JPS59227471A - 感熱記録用ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は感熱記録用サーマルヘッド特に多数の発熱体全
一列に並べたライン・プリンタ方式の感熱記録において
、記録部の記録密度を高めるだめに有用な半導体装置お
よびこの半導体装置を用いて構成した高密度感熱記録用
サーマルヘッドに関するものである。

従来例の構成とその問題点 感熱記録方式は保守が容易な記録方式として各種装置の
記録部に広く用いられている。現在の感熱記９方式に要
求されて因る課題として記録速度の高速化ふ・よび高密
度化の問題がある。

ラインプリンタ方式の感熱記録用サーマルヘッドを高速
化−「るためには多数の発熱体全同時に加熱することが
効果的であり、このため、この方式のサーマルヘッドで
は、各発熱体全駆動するだめの複数個のトランジスタと
シフト・レジスタを有する半導体装置全発熱体と一体・
して構成したサーマルヘッドが広く用すられるようにな
−てきた。以ドでは、このような方式のサーマルヘッド
をシフト・レジスタ方式のザーマルヘッドト呼ぶ。

第１図にこの方式のサーマルヘッドの電気的結線の一例
を示す。第１図ｔＣ於て、１００はサーマルヘッド全体
、１０１は発熱体、１０２ａ〜１０２ｐは半導体装置で
あり、１０３は発熱体加熱電源接続用＋端子、１０４は
発熱体加熱電源接続用一端子、１０６は半導体装置駆動
電源接続用＋端子、１０４は半導体装置駆動電源接続用
一端子である。

１は発熱体加熱電源、２は半導体装置駆動電源でこれら
を接続し、端子１０７ａ　〜１０７ｄ、１０８ａ〜１０
８ｄ、１０９，１１０に所要のタイミングで電圧を印加
すると、多数の発熱体１０１’ｉ画信号に応じて任意に
加熱することができる。

即ち・第１図の各半導体装置１０２ａ〜１０２ｐには、
第２図の半導体装置１０２ｄで例示するように、発熱体
加熱電源１に対して発熱体１０１と直列接続される発熱
体駆動用トランジスタ１１２これらのトランジスタ１１
２ｆＯＮ−ＯＦＦさせる画信号を一時的に蓄積するラッ
チ回路１１３、ラッチ回路１１３に画信号を入れるため
のシフト・レジスタ回路１１４が組み込まれている。

第１図、第２図に例示しだシフト・レジスタ方式のサー
マルヘッドに於て各発熱体は次のような方法で加熱され
る。

第１図に於て、端子１０９ヘクロ・ンク信号を印加しつ
つ端子ｊ　Ｏ７ａに画信号を入力して、Ｕ字型績１１１
１ｅ介して半導体装置１０２ｄ→１０２Ｃ−＋１０２ｂ
−＋１０２’ａの順にシフト・レジスタ間画信号転送を
行なった後端子ｉｉｏヘストロープ信号全印加して転送
された画信号をう・ノチ回路１１３に移し、単に端子１
０８？Ｌへイネーブル・パルスを印加すると、半導体装
置１０２ａ〜１０２ｄに接続されている各発熱体の中の
加熱−「へき発熱体に接続されているトランジスタ１１
２がランチ回路１１３の画信号によってＯＮ状態となり
、各発熱体毎に発熱体加熱電源の子端子→発熱体→ＯＮ
状態のトランジスタ→同電源の一端子へとイネーブル・
パルス印加期間だけ電流が流れる。

このような発熱体加熱方法により、多数の発熱体ヲ有す
るライン・プリンタ方式のサーマルへ・ドの高速記録が
可能であることは周知であり、従って発熱体の加熱方法
に関する更に詳しい説明は省略する。

上述したようなシフト・レジスタ方式のライイプリンタ
型サーマルヘッドの発熱体加熱方法は、半導体装置内の
回路構成によって異なり、まだ第１図の電気的結線方法
は半導体装置の回路機能の外にヘッドの使用条件等も考
慮して種々の形に変更される。このような種々の形態に
もかかわらず本方式のサーマルヘッドは、発熱体駆動用
半導体装置の回路の小に少なく共複数個のトランジスタ
とシフト・レジスタ回路を含んでいることで特徴づけら
れる。

