JP3143902B2 - Ｐｉｎダイオード移相器 - Google Patents
Ｐｉｎダイオード移相器Info
- Publication number
- JP3143902B2 JP3143902B2 JP01276847A JP27684789A JP3143902B2 JP 3143902 B2 JP3143902 B2 JP 3143902B2 JP 01276847 A JP01276847 A JP 01276847A JP 27684789 A JP27684789 A JP 27684789A JP 3143902 B2 JP3143902 B2 JP 3143902B2
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- JP
- Japan
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- pin diode
- bias current
- phase shifter
- reflection coefficient
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Links
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はPINダイオード移相器に関し、特に90゜ハイ
ブリッド回路とPINダイオードで構成される反射型のPIN
ダイオード移相器に関する。
ブリッド回路とPINダイオードで構成される反射型のPIN
ダイオード移相器に関する。
従来のPINダイオード移相器は、第２図の従来のPINダ
イオード移相器の一例を示すブロック図のように、入力
端子１、出力端子２、インピーダンス整合回路３および
４、位相調整回路５および６、PINダイオード７および
８、直流阻止コンデンサ９および10、90゜ハイブリッド
回路11、バイアス電源12、スイッチ回路13、高周波阻止
回路15を有している。
イオード移相器の一例を示すブロック図のように、入力
端子１、出力端子２、インピーダンス整合回路３および
４、位相調整回路５および６、PINダイオード７および
８、直流阻止コンデンサ９および10、90゜ハイブリッド
回路11、バイアス電源12、スイッチ回路13、高周波阻止
回路15を有している。
入力端子１に入力する信号は、直流阻止コンデンサ９
を介して90゜ハイブリッド回路11に供給され、互いに90
゜位相を異にする２つの信号として出力される。この２
つの信号は、それぞれインピーダンス整合回路3,4およ
び位相調整回路5,6を経てPINダイオード7,8に印加され
てそれぞれ反射し、再び90゜ハイブリッド回路11を経
て、直流阻止コンデンサ10を介して出力端子２へ出力す
る。スイッチ回路13をONにすると、バイアス電流がバイ
アス電源12から高周波阻止回路15を介してPINダイオー
ド7,8へ印加される。従って、スイッチ回路13をON,OFF
してPINダイオード7,8に印加するバイアス電流をON,OFF
すれば、PINダイオードのインピーダンスがバイアス電
流に応じて変化し、反射係数が変化して反射波に位相差
が生じ所定の通過移相量が得られる。
を介して90゜ハイブリッド回路11に供給され、互いに90
゜位相を異にする２つの信号として出力される。この２
つの信号は、それぞれインピーダンス整合回路3,4およ
び位相調整回路5,6を経てPINダイオード7,8に印加され
てそれぞれ反射し、再び90゜ハイブリッド回路11を経
て、直流阻止コンデンサ10を介して出力端子２へ出力す
る。スイッチ回路13をONにすると、バイアス電流がバイ
アス電源12から高周波阻止回路15を介してPINダイオー
ド7,8へ印加される。従って、スイッチ回路13をON,OFF
してPINダイオード7,8に印加するバイアス電流をON,OFF
すれば、PINダイオードのインピーダンスがバイアス電
流に応じて変化し、反射係数が変化して反射波に位相差
が生じ所定の通過移相量が得られる。
上述した従来のPINダイオード移相器は、PINダイオー
ドへ供給するバイアス電流をON,OFFすることによってPI
Nダイオードの反射係数を変化させて所定の通過移相量
を得ているが、バイアス電流がON状態のときのPINダイ
オードの反射係数と、OFF状態のときのPINダイオードの
反射係数とが異なるために、ON状態とOFF状態での通過
損失に差が生じるという欠点がある。
ドへ供給するバイアス電流をON,OFFすることによってPI
Nダイオードの反射係数を変化させて所定の通過移相量
を得ているが、バイアス電流がON状態のときのPINダイ
オードの反射係数と、OFF状態のときのPINダイオードの
反射係数とが異なるために、ON状態とOFF状態での通過
損失に差が生じるという欠点がある。
第３図はPINダイオードの反射係数の一例を示すスミ
スチャートであり、Ａ点はバイアス電流がON状態のとき
とPINダイオードのインピーダンス、Ｂ点はバイアス電
流がOFF状態のときのPINダイオードのインピーダンスを
示している。Ａ点を通る円で示される反射係数は、Ｂ点
を通る円で示される反射係数よりも小さいので、PINダ
イオードを反射型の移相器に使用した場合は、バイアス
電流ON状態のときの通過損失がバイアス電流がOFF状態
