JPH04142037A - 導体欠損部の修正方法 - Google Patents
導体欠損部の修正方法Info
- Publication number
- JPH04142037A JPH04142037A JP2264662A JP26466290A JPH04142037A JP H04142037 A JPH04142037 A JP H04142037A JP 2264662 A JP2264662 A JP 2264662A JP 26466290 A JP26466290 A JP 26466290A JP H04142037 A JPH04142037 A JP H04142037A
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- Japan
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- conductor
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- film
- repair
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は導体欠損部の修正方法に係り、特に修正用導体
と既存の基板上成膜導体との導通性に優れた修正方法に
関する。
と既存の基板上成膜導体との導通性に優れた修正方法に
関する。
〔従来の技術］
従来、大型の基板上に薄膜抵抗体、Ａ１導体、及び保護
膜（耐酸化膜、耐磨耗膜）等から成る回路を形成し、例
えばサーマルヘッド等を作成する製造方法か知られてい
る。この様な製造方法においは、回路の欠損が避けられ
ず、修正を必要とする場合が多々発生する。
膜（耐酸化膜、耐磨耗膜）等から成る回路を形成し、例
えばサーマルヘッド等を作成する製造方法か知られてい
る。この様な製造方法においは、回路の欠損が避けられ
ず、修正を必要とする場合が多々発生する。
第３図は従来の導体欠損部の修正方法を示す工程図であ
る。
る。
第３図（ａ）はサーマルヘッドの断面図を示し、基板１
０上に薄膜抵抗体あるいはＡＩ！導体等の導体、ここで
はＡ１導体１２か成膜パターン形成されている。ＡＩ！
導体１２は、図示のように欠損部１４か発生している。
０上に薄膜抵抗体あるいはＡＩ！導体等の導体、ここで
はＡ１導体１２か成膜パターン形成されている。ＡＩ！
導体１２は、図示のように欠損部１４か発生している。
修正工程は、まず第３図（ｂ）に示すように、基板全面
にフォトレジスト１６を塗布することから始める。次に
、第３図（Ｃ）に示すように、露光現像を行い、フォト
レジスト１６に開口部を設け、欠損部１４を露出させる
。続いて、第３図（ｄ）に示すように、基板の全面に修
正用Ａ１導体１８を成膜する。そして、欠損部１４以外
のフォトレジスト１６上の修正用Ａｆ導体１８を剥離し
く第３図（ｅ）参照）、さらにフォトレジスト１６をも
剥離する（第３図（ｆ）参照）。こうして、Ａ１導体１
２の欠損を修正していた。
にフォトレジスト１６を塗布することから始める。次に
、第３図（Ｃ）に示すように、露光現像を行い、フォト
レジスト１６に開口部を設け、欠損部１４を露出させる
。続いて、第３図（ｄ）に示すように、基板の全面に修
正用Ａ１導体１８を成膜する。そして、欠損部１４以外
のフォトレジスト１６上の修正用Ａｆ導体１８を剥離し
く第３図（ｅ）参照）、さらにフォトレジスト１６をも
剥離する（第３図（ｆ）参照）。こうして、Ａ１導体１
２の欠損を修正していた。
［発明か解決しようとする課題］
しかしなから、従来の導体欠損部の修正方法によれば、
以下のような欠点かあった。
以下のような欠点かあった。
■既存の基板上Ａｆ導体１２の表面には成膜後、酸化膜
か自然形成されるため、Ａノ導体１２と修正用Ａ、１２
導体１８との導通性が不良となり、リード抵抗か高（な
ってしまう。
か自然形成されるため、Ａノ導体１２と修正用Ａ、１２
導体１８との導通性が不良となり、リード抵抗か高（な
ってしまう。
■修正用Ａｌ導体１８は、フォトレジスト１６の特性上
、成膜温度の上限か制限されているため、基板１０ある
いはＡ）導体１２に対する密着性か悪く剥れ易い。
、成膜温度の上限か制限されているため、基板１０ある
いはＡ）導体１２に対する密着性か悪く剥れ易い。
■Ａ、！！導体１２の端部ては、修正用Ａｉ導体１８の
膜の回り込みが悪く、ＡＩ導体１２と修正用Ａ１導体１
８との間に隙間（マイクロスリット）か発生し、導体間
の導通性か不良となる。
膜の回り込みが悪く、ＡＩ導体１２と修正用Ａ１導体１
８との間に隙間（マイクロスリット）か発生し、導体間
の導通性か不良となる。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであ
り、その目的は、導通性、密着性、及び修復性に優れた
導体欠損部の修正方法を提供することにある。
り、その目的は、導通性、密着性、及び修復性に優れた
導体欠損部の修正方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明に係る導体欠損部の修
正方法は、成膜された導体に欠損部が発生した基板上に
フォトレジストを塗布する工程と、この基板に露光現象
を行なうことにより前記フォトレジストに開口部を設け
欠損部分を露出させる露光現象工程と、露出された欠損
部分に修正用導体を成膜する修正工程と、を含み、基板
上に成膜された導体の欠損部分を修正する導体欠損部の
修正方法において、前記修正用導体と既存の基板上成膜
導体とをレーザ照射により溶融させる溶融工程と、溶融
後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する除去
工程と、を含むことを特徴とする。
正方法は、成膜された導体に欠損部が発生した基板上に
フォトレジストを塗布する工程と、この基板に露光現象
を行なうことにより前記フォトレジストに開口部を設け
欠損部分を露出させる露光現象工程と、露出された欠損
部分に修正用導体を成膜する修正工程と、を含み、基板
上に成膜された導体の欠損部分を修正する導体欠損部の
修正方法において、前記修正用導体と既存の基板上成膜
導体とをレーザ照射により溶融させる溶融工程と、溶融
後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する除去
工程と、を含むことを特徴とする。
［作用］
上記構成を有する本発明の導体欠損部の修正方法におい
ては、修正用導体と既存の基板上成膜導体とをレーザ照
射により、短時間及び部分的に溶融させることで、導体
間の導通性に優れ、修正用導体と基板との密着性を向上
させることができる。
ては、修正用導体と既存の基板上成膜導体とをレーザ照
射により、短時間及び部分的に溶融させることで、導体
間の導通性に優れ、修正用導体と基板との密着性を向上
させることができる。
［実施例］
以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明に係る導体欠損部の修正方法の一実施例
を示す工程図である。なお、第３図と同一部分には同一
の符号を付しである。
を示す工程図である。なお、第３図と同一部分には同一
の符号を付しである。
ます、第１図（ａ）に示すように、抵抗体、Ａ１導体１
２等の成膜、パターン形成後に、電気的特性（導通性）
を測定し、導体欠損部１４が発生している基板１０を検
出する。
２等の成膜、パターン形成後に、電気的特性（導通性）
を測定し、導体欠損部１４が発生している基板１０を検
出する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、前記基板１０の全面
に例えばポジ型フォトレジスト１６を塗布する。
に例えばポジ型フォトレジスト１６を塗布する。
続いて、第１図（ｃ）に示すように、欠損部１４を露光
し現像することにより、Ａ！導体１２か欠損している部
分を露出させる。このとき、修正により接続させるべき
Ａノ導体１２の端部を両側共に露出させる。
し現像することにより、Ａ！導体１２か欠損している部
分を露出させる。このとき、修正により接続させるべき
Ａノ導体１２の端部を両側共に露出させる。
次に、第１図（ｄ）に示すように、露出された欠損部１
４を含む基板上に修正用Ａ１導体１８を成膜する。
４を含む基板上に修正用Ａ１導体１８を成膜する。
続いて、第１図（ｅ）に示すように、修正用Ａ、１２導
体１８と既存の基板上成膜Ａノ導体１２とをレーザ照射
により溶融させる。第２図はレーザ照射部分を示す基板
平面図である。図中、斜線にて示すようにレーザ照射部
分２０は、例えばスリットによりスポット径１０口〜２
００口μｍ程度、Ａ１導体１２の１／３幅程度に設定さ
れる。このレーザ照射により、修正用Ａ、４導体１８と
Ａ１導体１２とが２層に重なっている部分、そしてマイ
クロスリットか発生し易いＡ１導体１２の端部、さらに
基板１０に接する修正用ＡＩ導体１８か確実に溶融され
る。
体１８と既存の基板上成膜Ａノ導体１２とをレーザ照射
により溶融させる。第２図はレーザ照射部分を示す基板
平面図である。図中、斜線にて示すようにレーザ照射部
分２０は、例えばスリットによりスポット径１０口〜２
００口μｍ程度、Ａ１導体１２の１／３幅程度に設定さ
れる。このレーザ照射により、修正用Ａ、４導体１８と
Ａ１導体１２とが２層に重なっている部分、そしてマイ
クロスリットか発生し易いＡ１導体１２の端部、さらに
基板１０に接する修正用ＡＩ導体１８か確実に溶融され
る。
このため、修正用Ａ１導体１８とＡＪ！導体１２の層間
の酸化皮膜が無くなり、良好な導通状態と密着力が得ら
れる。また、マイクロスリットの不連続面も溶融させて
しまう為、連続したＡ、ｆ７７層か得られる。さらに、
Ａノ導体１２のなかった欠損部１４の下地とも密着性が
良くなる。
の酸化皮膜が無くなり、良好な導通状態と密着力が得ら
れる。また、マイクロスリットの不連続面も溶融させて
しまう為、連続したＡ、ｆ７７層か得られる。さらに、
Ａノ導体１２のなかった欠損部１４の下地とも密着性が
良くなる。
なお、レーザの照射時間はμｓｅｃ程度とし、そのパワ
ーはＡ１導体か溶融し、全てか飛散してしまわない程度
とされる。
ーはＡ１導体か溶融し、全てか飛散してしまわない程度
とされる。
次に、第１図（ｅ）に示す余分な修正用Ａ１導体１８を
