JP2530251B2 - サ―マルヘッドアレイ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は感熱記録装置に使用するサーマルヘッドア
レイに関するものである。

［従来の技術］ 第２図は従来のサーマルヘッドアレイの回路構成を示
す接続図で、図において、（１）はサーマルヘッドアレ
イの発熱抵抗体、（２）はシフトレジスタ、（３）はラ
ッチ、（４）はドライバ、（５）は直流電源、（７）は
スイッチ、（70），（71），（72）はそれぞれスイッチ
（７）の接点、（８−１），（８−２），・・・はそれ
ぞれ逆流阻止用ダイオード、（９−１），（９−２），
・・・はそれぞれ電源側リード導体、（10−１），（10
−２）・・・はそれぞれ接地側リード導体である。な
お、シフトレジスタ（２）には外部回路からデータ信号
とクロック信号とが入力され、ラッチ（３）にはシフト
レジスタ（２）のデータをラッチ（３）へ書き込む時点
を制御するラッチ信号が入力され、ドライバ（４）には
対応するラッチ（３）の論理に従ってドライバ（４）が
動作する時間を制御するストローブ信号が入力される。

シフトレジスタ（２），ラッチ（３），ドライバ
（４）の動作によって、複数の接地側リード導体のうち
の、どのリード導体を接地するかを制御する。シフトレ
ジスタ（２），ラッチ（３），ドライバ（４）は、通常
ICで構成されるので、これらを総称して制御回路IC
（６）ということとする。

接点（71）側の電源を仮にＡ相電源，接点（72）側の
電源を仮にＢ相電源ということにすると、例えばスイッ
チ（７）において接点（70）と（71）が接続されている
とき、制御回路IC（６）によって接地側リード導体（10
−１）を接地したとすれば、電流は（９−１）−R1−
（10−１）とに流れ、発熱抵抗体（１）のR1の部分が発
熱する。また、このときスイッチ（７）において接点
（70）と（72）とを接続し、Ｂ相電源に給電したとき
は、発熱抵抗体（１）のR2の部分が発熱する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような従来のサーマルヘッドアレイは以上のよ
うに構成されており、逆流阻止用ダイオード（８−
１），（８−２）・・・、電源側リード導体（９−
１），（９−２）・・・、発熱抵抗体（１）、接地側リ
ード導体（10−１），（10−２）・・・、制御回路IC
（６）は、セラミック基板上に形成されることが多く、
セラミック基板上に熱絶縁層（図示せず）を形成し、そ
の上に発熱抵抗体（１），導体パターン（９），（10）
を形成し、その上に耐摩耗層（図示せず）を形成してい
る。

また、接点（71）、,72）からの電源配線と、ドライ
バ（４）内の各ドライバの接地電極を直流電源（５）の
負側電極に接続する接地配線は、電気抵抗の小さい回路
にする必要があるが、セラミック基板上に電気抵抗の小
さい回路を形成することは困難であり、そのため、セラ
ミック基板外に設ける導体によって構成し、セラミック
基板上の回路と外部の導体との間とはフレキシブル基板
上に形成した導体パターンを介して接続しているが、こ
の場合セラミック基板上のＡ相電源用リード導体に接続
しＢ相電源用リード導体には接触しないＡ相配線パター
ンと、セラミック基板上のＢ相電源用リード導体に接続
しＡ相電源用リード導体には接触しないＢ相配線パター
ンとを、互いに絶縁してフレキシブル基板上に設ける必
要があり、フレキシブル基板の構造が複雑でコスト高に
なる。

また、スイッチ（７）は通常半導体スイッチ素子によ
って構成されるが、サーマルヘッドアレイの発熱抵抗体
（１）に流す全電流がこのスイッチ（７）を通過するた
め、電流容量の大きさ半導体スイッチ素子を使用せざる
を得ない等の問題点があった。

この発明はかかる課題を解決するためになされたもの
で、フレキシブル基板に形成する電源配線パターンを単
一の配線パターンにでき、フレキシブル基板の構造を簡
略化できるサーマルヘッドアレイを得ることを目的とし
ている。

［課題を解決するための手段］ この発明に係わるサーマルヘッドアレイは、セラミッ
ク基板上の全てのＡ相電源逆流阻止用ダイオードを、複
数の群に群分けし、各群に対応してＡ相電源接断用半導
体スイッチ素子をセラミック基板上に設け、全てのＢ相
電源逆流阻止用ダイオードを複数の群に群分けし、各群
に対応してＢ相電源接断用半導体スイッチ素子をセラミ
ック基板上に設け、セラミック基板外に設ける電源用導
体はＡ相電源およびＢ相電源に共通な単一の導体とし、
この単一の電源用導体からフレキシブル基板を介してＡ
相電源接断用半導体スイッチ素子およびＢ相電源接断用
半導体スイッチ素子に電源を接続することとした。

