JPH04142738A - ドライエッチング方法 - Google Patents

ドライエッチング方法

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JPH04142738A
JPH04142738A JP2265234A JP26523490A JPH04142738A JP H04142738 A JPH04142738 A JP H04142738A JP 2265234 A JP2265234 A JP 2265234A JP 26523490 A JP26523490 A JP 26523490A JP H04142738 A JPH04142738 A JP H04142738A
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JP
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etching
etched
substrate
resist
layer
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JP2265234A
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English (en)
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Shingo Kadomura
新吾 門村
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドライエツチング方法に関し、特に微細なレジ
スト・パターンの形成において、マイクロローディング
効果の抑制、実用的なエツチング速度の達成、異方性の
向上環を可能とする方法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、微細なレジスト・パターンを形成するための
レジスト材料層のエツチングに際し、ＮＨｌとＮ２とを
含むエッチング・ガスを用い、被エツチング基板の温度
を５０℃以下に制御することにより、反応生成物の一部
を堆積させる過程とスパッタ効果によりこれを除去する
過程とを競合させることにより、それほど低温域の基板
冷却を要することなく、マイクロローディング効果の抑
制と実用的なエツチング速度の達成とを可能とするもの
である。
さらに本発明は、■イオン注入により被エツチング領域
ヘイオウを導入する、■少なくとも表面がイ才つを含む
材料により構成されるエツチング装置内部材を被エツチ
ング基板の周辺近傍に配する、もしくは■エッチング・
ガスにイオウを構成元素として含むガスを添加する、の
各方法によりＮＨ，を含むエツチング反応系内にイ才つ
を供給し、生成する硫化アンモニウムを側壁保護に利用
することにより、高プラズマ密度、低バイアス電圧の条
件下でも良好な異方性加工を可能とするものである。
〔従来の技術〕
近年、半導体装置のデザイン・ルールが高度に微細化さ
れるに伴い、高解像度と異方性形状を存するレジスト・
パターンへの要求は益々高まっている。このようなレジ
スト・パターンを得るための技術として、膜厚方向に渡
って均一に露光され高解像度が達成可能な薄い上層レジ
スト層と、下地段差の被覆性に優れる下層レジスト層と
の少なくとも２種類のレジスト層とを組み合わせて使用
する多層レジスト・プロセスか知られている。近年では
０．３５μｍルールに対応できるエキシマ・レーザ・ス
テッパも開発され、かかる露光装置を使用するフォトリ
ソグラフィの分野においては多層レジスト・プロセスは
必須の技術となりつつある。
しかしながら、実際に多層レジスト・プロセスを制御性
良く高速で実施することは容易ではない。
その主な原因は、多層レジスト膜のエツチングに一般に
０□ガスが使用されていることにある。０゜ガスは気相
中で０３（酸素ラジカル）を多く発生し、これか異方性
を低下させ、またいわゆるマイクロローディング効果を
顕在化させる原因となる。これに対する一般的な対策と
しては、高バイアス電圧、低ガス圧といった極端な物理
的条件を採用することにより、入射イオンエネルギーの
増大とエツチング種の平均自由行程の延長を図ることか
行われる。しかし、これらの方法は、一方でエツチング
速度の大幅な低下やエツチング・ダメージの増大等を招