以上の説明から判るように、シフト・レジスタ方式のサ
ーマルヘッドは感熱記録の高速化に最も有用な回路構成
のヘッドであるが、例えば静電記録方式で実現されてｂ
るような１６ドント／肩の高密度の感熱記録ができるサ
ーマルヘッド全製造することは決して容易でない。

この理由は、 （１）　　高密度の一列に配列された発熱体の個別電極
と半導体装置内の発熱体駆動用トランジスタ端子との電
気的接続。

（２）半導体装置の発熱体の個別雷１極に接続される以
外の端子に関して必要な第１図に例示されてｂる多層配
線部の形成の２点が技術的にむづかしめことによる・ 上記２点以外にも、例えば１６ド、、）／ｆｉで一例に
配列して発色に必要なエネルギーを印加しても破壊しな
いような発熱体を作ることも重要な問題であるが、現在
未だ１６ド・・ト／胴のライン・プリンタ型感熱記場用
サーマルヘッドが市販されてい外輪理由は上記（ｉ）、
　（２）の理由によると言っても過言ではない。

更に、このような高密度サーマルヘッド全周しだ記録部
を構成するに際して第五図のような外部を有するサーマ
ルへ・ラドが好まれる。

第３図に於て、３はサーマルヘッドの発熱体基板、４は
発色型感熱記録紙、５は記録紙送りローラであり、発色
型感熱記録紙４は紙送りローラ３により発熱体基板３の
土に一列に並べて形成しプヒ発熱体列（図示せず）の部
分に圧接されると共に矢印の方向に送られ、発熱体列の
選択的な加熱により感熱記録が行なわれる。発熱体基板
３の一部にカバー　３　Ｎが取付けられており、このカ
バーの中には、第２図に於て説明したような回路機能を
有する複数個の半導体装置が発熱体列とほぼ平行に一列
に若しくは複数列に並べられてｂる。

第３図に示すような外観、即ち発熱体列とほぼ平行に且
つ発熱体列の一方の側にのみ複数個の半導体装置全配列
し、この半導体装置に機械的保護カバー３ａを設けたよ
うな外観を有するサーマルヘッドは、例えば記録部分を
早く視認できることコンパクトな記録部を構成できる等
の利点がある。

シカシ・サーマルヘッドに具備すべき条件としてこのよ
うなヘッドの外観全も条件として附加すると高密度の感
熱記録ヘッドの製造は更に困難となる。

即ち、第４図に示すように発熱体列の両側に半導体装置
を配列する方式のへ・シトでは、１６ドツト／ｍｍのヘ
ッドが開発されて層るが、第３図のような外観のサーマ
ルヘッドとして現在製造されているＪゆ４　高密度のへ
・ラドは１０ド・ソト／間である。

尚、第４図のような外観のへ・ラドとして、２つの半導
体装置の機械的保護力／＜−３ａの一方にはシフト・レ
ジスタ方式の半導体装置を、まだ他方の保護カバーの中
にはダイオード・アレイを収納して１２ドツト／咽のサ
ーマルへ・ラドを構成した例も知られている・ 発明の目的 これに対して、本発明は１６ドツト／咽の高密度で第３
図の如き外観を有するシフト・レジスタ方式のライン曽
プリンタ型サーマルヘッドを構成するだめに有用な半導
体装置を用いたヘッド構造全提供することを目的とする
。

本発明の他の目的は、上記の半導体装置及びサーマルヘ
ッドを安価に製造することである。

発明の構成 本発明では、高密度サーマルヘッドを構成する上で重要
な発熱体と発熱体駆動用半導体装置との゛電気的接続お
よび半導体装置の駆動突子の多層配線部をフスルム・キ
セア方式若しくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅ
ｄ　Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式として知られる半導体装方式
によシ構成する。この半導体装方式は、シフト・レジス
タ方式のサーマルヘッドのみならず、発熱体駆動用半導
体装置としてダイオード・アレイを用いるダイオード・
マトリックス型サーマルヘッドにも採用されて力る。

本発明は、これらの従来良く知られた方法を用いて、高
密度のレフト・レジスタ方式のサーマルヘッドが構成イ
きるように、半導体装置およびサーマルヘッドを構成し
たものである。すなわち、本発明は、複数個の発熱体を
列状に並べた発熱体列を有し、前記複数個の発熱体を任
意に選択して加熱するための少なく共複数個のトランジ
スタを有する正方形若しくは長方形の半導体チップの一
生平面上に、少なく共前記複数個の発熱体の各一方の電
極に接続される前記複数個のトランジスタの個別電極端
子部を含む端子列を前記発熱体列とほぼ直交する方向に
配列し、前記端子列を囲む穴もしくは凹みを有する可撓
性フスルムの一方の主面を前記半導体チ・ブの前記端子
列形成面に設置し、前記フィルムの他方の主面上に前記
発熱体列とほぼ平行で一端が前記端子列に接続された複
数のリード全配置してなる感熱記録用ヘッドを特徴とす
るものである。

実施例の説明 以下、本発明を図面に従って説明する。

第５図Ｖこ本発明の一実施例の半導体装置の外観の主波
部分を示す・ 第５図に於て、２００Ａは半導体装置の全体全示し、２
０１は複数個のトランジスタ、ノット・レジスタ等全内
蔵して因る半導体装置のチップ、２０１　ａは半導体装
置チ・・ブ２０１からＩＪ　−）”　ｒ取出す／ζめの
端子取出用、＜・ド部、２０２は可撓性の電気的絶縁性
フィルム、２０２４，２０２ｂは可撓性フィルム上に形
成したリードである。

第５図に示すように半導体装置チ・ツブは一般に長方形
（若しくは正方形）の半導体シリコンチップである。本
発明に於てｔ−Ｊ、、この半導体チ・ンフ″からリード
を取出すためのパ・ノド部分２０１　ａ金・このシリコ
ンチップのパッド形成図に接して置かれる可撓性フスル
ム２０２に設けた細長め穴若しくは凹み２０２Ｈの部分
に限定して設ける。この場合凹みとは、穴２０２Ｈの上
辺より上の部分（第６図のＡＡ’線上より上の部分）は
必ずしも必要ではないので、この部分を切り取った可撓
性フィルムを用いる場合に、この穴の部分のことを意味
する。

この穴２０２Ｈの部分に形成される半導体チップのパッ
ド２０１　Ｎは、発熱体の個別電極と接続されるトラン
ジスタ用のノぐラドとこのトランジスタの共通端子用の
パ・ノド金倉むもので、図に示すように、はぼ細長い長
辺に平行に列状に配置する。

そして、フスルム２０２のチップ２０１との接触上回と
は反対側の主面にリード２０２ａ、ｂｒ、Ｈ形成する。

穴２０２Ｈの両側の可撓性フ７）レム２０２の帯状部分
の一方２０２ＭＫは発熱体個別電極とトランジスタ接続
用のリード２０２＆’ｉｚ帯状部分の長さ方向とほぼ直
角な方向（発熱体列と平行な方向）に複数本数（第５図
の場合１６本）形成しその各一端はパッド２０１乙に各
々接続する。

帯状部分の他方２０２Ｎには・半導体チップ内の発熱体
駆動用トランジスタの共通端子用リード２０２ｂを形成
し、その一端は第６図に示すように分枝して共通端子パ
ッド２０１ａに各々分枝した先端を接続する。共通リー
ド２０２ｂを可撓性フィルム２０２上で幅広く形成する
こととその先端を分枝して接続するにより、半導体チッ
プ内の発熱体駆動用Ｉ・ランジスタ（第２図の１１２　
）ｉ流れる電流が全てこの部分に集まっても、リード」
・・よびリード接続部での電圧降下が半導体装置の動作
に問題の生じない値にまで容易に低減させることができ
る。

第５図の半導体装置は半導体チ・ノブ内の発熱体、駆動
用トランジスタの端子につＡてのみリードを図示してい
るが、半導体装置駆動用電源端子と信号系端子のリード
は、共通端子用リード２０２ｂど同様にして形成する。

これらの各端子用パッド（第５図では図示せず）は、た
とえば第５図に図示しだハンド２０１ａの下部又は上部
と下部に分けて形成し・またそのリードも可撓性フィル
ム２０２に支持して形成する。これらのパッド及びリー
ドの形状は、サーマルヘッドとしての端子取出し、半導
体チップの素子の配置等全考慮して決める。

第６ａ、ｂ図には、第６図と同一部分の他の構成例２０
０Ｂ、２００Ｂ’ｉ示す。この構成例ではリード２０２
ａ、２０２ｂの各一端を接続するパッド部を穴２０２Ｈ
の長さ方向に２列に配置したこと以外は構成側２０ＯＡ
と同じであるので、細部については同一番号を則して説
明を省略する。

本発明による高密度サーマルヘッド用半導体装置は、半
導体装置の外観が第５図、第６図若しくはこれら全多少
変型した形になっていることで、特徴づけられる。第５
図、第６図の半導体装置はＡづれも１６個の発熱体駆動
用トランジスタ全内蔵しているものとして図示をしてい
るが、このトランジスタ数が多くする時は、第５図、第
６図の垂直方向の長さを長くする。この場合、水平方向
の（リード２０２＆を含めた）幅Ｗは不変であり「Ｌつ
、この幅を小さくすることができる点が本発明に用いる
半導体装置の特長である。

即ち、発熱体１駆動用トランジスタを６４個内蔵する半
導体装＠全発熱体列とほぼ平行に多数配置し第３図に示
すような１６ドツト／咽の高密度サーマルへ・・ド全構
成するには、第１図に示すような電気的接続全１半導体
装置当り４聴の範囲内で行なわなければならない。第５
図、第６図に示す半導体装置ではＷ方向の半導体チップ
の幅’ｆｚ　２．５　ｉｍ町撓性フィルム２０２より外
側に延長させるＩＪ−ド２０２ａ、２０２ｂ（７）長さ
を１喘とすると、Ｗは３．５胴となり、充分上記の制限
を満たすことができる。

本発明による半導体装置を用因だサーマルヘッドは、第
２図に示すように、発熱体基板６と多層配線板７との間
を第５図、第６図に例示したようなリード孕形成した半
導体装置２０ＯＡ又は２００Ｂのリード２０２ａ、２０
２ｂ等の他端で接続することにより形成する。第２図に
於て、発熱体基板６及び多層配線用基板Ｔ上でのこれら
のリードとの接続点を・印で示した。

この・印部の接続はフィルム・キャリア又は、Ｔ　Ａ　
Ｂ　実装方式に於てＯＬ　Ｂ　（ＯＵＴ］ｉＲＬＥＡＩ
）ＢＯＮＤＩＮＧ）と呼ばれる方式で接続される。また
第５図又は第６図の穴又は凹み２０２Ｈでの接続部は第
２図の半導体装置１０２ｄの周辺の○印で示した部分で
あり、この部分は同じ（ＩＬＢ（ＩＮＮＥＲＬＥＡＤ　
ＢＯＮＤＩ）ＪＧ’）と呼ばれる方式で接続される。

この２つのリード接続ＩＬＢ、ＯＬＥは共に良く知られ
た技術であり、寸た第２図から判るように発熱体基板６
上では、発熱体列１０１と発熱体用共通極と個別電極を
、また多層配線板上ではヘッドとしての端子１０４〜１
１０とＵ字型配線１１１の一部となる大部分が平行で且
つ密度の粗い多層配線用導体を作れば良く、従って、本
発明による半導体装置を用いることにより高密度のライ
ンプリンタ型サーマルヘッド全容易に且つ低価格で製造
できることが理解されよう。

第７図に本発明による半導体装置２００Ｃの具体的な設
計例を示す。本設削例は、第６図において、半導体装置
、駆動用電源端子と半導体駆動用端子のリードを明示し
たものである。

υＩＪぢ、第７図の半導体チップ２０１には発熱体、（
駆動用トランジスタが６４ケ内蔵されており、これに対
応して６４木のリード２０２＆が可撓性フィルム２０２
の一方の帯状部分２．０２　Ｍ上に支持して形成されて
因る。一方、このトランジスタの共通端子は８ケのトラ
ンジスタ毎に１本合計７本の分枝リードが一列に並べら
れ、７本の分枝り−ドは可撓性フィルム２０２上の幅広
の共通電極導体リード２０２ｂと共通接続され、且つこ
の２種類のり一部２０２ａと２０２ｂの各一方は半導体
チップ２０１上で一列に並べられている７１個のパッド
部（図面全簡単にするためハツト部は図示せず）にＩＬ
Ｂ接続を行っている。第７図の半導体装置には、更に半
導体装置電源端子および半導体駆動端子用リードとして
合計１１本のリード２０２ｃｉ形成してｂる。これらの
１１木のリードのＩＬＢ部はリード２０２＆、２０２ｂ
と同一線上に配置している。更にこの中の１木のリード
のＩＬＢ部は最も上部に設けて因るが、これは、半導体
チップ２０１の両信号入力および出力端子を発熱体駆動
用トランジスタの各々両端におくことにより半導体チッ
プの設計をし易くするようにしたものである。また第２
図に於けるリード２０２Ｃの数は７本（トランジスタの
共通端子を除く）で構成されて因るが、第７図の半導体
装置は発熱体加熱方法を更に容易に行な因易くするよう
な機能？半導体装置に附加した場合として１１本のＩＪ
　−ドを設けている。このような半導体装置の機能の向
上とは半導体装置のチップ・セレクト機能成因は発熱体
の加熱経歴により発熱体の加熱パルス全調整する機能（
発熱体加熱の熱リレキ別御機能）等全意味する。リード
２０２ａ〜２０２ｂのリード接続用バンドのピンチは１
００ミクロンあればＩＬＢ接続が可能である。従−て、
リード接続のだめだけならば半導体装置の長さｌは８．
２聰（：、’６４＋７＋１１＝＝８２本）で良−が・本
設計例では！＝　９．５　ａｍ　、チップの幅＝２．６
とじて因る。

まだリード２０２ｃｉ１１本と多くするため可撓性フィ
ルム２０２は下方で幅を広げているが、こうしても半導
体装置全体としての幅Ｗは４馴以下にすることができる
。更に、この幅に対する制限は、第９図の半導体装の例
から判るように・ｃ−−ａ’線より下部では必ずしも４
ｍ以下である必要はなく、従−て、更にリード２０２０
の本数を半導体装置機能の向上に従−て増やすことも可
能である。

第８図には他の半導体装置の設計例２００Ｄ；ｉ示す。

この設計例は・半導体チップのｌ’ｃ短かくするだめに
リード２０２０のＩＬＢ用ノ仁・ド部（図面を見易くす
るため図示せず）を水平方向に配列したもので、このた
め細長い穴２０２Ｈ金下方で少し広げて層ること以外は
第７図と同じであるので同一番号を附して説明は省略す
る。

第７図、第８図の半導体装置の各リードのＯＬＢ部は類
似の構造をしており、この半導体装置を用いて、第９図
に示す高密度サーマルへ・・ド全構成することができる
。

第９図に於て、ａは木発Ｆ３ＡＫよる半導体装置２００
Ｅの外観図、ｂは本発明によるサーマルへ・・ド３００
の外観である。

＠９図に於ては、図面を判り易くするだめ、１個の半導
体チ・・ブ２Ｑに発熱体駆動用トランジスタを１８個を
内蔵し、且つ半導体装置電源用端子？含めて７本の駆動
端子を有する場合について例示した。

半導体装置２００Ｅの各部分につ−ては既に説明した通
りであり、従−て第５図〜第８図と同一番号を附けて説
明を省略する。

第９図すのサーマルへラドは、ヘッド基台８に発熱体基
板６、多層配線用基板７を取付け、この間を半導体装置
２００Ｅで接続して構成するものでＣ接続は第２図の説
明に於て既に述べた通りである。屍ち、第９図は１個の
半導体装置に接続する発熱体数、半導体装置に接続する
リード数以外は、第２図と対比できるように図示して−
る、第９図に於て、発熱体基板６の上には、発熱体列１
０１、発熱体列の各発熱体用個別電極１０１ａ発熱体列
の共通電極１０１ｋｌが形成される。一方多層配線用基
板７の上には発熱体加熱電源接続用導体了ａ及びこれ以
外の多層配線用導体７ｂが形成され、更にこれらの２種
類の導体は多層配線基板の一部に取付けたヘッドとして
の端子取出用コネクタ９に接続されて因る。そして、第
９図＆の半導体装１ｆ￥　２００　Ｋを反転し、その各
リード２０２　ａｉｌｏｌａＫまたリード２０２０ｆ７
ｂに接続しまた板状リード１０ｉ１０１ｂと７ａの間Ｖ
Ｃ接続することによりサーマルヘッド３００が完成する
。

既に説明したことから判るように、１個の半導体装置に
接続する発熱体数を増やしても、半導体装置２００にの
幅Ｗは変らず、またこの値を４Ｍ以下にできることも既
に説明した。従って、６４個の発熱体が駆動できるよう
に半導体装置全段ければ、本発明による第９図の構成に
より、第３図の如き外観を有する１６ドツト／閣の高密
度記録用サーマルヘッド？容易に製造することができる
。

尚、第９図に於て多層配線用導体の殆んどは発熱体列１
０１と平行に形成されているが第２図の画信号入力端子
１０７ａ−＝１０７ｄ及びＵ字型配線１１１は半導体装
置間？同一のリード形状２０２０を用いて直列に接続す
るために多少変更する必要がある。リード７ｂの一部の
スルー−ホール７Ｈはこの問題に関連して画信号端子１
０γａ〜１０７ｄ５ｙ−コネクタ９に接続するだめのも
のであるＯ これらの問題を処理するためには多層配線板Ｔ上の導体
７ｂは一部多層配線とすると便利である。

この場合、導体７ｂのパターン密度は充分広くとっても
良いので、例えば多層配線板７は両面プリント基板を使
って容易に且つ安価に作ることができる。第９図に於て
、多層配線板下面の導体は図示していない。更にこの下
面の導体を利用して、発熱体加熱電源、半導体駆動装置
電源用等の多層配線導体の抵抗を低減させることもサー
マルヘッドの動作を安定にする上で大きな効果もある。

更にこのために多層配線板？３層以上の例えばプリント
基板を用いることもできる。

以上説明した如く、本発明は第３図に示すような感熱記
録方式の高密度の記録部を容易に構成できるという大き
な特徴を持つ。また、この半導体装置およびサーマルヘ
ッドを工業的に安価に生産するために本発明は、次の如
き効果を持つ。

第一に、本発明に基づいて半導体装置を設計する場合、
半導体装置装置内の発熱体駆動用トランジスタの共通端
子に集中して流れる大電流は、このトランジスタの配置
の近傍で可撓性フィルムの共通導体リード（例えば第７
図２０２ｂ　）の分校に集められるので、半導体装置上
では１／分枝の電流容量の配線を行なえば良く、従−て
、半導体装置の設計がやり易くなる。

第２に、第５図〜第８図の如き半導体装置の構成と第９
図の如きサーマルヘッドの構成により、発熱体基板上で
は、発熱体列と個別、共通電極のみを形成すればよく、
またこれらのパターン形状は第９図に例示する如く非常
に簡単である。更にこれらのパターンは他の半導体装置
、サーマルヘッド構成の場合に必要な多層構成ではなく
単層で形成することができる。この結果、発熱体基板部
分の製造コストが大幅に低減される。

第３に・第１図に示すような多層配線部全安価な多層配
線板と半導体リードとの接続により完成させることがで
きる。このような方法による多層配線部自体の形成方法
は既に８ドツト／Ｍｎ以下のシフト・レジスタ方式のへ
ラドに於て実施されているが、１６ドツト／咽の高密度
のサーマルヘッドに於ても、このように良く知られた洗
練された製造技術金用因ることができるのは本発明の大
きな効果である。本発明によるサーマルヘッドは、上記
以外にも、従来良く知られた製造技術のみによ−て高密
度のヘッド全構成できるものであり、これら全総合して
、本発明は、高密度のサーマルヘッドを工業的に安価に
製造することを可能にする。

第４に本発明は種々の密度のヘッドを同一構成で実現す
ることができる。このために必要なことは、第９図に示
す発熱体基板のパターン変更のみで良い。

本発明は、以上の説明に於ける実施様態以外にも種々の
変更が可能である。

例えば第５図〜第８図のいづれに於ても半導体装置のリ
ード接続部は半導体チップの短辺の中央部に位置させて
いるが、この接続部を短辺のいづれか一方に寄せて、半
導体装置の設計を更に容易にすることができる。

また第９図ａＫ於て、リード２０２　＆　、　　２０２
　ｂ２０２ｃ’ｉ可撓性フノルム２０２の下面に設ける
と第９図すの半導体装置２００Ｅのリード接続に於て、
各リードの導体１０１ａ、　了す等との電気的短絡が可
撓性フィルム２０２により防止される。

またリード２０２ｂ、２０．２０のＯＬＢ部端子は可撓
性フィルムの長辺方向に取出しても食込。

またサーマルヘッドとして必要な各端子の分割（例えば
第１図の１０７ａ　〜１０７ｄ、１０８ａ〜１０８ｄ）
は全て第９図の多層配線板７上の導体パターン７ｂのパ
ターン変更によって処理することができる。この方法に
よる画信号入力端子分割は、半導体装置の画信号転送速
度全実質的に早くした効果をもつ。

また発熱体基板上の発熱体位置或いは基板形状の変更等
？行なうことも可能である。

まだ半導体装置からの端子取出用パッドの配置を実施例
で例示してｂるがこれらのパッドへのリード接続即ちＩ
ＬＢ接続は一括して行なうことができる。この場合、半
導体装置内の半導体駆動用トランジスタの個別及び共通
端子以外の端子の配置１ｌＬＢ用加熱ツールで均一加熱
し易くするような配置に変更することもできる。

発明の効果 本発明は、高密度な発熱体列を有するサーマルヘッドを
工業的に有利な方法で容易にコンパクトに作成・組立す
ることが可能となり、高密度感熱記録装置の実現に大き
く寄与するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はシフト・レジスタ方式の感熱記録用サーマルヘ
ッドの一般的な電気的結線方法を説明するだめの図、第
２図は第１図の特定の半導体装置につｂての部分的結線
方法及び本発明によるサーマルヘッドの構成方法を説明
するだめの図、第３図は本発明による高密度サーマルヘ
ッドの外観全示す図、第４図は従来の高密度サーマルヘ
ッドの外観を示す図、第５図、第６図ａ、　　ｂは本発
明の各実施例による半導体装置の構成を説明するだめの
概略平面図、第７図、第８図は本発明による半導体装置
のさらに他の実施例ケ示す概略平面図、第９図ａは半導
体装置の斜視図、第９図すは本発明の一実施例によるザ
ーマルへラドの概略構成図である。 １０１−゛−発熱体列、２０ＯＡ・・・・・・半導体装
置、２０１・・団・半導体チップ、２０１　ａ　゛”−
パット部１２０２・・・・・・可撓性絶縁フメルム、２
０２？Ｌ、２０２ｔ４２０２Ｃ・・・・・°リード、２
０２Ｈ・・・・・・穴又は凹み、代理人の氏名　弁理士
　中　尾　敏　男　ほか１名。 」 〆 第３図 第４図 第６図 ＋ａ） 第６図 第７図 第８図 ２σ？

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）複数個の発熱体を列状に並べた発熱体列を有し・
   前記複数個の発熱体を任意に選択して加熱するだめの少
   なく共複数個のトランジスタを有する正方形若しくは長
   方形の半導体チップの一生平面土に、少なく共前記複数
   個の発熱体の各一方の電極に接続される前記複数個のト
   ランジスタの個別電極端子部を含む端子列を前記発熱体
   列とほぼ直交する方向に配列し、前記端子列を囲む穴も
   しくは凹みを有する可撓性フィルムの一方の主面を前記
   半導体チ・ブの前記端子列形成面に設置し、前記フスル
   ムの他方の主面上に前記発熱体列とほぼ平行で一端が前
   記端子列に接続された複数のリードを配置してなること
   全特徴とする感熱記録用ヘッド。 （２）端子列内［１−ランジスタの共通電極端子ｇ（ｌ
   有し、前記共通電極端子部ｋ　’Ｊ−ドと接続してなる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ＩＣ記載の感熱
   記録用ヘッド。 （３）共通電極端子部と個別電極端子部が、発熱体列方
   向に所定の間隔を有して配置されてなることを特徴とす
   る特許請求の範囲第２項記載の感熱記録用ヘッド。 （４）複数のリードがフィルム上に形成されプヒ共通導
   体に接続されてなることを特徴とする特許請求の範囲第
   ２項に記載の感熱記録用ヘッド・（５）半導体チップの
   一生面上に、前記チップ駆動用端子部を配置し、発熱体
   列と並行部分を有するリードの一端と前記端子部とを接
   続してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の感熱記録用ヘッド。 （６）共通導体とリードを、フィルムの一方の端部から
   同一方向に導出してなることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項に記載の感熱記録用へノド。