JPH04139893A - 加熱装置およびそれを用いた実装方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 加熱チップと半導体装置を基板にタッキング（ｔａｃｋ
ｉｎｇ、仮ハンダ付け）する方法に関し。

加熱チップの交換頻度を少なくシ、かつ高スループツト
、高精度、高歩留のタッキング方法を提供することを目
的とし。

１）半導体装置の端子に当接して加熱し、該端子を基板
にハンダ付けする加熱チップであって、構成面の少なく
とも１面を基準面とする複数の加熱チップと、該加熱チ
ップの該基準面間の距離を該加熱チップの取り付け基準
に合わせて調節できる該加熱チップの保持具を有するよ
うに個性する。

２）前記加熱チップが半導体装置の４辺の各辺にそれぞ
れ２本ずつ配置されるように構成する。

３）前記加熱チップがセラミックチップであるように構
成する。

４）半導体装置の端子に加熱チップを当接して該加熱チ
ップを加熱し、該端子の予備ハンダを溶かして該半導体
装置を基板にタッキングする際、該加熱チップを構成す
る少なくとも１面を基準面とし、該チップの該基準面間
の距離を該加熱チップの取り付け基準に合わせて調節す
るように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は加熱チップと半導体装置の実装方法。

特に半導体装置を基板にタッキングする方法に関する。

〔従来の技術〕

ＬＳＩ等の半導体装置を基板にタッキングする場合、　
ＬＳＩ端子に加熱チップ（熱源）を直接当てて加熱チッ
プを加熱し、端子の予備ハンダを溶かしてタッキングを
行っていた。

また、従来の加熱チップは銅板の中にヒータを付けたも
のを使用していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来例では下記のような問題があった。

■　チップを高温に加熱するため熱膨張によりチップ形
状の幅が広くなり、実装密度の高い基板ではＬＳＩ端子
を複数同時にタッキングできず、単体チップを次々と移
動しなければなちず、従ってチップの移動時間が必要と
なりタッキングに時間がかかることになる。

■　チップ先端の精度の確保が困難で、かつチップに基
準面がないため、タッキング精度の確保が困難で、実装
歩留が悪い。

■　チップの瞬時加熱ができないため、タッキングに時
間がかかる。

■　チップの劣化が激しく寿命が短いため、頻繁にチッ
プを交換しなければならない。

本発明は加熱チップの交換頻度を少なくシ、かつ高スル
ーブツト高精度、高歩留のタッキング方法を提供するこ
とを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題の解決は。

１）半導体装置の端子に当接して加熱し、該端子を基板
にハンダ付けする加熱チップであって　構成面の少なく
とも１面を基準面とする複数の加熱チップと、該加熱チ
ップの該基準面間の距離を該加熱チップの取り付け基準
に合わせて調節できる該加熱チップの保持具を有する加
熱チップ、あるいは ２）前記加熱チップが半導体装置の４辺の各辺にそれぞ
れ２本ずつ配置される前記ｌ）記載の加熱チップ、ある
いは ３）前記加熱チップがセラミックチップであることを特
徴とする前記ｌ）または２）記載の加熱チップ、あるい
は ４）半導体装置の端子に加熱チップを当接して該加熱チ
ップを加熱し、該端子の予備ハンダを溶かして該半導体
装置を基板にタッキングする際、該加熱チップを構成す
る少なくとも１面を基準面とし、該チップの該基準面間
の距離を該加熱チップの取り付け基準に合わせて調節す
る実装方法により達成される。

〔作用〕

本発明は加熱チップにセラミックチップを使用し、形状
を小振りにし、かつ加熱チップを構成する少なくとも１
面を基準面にして加熱チップの位置精度が確保できるよ
うにしたものである。

第１図（ａｌ、　（ｂ）は本発明の原理図で加熱チップ
（セラミックチップ）の配置図である。

図において、８本のチップｌがＬＳＩの周囲に配置され
、その先端はＬＳＩ端子に当接している。

ここで、加熱チップの厚さ方向に対する基準面をＡ、加
熱チップの幅方向に対する基準面をＢとしている。

図中、ａの寸法精度はチップの基準面へとチップの取り
付け時の基準を合わせ、また、ｂの寸法精度はチップの
基準面Ｂとチップの取り付け時の基準を合わせることに
より、精度確保を容易にしている。

