九によると上記記
録媒体の記録層に用いられている色素は不明であるか、
その記録方法か、色素記録層のレーザーの吸収により色
素か融解され、これに伴なってプラスチック基板が加熱
されて該基板が記録層側に盛り上ってピットが形成され
ることによって行なわわるとの開示がなされている。こ
の反射層は金の蒸着膜である。そして本発明者等の検討
によれば、この色素記録層に、上記ベンゾインドレニン
骨格を有するシアニン色素を用いると、比較的C/Nも
高く、向上した反射率を有する光ディスクを得ることが
できる。
を設けることが一般的に行なわれている。このような例
が、日経エレクトロニクス(I07頁、1989年 1
月23日発行)に記載されており、こ九によると上記記
録媒体の記録層に用いられている色素は不明であるか、
その記録方法か、色素記録層のレーザーの吸収により色
素か融解され、これに伴なってプラスチック基板が加熱
されて該基板が記録層側に盛り上ってピットが形成され
ることによって行なわわるとの開示がなされている。こ
の反射層は金の蒸着膜である。そして本発明者等の検討
によれば、この色素記録層に、上記ベンゾインドレニン
骨格を有するシアニン色素を用いると、比較的C/Nも
高く、向上した反射率を有する光ディスクを得ることが
できる。
DRAW型光ディスクでも、CDフォーマット信号の高
密度記録では(CD−DRAW)、定線速度1.2〜1
.4m/秒という遅い速度で上記信号の記録を行なう必
要があり、その際記録した信号を市販のCDプレーヤー
で再生することが要求されている。CDプレーヤーで再
生するには光ディスクの反射率が少なくとも70%以上
あることが望ましい。しかしながら、上記光ディスクに
CDフォーマット信号を記録しても、CDプレーヤーに
よっては再生か出来ないものかあった。
密度記録では(CD−DRAW)、定線速度1.2〜1
.4m/秒という遅い速度で上記信号の記録を行なう必
要があり、その際記録した信号を市販のCDプレーヤー
で再生することが要求されている。CDプレーヤーで再
生するには光ディスクの反射率が少なくとも70%以上
あることが望ましい。しかしながら、上記光ディスクに
CDフォーマット信号を記録しても、CDプレーヤーに
よっては再生か出来ないものかあった。
従って、上記CD−DRAWとし、て反射率の顕著に高
い(80%前後)の光ディスクの出現か望まわる。
い(80%前後)の光ディスクの出現か望まわる。
[発明の目的]
本発明は、光ディスクの記録層に特に有用な新規なシア
ニン化合物を提供することを目的とする。
ニン化合物を提供することを目的とする。
また本発明は、新規なシアニン化合物からなる記録層を
有する情報記録媒体を提供することを目的とする。
有する情報記録媒体を提供することを目的とする。
また本発明は、記録層およびその上に反射層を有する情
報記録媒体であって、C/Nおよび反射率が顕著に向上
した情報記録媒体を提供することを目的とする。
報記録媒体であって、C/Nおよび反射率が顕著に向上
した情報記録媒体を提供することを目的とする。
以下余白
[発明の要旨]
本発明は、下記の一般式(I):
%式%
[式中、AおよびA゛は、それぞれベンゼン環またはナ
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3.5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、RI
R2、RI+およびRI2は、そ九ぞれ水素原子
、アルキル基、アリール基またはアシル基を表わし、R
3、R″、 R13およびR”は、それぞわアルキル
基もしくはアリール基を表わし、nは1.2、もしくは
3を表わし、X′″〜は陰イオンを表わし、そして、A
、A’ L、R’、R2、R”、R’、RR+2、
R”およびR14は、さらに置換基を育していてもよい
。] により表わされるシアニン化合物にある。
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3.5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、RI
R2、RI+およびRI2は、そ九ぞれ水素原子
、アルキル基、アリール基またはアシル基を表わし、R
3、R″、 R13およびR”は、それぞわアルキル
基もしくはアリール基を表わし、nは1.2、もしくは
3を表わし、X′″〜は陰イオンを表わし、そして、A
、A’ L、R’、R2、R”、R’、RR+2、
R”およびR14は、さらに置換基を育していてもよい
。] により表わされるシアニン化合物にある。
F足木発明のシアニン化合物の好ましい態様はF記のと
おりである。
おりである。
1)AおよびA′が、無置換のヘンセン環もしくはナフ
タレン環、F、CM、メチル、エチル、メトキシ、エト
キシ、エトキシカルボニル、スルファモイルもしくはカ
ルバモイルで置換されたベンゼン環またはナフタレン環
を完成するための原子群であることを特徴とする上記シ
アニン化合物。
タレン環、F、CM、メチル、エチル、メトキシ、エト
キシ、エトキシカルボニル、スルファモイルもしくはカ
ルバモイルで置換されたベンゼン環またはナフタレン環
を完成するための原子群であることを特徴とする上記シ
アニン化合物。
2)Lか、無置換もしくは炭素原子数1〜7のアルキル
基もしくはアラルキル基で置換されたメチン基または3
〜5個のメチン基か兵役二重結合で連結されて形成され
た基であることを特徴とするF記シアニン化合物。
基もしくはアラルキル基で置換されたメチン基または3
〜5個のメチン基か兵役二重結合で連結されて形成され
た基であることを特徴とするF記シアニン化合物。
3 ) RI R2、R11およびR12が、それぞ
れ無置換のアルキル基または無置換のフェニル基である
ことを特徴とする上記シアニン化合物。
れ無置換のアルキル基または無置換のフェニル基である
ことを特徴とする上記シアニン化合物。
4)R3R’ 、R13およびR”か、それぞれ無置換
の低級アルキル基であることを特徴とする上記シアニン
化合物。
の低級アルキル基であることを特徴とする上記シアニン
化合物。
5)X’−か、へロケンイオン、スルホネートイオン、
cio4−5BF4−1金属錯体イオンまたはリン酸イ
オンであることを特徴とする上記シアニン化合物。
cio4−5BF4−1金属錯体イオンまたはリン酸イ
オンであることを特徴とする上記シアニン化合物。
また、本発明は、基板上に、上記一般式(I)により表
わされるシアニン化合物を含むレーザーに情報の記録が
可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体にもある。
わされるシアニン化合物を含むレーザーに情報の記録が
可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体にもある。
上記本発明の情報記録媒体の好ましい態様は下記のとお
りである。
りである。
l)該記録層上に、金属からなる反射層が設けられてい
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
2)該記録層か、上記一般式(I)で表わさ九るシアニ
ン化合物と該化合物の吸収極大より長波長側に吸収極大
を有する色素との混合物からなる記録層が設けられてい
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
ン化合物と該化合物の吸収極大より長波長側に吸収極大
を有する色素との混合物からなる記録層が設けられてい
ることを特徴とする上記情報記録媒体。
3)1記記録層に含まれるいずれの色素の吸収極大波長
よりも長波長側に吸収極大を有するクエンチャ−か該記
録層に含まれていることを特徴とする上記情報記録媒体
。
よりも長波長側に吸収極大を有するクエンチャ−か該記
録層に含まれていることを特徴とする上記情報記録媒体
。
4)上記色素の吸収極大か、上記一般式(I)て表わさ
れるシアニン化合物の吸収極大より20nm以上長いこ
とを特徴とする上記2)の情報記録媒体。
れるシアニン化合物の吸収極大より20nm以上長いこ
とを特徴とする上記2)の情報記録媒体。
5)上記シアニン化合物の吸収極大か、650nmより
高いことを特徴とする上記情報記録媒体。
高いことを特徴とする上記情報記録媒体。
6)上記一般式(I)で表わされるシアニン化合物と該
化合物より長波長側に吸収極大を有する色素との混合比
が、重量比で9:91〜60:40の範囲にあることを
特徴とする上記2)情報記録媒体。
化合物より長波長側に吸収極大を有する色素との混合比
が、重量比で9:91〜60:40の範囲にあることを
特徴とする上記2)情報記録媒体。
7)上記基板の材料がプラスチックであることを特徴と
する上記情報記録媒体。
する上記情報記録媒体。
8)上記金属がCr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、
Anおよびステンレス鋼からなる群より選ばれる少なく
とも一種であることを特徴とする上記情報記録媒体。
Anおよびステンレス鋼からなる群より選ばれる少なく
とも一種であることを特徴とする上記情報記録媒体。