［作用］ フレキシブル基板を介してセラミック基板に接続する
電源が単一のものとなり、フレキシブル基板の構造を簡
略化できる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。第
１図はこの発明の一実施例を示す接続図で、第２図と同
一符号は同一又は相当部分を示し、（20），（21）はＡ
相電源逆流阻止用ダイオードおよびＢ相電源逆流阻止用
ダイオードを群分けした場合の１群を示し、（30）はＡ
相電源接断用半導体スイッチ素子、（31）はＢ相電源接
断用半導体スイッチ素子、（40）は切換信号送出回路、
（50）はＡ相電源、（51）はＢ相電源、（52）は電源配
線、（53）は接地配線である。

切換信号送出回路（40）から送出する信号によって半
導体スイッチ素子（30）がオンのときは（31）がオフに
なるように、（31）がオンのときは（30）がオフになる
ように制御される。

従って、第１図に示す回路の動作は、第２図に示す回
路の動作と同様になる。ただ、第２図の回路では外部の
電源用導体からフレキシブル基板を介してセラミック基
板に接続すべき電源は、Ａ相電源とＢ相電源との２種類
であるのに対し、第１図の回路では、これが電源配線
（52）ただ１種類であるため、フレキシブル基板の構造
を簡略化できる。

全体の逆流阻止用ダイオードを何群に群分けするか
は、使用する半導体スイッチ素子（30），（31）の電流
容量によって定めることができ、例えば2A容量のFETを
半導体スイッチ素子として使用し、１個のダイオードに
流す電流を25mAとすれば、80個のダイオードを１群とす
ることができる。

また、逆流阻止用ダイオード（８）がダイオードアレ
イと称せられるアレイに群分けされている場合には、各
ダイオードアレイに対しＡ相電源用半導体スイッチ素子
（30）とＢ相電源用半導体スイッチ素子（31）を各１個
を設ければ良い。

［発明の効果］ この発明は以上説明したように、外部導体とセラミッ
ク基板とを接続するフレキシブル基板の構造を簡略化で
きると共に、半導体スイッチ素子１個あたりの容量を小
さくして半導体スイッチ素子を小型化でき、外部電源と
の接続の簡略化や外部電源自身の簡略化、すなわち電源
回路の単純化に役立つ等の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す接続図、第２図は従
来のサーマルヘッドアレイの回路構成を示す接続図。 １……発熱抵抗体、８……逆流阻止用ダイオード、９…
…電源側リード導体、10……接地側リード導体、30……
Ａ相電源用半導体スイッチ素子、31……Ｂ相電源用半導
体スイッチ素子、50……Ａ相電源、51……Ｂ相電源、52
……電源配線。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示すもの
とする。

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に直線状の発熱抵抗体を形成し、こ
   の発熱抵抗体の直線に直角な方向で等間隔に該発熱抵抗
   体に接続されるリード導体を形成し、この等間隔のリー
   ド導体を１本おきに交互に接地側リード導体及び電源側
   リード導体とし、さらに電源側リード導体を１本おきに
   Ａ相電源用リード導体及びＢ相電源用リード導体として
   なるサーマルヘッドアレイにおいて、 すべてのＡ相電源側リード導体を複数の群に群分けし、
   この各群に対応して基板状に形成されるとともに当該群
   内の各Ａ相電源側リード導体がそれぞれ接続されるＡ相
   電源用リード導体と、 すべてのＢ相電源側リード導体を複数の群に群分けし、
   この各群に対応して基板上に形成されるとともに当該群
   内の各Ｂ相電源側リード導体がそれぞれ接続されるＢ相
   電源用リード導体と、 上記基板に形成された上記各Ａ相電源用リード導体にそ
   の一端が接続されたＡ相電源切断用半導体スイッチ素子
   と、 上記基板に形成された上記各Ｂ相電源用リード導体にそ
   の一端が接続されたＢ相電源切断用半導体スイッチ素子
   と、 上記基板上に形成され、上記Ａ相及びＢ相の電源切断用
   半導体スイッチ素子の他端を共通の電源線に接続するた
   めの導体パターンと、 上記基板に形成され、各Ａ相電源切断用半導体スイッチ
   素子を並列に制御する信号線パターン及び各Ｂ相電源切
   断用半導体スイッチ素子を並列に制御する信号線パター
   ンと、 を有したサーマルヘッドアレイ。
2. 【請求項２】各電源側リード導体には、それぞれ逆流阻
   止用ダイオードが挿入されてなる請求項第１項記載のサ
   ーマルヘッドアレイ。