JPH04299827A - 半導体製造方法 - Google Patents
半導体製造方法Info
- Publication number
- JPH04299827A JPH04299827A JP6453891A JP6453891A JPH04299827A JP H04299827 A JPH04299827 A JP H04299827A JP 6453891 A JP6453891 A JP 6453891A JP 6453891 A JP6453891 A JP 6453891A JP H04299827 A JPH04299827 A JP H04299827A
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- JP
- Japan
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- wafer
- sheet
- etching
- chemically
- etching solution
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造方法に関
し、より詳しくは、反りを有するウエハをエッチング液
を用いて化学的にエッチングする方法に関する。
し、より詳しくは、反りを有するウエハをエッチング液
を用いて化学的にエッチングする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、反りを有するウエハ（例えば、格
子定数が厚さ方向に連続的または不連続的に変化してい
ることにより反っているもの）を化学的にエッチングす
る場合、次のようにしている。まず、図２（ａ）に示す
ように、ガラス板３上に化学的に安定なホットメルトタ
イプ（高温で熔融し常温で固化するもの）のワックス２
を塗布する。この上に、図２（ｂ）に示すように、反り
を有するウエハ１を載置する。そして、上記ワックス２
をホットプレート４を用いて一旦加熱して、上記ウエハ
１をガラス板３に貼りつける。次に、図２（ｃ）に示す
ように、上記ウエハ１をエッチング液５に浸漬して、ワ
ックス２に接していない側の面１ａを化学的にエッチン
グする。 最後に、図２（ｄ）に示すように、上記ウエハ１をエッ
チング液５から取り出し、再びホットプレート４を用い
てワックス２を加熱して、ガラス板３からウエハ１を取
り外す。
子定数が厚さ方向に連続的または不連続的に変化してい
ることにより反っているもの）を化学的にエッチングす
る場合、次のようにしている。まず、図２（ａ）に示す
ように、ガラス板３上に化学的に安定なホットメルトタ
イプ（高温で熔融し常温で固化するもの）のワックス２
を塗布する。この上に、図２（ｂ）に示すように、反り
を有するウエハ１を載置する。そして、上記ワックス２
をホットプレート４を用いて一旦加熱して、上記ウエハ
１をガラス板３に貼りつける。次に、図２（ｃ）に示す
ように、上記ウエハ１をエッチング液５に浸漬して、ワ
ックス２に接していない側の面１ａを化学的にエッチン
グする。 最後に、図２（ｄ）に示すように、上記ウエハ１をエッ
チング液５から取り出し、再びホットプレート４を用い
てワックス２を加熱して、ガラス板３からウエハ１を取
り外す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、反りを有す
るウエハ１がエッチングされてウエハ厚が変化した場合
、本来、ウエハ１の反り具合は内部の応力が最小になる
ように変化しようとする。しかしながら、上記従来のエ
ッチング方法は、ワックス２によってウエハ１の一方の
面１ｂを完全に固定しているため、図２（ｃ），（ｄ）
に示したエッチングの進行中およびウエハ取り外し中に
、ウエハ１内部に大きな歪みが生じて、クラック（割れ
）６が発生したり、結晶性が悪化するという問題がある
。
るウエハ１がエッチングされてウエハ厚が変化した場合
、本来、ウエハ１の反り具合は内部の応力が最小になる
ように変化しようとする。しかしながら、上記従来のエ
ッチング方法は、ワックス２によってウエハ１の一方の
面１ｂを完全に固定しているため、図２（ｃ），（ｄ）
に示したエッチングの進行中およびウエハ取り外し中に
、ウエハ１内部に大きな歪みが生じて、クラック（割れ
）６が発生したり、結晶性が悪化するという問題がある
。
【０００４】そこで、この発明の目的は、反りを有する
ウエハをエッチング液を用いて化学的にエッチングする
場合に、クラックの発生や結晶性の悪化を防止できるエ
ッチング方法を提供することにある。
ウエハをエッチング液を用いて化学的にエッチングする
場合に、クラックの発生や結晶性の悪化を防止できるエ
ッチング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
、この発明のエッチング方法は、反りを有するウエハを