き易い。
そこで、従来からこれらの問題を解決するための技術に
関して各方面で研究が進められており、本願出願人も（
ａ）Ｎｔをエッチング・ガスとして使用する技術、（ｂ
）ＮＨ，をエッチング・ガスとして使用する技術、（Ｃ
）Ｏ！とＣＩ！系ガスを含むエッチング・ガスを使用す
る技術、等を提案している。
上記（ａ）のＮ、をエッチング・ガスとして使用する技
術は、本願出願人か先に特開平１−２１５０２４号公報
において提案したものであり、０．を使用する場合と比
べて低バイアス電圧下でも異方性加工を可能とするもの
である。
上記（ｂ）のＮＨ，をエッチング・ガスとして使用する
技術は、本発明者か先に特開平１−２８０３１６号公報
において提案したものであり、上述のＮ２を使用する場
合よりもエツチングの高速化を可能とするものである。
さらに、被エツチング基板の温度を５０℃以下に制御す
ることにより、反応生成物の一部を堆積させてマイクロ
ローディング効果を低減させる技術も、やはり本発明者
により特願平２−１９８０４４号明細書に提案されてい
る。
上記（Ｃ）のＯ２とＣｊ７系ガスを含むエッチング・ガ
スを使用する技術は、本発明者が先に特願平２−１０８
７５２号明細書において提案したものであり、側壁保護
膜の利用により異方性加工を達成するものである。
さらに、被エツチング基板を０℃以下に冷却してエツチ
ングを行うことも検討されている。これは、近年ドライ
エツチングの分野において改めて注目されている、いわ
ゆる低温エツチングである。
低温エツチングによれば、たとえば１９８８年ドライ、
プロセス・シンポジウム抄録集第４２〜４９頁に報告さ
れているように、被エツチング基板を低温下に保持する
ことにより、深さ方向のエツチング速度をイオンアシス
ト効果により維持したまま、側壁部におけるラジカル反
応を凍結してサイドエツチング等の形状不良を防止する
ことができる。レジスト加工への適用例としては、第３
６回応用物理学関係連合講演会（１９８９年春季）講演
予稿集第５７４頁、ｉｆ演番号１ｐ−Ｌ−１５に、ウェ
ハ温度を１００℃以下に冷却した状態で３層レジスト・
パターンの下層レジスト層を０□ガスを用いてエツチン
グした例か報告されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上述のような従来の対策にも幾つかの問
題点かある。まず、ＮＨ，をエッチング・ガスとして使
用する場合には、比較的低バイアス電圧下における異方
性加工がＮ２ガスを用いる場合よりも高速で行える反面
、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）方式やマグネトロ
ン方式等の高密度プラズマ生成型のエツチング装置では
、ＮＨ。
の解離により生成したＨ”（水素ラジカル）の作用か顧
著に現れ、アンダカットを生してしまうという問題かあ
る。また０、とＣ１系ガスとを含むエッチング・ガスを
使用する場合には、Ｃｌ系ガスの作用によりアモルファ
ス・シリコン等はエツチングされてしまうので、３層レ
ジスト・プロセスにおける中間層の材料か酸化シリコン
系のものに限定されるという問題かある。さらに、低温
エツチングを行う場合は、異方性の達成に寄与する反応
生成物の堆積に−１００’Ｃもしくはさらに低い温度を
要し、冷却系統の設置、結露防止対策等を考慮すると既
存の装置による実用化は無理であり、また冷却あるいは
常温への昇温等に要する時間を考慮するとスループット
か低下する虞れもある。
そこで本発明は、これらの問題を招（ことなく、マイク
ロローディング効果の抑制および実用的なエツチング速
度の達成を可能とし、さらに高プラズマ密度かつ低バイ
アス電圧の条件下でも良好な異方性加工を可能とするト
ライエツチング方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のドライエツチング方法は、上述の目的を達成す
るために提案されるものである。
すなわち、本発明の第１の発明にかかるドライエツチン
グ方法は、ＮＨ，とＮ２とを含むエッチング・ガスを用
い、被エツチング基板の温度を５０℃以下に制御しなか
ら該被エツチング基板上に形成されたレジスト材料層の
エツチングを行うことを特徴とするものである。
本発明の第２の発明にかかるドライエツチング方法は、
ＮＨ，を含むエッチング・ガスを用い、レジスト材料層
の被エツチング債域に予めイ才つをイオン注入により導
入してから該レジスト材料層のエツチングを行うことを
特徴とするものである。
本発明の第３の発明にかかるドライエツチング方法は、
ＮＨ，を含むエッチング・ガスを用い、少なくとも表面
がイオウを含む材料により構成されたエツチング装置内
部材を被エツチング基板の周辺近傍に配して該エツチン
グ基板上に形成されたレジスト材料層のエツチングを行
うことを特徴とするものである。
さらに本発明の第４の発明にかがるドライエツチング方
法は、イオウを構成元素として含むガスとＮＨ，とを含
むエッチング・ガスを用い、被エツチング基板の温度を
５０″Ｃ以下に制御しなから該被エツチング基板上に形
成されたレジスト材料層のエツチングを行うことを特徴
とするものである。
〔作用〕
ＮＨ３によりレジスト材料層がエツチングされる詳細な
機構は必ずしも明らかではないが、Ｃ２を使用する場合
と比べて低いバイアス電圧下でも高異方性か達成され、
またＮＨ，中のＨの寄与によりＮ、を使用する場合と比
べて遥かに高速でエツチング反応か進行することは、本
発明者が先に特開平１−２８０３１６号公報にて明らか
にしたとおりである。また、ＮＨ，を用いたエツチング
において被エツチング基板の温度を５ｏ″Ｃ以下に制御
すると、一部の反応生成物の堆積と該反応生成物のスバ
ッタ除去とを競合させることかでき、しかもこの現象か
被エツチング領域の面積の大小に応じた規模で起こるた
めマイクロローディング効果か抑制されることは、本発
明者か先に特願平２−１９８０４４号明細書において明
らかにしたとおりである。
本発明の第１の発明では、ＮＨ，にＮ２を添加し、さら
にエツチング中の被エツチング基板の温度を５０℃以下
に制御する。Ｎ、は、このガス単独によるレジスト材料
層のエツチング方法か提案されていることからも明らか
なように、ラジカル反応を起こさずイオンの寄与のみに
よってエツチングを進行させるので、ＮＨ，に添加され
たとしても何ら異方性を損なうものではない。むしろ本
発明では、前述のような異方性の向上やマイクロローデ
ィング効果の抑制に加え、Ｎ、による上記反応生成物の
スパッタ除去が行われることによるエツチングの高速化
が可能となる。
本発明の第２の発明ではイオン注入により被エツチング
領域ヘイオウを導入することにより、また第３の発明で
は少なくとも表面がイ才つを含む材料により構成される
エツチング装置内部材を被エツチング基板の周辺近傍に
配することにより、ＮＨ，を含むエツチング反応系内に
イ才つを供給する。この場合、被エツチング領域もしく
はエツチング装置内部材からスパッタ作用により放出さ
れたイ才つは、気相中のＮＨ，と化合して硫化アンモニ
ウムの形でパターン側壁部に堆積する。したかって、Ｅ
ＣＲ方式やマグネトロン方式により高密度のプラズマが
生成されるエツチング装置内においても、上記硫化アン
モニウムの堆積物か側壁保護膜として機能することによ
りパターン側壁部かＨｏの攻撃から保護され、比較的低
バイアス電圧下においても異方性加工か可能となる。
さらに本発明の第４の発明では、ＮＨ，にイオウを構成
元素として含むガスを添加し、かつ被エツチング基板の
温度を５０℃以下に制御する。ここでは、イオウを構成
元素として含むガスかプラズマ中で解離して生ずるＳか
ＮＨ，と反応して硫化アンモニウムを生成し、上述のよ
うに側壁保護効果を発揮する。したかって、高プラズマ
密度かっ低バイアス電圧の条件下でも異方性加工か可能
となる。
また、以上の４発明はいずれも室温付近、もしくは０℃
以下としても比較的高い温度域で実施可能であるため既
存の装置かほぼ使用できること、および３層レジスト・
プロセスにおける中間膜としてアモルファス・シリコン
も使用できるようになることか、共通の利点となる。
〔実施例〕
以下、本発明の好適な実施例について図面を参照しなが
ら説明する。
実施例１ 本実施例は、本発明の第１の発明を３層レジストプロセ
スに適用〔７た例である。
まず、第１図（Ａ）に示されるように、シリコン基板（
１）上にノボラック系ポジ型フォトレジスト（東京応化
工業社製：商品名０ＦＰＲ８００）を約１μｍ厚に塗布
して下層レジスト層（２）を形成し、続いて酸化シリコ
ンからなる中間層（３）を５ＯＧ（スピン・オン・グラ
ス）塗布あるいはスパッタリング等の方法により約０．
１μｍ厚に形成し、さらにノボラック系ポジ型フォトレ
ジスト（東京応化工業社製：商品名ＴＳＭＲ−Ｖ３）を
約０．５μｍ厚に塗布した後、ｇ線（４３６ｎ　ｍ　）
露光によるフォトリソグラフィを行うことにより、所定
の形状にフォトレジスト・パターン（４）を形成した。
次に、ＲＩＥ（反応性イオン・エツチング）により上記
フォトレジスト・パターン（４）をマスクとする中間層
（３）のエツチングを行い、中間層パターン（３ａ）を
形成した。
次に、エツチング中の被エツチング基板（ウェハ）を５
０℃以下に制御できる温度制御機構を備えてなる高周波
バイアス印加型ＥＣＲプラズマ・エツチング装置に上述
の基体をセットし、ＮＨ，流量４０　ＳＣＣＭ、　Ｎ、
流量１０　ＳＣＣＭ、ガス圧１．３Ｐａ（＝１０　ｍＴ
ｏｒｒ）、　ｖイクロ波パワー８５０Ｗ、高周波バイア
ス・パワー１００　Ｗ（２ＭＨｚ　）の条件で基体の温
度を５０℃に制御しながら下層レジストＩ！　（２）の
エツチングを行った。この過程では、上層レジスト・パ
ターン（４）と中間層パターン（３ａ）とかマスクとな
るか、上層レジスト・パターン（４）は途中でスパッタ
されて消耗する結果、最終的には第１図（Ｂ）に示され
るように、中間層パターン（３ａ）の下に下層レジスト
・パターン（２ａ）か形成された。
このエツチング過程では、エッチング・ガスにラジカル
を多数発生する化合物が含まれておらず、しかも低ガス
圧であること、５０℃にて十分に低い蒸気圧を有する反
応生成物がパターンの側壁部に堆積して側壁保護膜（５
）となること、およびＮＨ”Ｎ′″、Ｈ＋等のイオンが
エツチング反応に関与すること等の理由により、良好な
異方性形状か達成されながら実用的な速度でエツチング
か進行した。
さらに、上記のエツチング反応系では、Ｎ２が添加され
ていることにより多数のＮ１イオンか生成しており、こ
れによる側壁保護膜（５）のスパッタ除去が該側壁保護
膜（５）の堆積と競合している。
したがって、マイクロローディング効果か効果的に抑制
される上、ＮＨ，か単独で用いられる場合に比べてエツ
チングの高速化が可能となる。さらに、上述の高周波バ
イアス・パワーは、ＮＨ，か単独で用いられる場合の半
分程度で済んでおり、このような低バイアス化か図られ
ることによりエツチング・ダメージの低減も可能となる
。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく
、たとえばＮＨ，に対するＮ、の添加量はおおよそ１０
〜５０％の範囲で変化させることができる。またエッチ
ング・ガスには、エツチング速度の制御等を目的として
０．を添加したり、あるいはスパッタリング効果、希釈
効果、冷却効果等を期待する意味でＡｒ、Ｈｅ等の希ガ
スを適宜添加しても良い。
実施例２ 本実施例は、本発明の第１の発明を３層レジスト・プロ
セスに適用した他の例である。
本実施例では、前述の第１図（Ａ）に示される基体にお
いて中間層のパターニングを行った後、基体を高周波バ
イアス印加型ＥＣＲプラズマ・エツチング装置にをセッ
トし、ＮＨ，流量２５　ＳＣＣＭＮ２流量２５　ＳＣＣ
Ｍ、　ガス圧１．３Ｐ　ａ　　（＝１０　ｍＴｏｒｒ）
。
マイクロ波パワー８５０Ｗ、高周波バイアス・パワー１
００　Ｗ（２ＭＨｚ）の条件で、基体の温度を一２０℃
に制御しながらエツチングを行った。ＮＨ，を単独で使
用する場合には、通常この程度の低温域では反応生成物
の過剰な堆積により断面形状かテーパー化してしまうが
、本実施例ではＮ２の添加により反応生成物のスパッタ
除去か並行して起こり、良好な異方性形状が達成された
。また、この程度の低温は有機溶媒を冷媒とするチラー
等の簡単な冷却設備で実現でき、また冷却に長時間を要
することもないので、本発明の実施により大幅に経済性
やスルーブツトが損なわれることはない。
実施例３ 本実施例は、本発明の第２の発明を３層レジスト・プロ
セスに適用した例である。これを第２図（Ａ）および第
２図（Ｂ）を参照しながら説明する。ただし、これらの
図面において、第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）と共通
部分については同一の番号を付した。
まず、多層レジスト層の形成、フォトリソグラフィによ
るレジスト・パターンの形成、および中間層（３）のエ
ツチングまでの工程を実施例Ｉと同様に行い、第２図（
Ａ）に示される状態の基体を得た。続いて、基体の全面
にたとえば注入エネルギー１５０ｋ　ｅ　ＶにてＳのイ
オン注入を行い、下層レジスト層（２）のうち上層レジ
