JPH04141453A - サーマルヘッドアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は感熱記録装置に使用するサーマルへラドアレ
イに関するものである。

［従来の技術］ 第２図は従来のサーマルへラドアレイの回路構成を示す
接続図で、図において、（１）はサーマルへラドアレイ
の発熱抵抗体、（２）はシフトレジスタ、（３）はラッ
チ、（４）はドライバ、（５）は直流電源、（７）はス
イッチ、（７０）。

（７１）、（７２）はそれぞれスイッチ（７）の接点、
（８−１＞、（８−２）、　　・・・はそれぞれ逆流阻
止用ダイオード、（９−１）、（９−２）、・・・はそ
れぞれ電源側リード導体、（１０−１）、（１０−２）
・・・はそれぞれ接地側リード導体である。なお、シフ
トレジスタ（２）には外部回路からデータ信号とクロッ
ク信号とが入力され、ラッチ（３）にはシフトレジスタ
（２）のデータをラッチ（３）へ書き込む時点を制御す
るラッチ信号が入力され、ドライバ（４）には対応する
ラッチ（３）の論理に従ってドライバ（４）が動作する
時間を制御するストローブ信号が入力される。

シフトレジスタ（２）、ラッチ（３）、ドライバ（４）
の動作によって、複数の接地側リード導体のうちの、ど
のリード導体を接地するがを制御する。シフトレジスタ
（２）、ラッチ（３）、ドライバ（４）は、通常ＩＣで
構成されるので、これらを総称して制御回路ＩＣ（６）
ということとする。

接点（７１）側の電源を仮にＡ相電源、接点（７２）側
の電源を仮にＢ相電源ということにすると、例えばスイ
ッチ（７）において接点（７ｏ）と（７１）が接続され
ているとき、制御回路ＩＣ（６）によって接地側リード
導体（１０−１＞を接地したとすれば、電流は（９−１
，１−Ｒｌ−（１０−１）とに流れ、発熱抵抗体（１）
のＲ１の部分が発熱する。また、このときスイッチ（７
）において接点（７０）と（７２）とを接続し、Ｂ相電
源に給電したときは、発熱抵抗体（１）のＲ２の部分が
発熱する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来のサーマルへラドアレイは以上のよう
に構成されており、逆流阻止用ダイオード（８−１）、
（８−２）・・・、電源側リード導体（９−１）、（９
−２）・・・、発熱抵抗体（１）、接地側リード導体（
１０−１）、（１０−２）・・・、制御回路ＩＣ（６）
は、セラミック基板上に形成されることが多く、セラミ
ック基板上に熱絶縁層（図示せず）を形成し、その上に
発熱抵抗体（１）、導体パターン（９＞、（１０）を形
成し、その上に耐摩耗層（図示せず）を形成している。

また、接点（７１）１，７２）からの電源配線と、ドラ
イバ（４）内の各ドライバの接地電極を直流電源（５）
の負側電極に接続する接地配線は、電気抵抗の小さい回
路にする必要があるが、セラミック基板上に電気抵抗の
小さい回路を形成することは困難であり、そのために、
セラミック基板外に設ける導体によって構成し、セラミ
ック基板上の回路と外部の導体との間とはフレキシブル
基板上に形成した導体パターンを介して接続しているが
、この場合セラミック基板上の人相電源用リード導体に
接続しＢ相電源用リード導体には接触しないＡ相配線パ
ターンと、セラミック基板上のＢ相電源用リード導体に
接続しＡ相電源用リード導体には接触しないＢ相配線パ
ターンとを、互いに絶縁してフレキシブル基板上に設け
る必要があり、フレキシブル基板の構造が複雑でコスト
高になる。

また、スイッチ（７）は通常半導体スイッチ素子によっ
て構成されるが、サーマルへラドアレイの発熱抵抗体（
１）に流す全電流がこのスイッチ（７）を通過するため
、電流容量の大きな半導体スイッチ素子を使用せざるを
得ない等の問題点があった。

＝６ この発明はかかる課題を解決するためになされたもので
、フレキシブル基板に形成する電源配線パターンを単一
の配線パターンにでき、フレキシブル基板の構造を簡略
化できるサーマルへラドアレイを得ることを目的として
いる。

［課題を解決するための手段］ この発明に係わるサーマルへラドアレイは、セラミック
基板上の全てのＡ相電源逆流阻止用ダイオードを、複数
の群に群分けし、各群に対応してＡ相電源接断用半導体
スイッチ素子をセラミック基板上に設け、全てのＢ相電
源逆流阻止用ダイオードを複数の群に群分けし、各群に
対応してＢ相電源桜餅用半導体スイッチ素子をセラミッ
ク基板上に設け、セラミック基板外に設ける電源用導体
はＡ相電源およびＢ相電源に共通な単一の導体とし、こ
の単一の電源用導体からフレキシブル基板を介してＡ相
電源接断用半導体スイッチ素子およびＢ相電源接断用半
導体スイッチ素子に電源を接続することとした。