例えば剥離用粘着テープで除去する。そして、フォトレ
ジスト１６を剥離液にて除去する。
例えば剥離用粘着テープで除去する。そして、フォトレ
ジスト１６を剥離液にて除去する。
なお、余分な修正用Ａで導体は、レーザ照射時の金属蒸
気のマスキング材となっている。また、欠損部１４の修
正用Ａ１導体１８は、溶融して下地と密着している為、
余分な修正用ＡＩ導体と同時に剥れてしまう事はない。
気のマスキング材となっている。また、欠損部１４の修
正用Ａ１導体１８は、溶融して下地と密着している為、
余分な修正用ＡＩ導体と同時に剥れてしまう事はない。
さらに、レーザ照射条件により、余分な修正用Ａ１導体
を切断することも可能である。
を切断することも可能である。
上記レーザ照射によって修正用Ａ１導体１８は、溶融し
て確実にＡノ導体１２と結合しており、欠損の無かった
ＡＩ導体１２に対して良好な導通状態か得られる。この
ため、レーザ照射時に照射状態をモニターする事により
、外観上から導通の可否が判断できる。この事から、修
正出来たか否かを、抵抗値（導通性）で確認する必要か
なく、そのまま、後工程に流す事かできる。
て確実にＡノ導体１２と結合しており、欠損の無かった
ＡＩ導体１２に対して良好な導通状態か得られる。この
ため、レーザ照射時に照射状態をモニターする事により
、外観上から導通の可否が判断できる。この事から、修
正出来たか否かを、抵抗値（導通性）で確認する必要か
なく、そのまま、後工程に流す事かできる。
上記のような本発明の修正方法は、例えばサマルヘッド
を製作するときの回路欠損部の修正に特に有効である。
を製作するときの回路欠損部の修正に特に有効である。
サーマルヘッドは、発熱体とつながる例えばＡＪ導体の
抵抗値か低く、ドラツキの小さい方が好ましい。この導
体の抵抗値変化か、そのサーマルヘッドの抵抗値特性、
すなわち印字品位に影響する。従って、サーマルヘッド
において、高品質の印字を目的とする場合、当然そのサ
ーマルヘッドの抵抗値のバラツキは、できるたけ小さい
方か印字品質も向上する。この様な導体抵抗値のバラツ
キは、本発明の修正方法を用いることにより小さくする
ことが可能であり、本発明は、抵抗値のバラツキを小さ
くしたい回路の修正に特に有効である。
抵抗値か低く、ドラツキの小さい方が好ましい。この導
体の抵抗値変化か、そのサーマルヘッドの抵抗値特性、
すなわち印字品位に影響する。従って、サーマルヘッド
において、高品質の印字を目的とする場合、当然そのサ
ーマルヘッドの抵抗値のバラツキは、できるたけ小さい
方か印字品質も向上する。この様な導体抵抗値のバラツ
キは、本発明の修正方法を用いることにより小さくする
ことが可能であり、本発明は、抵抗値のバラツキを小さ
くしたい回路の修正に特に有効である。
なお、以上説明した実施例では修正用導体か既存の基板
上成膜導体と同一材質（実施例中はＡ、１２）である場
合を例示したが、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、異なる材質の修正用導体を用いても良い。
上成膜導体と同一材質（実施例中はＡ、１２）である場
合を例示したが、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、異なる材質の修正用導体を用いても良い。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の導体欠損部の修正方法に
よれば、基板上成膜導体と修正用導体とかレーザによっ
て溶融する事により、連続した導体となる為、欠損のな
い導体と同等の信頼性か得られ、かつ、リード抵抗も、
同等の値か得られる。
よれば、基板上成膜導体と修正用導体とかレーザによっ
て溶融する事により、連続した導体となる為、欠損のな
い導体と同等の信頼性か得られ、かつ、リード抵抗も、
同等の値か得られる。
また、余分な修正用導体を剥す以前に、レーザ処理を行
なう為、熱蒸気による汚染が無く、保護膜等の密着力の
低下も招かない。
なう為、熱蒸気による汚染が無く、保護膜等の密着力の
低下も招かない。
さらに、確実な導体間の溶融接続かできる為、修正前に
導体の表面酸化状態の確認、及び、その酸化膜の除去を
行なわなくて良く修正用導体の成膜条件も密着力かある
程度得られれば良く成膜条件か簡易になる。
導体の表面酸化状態の確認、及び、その酸化膜の除去を
行なわなくて良く修正用導体の成膜条件も密着力かある
程度得られれば良く成膜条件か簡易になる。
また、確実に導体欠損不良を良品とてきる為、繰り返し
修正と廃棄が無くなり、修正効率か向上する。
修正と廃棄が無くなり、修正効率か向上する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に係る導体欠損部の修正
方法の一実施例を示す工程図、第２図はレーザ照射時分
を示す基板平面図、第３図（ａ）〜（ｆ）は従来の導体
欠損部の修正方法を示す工程図である。 基板 ＡＪ！導体 欠損部 フォトレジスト 修正用Ａ、＋２導体 レーザ照射部分
方法の一実施例を示す工程図、第２図はレーザ照射時分
を示す基板平面図、第３図（ａ）〜（ｆ）は従来の導体
欠損部の修正方法を示す工程図である。 基板 ＡＪ！導体 欠損部 フォトレジスト 修正用Ａ、＋２導体 レーザ照射部分
Claims (3)
- （１）成膜された導体に欠損部が発生した基板上にフォ
トレジストを塗布する工程と、 この基板に露光現象を行なうことにより前記フォトレジ
ストに開口部を設け欠損部を露出させる露光現象工程と
、 露出された欠損部に修正用導体を成膜する修正工程と、
を含み、基板上に成膜された導体の欠損部を修正する導
体欠損部の修正方法において、前記修正用導体と既存の
基板上成膜導体とをレーザ照射により溶融させる溶融工
程と、 溶融後、不要な修正用導体とフォトレジストを除去する
除去工程と、を含むことを特徴とする導体欠損部の修正
方法。 - （２）請求項（１）記載の修正方法において、修正用導
体と既存の基板上成膜導体は同一材質であることを特徴
とする導体欠損部の修正方法。 - （３）請求項（１）記載の修正方法において、修正用導
体と既存の基板上成膜導体は異なる材質であることを特
徴とする導体欠損部の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264662A JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2264662A JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142037A true JPH04142037A (ja) | 1992-05-15 |
| JP2556615B2 JP2556615B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=17406467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2264662A Expired - Fee Related JP2556615B2 (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 導体欠損部の修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556615B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048877A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
| JP2024024827A (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-26 | 株式会社スカイテクノロジー | プリント配線板の修理方法及び再生プリント配線板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116790A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Electrical connection method within semiconductor chip |
| JPH0266545A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Hoya Corp | 薄膜パターンの欠落欠陥部修正方法 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2264662A patent/JP2556615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53116790A (en) * | 1977-03-22 | 1978-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | Electrical connection method within semiconductor chip |
| JPH0266545A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Hoya Corp | 薄膜パターンの欠落欠陥部修正方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007048877A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-22 | V Technology Co Ltd | 電子回路基板の配線パターン補修方法及び配線パターン補修装置 |
| JP2024024827A (ja) * | 2022-08-10 | 2024-02-26 | 株式会社スカイテクノロジー | プリント配線板の修理方法及び再生プリント配線板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2556615B2 (ja) | 1996-11-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |