JPH04142807A - 反射型移相器 - Google Patents
反射型移相器Info
- Publication number
- JPH04142807A JPH04142807A JP26670190A JP26670190A JPH04142807A JP H04142807 A JPH04142807 A JP H04142807A JP 26670190 A JP26670190 A JP 26670190A JP 26670190 A JP26670190 A JP 26670190A JP H04142807 A JPH04142807 A JP H04142807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diodes
- hybrid
- phase shifter
- signal
- circuits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は反射型移相器に関し、特にマイクロ波における
ＰＩＮダイオードで構成された反射型移相器に関する。
ＰＩＮダイオードで構成された反射型移相器に関する。
従来、この種の移相器は第２図に示すように、入力端子
１から入力されるマイクロ波信号は、直流阻止コンデン
サ３を経由して９０°ハイブリツド５で９０°の位相差
を有する２つの信号に２分岐される。この２分岐信号は
それぞれＰＩＮダイオード１０．１１とのインピーダン
ス整合回路６，７および位相調整回路８，９を経由して
ＰＩＮダイオード１０．１１に入力される。
１から入力されるマイクロ波信号は、直流阻止コンデン
サ３を経由して９０°ハイブリツド５で９０°の位相差
を有する２つの信号に２分岐される。この２分岐信号は
それぞれＰＩＮダイオード１０．１１とのインピーダン
ス整合回路６，７および位相調整回路８，９を経由して
ＰＩＮダイオード１０．１１に入力される。
方、ＰＩＮダイオード１０．１１にはバイアス用の直流
電源１７からスイッチ１６、ローパスフィルタである高
周波阻止回路１４、コンデンサ１５を通してバイアスが
印加される。ここでスイッチ１６のオンオフにより第３
図のスミスチャートにつ 示すように、ＰＩＮダイオード単数偶数個するバイアス
のオンオフ時の反射係数１８．２０か得られる。オンと
オフとで１８０°の移相変化が得られる。この反射電力
はそれぞれ位相調整回路８゜つとインピータンス整合回
路６，７を経由して９０°ハイブリツトにおいて、２つ
の信号位相がさらに９０°移相されて出力端子２の方に
合成信号が出力されていた。
電源１７からスイッチ１６、ローパスフィルタである高
周波阻止回路１４、コンデンサ１５を通してバイアスが
印加される。ここでスイッチ１６のオンオフにより第３
図のスミスチャートにつ 示すように、ＰＩＮダイオード単数偶数個するバイアス
のオンオフ時の反射係数１８．２０か得られる。オンと
オフとで１８０°の移相変化が得られる。この反射電力
はそれぞれ位相調整回路８゜つとインピータンス整合回
路６，７を経由して９０°ハイブリツトにおいて、２つ
の信号位相がさらに９０°移相されて出力端子２の方に
合成信号が出力されていた。
上述した従来の反射型移相器は、バイアスのオンオフで
ＰＩＮタイオートの反射係数を変化させ、位相量を得て
いるが、第３図のスミスチャートでオン時のＰＩＮダイ
オードの反射係数１８とオフ時のＰＩＮダイオードの反
射係数２０とを比較すると、点２０では全反射にほぼ近
いのに対し、点１８は反射係数の絶対値が小さいので、
反射型移相器に用いた場合、オン時の通過損失はオフ時
にくらべて大きくなってしまう欠点がある。
ＰＩＮタイオートの反射係数を変化させ、位相量を得て
いるが、第３図のスミスチャートでオン時のＰＩＮダイ
オードの反射係数１８とオフ時のＰＩＮダイオードの反
射係数２０とを比較すると、点２０では全反射にほぼ近
いのに対し、点１８は反射係数の絶対値が小さいので、
反射型移相器に用いた場合、オン時の通過損失はオフ時
にくらべて大きくなってしまう欠点がある。
また単数個のダイオードて信号波をほぼ全反射させて使
用するため、大きなパワーの信号を入れたときに信号波
がひすむ可能性がある欠点も有する。
用するため、大きなパワーの信号を入れたときに信号波
がひすむ可能性がある欠点も有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の反射型移相器はマイクロ波信号を入力し９０度
位相差のある２つの信号に分岐する９０°ハイブリツト
と、この２つの信号をそれぞれマイクロストリップライ
ンで構成されな２系統のインピーダンス整合回路ならび
に位相調整回路を通して各半導体ダイオードに入力し、
前記半導体ダイオードに印加されるバイアス電圧をオン
オフすることによりマイクロ波信号を反射させて所定の
移相量を生成する反射型移相器において、前記半導体ダ
イオードを少なくとも各系統に複数個並列に接続してい
る。
位相差のある２つの信号に分岐する９０°ハイブリツト
と、この２つの信号をそれぞれマイクロストリップライ
ンで構成されな２系統のインピーダンス整合回路ならび
に位相調整回路を通して各半導体ダイオードに入力し、
前記半導体ダイオードに印加されるバイアス電圧をオン
オフすることによりマイクロ波信号を反射させて所定の
移相量を生成する反射型移相器において、前記半導体ダ
イオードを少なくとも各系統に複数個並列に接続してい
る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。第１図にお
いて、第２図の従来例と同一の符号は同一の構成と機能
を有する。９０°ハイブリツト５は、インピーダンス整
合回路６，７、および位相調整回路８，９のストリップ
ラインを介し、複数個のＰＩＮダイオード１．０，１１
，１．２．１３に接続している。また、直流阻止コンデ
ンサ３゜４、高周波阻止回路１４、コンデンサ１５から
なるローパスフィルター、ダイオードをオンオフするス
イッチ１６、直流電源１７Ｇ＝よりバイアス回路を構成
する。入力端子１から入力されたマイクロ波信号は、９
０°ハイブリツド５を通り、タイオード１０．１１及び
１．２．１３で反射されて再び９０°ハイフリツト５を
通って出力端子２に出力される。
いて、第２図の従来例と同一の符号は同一の構成と機能
を有する。９０°ハイブリツト５は、インピーダンス整