［作用］ フレキシブル基板を介してセラミック基板に接続する電
源が単一のものとなり、フレキシブル基板の構造を簡略
化できる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第１
図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第２図と同一
符号は同−又は相当部分を示し、（２０）、（２１＞は
Ａ相電源逆流阻止用ダイオードおよびＢ相電源逆流阻止
用ダイオードを群分けした場合の１群を示し、（３０〉
はＡ相電源接断用半導体スイッチ素子、（３１）はＢ相
電源桜餅用半導体スイッチ素子、（４０）は切換信号送
出回路、（５０）はＡ相電源、（５１）はＢ相電源、（
５２）は電源配線、（５３）は接地配線である。

切換信号送出回路（４０）から送出する信号によって半
導体スイッチ素子（３０）がオンのときはく３１〉がオ
フになるように、（３１）がオンのときはく３０）がオ
フになるように制御される。

従って、第１図に示す回路の動作は、第２図に示す回路
の動作と同様になる。ただ、第２図の回路では外部の電
源用導体がらフレキシブル基板を介してセラミック基板
に接続すべき電源は、人相電源とＢ相電源との２種類で
あるのに対し、第１゜図の回路では、これが電源配線（
５２）ただ１種類であるため、フレキシブル基板の構造
を簡略化できる。

全体の逆流阻止用ダイオードを何群に群分けするかは、
使用する半導体スイッチ素子（３０）（３１）の電流容
量によって定めることができ、例えば２Ａ容量のＦＥＴ
を半導体スイッチ素子として使用し、１個のダイオード
に流す電流を２５ｍＡとすれば、８０個のダイオードを
１群とすることができる。

また、逆流阻止用ダイオード（８）がダイオードアレイ
と称せられるアレイに群分けされている場合には、各ダ
イオードアレイに対しＡ相電源用半導体スイッチ素子（
３０）とＢ相電源用半導体スイッチ素子（３１）を各１
個を設ければ良い。

［発明の効果］ この発明は以上説明したように、外部導体とセラミック
基板とを接続するフレキシブル基板の構造を簡略化でき
ると共に、半導体スイッチ素子１個あたりの容量を小さ
くして半導体スイッチ素子を小型化でき、外部電源との
接続の簡略化や外部電源自身の簡略化、すなわち電源回
路の単純化に役立つ等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す接続図、第２図は従
来のサーマルへラドアレイの回路構成を示す接続図。 １・・・発熱抵抗体、８・・・逆流阻止用ダイオード、
９・・・電源側リード導体、１０接地側リ一ド導体、３
０・・・Ａ相電源用半導体スイッチ素子、３１・・・Ｂ
相電源用半導体スイッチ素子、５０・・・Ａ相電源、５
１・・・Ｂ相電源、５２・・・電源配線。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 セラミック基板上に熱絶縁層を形成し、この熱絶縁層上
   に直線状の発熱抵抗体を形成し、この発熱抵抗体の直線
   に直角な方向で等間隔に該発熱抵抗体に接続されるリー
   ド導体を形成し、この等間隔のリード導体を１本おきに
   交互に接地側リード導体および電源側リード導体とし、
   さらに電源側リード導体を１本おきにＡ相電源用リード
   導体およびＢ相電源用リード導体とし、発熱抵抗体とリ
   ード導体との上に耐摩耗層を形成してなるサーマルヘッ
   ドアレイにおいて、 上記セラミック基板上に形成され各Ａ相電源用リード導
   体がそのカソードに接続される各Ａ相電源逆流阻止用ダ
   イオード、 上記セラミック基板上に形成され各Ｂ相電源用リード導
   体がそのカソードに接続される各Ｂ相電源逆流阻止用ダ
   イオード、 全てのＡ相電源逆流阻止用ダイオードを複数の群に群分
   けし、この各群に対応してそれぞれ１個上記セラミック
   基板上に形成されるＡ相電源接断用半導体スイッチ素子
   、 全てのＢ相電源逆流阻止用ダイオードを複数の群に群分
   けし、この各群に対応してそれぞれ１個上記セラミック
   基板上に形成されるＢ相電源接断用半導体スイッチ素子
   、 上記セラミック基板上に形成され各群のＡ相電源逆流阻
   止用ダイオードのアノードをそれぞれ対応するＡ相電源
   接断用半導体スイッチ素子に接続し、各群のＢ相電源逆
   流阻止用ダイオードのアノードをそれぞれ対応するＢ相
   電源接断用半導体スイッチ素子に接続する導体パターン
   、 上記セラミック基板上に形成され、全てのＡ相電源接断
   用半導体スイッチ素子および全てのＢ相電源接断用半導
   体スイッチ素子を共通の電源線に接続する導体パターン
   、 上記、セラミック基板上に形成され、全てのＡ相電源接
   断用半導体スイッチ素子を並列に制御する信号線パター
   ンおよび全てのＢ相電源接断用スイッチを並列に制御す
   る信号線パターン、 を備えたことを特徴とするサーマルヘッドアレイ。