スト・パターン（４）および中間層パターン（３ａ）に
よりマスクされなかった部分に選択的にドース量Ｉ　Ｘ
ＩＯ”ｃｍ−２の高イオウ濃度領域（２ｂ）を形成した
。
次に、上述の基体を高周波バイアス印加型ＥＣＲプラズ
マ・エツチング装置にセットし、ＮＨ。
流量５０　ＳＣＣＭ、ガス圧１，３Ｐａ　（＝１０ｍＴ
ｏｒｒ）、マイクロ波パワー８５０Ｗ、高周波バイアス
・パワー１００Ｗ１００Ｗ（２の条件でエツチングを行
った。
このエツチング過程では、エツチングの進行と共に上記
高イオウ濃度領域（２ｂ）からスパッタリング効果によ
り放出されたＳか気相中のＮＨ，と反応して硫化アンモ
ニウムを生成し、これかパターンの側壁部に堆積して側
壁保護膜（６）か形成された。
通常、ＥＣＲプラズマ・エツチング装置のような高密度
プラズマ生成型のエツチング装置では、ＮＨ，を単独で
用いるエツチングにより異方性加工を行うことは困難で
あるか、本発明ではエツチング反応系へのＳの供給によ
り上述のような側壁保護膜（６）の形成か可能となり、
良好な異方性加工が実現される。
なお、エッチング・ガスには必要に応じてＮ２゜０２、
希ガス等を適宜添加しても良い。
実施例４ 本実施例は、本発明の第３の発明を適用し、高周波バイ
アス印加型ＥＣＲプラズマ・エツチング装置のウェノい
クランプの表面に硫化窒素ポリマー（ＳＮ）、の被膜を
形成し、これにより少なくとも被エツチング基板を保持
しながらエツチングを行った例である。
二こでは、第３図に示されるように、ウェハ設置電極（
１１）およびその上に載置されるウェハ（１２）とを共
に保持するアルミナ製のウェハ・クランプ（１３）の上
面に、プラズマＣＶＤ等の手法により硫化窒素ポリマー
層（１４）か形成されたものを使用した。上記硫化窒素
ポリマー層（１２）はエツチング中に消耗するため、そ
の層厚は枚葉処理における被エツチング基板の処理枚数
等に応じて適宜設定されている。
ここで、第１図（Ａ）に示される状態の基体について中
間層のパターニングを行った後、基体をを上記ウェハ設
置電極（１１）と共に上記ウェハ・クランプ（１３）に
より固定し、ＮＨ，流量５０　ＳＣＣＭ。
ガス圧１．３Ｐ　ａ　（＝　１０　ｍＴｏｒｒ）、マイ
クロ波パワー８５０Ｗ、高周波バイアス・パワー１００
Ｗ（２ＭＨｚ　）の条件でエツチングを行った。このエ
ツチング過程では、エツチングの進行と共に上記硫化窒
素ポリマー層（１４）からスパッタリング効果により放
出されたＳが気相中のＮＨ，と反応して硫化アンモニウ
ムを生成し、これかパターンの側壁部に堆積して第２図
（Ｂ）に示されるような側壁保護膜（６）か形成された
。この結果、前述の実施例３と同様の効果か得られた。
以上、ウェハ・クランプの上面をイオウを含む材料によ
り構成した例について説明したか、カソード・カバー、
ウェハ・カバー、サセプター等に同様の工夫を施しても
良い。要は、イオンによるスパッタリングが可能な方向
を向いた面を有し、かつ被エツチング基板に近接配置さ
れるものであれば、いかなるエツチング装置内部材であ
っても構わない。
また、これらのエツチング装置内部材は、アルミナや窒
化シリコン等のセラミクスの表面にイ才つ粉末を焼結さ
せた材料、セラミクスの原料粉末にイ才つ粉末を添加し
て粉末焼結により成形した材料、イオウ板を表面に貼り
合わせた材料等の各種の無機系材料により構成すること
もできる。
実施例５ 本実施例は、本発明の第４の発明をアルミニウム系材料
層をパターニングするための３層レジスト・プロセスに
適用し、イオウを構成元素として含むガスとしてＨｔ　
Ｓ　を使用した例である。図面による説明は省略するが
、第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）におけるシリコン基
板（１）をアルミニウム系材料層と考えれば良い。
まず、アルミニウム系材料層上に実施例１と同様にして
下層レジスト層、酸化シリコンからなる中間層を形成し
、さらにレジスト材料を塗布後、所定のパターニングを
行って上層フォトレジスト・パターンを形成し、さらに
ＲＩＥにより中間層のパターニングを行った。
続いて、高周波バイアス印加型ＥＣＲプラズマ・エツチ
ング装置に上述の基体をセットし、ＮＨ。
流量４０　ＳＣＣＭ、　Ｈ，Ｓ流量１０　ＳＣＣＭ、ガ
ス圧６．７Ｐａ　　に５ｍＴｏｒｒ）、　フィクロ波パ
ワー８５０Ｗ、高周波バイアス・パワー５０　Ｗ（２Ｍ
Ｈｚ　）の条件テエッチングを行った。これにより、最
終的には上記中間層パターンの下に異方性形状を有する
下層レジスト・パターンが形成された。
このエツチングの過程では、プラズマ中てＨ２Ｓの解離
により生成したＨか、ＮＨ，の解離により生成したＨと
共に下層レジスト層の分子鎖の切断に寄与し、これかＮ
″″でスパッタ除去される機構により下層レジスト層が
選択的に除去されるため、Ｎ　Ｈａを単独で使用する場
合と比べてエツチングが高速化される。また、ＮＨ，を
単独で使用する場合には、上述のような高密度プラズマ
生成型のエツチング装置では異方性加工を行うことは困
難であり、通常は下層レジスト・パターンにアンダカッ
トが入ってしまう。しかし本発明によれば、Ｈ，Ｓ　の
解離により生成したＳがＮＨ，と反応して硫化アンモニ
ウムを生成し、これがパターン側壁部に堆積して側壁保
護膜となるので、異方性加工が実現されるほか、低バイ
アス化も可能となる。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく
、たとえばＮＨ，に対するＨ２Ｓ　の添加量はおおよそ
１０〜５０％の範囲で変化させることができる。また、
イオウを構成元素として含むガスとして硫化炭素等を使
用しても良い。さらに、エッチング・ガスには必要に応
じてＮ２．Ｏ，希ガス等を適宜添加しても良い。
実施例６ 本実施例は、本発明の第４の発明を多結晶シリコンから
なるゲート電極をパターニングするための３層レジスト
・プロセスに適用し、イオウを構成元素として含むガス
としてＨ，Ｓ　を使用した例である。図面による説明は
省略するか、第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）における
シリコン基板（１）を多結晶シリコン層と考えれば良い
。
本実施例のプロセスは、中間層を酸化シリコン層ではな
くＣＶＤ等により約１０００人の層厚に堆積されたアモ
ルファス・シリコン層で構成した他は、前述の実施例５
と同様である。本実施例によっても、下層レジスト層は
極めて良好な異方性形状をもって形成された。
本発明によれば、エッチング・ガスにＣ１系ガスが含ま
れていないため、上述のようにアモルファス・シリコン
を中間層として使用することができる。このようにして
形成された中間層パターンと下層レジスト・パターンと
をマスクとして多結晶シリコンからなるゲート電極をエ
ツチングする場合には、そのエッチング・ガスにより中
間層パターンも同時に除去することが可能なので、中間
層パターンの除去工程を省略できるというメリットか生
ずる。
〔発明の効果〕
以上の説明からも明らかなように、本発明を適用すれば
、多層レジスト層のパターニングを行うためのドライエ
ツチングにおいて、マイクロローディング効果の抑制、
実用的なエツチング速度の達成、高プラズマ密度、低バ
イアス電圧の条件下における異方性加工の実現等が、い
ずれも室温ないしはそれほど低くない低温域において可
能となる。したがって、本発明は極めて微細なデザイン
・ルールにもとづく半導体装置の製造等において特に有
用である。
【図面の簡単な説明】
第１図（Ａ）および第１図（Ｂ）は本発明の第１の発明
を３層レジスト・プロセスに適用した一例をその工程順
にしたかって示す概略断面図であり、第１図（Ａ）は上
層レジスト層のパターニング行程、第１図（Ｂ）は下層
レジスト層のエツチング行程をそれぞれ表す。 第２図（Ａ）および第２図（Ｂ）は本発明の第２の発明
を３層レジスト・プロセスに適用した一例をその工程順
にしたがって示す概略断面図であり、第２図（Ａ）は上
層レジスト層および中間膜のパターニング工程およびＳ
のイオン注入工程、第２図（Ｂ）は下層レジスト層のエ
ツチング工程をそれぞれ表す。 第３図は本発明の第３の発明において使用され、表面に
硫化窒素ポリマー層が形成されたウェハ・クランプによ
りウェハとウェハ設置電極が保持された状態を示す概略
断面図である。 １　　　・・・ ２　　・・・ ２ａ　・・・ ２ｂ　・・・ ３　　・・・ ３ａ　・・・ ４　　・・・ ５．６　　・・・ １１　　・・・ １２　・・・ １３　・・・ １４　・・・ シリコン基板 下層レジスト層 下層レジスト・パターン 高イオウ濃度領域 中間層 中間層パターン 上層レジスト・パターン 側壁保護膜 ウェハ設置電極 ウェハ ウェハ・クランプ 硫化窒素ポリマー層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）ＮＨ＿３とＮ＿２とを含むエッチング・ガスを用
    い、被エッチング基板の温度を５０℃下に制御しながら
    該被エッチング基板上に形成されたレジスト材料層のエ
    ッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法
    。
  2. （２）ＮＨ＿３を含むエッチング・ガスを用い、レジス
    ト材料層の被エッチング領域に予めイオウをイオン注入
    により導入してから該レジスト材料層のエッチングを行
    うことを特徴とするドライエッチング方法。
  3. （３）ＮＨ＿３を含むエッチング・ガスを用い、少なく
    とも表面がイオウを含む材料により構成されたエッチン
    グ装置内部材を被エッチング基板の周辺近傍に配して該
    エッチング基板上に形成されたレジスト材料層のエッチ
    ングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
  4. （４）イオウを構成元素として含むガスとＮＨ＿３とを
    含むエッチング・ガスを用い、被エッチング基板の温度
    を５０℃以下に制御しなから該被エッチング基板上に形
    成されたレジスト材料層のエッチングを行うことを特徴
    とするドライエッチング方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083921A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-09 Tokyo Electron Limited Method of etching

Families Citing this family (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3006048B2 (ja) * 1990-07-27 2000-02-07 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
US5610753A (en) * 1991-12-12 1997-03-11 Eastman Kodak Company Optical design of laser scanner to reduce thermal sensitivity
KR960006822B1 (ko) * 1993-04-15 1996-05-23 삼성전자주식회사 반도체장치의 미세패턴 형성방법
JPH0786244A (ja) * 1993-09-13 1995-03-31 Sony Corp ドライエッチング方法
US6025268A (en) * 1996-06-26 2000-02-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method of etching conductive lines through an etch resistant photoresist mask
KR100249172B1 (ko) * 1996-10-24 2000-03-15 김영환 감광막 식각방법
US6046116A (en) 1997-11-19 2000-04-04 Tegal Corporation Method for minimizing the critical dimension growth of a feature on a semiconductor wafer
US6281135B1 (en) * 1999-08-05 2001-08-28 Axcelis Technologies, Inc. Oxygen free plasma stripping process
US6759337B1 (en) * 1999-12-15 2004-07-06 Lsi Logic Corporation Process for etching a controllable thickness of oxide on an integrated circuit structure on a semiconductor substrate using nitrogen plasma and plasma and an rf bias applied to the substrate