のときの通過損失よりも大きくなりON状態とOFF状態で
の通過損失に差が生じる。
スチャートであり、Ａ点はバイアス電流がON状態のとき
とPINダイオードのインピーダンス、Ｂ点はバイアス電
流がOFF状態のときのPINダイオードのインピーダンスを
示している。Ａ点を通る円で示される反射係数は、Ｂ点
を通る円で示される反射係数よりも小さいので、PINダ
イオードを反射型の移相器に使用した場合は、バイアス
電流ON状態のときの通過損失がバイアス電流がOFF状態
のときの通過損失よりも大きくなりON状態とOFF状態で
の通過損失に差が生じる。
本発明の目的は、バイアス電流がON状態のときとOFF
状態のときの通過損失を等しくできるPINダイオード移
相器を提供することにある。
状態のときの通過損失を等しくできるPINダイオード移
相器を提供することにある。
本発明のPINダイオード移相器は、PINダイオードに印
加するバイアス電流をスイッチにてON状態、OFF状態に
して位相差を得るPINダイオード移相器において、 前記スイッチの両端に接続され、前記スイッチがOFF
時に微小バイアス電流を前記PINダイオードに供給する
バイアス調整回路を有し、 前記バイアス調整回路は、前記バイアス電流がOFF状
態のときの前記PINダイオードの反射係数が、前記バイ
アス電流がON状態のときの前記PINダイオードの反射係
数の絶対値と等しくなるように前記微小バイアス電流を
調整されることを特徴とする。
加するバイアス電流をスイッチにてON状態、OFF状態に
して位相差を得るPINダイオード移相器において、 前記スイッチの両端に接続され、前記スイッチがOFF
時に微小バイアス電流を前記PINダイオードに供給する
バイアス調整回路を有し、 前記バイアス調整回路は、前記バイアス電流がOFF状
態のときの前記PINダイオードの反射係数が、前記バイ
アス電流がON状態のときの前記PINダイオードの反射係
数の絶対値と等しくなるように前記微小バイアス電流を
調整されることを特徴とする。
次に図面を参照して本発明を説明する。
本発明の一実施例を示す第１図を参照すると、入力端
子１、出力端子２、インピーダンス整合回路３および
４、位相調整回路５および６、PINダイオード７および
８、直流阻止コンデンサ９および10、90゜ハイブリッド
回路11、バイアス電源12、スイッチ回路13、バイアス調
整回路14、高周波阻止回路15を有している。
子１、出力端子２、インピーダンス整合回路３および
４、位相調整回路５および６、PINダイオード７および
８、直流阻止コンデンサ９および10、90゜ハイブリッド
回路11、バイアス電源12、スイッチ回路13、バイアス調
整回路14、高周波阻止回路15を有している。
同図と、従来のPINダイオード移相器の一例を示す第
２図との相違点は、バイアス調整回路14が付加されてい
ることである。バイアス調整回路14は、スイッチ回路13
がOFFのときにバイアス電源12からPINダイオードへ供給
するバイアス電流を調整するためのものであり、第３図
に示すスミスチャートでこれの動作を説明する。Ａ点
は、スイッチ回路13がONとなっているときのPINダイオ
ードのインピーダンスを示している。Ｂ点は、バイアス
調整回路14が付加されていない場合においてスイッチ回
路13がOFFとなったときのPINダイオードのインピーダン
スを示している。Ｂ′点は、バイアス調整回路14が付加
された場合においてスイッチ回路13がOFFとなったとき
のPINダイオードのインピーダンスを示している。すな
わち、微小バイアス電流をPINダイオードに流すことに
よって、PINダイオードのインピーダンスがＢ点から
Ｂ′点に移動する。この場合、Ｂ′点を通る円の半径で
示される反射係数の絶対値と、Ｂ点を通る円の半径で示
される反射係数の絶対値とが一致するように微小バイア
ス電流を調整する。このようにすることによって、PIN
ダイオード移相器の通過損失は、スイッチ回路13がONと
なっているときと、スイッチ回路13がOFFとなっている
ときとを等しくすることができる。
２図との相違点は、バイアス調整回路14が付加されてい
ることである。バイアス調整回路14は、スイッチ回路13
がOFFのときにバイアス電源12からPINダイオードへ供給
するバイアス電流を調整するためのものであり、第３図
に示すスミスチャートでこれの動作を説明する。Ａ点
は、スイッチ回路13がONとなっているときのPINダイオ
ードのインピーダンスを示している。Ｂ点は、バイアス
調整回路14が付加されていない場合においてスイッチ回
路13がOFFとなったときのPINダイオードのインピーダン
スを示している。Ｂ′点は、バイアス調整回路14が付加
された場合においてスイッチ回路13がOFFとなったとき
のPINダイオードのインピーダンスを示している。すな
わち、微小バイアス電流をPINダイオードに流すことに
よって、PINダイオードのインピーダンスがＢ点から
Ｂ′点に移動する。この場合、Ｂ′点を通る円の半径で
示される反射係数の絶対値と、Ｂ点を通る円の半径で示
される反射係数の絶対値とが一致するように微小バイア
ス電流を調整する。このようにすることによって、PIN
ダイオード移相器の通過損失は、スイッチ回路13がONと
なっているときと、スイッチ回路13がOFFとなっている
ときとを等しくすることができる。
以上説明したように本発明は、PINダイオードへ供給
するバイアス電流がOFF状態となっているときに微小な
バイアス電流を流すことによって、バイアス電流がON状
態のときと、OFF状態のときのPINダイオードの反射係数
の絶対値を等しくすることができるので、通過損失も等
しくすることができるという効果がある。
するバイアス電流がOFF状態となっているときに微小な
バイアス電流を流すことによって、バイアス電流がON状
態のときと、OFF状態のときのPINダイオードの反射係数
の絶対値を等しくすることができるので、通過損失も等
しくすることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
従来のPINダイオード移相器の一例を示すブロック図、
第３図はPINダイオードの反射係数の一例を示すスミス
チャートである。 １……入力端子、２……出力端子、3,4……インピーダ
ンス整合回路、5,6……位相調整回路、7,8……PINダイ
オード、9,10……直流阻止コンデンサ、11……90゜ハイ
ブリッド回路、12……バイアス電源、13……スイッチ回
路、14……バイアス調整回路、15……高周波阻止回路。
従来のPINダイオード移相器の一例を示すブロック図、
第３図はPINダイオードの反射係数の一例を示すスミス
チャートである。 １……入力端子、２……出力端子、3,4……インピーダ
ンス整合回路、5,6……位相調整回路、7,8……PINダイ
オード、9,10……直流阻止コンデンサ、11……90゜ハイ
ブリッド回路、12……バイアス電源、13……スイッチ回
路、14……バイアス調整回路、15……高周波阻止回路。
Claims (1)
- 【請求項１】PINダイオードに印加するバイアス電流を
スイッチにてON状態、OFF状態にして位相差を得るPINダ
イオード移相器において、 前記スイッチの両端に接続され、前記スイッチがOFF時
に微小バイアス電流を前記PINダイオードに供給するバ
イアス調整回路を有し、 前記バイアス調整回路は、前記バイアス電流がOFF状態
のときの前記PINダイオードの反射係数が、前記バイア
ス電流がON状態のときの前記PINダイオードの反射係数
の絶対値と等しくなるように前記微小バイアス電流を調
整されることを特徴とするPINダイオード移相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01276847A JP3143902B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | Ｐｉｎダイオード移相器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01276847A JP3143902B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | Ｐｉｎダイオード移相器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136501A JPH03136501A (ja) | 1991-06-11 |
| JP3143902B2 true JP3143902B2 (ja) | 2001-03-07 |
Family
ID=17575237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01276847A Expired - Fee Related JP3143902B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | Ｐｉｎダイオード移相器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3143902B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539535A (en) | 1983-08-12 | 1985-09-03 | Westinghouse Electric Corp. | Four port phase shifter |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP01276847A patent/JP3143902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539535A (en) | 1983-08-12 | 1985-09-03 | Westinghouse Electric Corp. | Four port phase shifter |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｏｓｅｐｈ Ｆ．Ｗｈｉｔｅ著，「マイクロ波半導体応用工学」，初版，ＣＱ出版株式会社，昭和６０年１２月１日，ｐ．７８−８３ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03136501A (ja) | 1991-06-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |