JPH02189001A - Ｐｉｎダイオードスイッチ - Google Patents
ＰｉｎダイオードスイッチInfo
- Publication number
- JPH02189001A JPH02189001A JP920189A JP920189A JPH02189001A JP H02189001 A JPH02189001 A JP H02189001A JP 920189 A JP920189 A JP 920189A JP 920189 A JP920189 A JP 920189A JP H02189001 A JPH02189001 A JP H02189001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transmission
- impedance
- characteristic impedance
- pin diode
- transmission line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明はマイクロ波周波数帯で使用されるスイッチに関
し、特にＰＩＮダイオードを用いたスイッチに関する。
し、特にＰＩＮダイオードを用いたスイッチに関する。
従来、この種のＰＩＮダイオードスイッチは、第２図に
示す様に、伝送線路２の途中にＰＩＮダイオード１を並
列接続し、このＰＩＮ；”イ、ｉ−ド１をインダクタン
スＬ、キャパシタンスＣからなるフィルタ６を介して制
御電圧端子７に接続した構成となっている。
示す様に、伝送線路２の途中にＰＩＮダイオード１を並
列接続し、このＰＩＮ；”イ、ｉ−ド１をインダクタン
スＬ、キャパシタンスＣからなるフィルタ６を介して制
御電圧端子７に接続した構成となっている。
この構成では、制御電圧端子７に制御電圧を印加するこ
とでＰＩＮダイオード１をオン、オフ制御し、これによ
り伝送線路２を伝送される高周波信号の通過、遮断を行
っている。
とでＰＩＮダイオード１をオン、オフ制御し、これによ
り伝送線路２を伝送される高周波信号の通過、遮断を行
っている。
ところで、伝送線路２を伝送される高周波信号の伝送損
失は伝送線路２の特性インピーダンスに影響を受けるこ
とが知られている。上述した従来のＰＩＮダイオードス
イッチでは、ＰＩＮダイオード１を伝送線路２の途中に
接続しているため、この部分で伝送線路２の特性インピ
ーダンスが増大され易い、したがってＰＩＮダイオード
ｌによる遮断減衰量が少なくてよい場合でも、伝送損失
が大きくなるという問題がある。
失は伝送線路２の特性インピーダンスに影響を受けるこ
とが知られている。上述した従来のＰＩＮダイオードス
イッチでは、ＰＩＮダイオード１を伝送線路２の途中に
接続しているため、この部分で伝送線路２の特性インピ
ーダンスが増大され易い、したがってＰＩＮダイオード
ｌによる遮断減衰量が少なくてよい場合でも、伝送損失
が大きくなるという問題がある。
本発明はＰＩＮダイオードを接続した場合でも、伝送線
路における特性インピーダンスの増大を抑制して、伝送
損失を防止したＰｌ、Ｎダイオードスイッチを提供する
ことを目的とする。
路における特性インピーダンスの増大を抑制して、伝送
損失を防止したＰｌ、Ｎダイオードスイッチを提供する
ことを目的とする。
本発明のＰＩＮダイオードスイッチは、本来の特性イン
ピーダンスに設定した伝送部と、これよりも低い特性イ
ンピーダンスに設定した低インピーダンス伝送部と、こ
れら両伝送部をマツチングさせる１７４波長インピーダ
ンス変換部とで伝送線路を構成し、かつこの低インピー
ダンス伝送部にＰＩＮダイオードを接続してオン、オフ
制御し得るように構成している。
ピーダンスに設定した伝送部と、これよりも低い特性イ
ンピーダンスに設定した低インピーダンス伝送部と、こ
れら両伝送部をマツチングさせる１７４波長インピーダ
ンス変換部とで伝送線路を構成し、かつこの低インピー
ダンス伝送部にＰＩＮダイオードを接続してオン、オフ
制御し得るように構成している。
上述した構成では、ＰＩＮダイオードの接続により伝送
線路のインピーダンスが増大しても、この部分の特性イ
ンピーダンスを本来の特性インピーダンスよりも低く設
定しているため、その特性インピーダンスが本来の値以
上にまで増大することはなく、特性インピーダンスの増
大に伴う伝送損失を抑制する。
線路のインピーダンスが増大しても、この部分の特性イ
ンピーダンスを本来の特性インピーダンスよりも低く設
定しているため、その特性インピーダンスが本来の値以
上にまで増大することはなく、特性インピーダンスの増
大に伴う伝送損失を抑制する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図である。図において
、ｌはＰＩＮダイオードであり、入力端子ＩＮと出力端
子ＯＵＴの間に接続した２本の伝送線路２の途中に並列
に接続している。前記伝送線路２は、伝送線路の本来の
特性インピーダンスに設定した伝送部３と、その特性イ
ンピーダンスが本来の特性インピーダンスよりも低くな
るように設定した低インピーダンス伝送部４と、これら
伝送部３．４の間に配設して両者の特性インピーダンス
をマツチングさせる１７４波長インピーダンス変換部５
とで構成している。
、ｌはＰＩＮダイオードであり、入力端子ＩＮと出力端
子ＯＵＴの間に接続した２本の伝送線路２の途中に並列
に接続している。前記伝送線路２は、伝送線路の本来の
特性インピーダンスに設定した伝送部３と、その特性イ
ンピーダンスが本来の特性インピーダンスよりも低くな
るように設定した低インピーダンス伝送部４と、これら
伝送部３．４の間に配設して両者の特性インピーダンス
をマツチングさせる１７４波長インピーダンス変換部５
とで構成している。
そして、２本の伝送線路２を、各低インピーダンス伝送
部４が対向するようにして直列接続し、この接続点に前
記ＰＩＮダイオード１を並列接続している。このＰＩＮ
ダイオード１には、インダクタンスし、キャパシタンス
Ｃからなるフィルタ６を介して制御電圧端子７を接続し
、ＰＩＮダイオード１に制御電圧を印加し得るように構
成している。
部４が対向するようにして直列接続し、この接続点に前
記ＰＩＮダイオード１を並列接続している。このＰＩＮ
ダイオード１には、インダクタンスし、キャパシタンス
Ｃからなるフィルタ６を介して制御電圧端子７を接続し
、ＰＩＮダイオード１に制御電圧を印加し得るように構
成している。
この構成によれば、制御電圧端子７に印加する電圧を制
御することで、ＰＭＮダイオードｌのバイアスを制御し
、伝送線路２を伝送される高周波信号を通過、遮断する
ことが可能となる。また、伝送線路２を伝送される高周
波信号は、ＰＩＮダイオード１を接続した低インピーダ
ンス伝送部４の特性インピーダンスが低くされていても
、この低インピーダンス伝送部４は１７４波長インピー
ダンス変換部５によって本来の特性インピーダンスの伝
送部３に接続されているため、入力端子ＩＮ。
御することで、ＰＭＮダイオードｌのバイアスを制御し
、伝送線路２を伝送される高周波信号を通過、遮断する
ことが可能となる。また、伝送線路２を伝送される高周
波信号は、ＰＩＮダイオード１を接続した低インピーダ
ンス伝送部４の特性インピーダンスが低くされていても
、この低インピーダンス伝送部４は１７４波長インピー
ダンス変換部５によって本来の特性インピーダンスの伝
送部３に接続されているため、入力端子ＩＮ。
出力端子ＯＵＴ間では本来の特性インピーダンスでの伝
送が行われることになる。
送が行われることになる。
そして、伝送線路２においては、ＰＩＮダイオードｌの
接続点、つまり低インピーダンス伝送部４の特性インピ
ーダンスを本来の特性インピーダンスよりも低くしてい
るため、ＰＩＮダイオードｌを接続したことによって特
性インピーダンスが増大された場合でも、その増大値を
本来の特性インピーダンス以下に抑制することができる
。したがって、特性インピーダンスの増大に伴う伝送損
失を回避することが可能となる。
接続点、つまり低インピーダンス伝送部４の特性インピ
ーダンスを本来の特性インピーダンスよりも低くしてい
るため、ＰＩＮダイオードｌを接続したことによって特
性インピーダンスが増大された場合でも、その増大値を
本来の特性インピーダンス以下に抑制することができる
。したがって、特性インピーダンスの増大に伴う伝送損
失を回避することが可能となる。
以上説明したように本発明は、伝送線路の一部に本来の
特性インピーダンスよりも低い値に設定した低インピー
ダンス伝送部を設け、この部分にＰＩＮダイオードを接
続しているので、ＰＩＮダイオードの接続により伝送線
路のインピーダンスが増大しても、この特性インピーダ
ンスが本来の値以上にまで増大することが防止でき、特
性インピーダンスの増大に伴う伝送信号の伝送損失を抑
制できる効果がある。
特性インピーダンスよりも低い値に設定した低インピー
ダンス伝送部を設け、この部分にＰＩＮダイオードを接
続しているので、ＰＩＮダイオードの接続により伝送線
路のインピーダンスが増大しても、この特性インピーダ
ンスが本来の値以上にまで増大することが防止でき、特
性インピーダンスの増大に伴う伝送信号の伝送損失を抑
制できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は従来のＰ
ＩＮダイオードスイッチの一例の回路図である。 １・・・ＰＩＮダイオード、２・・・伝送線路、３・・
・（本来の特性インピーダンスの）伝送部、４・・・低
インピーダンス伝送部、５・・・１７４波長インピーダ
ンス変換部、６・・・フィルタ、７・・・制御電圧端子
、ＩＮ・・・入力端子、ＯＵＴ・・・出力端子、Ｌ・・
・インダクタンス、Ｃ・・・キャパシタンス。 第２
ＩＮダイオードスイッチの一例の回路図である。 １・・・ＰＩＮダイオード、２・・・伝送線路、３・・
・（本来の特性インピーダンスの）伝送部、４・・・低
インピーダンス伝送部、５・・・１７４波長インピーダ
ンス変換部、６・・・フィルタ、７・・・制御電圧端子
、ＩＮ・・・入力端子、ＯＵＴ・・・出力端子、Ｌ・・
・インダクタンス、Ｃ・・・キャパシタンス。 第２
Claims (1)
- １． 伝送線路の途中にＰＩＮダイオードを接続し、こ
のＰＩＮダイオードをオン，オフ制御して前記伝送線路
を伝送される高周波信号の通過，遮断を制御するＰＩＮ
ダイオードスイッチにおいて、前記伝送線路は、本来の
特性インピーダンスに設定した伝送部と、これよりも低
い特性インピーダンスに設定した低インピーダンス伝送
部と、これら両伝送部をマッチングさせる１／４波長イ
ンピーダンス変換部とで構成し、前記低インピーダンス
伝送部に前記ＰＩＮダイオードを接続したことを特徴と
するＰＩＮダイオードスイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP920189A JPH02189001A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｐｉｎダイオードスイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP920189A JPH02189001A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｐｉｎダイオードスイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02189001A true JPH02189001A (ja) | 1990-07-25 |
Family
ID=11713873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP920189A Pending JPH02189001A (ja) | 1989-01-18 | 1989-01-18 | Ｐｉｎダイオードスイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02189001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
| WO2001073885A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Rf switch |
| JP2010074731A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Japan Radio Co Ltd | 高周波半導体スイッチ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356801B2 (ja) * | 1982-10-02 | 1988-11-09 | Zaapa Ind Inc |
-
1989
- 1989-01-18 JP JP920189A patent/JPH02189001A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6356801B2 (ja) * | 1982-10-02 | 1988-11-09 | Zaapa Ind Inc |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001022523A1 (fr) * | 1999-09-21 | 2001-03-29 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Circuit de commutation haute frequence |
| WO2001073885A1 (en) * | 2000-03-27 | 2001-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Rf switch |
| US7123884B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-10-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | RF switch |
| JP2010074731A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Japan Radio Co Ltd | 高周波半導体スイッチ |
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