尚、本発明の色素の吸収極大とは、基板に形成した色素
層の吸収極大を言う。
層の吸収極大を言う。
[発明の効果]
上記一般式(I)で表わされる本発明の特定のシアニン
化合物を光ディスクの記録層の材料として用いた場合、
得られる光ディスクは優れた記録再生特性と高い反射率
を示す。
化合物を光ディスクの記録層の材料として用いた場合、
得られる光ディスクは優れた記録再生特性と高い反射率
を示す。
また、本発明の特定のシアニン化合物(色素)からなる
記録層が基板上に設けられ、さらに該記録層上に金属か
らなる反射層が積層された場合、このような構成を採る
ことにより、記録感度、C/N、変調度等の記録再生特
性を維持しながら、反射率を向上させることができる。
記録層が基板上に設けられ、さらに該記録層上に金属か
らなる反射層が積層された場合、このような構成を採る
ことにより、記録感度、C/N、変調度等の記録再生特
性を維持しながら、反射率を向上させることができる。
特に、本発明の特定のシアニン化合物(色素)および該
化合物より長波長側に吸収極大を有する別の色素からな
る記録層が設けられ、さらに該記録層上に金属からなる
反射層が積層された場合、高い反射率に加えて、記録感
度、C/N、変調度等の記録再生特性も向上させること
かてきる。
化合物より長波長側に吸収極大を有する別の色素からな
る記録層が設けられ、さらに該記録層上に金属からなる
反射層が積層された場合、高い反射率に加えて、記録感
度、C/N、変調度等の記録再生特性も向上させること
かてきる。
さらに、得られる光ディスクは反射率か顕著に高いので
、CDフォーマット信号を記録して市販のCDプレーヤ
ーにて再生か可能であるため、CD−DRAWとして有
用である。
、CDフォーマット信号を記録して市販のCDプレーヤ
ーにて再生か可能であるため、CD−DRAWとして有
用である。
[発明の詳細な記述]
本発明の上記一般式(I)で表わされるシアニン化合物
は、レーザーにより情報の記録が可能な記録層を形成す
るために使用した場合、極めて有用なものである。
は、レーザーにより情報の記録が可能な記録層を形成す
るために使用した場合、極めて有用なものである。
また本発明の情報記録媒体は、基板上に、上記一般式(
I)で表わされるシアニン化合物を含む記録層が設けら
れた基本構成を有する。
I)で表わされるシアニン化合物を含む記録層が設けら
れた基本構成を有する。
さらに本発明の別の態様の情報記録媒体は、上記色素記
録層上に反射層が設けられた基本構成を有する。
録層上に反射層が設けられた基本構成を有する。
本発明者等は、基板上に簡便な製造方法である塗布によ
り層形成が可能な色素を用いて記録層を設け、その上に
反射層か形成された光ディスクであって、高いC/Nな
どの優れた記録再生特性を維持しながら高い反射率を有
する情報記録媒体を得るため鋭意検討を重ねてきた。そ
して、上記数式(I)で表わされるシアニン化合物を記
録層として用いることにより上記特性を実現できること
か明らかとなった。そして、上記特定のシアニン化合物
(色素)からなる記録層上に、さらに該記録層上に金属
からなる反射層が積層することにより、記録感度、C/
N、変調度等の記録再生特性を維持しながら、反射率を
向上させることかできることも明らかとなった。
り層形成が可能な色素を用いて記録層を設け、その上に
反射層か形成された光ディスクであって、高いC/Nな
どの優れた記録再生特性を維持しながら高い反射率を有
する情報記録媒体を得るため鋭意検討を重ねてきた。そ
して、上記数式(I)で表わされるシアニン化合物を記
録層として用いることにより上記特性を実現できること
か明らかとなった。そして、上記特定のシアニン化合物
(色素)からなる記録層上に、さらに該記録層上に金属
からなる反射層が積層することにより、記録感度、C/
N、変調度等の記録再生特性を維持しながら、反射率を
向上させることかできることも明らかとなった。
さらに、その際、上記−数式(I)で表ねされるシアニ
ン化合物と共に、該化合物より長波長側に吸収極大を有
する色素との混合物からなる記録層を設けることにより
、上記の高い反射率に加えて記録感度、C/N、変調度
等の記録再生特性を向上させることが容易となることが
明らかとなフた。
ン化合物と共に、該化合物より長波長側に吸収極大を有
する色素との混合物からなる記録層を設けることにより
、上記の高い反射率に加えて記録感度、C/N、変調度
等の記録再生特性を向上させることが容易となることが
明らかとなフた。
すなわち、上記−数式(I)で表わされる本発明のシア
ニン化合物である色素は、その構造を変えることにより
その吸収極大を短波長側にも長波長側にもの変化させる
ことが可能である。上記化金物は、一般のレーザー光の
発振波長である780nm@後の波長帯域で、反射率が
高く、モしてC/Nおよび変調度も比較的高いという特
性のものが多い。これらの化合物の中で、吸収極大か7
80nmより短い波長領域にある色素と、1記レーザー
波長領域で感度の高い色素(すなわち上記色素より長波
長側に極大吸収を有する色素)とを併用することにより
、上記高い反射率に加えて、記録感度、C/N、変調度
等の記録再生特性を向上させることができることが分か
った。
ニン化合物である色素は、その構造を変えることにより
その吸収極大を短波長側にも長波長側にもの変化させる
ことが可能である。上記化金物は、一般のレーザー光の
発振波長である780nm@後の波長帯域で、反射率が
高く、モしてC/Nおよび変調度も比較的高いという特
性のものが多い。これらの化合物の中で、吸収極大か7
80nmより短い波長領域にある色素と、1記レーザー
波長領域で感度の高い色素(すなわち上記色素より長波
長側に極大吸収を有する色素)とを併用することにより
、上記高い反射率に加えて、記録感度、C/N、変調度
等の記録再生特性を向上させることができることが分か
った。
本発明の情報記録媒体は、たとえば以下に述へるような
方法により製造することができる。
方法により製造することができる。
本発明の基板は、従来の情報=己録媒体の基板として用
いられている各種の材料から任意に選択することができ
る。本発明の基板材料として、例えばガラス:ポリメチ
ルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニル、
塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂:エポキシ樹
脂:アモルファスポリオレフィンおよびポリエステルな
どを挙げることができ、所望により併用してもよい。な
お、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある
基板として使うことかできる。上記材料の中で、耐湿性
、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネート
が好ましい。
いられている各種の材料から任意に選択することができ
る。本発明の基板材料として、例えばガラス:ポリメチ
ルメタクリレート等のアクリル樹脂:ポリ塩化ビニル、
塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂:エポキシ樹
脂:アモルファスポリオレフィンおよびポリエステルな
どを挙げることができ、所望により併用してもよい。な
お、これらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある
基板として使うことかできる。上記材料の中で、耐湿性
、寸法安定性および価格などの点からポリカーボネート
が好ましい。
記録層か設けられる側の基板表面には、平面性の改善、
接着力の向トおよび記録層の変質の防止の目的で、下塗
層が設けられてもよい。下塗層の材料としてはたとえば
、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル
酸共重合体、スチレン・無水マレイナト共重合体、ポリ
ビニルアルコール、N−メチロールアクリルアミド、ス
チレン・スルホナト共重合体、スチレン・ビニルトルエ
ン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセ
ルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポ
リエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重
合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質:お
よびシランカップリング刑などの有機物質を挙げること
ができる。
接着力の向トおよび記録層の変質の防止の目的で、下塗
層が設けられてもよい。下塗層の材料としてはたとえば
、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル
酸共重合体、スチレン・無水マレイナト共重合体、ポリ
ビニルアルコール、N−メチロールアクリルアミド、ス
チレン・スルホナト共重合体、スチレン・ビニルトルエ
ン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセ
ルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポ
リエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重
合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質:お
よびシランカップリング刑などの有機物質を挙げること
ができる。
下塗層は、たとえば上記物質を適当な溶剤に溶解または
分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコ
ード、デイツプコート、エクストルージョンコートなと
の塗布法により基板表面に塗布することにより形成する
ことができる。下塗層の層厚は一般に0.005〜20
μmの範囲にあり、好ましくは0,01〜10μmの範
囲である。
分散して塗布液を調製したのち、この塗布液をスピンコ
ード、デイツプコート、エクストルージョンコートなと
の塗布法により基板表面に塗布することにより形成する
ことができる。下塗層の層厚は一般に0.005〜20
μmの範囲にあり、好ましくは0,01〜10μmの範
囲である。
また、基板(または下塗層)上には、トラッキング用溝
またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸が形成されて
いることが好ましい。上記ポリカーボネートなどの樹脂
材料を使用する場合は、樹脂材料を射出成形あるいは押
出成形などにより直接基板にグループか設けられること
が好ましい。
またはアドレス信号等の情報を表わす凹凸が形成されて
いることが好ましい。上記ポリカーボネートなどの樹脂
材料を使用する場合は、樹脂材料を射出成形あるいは押
出成形などにより直接基板にグループか設けられること
が好ましい。
またグループ形成を、プレグルーブ層か設けることによ
り行なってもよい。プレグルーブ層の材料としては、ア
クリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルお
よびテトラエステルのうちの少なくとも一種の千ツマ−
(またはオリゴマー)と光頃合開始剤との混合物を用い
ることかできる。
り行なってもよい。プレグルーブ層の材料としては、ア
クリル酸のモノエステル、ジエステル、トリエステルお
よびテトラエステルのうちの少なくとも一種の千ツマ−
(またはオリゴマー)と光頃合開始剤との混合物を用い
ることかできる。
プレクループ層の形成は、まず精密に作られた母型(ス
タンバ−)上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開
始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に
基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線の照
射により液層を硬化させて基板と液相とを固着させる。
タンバ−)上に上記のアクリル酸エステルおよび重合開
始剤からなる混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に
基板を載せたのち、基板または母型を介して紫外線の照
射により液層を硬化させて基板と液相とを固着させる。
次いて、基板を母型から剥離することによりプレグルー
ブ層の設けられた基板が得られる。
ブ層の設けられた基板が得られる。
プレクループ層の層厚は一般に0.05〜100μmの
範囲にあり、好ましくは0,1〜50μmの範囲である
。
範囲にあり、好ましくは0,1〜50μmの範囲である
。
基板上には本発明の記録層が設けられる。
本発明の記録層は、下記の一般式(I)で表わされるシ
アニン化合物を含むことを特徴とする。
アニン化合物を含むことを特徴とする。
以下余白
ユ/n−xn−
[式中、Aおよび八“は、それぞれベンゼン環またはナ
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3.5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、R1
、R2R11およびR12は、独立に水素原子、アルキ
ル基、アリール基またはアシル基を表わし、R3、R4
、R13およびR”は、それぞわアルキル基もしくはア
リール基を表わし、nは1.2、もしくは3を表わし、
Xn−は陰イオンを表わし、そして、ハ、A’、L、R
菫R2,R3,R4,RIIR” R′3およびR”
は、さらに置換基を有していてもよい。] 本発明の情報記録媒体に用いられる上記−数式(I)で
表される化合物において、好ましくは、R蟲とR目、R
2とR12、R′Iと)tl+、)j4とR”、AとA
oとかそれぞれ同しものである。
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3.5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、R1
、R2R11およびR12は、独立に水素原子、アルキ
ル基、アリール基またはアシル基を表わし、R3、R4
、R13およびR”は、それぞわアルキル基もしくはア
リール基を表わし、nは1.2、もしくは3を表わし、
Xn−は陰イオンを表わし、そして、ハ、A’、L、R
菫R2,R3,R4,RIIR” R′3およびR”
は、さらに置換基を有していてもよい。] 本発明の情報記録媒体に用いられる上記−数式(I)で
表される化合物において、好ましくは、R蟲とR目、R
2とR12、R′Iと)tl+、)j4とR”、AとA
oとかそれぞれ同しものである。
AおよびAoて表されるベンセン環もしくはナフタレン
環を完成するための原子群は、ハロゲン原子、炭素原子
数1〜8のアルキル基(ハロケン原子、炭素原子数1〜
4のアルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基で置
換されていてもよい)、炭素原子数1〜8のアルコキシ
基(ハロケン原子、炭素原子数1〜4のアルコキシ基、
アルキルチオ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい
)、炭素原子数1〜8のアルキルチオ基、炭素原子数1
〜8のアルキルスルホニル基、炭素原子数1〜9のアシ
ルアミノ基、炭素原子数1〜8のスルホンアミド基、炭
素原子数1〜8のアシル基、炭素原子数1〜9のカルボ
モイル基、炭素原子数1〜8のスルファモイル基、炭素
原子数1〜8のアルコキシカルボニル基、ニトロ基また
はシアノ基で置換されていてもよい。特に好ましくは、
Aおよび八°は、無置換のベンセン環もしくはナフタレ
ン環、またはF、Cff1、メチル、エチル、メトキシ
、エトキシ、エトキシカルボニル、スルファモイル、カ
ルバモイルで置換されたベンセン環もしくはナフタレン
環を完成するための原子群である。最も好ましくは、無
置換のペンセン環もしくはナフタレン環またはエトキシ
カルボニル基で置換されたベンセン環もしくはナフタレ
ン環を完成するための原子群である。
環を完成するための原子群は、ハロゲン原子、炭素原子
数1〜8のアルキル基(ハロケン原子、炭素原子数1〜
4のアルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基で置
換されていてもよい)、炭素原子数1〜8のアルコキシ
基(ハロケン原子、炭素原子数1〜4のアルコキシ基、
アルキルチオ基、ヒドロキシ基で置換されていてもよい
)、炭素原子数1〜8のアルキルチオ基、炭素原子数1
〜8のアルキルスルホニル基、炭素原子数1〜9のアシ
ルアミノ基、炭素原子数1〜8のスルホンアミド基、炭
素原子数1〜8のアシル基、炭素原子数1〜9のカルボ
モイル基、炭素原子数1〜8のスルファモイル基、炭素
原子数1〜8のアルコキシカルボニル基、ニトロ基また
はシアノ基で置換されていてもよい。特に好ましくは、
Aおよび八°は、無置換のベンセン環もしくはナフタレ
ン環、またはF、Cff1、メチル、エチル、メトキシ
、エトキシ、エトキシカルボニル、スルファモイル、カ
ルバモイルで置換されたベンセン環もしくはナフタレン
環を完成するための原子群である。最も好ましくは、無
置換のペンセン環もしくはナフタレン環またはエトキシ
カルボニル基で置換されたベンセン環もしくはナフタレ
ン環を完成するための原子群である。
して表わされるメチン基または共役メチン基は、ハロゲ
ン原子、アルキル基、アルコキシ基もしくはアラルキル
基で置換されていてもよく、こわらの置換基が互いに連
結して5もしくは6員環を形成してもよい。特に好まし
いものは、無置換もしくは炭素原子数1〜7のアルキル
基(例、メチル基、エチル基なと)もしくはアラルキル
基(例、ヘンシル基、フェネチル基など)で置換された
メチン基または3もしくは5個のメチン基か共役二重結
合で連結されて形成された基である。
ン原子、アルキル基、アルコキシ基もしくはアラルキル
基で置換されていてもよく、こわらの置換基が互いに連
結して5もしくは6員環を形成してもよい。特に好まし
いものは、無置換もしくは炭素原子数1〜7のアルキル
基(例、メチル基、エチル基なと)もしくはアラルキル
基(例、ヘンシル基、フェネチル基など)で置換された
メチン基または3もしくは5個のメチン基か共役二重結
合で連結されて形成された基である。
R1、R2R1+およびR12で表される基として好ま
しいものは、水素原子、炭素原子数1〜8のアルキル基
(ハロゲン原子、炭素原子1〜4のアルコキシ基、アル
キルチオ基で置換さねていてもよい)、炭素原子数6〜
12の置換されていてもよいフェニル基または炭素原子
数1〜8のアシル基である。特に好ましくは、無置換の
アルキル基(例、メチル基、エチル基等)または無置換
のフェニル基である。
しいものは、水素原子、炭素原子数1〜8のアルキル基
(ハロゲン原子、炭素原子1〜4のアルコキシ基、アル
キルチオ基で置換さねていてもよい)、炭素原子数6〜
12の置換されていてもよいフェニル基または炭素原子
数1〜8のアシル基である。特に好ましくは、無置換の
アルキル基(例、メチル基、エチル基等)または無置換
のフェニル基である。
R3、ft 4 R13およびR”で表わされるアル
キル基は、好ましくは炭素原子数1〜8であり、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基(炭素原子数1〜4)、アルキル
チオ基(炭素原子数1〜4)フェニル基、置換フェニル
基(炭素原子数6〜12)または、ヒドロキシ基で置換
されていてもよく、R3とR4,)j+3とR”とは互
いに連結して5もしくは6員環を形成していてもよい。
キル基は、好ましくは炭素原子数1〜8であり、ハロゲ
ン原子、アルコキシ基(炭素原子数1〜4)、アルキル
チオ基(炭素原子数1〜4)フェニル基、置換フェニル
基(炭素原子数6〜12)または、ヒドロキシ基で置換
されていてもよく、R3とR4,)j+3とR”とは互
いに連結して5もしくは6員環を形成していてもよい。
R2H4、R+1およびR14で表わされるアリール基
は、好ましくは、フェニル基もしくは置換フェニル基(
炭素原子数6〜12)である。R3R4RI3およびR
”で表される基として特に好ましいものは無置換の低級
アルキル基(例、メチル基、エチル基等)である。
は、好ましくは、フェニル基もしくは置換フェニル基(
炭素原子数6〜12)である。R3R4RI3およびR
”で表される基として特に好ましいものは無置換の低級
アルキル基(例、メチル基、エチル基等)である。
また、Xて表わされる陰イオンとして好ましいものとし
ては、 ハライドイオン(例えば、 CR−、Br−1−) 、
スルホネートイオン(例えば、CH3およびリン酸イオ
ン(例えば、PF6−、ニー1 を挙げることがてきる。
ては、 ハライドイオン(例えば、 CR−、Br−1−) 、
スルホネートイオン(例えば、CH3およびリン酸イオ
ン(例えば、PF6−、ニー1 を挙げることがてきる。
これらのうちで特に好ましい陰イオンは、ニー2
い。
上記−数式で表わされる具体的な化合物の例としては以
下のI−1〜l−17を挙げることができる。
下のI−1〜l−17を挙げることができる。
以下余白
PF6゛
ニー4
ニー5
ニー11
ニー12
CIO4’
C10゜
CF35o。
ニー7
■−8
ニー9
ニー13
ニー15
CIO4’
PF6’
■
ニー16
エ。
ニー17
本発明の化合物は下記−数式(a)で表される化合物を
マロンジアルデヒド、グルタコンアルヒトなどのジアル
デヒド類もしくはこれらの合成等価体であるジアセター
ル体、シアニル体、ジイミン体などを反応させることに
よって合成することができる。
マロンジアルデヒド、グルタコンアルヒトなどのジアル
デヒド類もしくはこれらの合成等価体であるジアセター
ル体、シアニル体、ジイミン体などを反応させることに
よって合成することができる。
数式(a)
l04−
c式中、AおよびRl 、 R4は一般式(■ンにおけ
る定義と同義である。] この合成反応の類似例としては、Chea+ Abs
t −racts 69巻、60029Vに引用された
F、S。
る定義と同義である。] この合成反応の類似例としては、Chea+ Abs
t −racts 69巻、60029Vに引用された
F、S。
Babichev及びA、F、Babichevaによ
る。Khia+。
る。Khia+。
Geterotsikl 5oedinl 967.9
17−22の記載あるいは特開昭61−219036号
公報のM己載などがあり、これらを参考にして合成する
こともてきる。
17−22の記載あるいは特開昭61−219036号
公報のM己載などがあり、これらを参考にして合成する
こともてきる。
一般式(a)の化合物と上記ジアルデヒド類及びその誘
導体との反応は、強い塩基の存在しない条件、とくに酸
性条件で行なうことが好ましい。
導体との反応は、強い塩基の存在しない条件、とくに酸
性条件で行なうことが好ましい。
−数式(a)で表わされる化合物の合成は下北一般式(
b)で表されるインドリン化合物と一般式(C)で表わ
されるα位に離脱性基を有するケトン類とを反応させる
ことによって合成できる。
b)で表されるインドリン化合物と一般式(C)で表わ
されるα位に離脱性基を有するケトン類とを反応させる
ことによって合成できる。
−数式(b)
[式中、A、R3およびR4は一般式(I)における定
義と同義である。] 一般式(C) [式中、Xはハロゲン原子又はアリールもしくはアルキ
ルスルホナト基を表し、Q’ 、Q2はアルキル、アリ
ール、−もしくはアラルキル基を表す1次に本発明の一
般式(I)で表される化合物の合成例を挙げて合成法を
具体的に説明する。
義と同義である。] 一般式(C) [式中、Xはハロゲン原子又はアリールもしくはアルキ
ルスルホナト基を表し、Q’ 、Q2はアルキル、アリ
ール、−もしくはアラルキル基を表す1次に本発明の一
般式(I)で表される化合物の合成例を挙げて合成法を
具体的に説明する。
合成例1(化合物1の合成)
1.3.3−トリメチルインドレニン16g、α−クロ
ロベンジルフェニルケトン(デシルクロライド)23g
を混合し、170℃で10時間加熱還流した。室温まで
冷却した後メタノールを加え結晶化させ濾取して、15
gの4.4−ジメチル−1,2−ジフェニルピロロ[1
,2−a]インドリンを得た。融点140℃。
ロベンジルフェニルケトン(デシルクロライド)23g
を混合し、170℃で10時間加熱還流した。室温まで
冷却した後メタノールを加え結晶化させ濾取して、15
gの4.4−ジメチル−1,2−ジフェニルピロロ[1
,2−a]インドリンを得た。融点140℃。
この結晶6.7g、グルタコンアルデヒド′ナトリウム
塩3g、パラトルエンスルホン酸1永和物6g、メタノ
ール100mJ2及びエタノール100mItを混合し
、8時間加熱還流した。不溶物を濾取して除き、濾液を
氷冷した。析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄後
乾燥して1.7gの化合物1を得た。
塩3g、パラトルエンスルホン酸1永和物6g、メタノ
ール100mJ2及びエタノール100mItを混合し
、8時間加熱還流した。不溶物を濾取して除き、濾液を
氷冷した。析出した結晶を濾取し、メタノールで洗浄後
乾燥して1.7gの化合物1を得た。
融点: 267−268℃
λMaX (メタノール) :666nm合成例2
(化合物11の合成) 2.3.3−)ツメチル−4,5−ヘンゾインドレニン
とα−クロロヘンシルフェニルケトン(デシルクロライ
ド)とを混合し、加熱して得られる。5.6−ベンゾ−
4,4−ジメチル−1゜2−ジフェニルピロロ[1、2
−a ] −インF ’)ンの粗結晶3gにグルタコン
アルデヒドのナトリウム塩3g、パラトルエンスルホン
酸3g、エタノール240mIt、及びクロロホルム6
0m1を加え、8時間加熱還流した。不溶部を濾過して
除き、濾液より溶媒を減圧下に留去し乾した後、メタノ
ールを加えて洗い、350mgの化合物11を得た。
(化合物11の合成) 2.3.3−)ツメチル−4,5−ヘンゾインドレニン
とα−クロロヘンシルフェニルケトン(デシルクロライ
ド)とを混合し、加熱して得られる。5.6−ベンゾ−
4,4−ジメチル−1゜2−ジフェニルピロロ[1、2
−a ] −インF ’)ンの粗結晶3gにグルタコン
アルデヒドのナトリウム塩3g、パラトルエンスルホン
酸3g、エタノール240mIt、及びクロロホルム6
0m1を加え、8時間加熱還流した。不溶部を濾過して
除き、濾液より溶媒を減圧下に留去し乾した後、メタノ
ールを加えて洗い、350mgの化合物11を得た。
融点:185−192℃
λ1.la、I (メタノール) :685nm上
記般式(I)で表わされる新規なシアニン化合物は、色
素の中でも反射率が高く、且つ記録感度、C/N等の記
録再生特性においても優れたものである。
記般式(I)で表わされる新規なシアニン化合物は、色
素の中でも反射率が高く、且つ記録感度、C/N等の記
録再生特性においても優れたものである。
さらに、面述したように上記色素と上記レーザー波長領
域で感度の高い色素(すなわち上記色素より長波長側に
極大吸収を有する色素)とを併用することにより、上記
高い反射率に加えて、記録感度、C/N、変調度等の記
録再生特性か向トした情報記録媒体を得ることができる
。特に金などからなる反射層が設けられた情報記録媒体
に上記のように他の色素と混合使用することが有効であ
る。
域で感度の高い色素(すなわち上記色素より長波長側に
極大吸収を有する色素)とを併用することにより、上記
高い反射率に加えて、記録感度、C/N、変調度等の記
録再生特性か向トした情報記録媒体を得ることができる
。特に金などからなる反射層が設けられた情報記録媒体
に上記のように他の色素と混合使用することが有効であ
る。
記録層上に反射層を設けた光ディスつてあって、上記一
般式(I)で表わされるシアニン化合物と併用して、該
シアニン化合物の吸収極大より長波長に吸収極大を有す
る色素を用いる場合、このような色素の吸収極大は、上
記一般式(I)で表わされるシアニン色素の吸収極大よ
り20nm以上高いことが高いC/Nと反射率を得る上
で好ましい。
般式(I)で表わされるシアニン化合物と併用して、該
シアニン化合物の吸収極大より長波長に吸収極大を有す
る色素を用いる場合、このような色素の吸収極大は、上
記一般式(I)で表わされるシアニン色素の吸収極大よ
り20nm以上高いことが高いC/Nと反射率を得る上
で好ましい。
このような色素は、上記条件を満足するものであれば、
どのような種類の色素でも良いが、均一な色素の記録層
を形成する上で、前記一般式(I)と相溶性に優れた色
素で溶解する際に同じ有機溶剤が使用できるものが好ま
しい。均一な色素層を形成することにより、C/N、変
調度等の記録再生特性が優れたものとなる。そのような
色素としてはシアニン色素、オキソノール色素、ピリリ
ウム色素およびチオピリリウム色素等のポリメチン系色
素が好ましい。
どのような種類の色素でも良いが、均一な色素の記録層
を形成する上で、前記一般式(I)と相溶性に優れた色
素で溶解する際に同じ有機溶剤が使用できるものが好ま
しい。均一な色素層を形成することにより、C/N、変
調度等の記録再生特性が優れたものとなる。そのような
色素としてはシアニン色素、オキソノール色素、ピリリ
ウム色素およびチオピリリウム色素等のポリメチン系色
素が好ましい。
特に記録層上に反射層を設けた光ディスクの場合、記録
層として、色素の中でも比較的高反射率を有し、且C/
N、記録感度等の記録再生特性においても優れた下記一
般式(■)で表されるベンゾインドレニン骨格を有する
特定のシアニン色素と、本発明の一般式(I)で表され
る化合物との混合物からなる記録層を設けることにより
、上記記録再生特性を低下させることなく反射率を向、
トさせることができ、好ましい。
層として、色素の中でも比較的高反射率を有し、且C/
N、記録感度等の記録再生特性においても優れた下記一
般式(■)で表されるベンゾインドレニン骨格を有する
特定のシアニン色素と、本発明の一般式(I)で表され
る化合物との混合物からなる記録層を設けることにより
、上記記録再生特性を低下させることなく反射率を向、
トさせることができ、好ましい。
従って、上記長波長側に吸収極大を有する色素としては
、下記の一般式(n)で表わされる構造を有するベンゾ
インドレニン骨格を有するシアニン系色素であることか
好ましい。
、下記の一般式(n)で表わされる構造を有するベンゾ
インドレニン骨格を有するシアニン系色素であることか
好ましい。
一般式(■);
1/p (X”)
[但し、R21R22およびR23は、それぞれ独立に
炭素原子数が1〜8の範囲にある置換基を有していても
良いアルキル基を表わし、X’−は、陰イオンを表わし
、そして pは1または2を表わす] 一般式(II)において、R21で表わされるアルキル
基は、炭素原子数が1〜8の範囲にある置換基を有して
いても良いアルキル基として、メチル、エチル、n−プ
ロピル、n−ブチル、イソブチルおよび2−エチルヘキ
シルなどの基を挙げることができ、好ましくは炭素原子
数が1〜6のアルキル基(例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、n−ブチル、イソブチル)であり、その置
換されていてもよい置換基としては、弗素原子、アルコ
キシ基を挙げることができる。特に好ましくは無置換の
アルキル基である。
炭素原子数が1〜8の範囲にある置換基を有していても
良いアルキル基を表わし、X’−は、陰イオンを表わし
、そして pは1または2を表わす] 一般式(II)において、R21で表わされるアルキル
基は、炭素原子数が1〜8の範囲にある置換基を有して
いても良いアルキル基として、メチル、エチル、n−プ
ロピル、n−ブチル、イソブチルおよび2−エチルヘキ
シルなどの基を挙げることができ、好ましくは炭素原子
数が1〜6のアルキル基(例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、n−ブチル、イソブチル)であり、その置
換されていてもよい置換基としては、弗素原子、アルコ
キシ基を挙げることができる。特に好ましくは無置換の
アルキル基である。
R22および)123で表わされるアルキル基としては
、炭素原子数1〜8の無置換のアルキル基(具体例、メ
チル、エチル、プロピル)が好ましく、特に好ましくは
メチル基またはエチル基である。
、炭素原子数1〜8の無置換のアルキル基(具体例、メ
チル、エチル、プロピル)が好ましく、特に好ましくは
メチル基またはエチル基である。
上記−数式(II)で表わされる具体的な化合物の例と
しては以下のn−t〜■−16を挙げることができる。
しては以下のn−t〜■−16を挙げることができる。
τ−1
′X−2
以下余白
I・5
CF、So、’
]l−6
CIO4’
C1o4゜
C1o4”
PF6’
CIO。
C101゛
’!−10
X−13
l−14
亘−11
’ll−15
′X−12
PF6゜
1記具体例に示すようなヒ記一般式(If)で表わされ
るインドレニン骨格を有するシアニン色素は、前記特開
昭64−40382号および64−40387号の各公
報の光ディスクの記録層に用いられる色素の一般式に含
まれるものである。
るインドレニン骨格を有するシアニン色素は、前記特開
昭64−40382号および64−40387号の各公
報の光ディスクの記録層に用いられる色素の一般式に含
まれるものである。
−数式(I)の化合物と一般式(II)の化合物の好ま
しい組み合わせにおいては、−数式(I)の化合物のL
が共役二重結合で連結された5個の置換されていてもよ
いメチン基からなるものであり、−数式(I)の化合物
と一般式(II)の化合物の混合比は重量比で9=91
〜60:40が好ましい。
しい組み合わせにおいては、−数式(I)の化合物のL
が共役二重結合で連結された5個の置換されていてもよ
いメチン基からなるものであり、−数式(I)の化合物
と一般式(II)の化合物の混合比は重量比で9=91
〜60:40が好ましい。
また、耐光性を向上させるためにいわゆる〜重積酸素ク
エンチャーとして知られている種々の色素、例えば下記
の一般式(III)もしくは(rV)で表わされる化合
物を併用することが好ましい。
エンチャーとして知られている種々の色素、例えば下記
の一般式(III)もしくは(rV)で表わされる化合
物を併用することが好ましい。
ムなどの非金属陽イオンを表わし、MはNiなとの遷移
金属原子を表わし、ZおよびZ′は置換されていても良
いヘンセン環、2−チオクツ−1゜3−ジチオール環な
との5ないし6員の芳香環もしくはペテロ環を完成する
ための原子団を表わす) [式中Rは、置換基を有していてもよいアルキル基を表
わし、Qは一般式(I)のXで示したものと同じ陰イオ
ンを表わす] 上記−数式(I)または(TV’)で表わされるクエン
チャ−の具体例としては、PA−1006(三井東圧フ
ァイン■)、IRQ−023(日本化薬■)などを挙げ
ることができる。
金属原子を表わし、ZおよびZ′は置換されていても良
いヘンセン環、2−チオクツ−1゜3−ジチオール環な
との5ないし6員の芳香環もしくはペテロ環を完成する
ための原子団を表わす) [式中Rは、置換基を有していてもよいアルキル基を表
わし、Qは一般式(I)のXで示したものと同じ陰イオ
ンを表わす] 上記−数式(I)または(TV’)で表わされるクエン
チャ−の具体例としては、PA−1006(三井東圧フ
ァイン■)、IRQ−023(日本化薬■)などを挙げ
ることができる。
記録層の形成は、上記色素、さらに所望により上記クエ
ンチャ−1結合剤などを溶剤に溶解して(ただし、[C
atドはテトラアルキルアンモニウ塗布液を調製し、次
いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したの
ち乾燥することにより行なうことができる。
ンチャ−1結合剤などを溶剤に溶解して(ただし、[C
atドはテトラアルキルアンモニウ塗布液を調製し、次
いでこの塗布液を基板表面に塗布して塗膜を形成したの
ち乾燥することにより行なうことができる。
本発明の色素層塗布液調製用の溶剤としては、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなとのエステル
:メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン;ジクロルメタン、1.2−
ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素二
ジメチルホルムアミFなどのアミド;シクロヘキサンな
どの炭化水素;テトラヒドロフラン、エチルエーテル、
ジオキサンなどのエーテル;エタノール、n−プロパツ
ール、インプロパツール、n−ブタノールなどのアルコ
ール、2,2,3.3−テトラフロロプロパツールなど
のフッ素系溶剤などを挙げることかできる。
ル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなとのエステル
:メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソ
ブチルケトンなどのケトン;ジクロルメタン、1.2−
ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素二
ジメチルホルムアミFなどのアミド;シクロヘキサンな
どの炭化水素;テトラヒドロフラン、エチルエーテル、
ジオキサンなどのエーテル;エタノール、n−プロパツ
ール、インプロパツール、n−ブタノールなどのアルコ
ール、2,2,3.3−テトラフロロプロパツールなど
のフッ素系溶剤などを挙げることかできる。
塗布液中にはさらに酸化防止剤、UV吸収剤、可塑剤、
滑剤なと各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
滑剤なと各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
結合剤を使用する場合に結合剤としては、たとえばセラ
チン、セルロース話導体、テキストラン、ロジン、ゴム
なとの天然打機高分子物質;およびポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化
水X渠樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共(合体等のビニル系樹
脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等
のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエ
チレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、
フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の
初期縮合物などの合成有機高分子物質を挙げることがで
きる。
チン、セルロース話導体、テキストラン、ロジン、ゴム
なとの天然打機高分子物質;およびポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化
水X渠樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共(合体等のビニル系樹
脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等
のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエ
チレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、
フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の
初期縮合物などの合成有機高分子物質を挙げることがで
きる。
記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤に
対する色素の比率は一般に0.01〜99%(重量比)
の範囲にあり、好ましくは1゜0〜95%(重量比)の
範囲にある。このようにして調製される塗布液の濃度は
一般に0.01〜10%(重量比)の範囲にあり、好ま
しくは0.1〜5%(重量比)の範囲にある。
対する色素の比率は一般に0.01〜99%(重量比)
の範囲にあり、好ましくは1゜0〜95%(重量比)の
範囲にある。このようにして調製される塗布液の濃度は
一般に0.01〜10%(重量比)の範囲にあり、好ま
しくは0.1〜5%(重量比)の範囲にある。
記録層は単層でも重層でもよいが、その層厚は般に20
0〜3000又の範囲にあり、好ましくは500〜25
00又の範囲にある。また、記録層は基板の片面のみな
らず両面に設けられていてもよい。
0〜3000又の範囲にあり、好ましくは500〜25
00又の範囲にある。また、記録層は基板の片面のみな
らず両面に設けられていてもよい。
塗布方法としては、スプレー法、スピンコード法、デイ
ツプ法、ロールコート法、プレートコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
。
ツプ法、ロールコート法、プレートコート法、ドクター
ロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる
。
以下余白
さらに、本発明のvr報記録媒体は、上記記録層の上に
、情報の再生時におけるC/Nの向Fおよび反射率の向
上の目的で、反射層を設けることが好ましい 反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する
反#率が高い物質であり、その例としては、Mg、Se
、Y%Ti、2r、Hf、V、Nb% Ta、Cr、M
o、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、
Pd、I r、Pt、Cu%Ag、Au、2n、Cd、
AIL、Ga、In% Si、Ge、Te、Pb、Po
、Sn、Biなとの金属および半金属あるいはステンレ
ス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいも
のは、Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Allお
よびステンレス鋼である。こわらの物質は単独で用いて
もよいし、あるいは二種以上の組合せてまたは合金とし
て用いてもよい。
、情報の再生時におけるC/Nの向Fおよび反射率の向
上の目的で、反射層を設けることが好ましい 反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する
反#率が高い物質であり、その例としては、Mg、Se
、Y%Ti、2r、Hf、V、Nb% Ta、Cr、M
o、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、
Pd、I r、Pt、Cu%Ag、Au、2n、Cd、
AIL、Ga、In% Si、Ge、Te、Pb、Po
、Sn、Biなとの金属および半金属あるいはステンレ
ス鋼を挙げることができる。これらのうちで好ましいも
のは、Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Allお
よびステンレス鋼である。こわらの物質は単独で用いて
もよいし、あるいは二種以上の組合せてまたは合金とし
て用いてもよい。
反射層は、たとえば上記光反射性物質を蒸着、スパッタ
リングまたはイオンブレーティングすることにより記録
層の七に形成することかできる。
リングまたはイオンブレーティングすることにより記録
層の七に形成することかできる。
反射層の層厚は一般には100〜3000λの範囲にあ
る。
る。
また、反射層の上には、記録層などを物理的および化学
的に保護する目的で保護層が設けられてもよい。この保
護層は、基板の記録層が設けられていない側にも耐傷性
、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
的に保護する目的で保護層が設けられてもよい。この保
護層は、基板の記録層が設けられていない側にも耐傷性
、耐湿性を高める目的で設けられてもよい。
保護層に用いられる材料の例としては、SiO,5in
2、MgF2、SnO□、Si、N4等の無機物質;熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物
質を挙げることができる。
2、MgF2、SnO□、Si、N4等の無機物質;熱
可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等の有機物
質を挙げることができる。
保護層は、たとえばプラスチックの押出加工で得られた
フィルムを接着層を介して記録層(または銀塩層あるい
は反射層)上および/または基板上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
フィルムを接着層を介して記録層(または銀塩層あるい
は反射層)上および/または基板上にラミネートするこ
とにより形成することができる。あるいは真空蒸着、ス
パッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これら
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥することによっても形成することが
できる。UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは
適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液
を塗布し、UV光を照射して硬化させることによっても
形成することかてきる。こわらの塗布液中には、更に帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目
的に応じて添加してもよい。
を適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗
布液を塗布し、乾燥することによっても形成することが
できる。UV硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは
適当な溶剤に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液
を塗布し、UV光を照射して硬化させることによっても
形成することかてきる。こわらの塗布液中には、更に帯
電防止剤、酸化防止剤、UV吸収剤等の各種添加剤を目
的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は一般には0.1〜100μmの範囲にあ
る。
る。
本発明において、情報記録媒体は上述した構成からなる
単板であフてもよいが、あるいは更に上記構成を有する
二枚の基板を記録層が内側となるように向い合わせ、接
着剤等を用いて接合することにより、貼合せタイプの記
録媒体を製造することもできる。あるいばまた、二枚の
円盤状基板のうちの少なくとも一方に上記構成を有する
基板を用いて、リング状内側スペーサとリング状外側ス
ペーサとを介して接合することにより、エアーサンドイ
ッチタイプの記録媒体を製造することもできる。
単板であフてもよいが、あるいは更に上記構成を有する
二枚の基板を記録層が内側となるように向い合わせ、接
着剤等を用いて接合することにより、貼合せタイプの記
録媒体を製造することもできる。あるいばまた、二枚の
円盤状基板のうちの少なくとも一方に上記構成を有する
基板を用いて、リング状内側スペーサとリング状外側ス
ペーサとを介して接合することにより、エアーサンドイ
ッチタイプの記録媒体を製造することもできる。
本発明の情報記録媒体は上記のような方法で製造するこ
とができる。
とができる。
このようにして得られる、反射率が極めて高く且つ記録
再生特性にも優わた光ディスクは、耐光性を向上させる
ため一重頂クエンチャーを添加しても所望の反射率を維
持することができる。すなわち、上記クエンチャ−を添
加した場合には、般に光ディスクの反射率は低下するが
、本発明の情報記録媒体は反射率が80%前後と顕著に
高いため、クエンチャ−を添加しても高反射率を維持す
ることができ、市販のCDプレーヤで再生することがで
きる。従って、高反射率を有し且つ耐光性に優れた光デ
ィスクも得ることができる。
再生特性にも優わた光ディスクは、耐光性を向上させる
ため一重頂クエンチャーを添加しても所望の反射率を維
持することができる。すなわち、上記クエンチャ−を添
加した場合には、般に光ディスクの反射率は低下するが
、本発明の情報記録媒体は反射率が80%前後と顕著に
高いため、クエンチャ−を添加しても高反射率を維持す
ることができ、市販のCDプレーヤで再生することがで
きる。従って、高反射率を有し且つ耐光性に優れた光デ
ィスクも得ることができる。
上記情報記録媒体を用いて情報を記録および再生する方
法は、例えば次のように行なわれる。
法は、例えば次のように行なわれる。
まず、情報記録媒体を定線速度(CDフォーマットの場
合は1.2〜1.4m/秒)または定角速度にて回転さ
せながら、基板側から半導体レーザー光なとの記録用の
光を照射する。この光の照射により、反射層を打する光
ディスクでは記録層と反射層との界面に空洞を形成(空
洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層
の変形を伴なって形成される)するか、基板が肉盛り変
形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等によ
り屈折率が変化することにより情報か記録されると考え
られる。反射層を持たない記録層だけの光ディスクでは
一般に記録層にピット(孔)を形成して情報が記録され
る。一般に、記録光としては750nm〜850nmの
範囲の発振波長を有する半導体レーザービームか用いら
れる。
合は1.2〜1.4m/秒)または定角速度にて回転さ
せながら、基板側から半導体レーザー光なとの記録用の
光を照射する。この光の照射により、反射層を打する光
ディスクでは記録層と反射層との界面に空洞を形成(空
洞の形成は、記録層または反射層の変形、あるいは両層
の変形を伴なって形成される)するか、基板が肉盛り変
形する、あるいは記録層に変色、会合状態の変化等によ
り屈折率が変化することにより情報か記録されると考え
られる。反射層を持たない記録層だけの光ディスクでは
一般に記録層にピット(孔)を形成して情報が記録され
る。一般に、記録光としては750nm〜850nmの
範囲の発振波長を有する半導体レーザービームか用いら
れる。
情報の再生は、情報記録媒体を上記と同一の定線速度で
回転させなから半導体レーザー光を基板側から照射して
、その反射光を検出することにより行なうことができる
。
回転させなから半導体レーザー光を基板側から照射して
、その反射光を検出することにより行なうことができる
。
以下に、本発明の実施例を記載する。たたし、これらの
各側は本発明を制限するものではない。
各側は本発明を制限するものではない。
[実施例1コ
前記一般式(I)で表わされるシアニン化合物(前記化
合物l−10)2.0gおよびクエンチャ−として下記
の構造式を有するジインモニウム化合物(IRG−02
3、日本生薬■製)0.2gを、2.2.3.3−テト
ラフロロプロパツール(構造式: HCF2CF2Cf
(20F+) 100 c c ニ溶解シて色素層塗布
液を調製した。
合物l−10)2.0gおよびクエンチャ−として下記
の構造式を有するジインモニウム化合物(IRG−02
3、日本生薬■製)0.2gを、2.2.3.3−テト
ラフロロプロパツール(構造式: HCF2CF2Cf
(20F+) 100 c c ニ溶解シて色素層塗布
液を調製した。
トラッキングガイドが設は−られた円盤状のポリカーボ
ネート基板(外径:120mm、内径=15mm、厚さ
+ 1.2rom、 トラックピッチ=1.6μm、グ
ループの幅:0.5μm、グループの深さ=900λ)
):に、塗布液をスピンコード法により回転数1100
0rpの速度で塗布した後30秒間乾燥して層厚か13
00Xの記録層を形成した。
ネート基板(外径:120mm、内径=15mm、厚さ
+ 1.2rom、 トラックピッチ=1.6μm、グ
ループの幅:0.5μm、グループの深さ=900λ)
):に、塗布液をスピンコード法により回転数1100
0rpの速度で塗布した後30秒間乾燥して層厚か13
00Xの記録層を形成した。
上記記録層上にさらにAuをDCスパッタリングして層
厚1300λの反射層を形成した。
厚1300λの反射層を形成した。
上記反射層上に、保護層としてUV硬化性St詣(商品
名: 3070、スリーポンド社製)をスピンコード法
により回転数1500rpmの速度で塗布した後、高圧
水銀灯にて紫外線を照射して硬化させ層厚3μmの保護
層を形成した。
名: 3070、スリーポンド社製)をスピンコード法
により回転数1500rpmの速度で塗布した後、高圧
水銀灯にて紫外線を照射して硬化させ層厚3μmの保護
層を形成した。
このようにして、基板、記録層、反射層および保護層か
らなる情報記録媒体を製造した。
らなる情報記録媒体を製造した。
以外は実施例1と同様にして情報記録媒体を製造した。
[実施例2]
実施例1において、色素として、航記一般式(I)で表
わされるシアニン化合物(前記化合物11−1O)2の
代わりに、(前記化合物■−1)0.4gと前記一般式
(■)で表ねされる色素(前記色素■−1)1.6gと
を用いた以外は実施例1と同様にして情報記録媒体を製
造した。
わされるシアニン化合物(前記化合物11−1O)2の
代わりに、(前記化合物■−1)0.4gと前記一般式
(■)で表ねされる色素(前記色素■−1)1.6gと
を用いた以外は実施例1と同様にして情報記録媒体を製
造した。
[実施例3]
実施例2において、色素塗布液にF記ジインモニウム化
合物を加えずに色素層塗布液を調製した以外は実施例2
と同様にして情報記録媒体を製造した。
合物を加えずに色素層塗布液を調製した以外は実施例2
と同様にして情報記録媒体を製造した。
[実施例4]
実施例2において、グループの深さが900Xの基板に
代えてtsooλの深さの基板を用い、前記一般式(I
)で表わされるシアニン化合物(前記化合物1−1)0
.4gを1.0gに変え、色素Bである前記一般式(I
I)で表わされるシアニン色素(前記色素n−1)1.
6gを1.0gに変えて色素層塗布液を調製し、そして
記録層の層厚を1300Xを2000又となるように形
成した以外は実施例2と同様にして情報記録媒体を製造
した。
代えてtsooλの深さの基板を用い、前記一般式(I
)で表わされるシアニン化合物(前記化合物1−1)0
.4gを1.0gに変え、色素Bである前記一般式(I
I)で表わされるシアニン色素(前記色素n−1)1.
6gを1.0gに変えて色素層塗布液を調製し、そして
記録層の層厚を1300Xを2000又となるように形
成した以外は実施例2と同様にして情報記録媒体を製造
した。
[実施例5コ
実施例2において、前記一般式(II)で表わされる(
#記色素U−1)に変えて色J(II−6)を用いた以
外は実施例2と同様にして情報記録媒体を製造した。
#記色素U−1)に変えて色J(II−6)を用いた以
外は実施例2と同様にして情報記録媒体を製造した。
[比較例1]
実施例3において、色素Aである前記一般式(■)で表
わされる(前記色素n−1)1.6gを2.0gに変え
、前記一般式(I)で表わされるシアニン化合物(前記
化合物1−1)を用いず色素塗布液を調製した以外は実
施例3と同様にして情報記録媒体を製造した。
わされる(前記色素n−1)1.6gを2.0gに変え
、前記一般式(I)で表わされるシアニン化合物(前記
化合物1−1)を用いず色素塗布液を調製した以外は実
施例3と同様にして情報記録媒体を製造した。
[比較例2]
比較例工において、色素塗布液にさらにクエンチャ−と
して上記ジインモニウム化合物(IRG−023、日本
生薬■製)0.2gを加えて色素層塗布液を調製した以
外は比較例1と同様にして情報記録媒体を製造した。
して上記ジインモニウム化合物(IRG−023、日本
生薬■製)0.2gを加えて色素層塗布液を調製した以
外は比較例1と同様にして情報記録媒体を製造した。
一ト記実施例および比較例で得られた色素塗布液の組成
を第1表に示す。
を第1表に示す。
実施例1
実施例2
実施例3
実施例4
実施例5
第1表
材料名 [重量比1
色素 I / 色素■ / クエンチャー−
IO[100] /−〜 / 1RGO2:l[
]0]−1[20]/ n −1[80]/IRGO2
3[10]−1[201/ ll−1[80]/ −−
−1[50]/ II −1[50]/IRGO2:)
[10]−1[20]/ tr −6[801/ −−
比較例1 −− /l1−1[100]/−−比較
例2 −− /ll−1[100]/IRGO2:
)[20]2)C/N 上記で得られた情報記録媒体を、波長780nmの半導
体レーザー光を使用して、定線速度1.3m/秒、記録
パワー7.0mWにて、変調周波数720kHz (チ
ューティー33%)のイエ号を記録した。そして記録さ
れた(2号を0.5mWの再生パワーにて再生し、再生
時のC/Nを、スペクトルアナライザー(TR4135
:アドバンテスト社製)を用いて測定した。
IO[100] /−〜 / 1RGO2:l[
]0]−1[20]/ n −1[80]/IRGO2
3[10]−1[201/ ll−1[80]/ −−
−1[50]/ II −1[50]/IRGO2:)
[10]−1[20]/ tr −6[801/ −−
比較例1 −− /l1−1[100]/−−比較
例2 −− /ll−1[100]/IRGO2:
)[20]2)C/N 上記で得られた情報記録媒体を、波長780nmの半導
体レーザー光を使用して、定線速度1.3m/秒、記録
パワー7.0mWにて、変調周波数720kHz (チ
ューティー33%)のイエ号を記録した。そして記録さ
れた(2号を0.5mWの再生パワーにて再生し、再生
時のC/Nを、スペクトルアナライザー(TR4135
:アドバンテスト社製)を用いて測定した。
上記測定結果を第2表に示す。
以下余白
[情報記録媒体の評価]
1)反射率
得られた情報記録媒体について分光光度計(■日立製作
新製)を用いて、基板側より780nmの波長の光を照
射して未記録部の反射率を測定した。
新製)を用いて、基板側より780nmの波長の光を照
射して未記録部の反射率を測定した。
第2表
反射率
(%)
実施例1
実施例2
実施例3
実施例4
実施例5
C/N
(dB)
び5が示すように高い反射率を維持することかできる。
方、反射率が高いことで一般的に知られているヘンツイ
ンドレニン骨格を打する色素のみを用いた光ディスク(
比較例1)は、実施例に比較すると低い反射率となって
おり、CDプレーヤーで情報を再生するには充分満足で
きる反射率とは言えない。このため、クエンチャ−の添
加(比較例2)により反射率が70%を下回る結果とな
っている。
ンドレニン骨格を打する色素のみを用いた光ディスク(
比較例1)は、実施例に比較すると低い反射率となって
おり、CDプレーヤーで情報を再生するには充分満足で
きる反射率とは言えない。このため、クエンチャ−の添
加(比較例2)により反射率が70%を下回る結果とな
っている。
比較例1 73 50
比較例2 69 50
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記の一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、AおよびA′は、それぞれベンゼン環またはナ
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3、5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、R^
1、R^2、R^1^1およびR^1^2は、それぞれ
水素原子、アルキル基、アリール基またはアシル基を表
わし、R^3、R^4、R^1^3およびR^1^4は
、それぞれアルキル基もしくはアリール基を表わし、n
は1、2、もしくは3を表わし、x^n^−は陰イオン
を表わし、そして、A、A′、L、R^1、R^2、R
^3、R^4、R^1^1、R^1^2、R^1^3お
よびR^1^4は、さらに置換基を有していてもよい。 ] により表わされるシアニン化合物。 2、基板上に、下記の一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、AおよびA′は、それぞれベンゼン環またはナ
フタレン環を完成するための原子群を表わし、Lはメチ
ン、または3、5もしくは7個のメチン基が共役二重結
合により連結されて生じる三価の連結基を表わし、R^
1、R^2、R^1^1およびR^1^2は、それぞれ
水素原子、アルキル基、アリール基またはアシル基を表
わし、R^3、R^4、R^1^3およびR^1^4は
、それぞれアルキル基もしくはアリール基を表わし、n
は1、2、もしくは3を表わし、X^n^−は陰イオン
を表わし、そして、A、A′、L、R^1、R^2、R
^3、R^4、R^1^1、R^1^2、R^1^3お
よびR^1^4は、さらに置換基を有していてもよい。 ] により表わされるシアニン化合物を含むレーザーに情報
の記録が可能な記録層が設けられてなる情報記録媒体。 3、該記録層上に、反射層が設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116444A JPH0413773A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | シアニン化合物およびそれを用いた情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116444A JPH0413773A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | シアニン化合物およびそれを用いた情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0413773A true JPH0413773A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14687266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116444A Pending JPH0413773A (ja) | 1990-05-01 | 1990-05-01 | シアニン化合物およびそれを用いた情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0413773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
-
1990
- 1990-05-01 JP JP2116444A patent/JPH0413773A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
| US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
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