また　チップにセラミックチップを使用することにより
瞬時加熱（４００６Ｃ／秒）が可能となり、タッキング
時間が短縮されるとともに、チップの寿命が大幅に延び
た。

従来の加熱チップの昇温速度は４００°Ｃ／３〜５秒で
あり、セラミックチップの昇温速度が速い理由は急激に
温度を上げても形状が変形したり、材質が劣化しないた
めである。

〔実施例〕

第２図（ａ）、　（ｂ）は実施例に用いたセラミックチ
ップの２面図である。

図において、ｌはチップ本体、　ＩＡ、　ＩＢは通電の
ための端子である。

また、Ａ、Ｂは基準面である。

第３図ｆａｎ、　（ｂ）は本発明の一実施例の構成図で
ある。

図はセラミックチップの取り付け構造を示す。

セラミックチップの保持具は次のように構成される。

セラミックチップｌは取付駒２によりＬＭ　（直線運動
）ガイド３のレール部に保持されており、垂直方向に５
ｍｍ程度８本のセラミックチップが平行に移動できるよ
うになっている。

タッキングの精度はチップの温度、加熱時間および加圧
量によって変化するためバネ４によりタッキング時の加
圧量を調整する。

また、加熱時間とチップ温度はチップの昇温データを基
にして調整する。

第４図（ａ）、　（ｂ）は実施例の高密度実装基板対応
図である。

ＬＳＩを高密度実装基板（参照ピッチ２８ｍｍ）に実装
する場合は、セラミックチップｌの幅方向の寸法を小さ
（シ、先端に幅方向の逃げを設けることにより対応でき
る。

タッキング後の実装の本番は次のように行う。

２個のチップ（例えば、　ＭｏにＡｕメツキを施し。

先端部にセラミックを溶射して被覆したもの）を持つオ
ートボンダ（自動ハンダ付機）によりＬＳＩを基板上に
ハンダ付けする。

この際、　ＬＳＩは仮止めされているので、　ＬＳＩの
外形を基準にしてＬＳＩ端子にチップを付け加熱してハ
ンダ付けした後、チップを９０°回転して同様の操作を
行い４方向のハンダ付けを行う。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、チップ交換頻度は
少なくなり、かつ高スループット高精度、高歩留のタッ
キング方法が得られた。

この結果、　ＬＳＩの高精度実装が高歩留、高スループ
ツトで行えるようになった。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、　（ｂ）は本発明の原理図で加熱チップ
（セラミックチップ）の配置図。 第２図（ａ）、　（ｂ）は実施例に用いたセラミックチ
ップの２面図。 第３図（ａｌ、　（ｂｌは本発明の一実施例の構成図第
４図（ａＬ　（ｂｌは実施例の高密度実装基板対応図で
ある。 図において。 ■は加熱チップでセラミックチップ。 ＩＡ、　ＩＢは端子。 Ａ、Ｂは基準面。 ２は取付駒 ３はＬＭガイド。 ４はバネ ％３．’、５ （α）上面図 智り讐曽 基堵 （（１）上面図 （α） 旧目 ［］［ＨＩ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）半導体装置の端子に当接して加熱し，該端子を基板
   にハンダ付けする加熱チップであって，構成面の少なく
   とも１面を基準面とする複数の加熱チップと，該加熱チ
   ップの該基準面間の距離を該加熱チップの取り付け基準
   に合わせて調節できる該加熱チップの保持具を有するこ
   とを特徴とする加熱チップ。 ２）前記加熱チップが半導体装置の４辺の各辺にそれぞ
   れ２本ずつ配置されることを特徴とする請求項１記載の
   加熱チップ。 ３）前記加熱チップがセラミックチップであることを特
   徴とする請求項１または２記載の加熱チップ。 ４）半導体装置の端子に加熱チップを当接して該加熱チ
   ップを加熱し，該端子の予備ハンダを溶かして該半導体
   装置を基板にタッキングする際，該加熱チップを構成す
   る少なくとも１面を基準面とし，該チップの該基準面間
   の距離を該加熱チップの取り付け基準に合わせて調節す
   ることを特徴とする半導体装置の実装方法。