合回路６，７、および位相調整回路８，９のストリップ
ラインを介し、複数個のＰＩＮダイオード１．０，１１
，１．２．１３に接続している。また、直流阻止コンデ
ンサ３゜４、高周波阻止回路１４、コンデンサ１５から
なるローパスフィルター、ダイオードをオンオフするス
イッチ１６、直流電源１７Ｇ＝よりバイアス回路を構成
する。入力端子１から入力されたマイクロ波信号は、９
０°ハイブリツド５を通り、タイオード１０．１１及び
１．２．１３で反射されて再び９０°ハイフリツト５を
通って出力端子２に出力される。
ここで本発明の複数個のＰＩＮダイオードの動作を第３
図により説明する。ダイオード単体のときの反射係数は
バイアスオフ時で点２０にあり、オン時には点１８に移
動する。点１８は反射係数の絶対値が小さいので、反射
量が少なくなってしまうので、タイオードを複数個並列
に接続するとオフ時の点２０は点２１へ移動し、オン時
の点１８は点１９へ移動する。点２０と点２１の反射係
数の絶対値は、はぼ変化しないのに対し、点１８の絶対
値は大きくなり点１つとなる。これによってオン時の反
射量を大きくすることができるので、オン時の挿入損失
を少なくすることかできる。
図により説明する。ダイオード単体のときの反射係数は
バイアスオフ時で点２０にあり、オン時には点１８に移
動する。点１８は反射係数の絶対値が小さいので、反射
量が少なくなってしまうので、タイオードを複数個並列
に接続するとオフ時の点２０は点２１へ移動し、オン時
の点１８は点１９へ移動する。点２０と点２１の反射係
数の絶対値は、はぼ変化しないのに対し、点１８の絶対
値は大きくなり点１つとなる。これによってオン時の反
射量を大きくすることができるので、オン時の挿入損失
を少なくすることかできる。
以上説明したように本発明はＰＩＮダイオードを複数個
並列に接続することにより、バイアス電圧をオンとした
時の反射係数を大きくすることにより、挿入損失を低減
できる効果を有する。また大きなパワーの信号に対して
ひずみを生じにくくする効果もある。
並列に接続することにより、バイアス電圧をオンとした
時の反射係数を大きくすることにより、挿入損失を低減
できる効果を有する。また大きなパワーの信号に対して
ひずみを生じにくくする効果もある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は従来の反
射型移相器の回路図、第３図は本実施例および従来例の
Ｐ工Ｎダイオードの反射係数を比較するスミスチャート
による特性図である。 １・・・入力端子、２・・・出力端子、３．４・・・コ
ンアンサ、５・・・９０°ハイブリツド、６．７・・・
インピーダンス整合回路、８，９・・・位相調整回路、
１０コ− ３・・・Ｐ ＩＮダイオード、 ］ ５・・・高周波阻止回路、 ６・・・スイッチ回路、 ］ ７・・直流電源。
射型移相器の回路図、第３図は本実施例および従来例の
Ｐ工Ｎダイオードの反射係数を比較するスミスチャート
による特性図である。 １・・・入力端子、２・・・出力端子、３．４・・・コ
ンアンサ、５・・・９０°ハイブリツド、６．７・・・
インピーダンス整合回路、８，９・・・位相調整回路、
１０コ− ３・・・Ｐ ＩＮダイオード、 ］ ５・・・高周波阻止回路、 ６・・・スイッチ回路、 ］ ７・・直流電源。
Claims (2)
- １．マイクロ波信号を入力し９０度位相差のある２つの
信号に分岐する９０゜ハイブリッドと、この２つの信号
をそれぞれマイクロストリップラインで構成された２系
統のインピーダンス整合回路ならびに位相調整回路を通
して各半導体ダイオードに入力し、前記半導体ダイオー
ドに印加されるバイアス電圧をオンオフすることにより
マイクロ波信号を反射させて所定の移相量を生成する反
射型移相器において、前記半導体ダイオードを少なくと
も各系統に複数個並列に接続することを特徴とする反射
型移相器。 - ２．前記半導体ダイオードがＰＩＮダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１記載の反射型移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26670190A JPH04142807A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 反射型移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26670190A JPH04142807A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 反射型移相器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04142807A true JPH04142807A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17434484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26670190A Pending JPH04142807A (ja) | 1990-10-04 | 1990-10-04 | 反射型移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04142807A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218102A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリツドカツプ形ダイオード移相器 |
-
1990
- 1990-10-04 JP JP26670190A patent/JPH04142807A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218102A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-31 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリツドカツプ形ダイオード移相器 |
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