エッチング液を用いて化学的にエッチングする方法であ
って、上記ウエハの一方の面全体に化学的に安定で柔軟
性を有するＵＶシートを貼り付ける工程と、上記ＵＶシ
ートを貼り付けた状態の上記ウエハをエッチング液に浸
漬して、上記ウエハの他方の面を化学的にエッチングす
る工程と、上記ウエハを上記エッチング液から取り出し
て、上記ＵＶシートに紫外光を照射して上記ＵＶシート
の粘着性を低下させる工程と、粘着性が低下した上記Ｕ
Ｖシートを上記ウエハから剥がす工程とを有することを
特徴としている。
、この発明のエッチング方法は、反りを有するウエハを
エッチング液を用いて化学的にエッチングする方法であ
って、上記ウエハの一方の面全体に化学的に安定で柔軟
性を有するＵＶシートを貼り付ける工程と、上記ＵＶシ
ートを貼り付けた状態の上記ウエハをエッチング液に浸
漬して、上記ウエハの他方の面を化学的にエッチングす
る工程と、上記ウエハを上記エッチング液から取り出し
て、上記ＵＶシートに紫外光を照射して上記ＵＶシート
の粘着性を低下させる工程と、粘着性が低下した上記Ｕ
Ｖシートを上記ウエハから剥がす工程とを有することを
特徴としている。
【０００６】
【作用】反りを有するウエハをＵＶシートを貼り付けた
状態でエッチング液に浸漬した時、上記ウエハのＵＶシ
ートを貼り付けた側の面は上記ＵＶシートにマスクされ
て保護される一方、上記ウエハの他方の面は上記エッチ
ング液によって化学的にエッチングされる。従来と異な
り上記ウエハは柔軟性を有するＵＶシートに貼り付けら
れているだけであるから、上記ウエハがエッチングされ
てウエハ厚が変化したとき、上記ウエハの反り具合は内
部応力が最小となるように容易に変化する。したがって
、エッチングの進行中およびエッチング液からの取り出
し後に、クラックの発生や結晶性の悪化が防止される。
状態でエッチング液に浸漬した時、上記ウエハのＵＶシ
ートを貼り付けた側の面は上記ＵＶシートにマスクされ
て保護される一方、上記ウエハの他方の面は上記エッチ
ング液によって化学的にエッチングされる。従来と異な
り上記ウエハは柔軟性を有するＵＶシートに貼り付けら
れているだけであるから、上記ウエハがエッチングされ
てウエハ厚が変化したとき、上記ウエハの反り具合は内
部応力が最小となるように容易に変化する。したがって
、エッチングの進行中およびエッチング液からの取り出
し後に、クラックの発生や結晶性の悪化が防止される。
【０００７】
【実施例】以下、この発明のエッチング方法を実施例に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【０００８】まず、図１（ａ）に示すように、エッチン
グを行うべき反りを有するウエハ１を用意し、このウエ
ハ１の一方の面１ｂ全体に、化学的に安定で柔軟性を有
するＵＶシート７を貼り付ける。次に、ＵＶシート７を
貼り付けた状態のウエハ１をエッチング液５に浸漬して
、上記ウエハ１の他方の面１ａを化学的にエッチングす
る。ここで、ウエハ１の一方の面１ｂは上記ＵＶシート
７にマスクされて保護される一方、上記ウエハ１の他方
の面１ａは上記エッチング液５によって化学的にエッチ
ングされる。次に、図１（ｃ）に示すように、上記ウエ
ハ１をエッチング液５から取り出して、上記ＵＶシート
７に紫外光８を照射する。これにより、ＵＶシート７の
粘着性を低下させる。最後に、図１（ｄ）に示すように
、粘着性が低下したＵＶシート７を上記ウエハ１から剥
がして工程を完了する。
グを行うべき反りを有するウエハ１を用意し、このウエ
ハ１の一方の面１ｂ全体に、化学的に安定で柔軟性を有
するＵＶシート７を貼り付ける。次に、ＵＶシート７を
貼り付けた状態のウエハ１をエッチング液５に浸漬して
、上記ウエハ１の他方の面１ａを化学的にエッチングす
る。ここで、ウエハ１の一方の面１ｂは上記ＵＶシート
７にマスクされて保護される一方、上記ウエハ１の他方
の面１ａは上記エッチング液５によって化学的にエッチ
ングされる。次に、図１（ｃ）に示すように、上記ウエ
ハ１をエッチング液５から取り出して、上記ＵＶシート
７に紫外光８を照射する。これにより、ＵＶシート７の
粘着性を低下させる。最後に、図１（ｄ）に示すように
、粘着性が低下したＵＶシート７を上記ウエハ１から剥
がして工程を完了する。
【０００９】このようにした場合、従来と異なり上記ウ
エハ１は柔軟性を有するＵＶシート７に貼り付けられて
いるだけであるから、ウエハ１がエッチングされてウエ
ハ厚が変化したとき、上記ウエハ１の反り具合は内部応
力が最小となるように容易に変化する。したがって、エ
ッチングの進行中およびエッチング液からの取り出し後
に、上記ウエハ１にクラックが発生したり、結晶性が悪
化するのを防止できる。
エハ１は柔軟性を有するＵＶシート７に貼り付けられて
いるだけであるから、ウエハ１がエッチングされてウエ
ハ厚が変化したとき、上記ウエハ１の反り具合は内部応
力が最小となるように容易に変化する。したがって、エ
ッチングの進行中およびエッチング液からの取り出し後
に、上記ウエハ１にクラックが発生したり、結晶性が悪
化するのを防止できる。
【００１０】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のエ
ッチング方法は、柔軟性を有するＵＶシートにウエハを
貼り付けた状態でエッチングしているので、反りを有す
るウエハをエッチングする場合に、クラックが発生した
り、結晶性が悪化したりするのを防止することができる
。
ッチング方法は、柔軟性を有するＵＶシートにウエハを
貼り付けた状態でエッチングしているので、反りを有す
るウエハをエッチングする場合に、クラックが発生した
り、結晶性が悪化したりするのを防止することができる
。
【図１】 この発明の一実施例のエッチング方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図２】 従来のエッチング方法を示す工程図である
。
。
１ ウエハ
１ａ 他方の面
１ｂ 一方の面
５ エッチング液
７ ＵＶシート
８ 紫外光
Claims (1)
- 【請求項１】 反りを有するウエハをエッチング液を
用いて化学的にエッチングする半導体製造方法であって
、上記ウエハの一方の面全体に化学的に安定で柔軟性を
有するＵＶシートを貼り付ける工程と、上記ＵＶシート
を貼り付けた状態の上記ウエハをエッチング液に浸漬し
て、上記ウエハの他方の面を化学的にエッチングする工
程と、上記ウエハを上記エッチング液から取り出して、
上記ＵＶシートに紫外光を照射して上記ＵＶシートの粘
着性を低下させる工程と、粘着性が低下した上記ＵＶシ
ートを上記ウエハから剥がす工程とを有することを特徴
とする半導体製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064538A JP3054452B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3064538A JP3054452B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04299827A true JPH04299827A (ja) | 1992-10-23 |
| JP3054452B2 JP3054452B2 (ja) | 2000-06-19 |
Family
ID=13261105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3064538A Expired - Lifetime JP3054452B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3054452B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133635A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02216827A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハープロセス |
| JPH02257633A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板面の保全方法 |
-
1991
- 1991-03-28 JP JP3064538A patent/JP3054452B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133635A (ja) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Matsushita Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02216827A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハープロセス |
| JPH02257633A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-18 | Kyushu Electron Metal Co Ltd | 半導体基板面の保全方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3054452B2 (ja) | 2000-06-19 |
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Legal Events
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