US6893969B2 (en) 2001-02-12 2005-05-17 Lam Research Corporation Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics
US6777344B2 (en) 2001-02-12 2004-08-17 Lam Research Corporation Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications
US6620733B2 (en) 2001-02-12 2003-09-16 Lam Research Corporation Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics
JP2008047822A (ja) * 2006-08-21 2008-02-28 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
US20130298942A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Applied Materials, Inc. Etch remnant removal
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US20160351733A1 (en) 2015-06-01 2016-12-01 International Business Machines Corporation Dry etch method for texturing silicon and device
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5887824A (ja) * 1981-11-20 1983-05-25 Toshiba Corp 微細加工方法
US4552831A (en) * 1984-02-06 1985-11-12 International Business Machines Corporation Fabrication method for controlled via hole process
JPS60170238A (ja) * 1984-02-15 1985-09-03 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ドライエツチング方法
JPS61220432A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Hitachi Ltd エツチング方法
JPS61220433A (ja) * 1985-03-27 1986-09-30 Hitachi Ltd ドライエツチング方法
JPS63216346A (ja) * 1987-03-04 1988-09-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機物のエツチング方法
JPS6432627A (en) * 1987-07-29 1989-02-02 Hitachi Ltd Low-temperature dry etching method
JPH01186622A (ja) * 1988-01-14 1989-07-26 Toshiba Corp ドライエッチング方法
JP2786198B2 (ja) * 1988-05-06 1998-08-13 ソニー株式会社 ドライエッチング方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003083921A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-09 Tokyo Electron Limited Method of etching
US7285498B2 (en) 2002-04-02 2007-10-23 Tokyo Electron Limited Etching method

Also Published As

Publication number Publication date
US5266157A (en) 1993-11-30

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