JPH04143607A - 水平位置検出装置 - Google Patents

水平位置検出装置

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JPH04143607A
JPH04143607A JP2267930A JP26793090A JPH04143607A JP H04143607 A JPH04143607 A JP H04143607A JP 2267930 A JP2267930 A JP 2267930A JP 26793090 A JP26793090 A JP 26793090A JP H04143607 A JPH04143607 A JP H04143607A
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JP
Japan
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light
irradiation
objective lens
optical system
receiving element
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JP2267930A
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English (en)
Inventor
Hideo Mizutani
英夫 水谷
Naoyuki Kobayashi
直行 小林
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明対物レンズの光軸に対してウェハ面や被検物体面
を垂直位置に正確に設定するための基準位置検出装置、
特に傾斜検出装置に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に集積回路製造用の縮小投影露光装置には大きな開
口数(N、 A、 ’)を有する投影対物レンズが用い
られているため、許容焦点範囲か極めて小さい。
このため、ウェハの露光領域を投影対物レンズの光軸に
対して正確な垂直位置に維持しない限り、露光領域全体
にわたって鮮明なパターンの露光を行うことができない
。ウェハ全体は別途に設けられたオートフォーカス機構
によりウェハ面上の3点の検出によって対物レンズの光
軸に対してほぼ垂直に位置合わせされ得るが、ウェハの
大型化やシリコンに代わるガリウム ヒ素等の新素材料
ではウェハ自体の平面性が不安定になるため、ウェハの
部分的な傾斜状態の検出が必要となる。そして、複数回
の露光及び化学処理によりさらにウェハの変形か増大さ
れるため、特に露光領域の正確な傾斜状態の検出が必要
となっていている。
このように、露光領域の正確な傾斜検出することが不可
欠となっているが、かかる露光領域の傾斜を検出する装
置としては、例えば本発明と同一出願人により特開昭5
8−113706号公報において第9図に示す如きコリ
メータ型の傾斜検出装置を提案した。
この装置を具体的に説明すると、第9図に示す如く、投
影対物レンズlに関してレチクル2とウェハ3とが共役
に維持され、図示なき照明光学系により照明されたレチ
クル2上のパターンがウェハ3上に縮小投影される。
一方、投影対物レンズlの光軸に関して対称に照射光学
系10と集光光学系20とが配置されている。
上記露光光とは別波長の光束を供給する照射光学系10
の光源11からの光束はコンデンサーレンズ12により
絞り13の開口部上に集光され、この絞り13上に焦点
を有する照射対物レンズ17により平行光束かウェハ3
上に導かれる。そして、ウェハ3を反射した平行光束は
、集光対物レンズ21により集光され、これの焦点位置
に設けられた4分割受光素子22上で受光される。すな
わち、この4分割受光素子22上では、照射光学系中の
絞り13の像が検出される。
この集光光は、ウェハ3上の露光領域が垂直に保たれて
いる時には、4分割受光素子22の中心で受光され、ウ
ェハ3上の露光領域が垂直面からψだけ傾いている時に
は、ウェハ3で反射される平行光束は、集光光学系20
の光軸20aに対し2ψ傾く。
従って、受光素子22上での集光点位置によりウェハ3
上の露光領域の傾斜を検出し、制御手段31で受光素子
22上での集光7東Φ変位方向及び量に対応する制御信
号を発生し、駆動手段32により支持装置33を移動さ
せて、ウェハの露光表面の傾斜を補正している。
〔発明が解決しようとする課題〕
所定のパターンが形成されているウェハ上に別のパター
ンを重ね焼きする際に、所定のパターンか形成されてい
るウェハ3の露光領域の傾斜状態を検出しようとすると
、このウェハ上のパターンにより照射対物レンズ14か
らの平行光束は回折されて、受光素子22上には、ウェ
ハからの正反射光(0次回先光)による照射光学系中の
絞り13の像か検出されるのみならず、±1.±2−一
一一・±nn次回先光より絞り13の回折像も同時に検
出される。
例えば、第1O図の(b)に示す如き規則的な凹凸形状
の格子状パターンが形成されたウェハの露光領域が水平
に維持されている場合には、第11図の1))に示す如
く、受光素子22上での回折光強度は左右対称な分布と
なる。そして、この受光素子22はこれの中心位置でこ
の回折光強度の光重心位置を検出できるため、第12図
の(blの点線で示す如く、実際に水平な面を平均面と
して検出することができる。
しかしながら、第10図の(alに示す如き規則的な鋸
状の格子(ブレーズ格子)のパターンが形成されたウェ
ハの露光領域か水平に維持されている場合には、第11
図の(a)に示す如く、受光素子22上での回折光強度
は非対称な分布となり、光重心位置は中心から右側へず
れることになる。従って、この受光素子22は、これの
中心から右側へずれた光重心位置分だけウェハ面の露光
領域か傾斜していると誤検出するため、このずれ分か零
となるように支持装置33によってウェハ面か傾けられ
る。この結果、第12図の(blの点線で示す如く、実
際に傾斜した面を正しい水平な平均面として検出してい
まう。
このように、従来の装置では、非対称な回折光強度分布
となるようなパターンを持つウェハ面上の露光領域の傾
斜検出には全く対応ができない問題かある。
そこで、前述の特開昭58−113706号公報には、
第9図に示した構成に加えて、4分割受光素子22をリ
レーするリレーレンズと、集光光学系21の焦点位置に
微小開口部を有する絞りとを配置することにより、ウェ
ハ上の被検面領域からの不要な回折光は、集光光学系2
1を通過した後、この絞りで除去されるため高精度な検
出が実現できる。
しかしなから、この絞りの微小開口部を通過したウェハ
3からの正反射光(0次光)を検出光として取り出して
いるため、受光素子22上で多くの光量か得られないた
め、より安定した高精度な検出か達成できない問題かあ
る。
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、受光
素子上での検出光量を格段に向上させることにより、S
/N比をより向上させて、極めて優れた検出精度を達成
し得る傾斜検出装置を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、上記の目的を達成するために、第1図に示す
如く、互いに直交した2方向に方向性を持つパターンが
形成された被検面上の所定の領域を所定の共役関係に形
成するための主対物レンズ1と、該主対物レンズの光軸
1a外から前記被検面上へ平行光束を供給するための光
源11と照射対物レンズ18とを有する照射光学系10
と、該照射光学系10から供給され前記被検面上で反射
される光束を受光素子22上で集光させるための集光対
物レンズ21を有する集光光学系20とを設けるととも
に、前記照射光学系lO中に前記受光素子22とほぼ共
役なる位置に所定形状の開口部13を有する絞りを設す
、前記両光学系の光軸10a、 20aを前記主対物レ
ンズの光軸1aに関して対称に配置し、前記受光素子2
2の出力信号に基づいて前記被検面上の共役領域の水平
位置を検出する水平位置検出装置において、 前記照射光学系の光軸10aと前記主対物レンズの光軸
1aとを含む平面と前記被検面の共役領域とが交わる被
検面上での照射方向が、前記被検面上のパターンが持つ
互い直交した2方向の方向性での各々の方向に対して異
なるようにしたものである。
そして、上記の基本構成に基づいて、前記絞り13は、
スリット状の開口部を有することが望ましい。
より好ましき構成は、前記照射光学系の光軸10aと前
記主対物レンズの光軸1aとを含む平面と前記被検面の
共役領域とが交わる被検面上での照射方向と、前記被検
面上のパターンが持つ互い直交した2方向の方向性での
各々の方向の内の一方の方向とのなす角をγとし、前記
主対物レンズの光軸1aと前記照射光学系の光軸10a
とのなす角をθとするとき、以下の条件を満足すること
が良い。
tan−1(cos  θ)≦γ≦tan −’  (
1/cos  θ)〔作 用〕 第9図に示した従来の構成における照射光学系10から
の平行光束がウェハ上に形成されたパターンを照射した
際に、受光素子22上においてこのパターンから発生す
る回折光の様子について見る。
第13図はウェハ3上の被検面を真上から見た時の様子
を示しており、ウェハ3上には互いに直交したX、 X
方向において、所定の等しいピッチ(X方向ではP、、
X方向ではPア)を有する2次元的な回折格子状のパタ
ーンが形成されている。
今、照射対物レンズ18からの平行光束の照射方向を、
ウェハ上に形成されているパターンの方向と等しいX方
向とし、照射光学系10からの千行光束かウェハ3上の
回折格子状のパターンを直径りの円形の照射領域3aて
照射するものとする。
すると、この照射領域3a内の回折格子パターンにより
回折光か発生する。
これをより具体的かつ説明を簡単にするために、照射領
域3aの中心を原点0としてXY座標をとり、照射対物
レンズ18の光軸10a上を進行する光線を考えると、
第14図に示す如く、ウェハ上の2次元的な格子パター
ンにより0次回先光(正反射光)は集光対物レンズ21
の光軸2Oa上を進行し、±1次回折光は、この集光対
物レンズ21の光軸20aを原点0′ とした仮想平面
PのX’ Y’座標の直交したX’ Y’力方向広がる
。そして、受光素子22上は、集光対物レンズ21の焦
点位置に、即ち瞳位It(フーリエ面)に配置されてい
るため、受光素子22上でのこれらの回折光は、フラン
フォーファー回折として解析することができる。
そこで、集光対物レンズ21の光軸20aと照射領域3
aのX軸(仮想平面PではX°軸)とを含む平面内で発
生する±1次回折光の集光対物レンズ21の光軸20a
に対する回折角をα8とし、集光対物レンズ22の光軸
20aと照射領域3aのY軸(仮想平面PではY′軸)
とを含む平面内で発生する±1次回折光の集光対物レン
ズ22の光軸20aに対する回折角をα2、水平位置検
出装置の光源波長をλ、前記主対物レンズIの光軸1a
と前記照射対物レンズ18の光軸10aとのなす角をθ
とするとき、次式の如くなる。
λ 5in(θ+a、 )  = −+sin  θ  −
−(11P。
λ sin  αア=           −−・−(2
)Y そして、±1次回折光の回折角は小さいため、sin 
all#a、 、sin a、 岬α、 、cos a
t #l、cosar#1とすると、上式(1)及び(
2)は、λ λ αア = Y となる。
次に、 第13図に示した被検領域中の2次元格子パターンによ
り発生する受光素子22上での回折光の様子について見
る。
今、照射光学系10からの平行光束により照射される円
形状の照射領域3a内のウェハ3上の被検領域WP、が
水平な状態であるものとし、受光素子22の受光面22
aの形状を矩形、受光素子22と共役な位置に配置され
た絞り13の開口部の形状を円形とすると、第15図に
示す如く、絞り13の像Sは受光素子22上の受光面2
2aの中心に形成される。
ここで、受光素子22の受光面22a上の中心を原点O
とするxy座漂は、第14図に示したウェハ3上の照射
領域3aの中心としたXY座標及び集光対物レンズ21
の光軸20aを原点とした仮想平面PのX’ Y’座標
に対応している。
従って、第14図にて示した±1次回折光(D〜D、)
は、受光素子22上の受光面22aのxy軸上に沿って
絞り13の開口部の±1回折像(DS。
〜DS、)が2次元的に形成される。
今、受光素子の受光面22aの中心からx、y方向での
±1回折像(DS、〜DS4)の中心までの距離をそれ
ぞれI!1.!、とし、集光対物レンズ21の焦点距離
をf、x方向での受光素子22の受光面22aの長さを
り、、y方向での受光素子22の受光面22aの長さを
Lア、絞り13の像S(回折像DS、)の半径をrとし
、さらに第14図に示した、集光対物レンズ21の光軸
20aと照射領域3aのX軸(仮想平面PではX゛軸)
とを含む平面内で発生する±1次回折光の集光対物レン
ズ21の光軸20aに対する回折角をα1、集光対物レ
ンズ21の光軸20aと照射領域3aのY軸(仮想平面
PではY″軸)とを含む平面内で発生する±1次回折光
の集光対物レンズ21の光軸20aに対する回折角をα
とすると、受光素子22の受光面22aのとりつる大き
さは1次式の如くなる。
1、=fα、≧□ + r     −−−−(5)L
lア=fα、≧□十r    −(6)そして、この(
5)、 +6+式に上式(3)、 (41をそれぞれ代
入すると、以下の如くなる。
2 f λ PxCOS  θ P。
従って、この(7)式、(8)式を満足するように受光
素子22の受光面の大きさを選択することにより、検出
誤差を招く回折光を除去できる。
さらに、第13図に示した如く、照射領域3a内のY軸
、Y軸において2次元格子パターンかそれぞれN、個、
NY個だけ含まれているとすると、上式(7)、(8)
は次式の如(なる。
Dcos  θ 2N、f λ Lア +2r≦ −・−m 一例として、N t = N y = 10、D = 
20mm、 λ=700nm 、  θ=75°とする
と、(9)式及びαα式より、L x + 2 r≦0
.135mm L、+2r≦0.035mm となる。そして、絞り13の像の半径rが0.01mm
であるとすると、 L、  ≦0.115mm L、  ≦0.015+nm となる。
従って、受光素子の大きさを0.015mm XO,1
15mm(L□×Lア)以下とすれば、受光素子22は
不要な回折光による像(DS、−DS4)を検出するこ
となく、必要な正反射光による像Sを検出できるため、
高精度な被検面の検出が可能となる。
また、先にも述べた如く、第9図に示した構成に加えて
、4分割受光素子22をリレーするリレーレンズと、集
光対物レンズ21の焦点位置に微小開口部を有する絞り
とを配置した場合にも、上記(9)式及びαα式を満足
すように集光対物レンズ21の焦点位置に設けられた絞
りの開口部を構成とすることにより、必要な正反射光に
よる絞り13の像Sのみを検出できるという効果を有す
る。
ところが、受光素子22と共役な位置に設けられた照射
光学系中の絞りによって制限された点光源の像しか受光
素子22上では得られず、しかも回折光を除去している
ため、被検面の水平検出をするための検出光の光量が微
弱となる。
従って、検出精度は受光素子22の性能に大きく左右さ
れるのみならず、S/N比の劣化を免れることができず
、より安定しかつ高精度な被検面の水平位置の検出が望
めない。
そこで、本発明は、被検面上に形成された2次元パター
ンに対し照射光束の照射方向による回折光の方向性に着
目し、検出光量を大幅に増大させて検出精度を格段に向
上させ得る水平位置検出装置の最適な構成を見出したも
のである。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例についての構成図であり、第9
図と機能的に同一の部材については同一の記号を付しで
ある。そして、この第1図を参照しながら本発明につい
て説明する。
図示の如く、レチクル2とウェハ3はそれぞれ主対物レ
ンズとしての投影対物レンズlに関して共役な位置に維
持されており、レチクル2上のパターンが図示していな
い照明光学系によって照明されて、ウェハ3上に縮小投
影される。このようなウェハ3の焼付露光はステップ、
アンド、リピート方式と呼ばれ、ウェハ3を所定量だけ
移動させて繰り返し露光を行うものである。
投影対物レンズlの光軸に対して対称に照明光学系lO
と集光光学系20とが斜設されており、この両光学系に
より水平位置検出装置が構成される。
照明光学系lOは、光源11、コンデンサーレンズ12
、紙面と垂直な方向に長手方向を有するスリット状の開
口部を持つ絞り13、反射鏡14、第1リレーレンズ、
検出範囲を制限する視野絞り16、第2リレーレンズ1
7、照射対物レンズ18とがらなる。
この照明光学系装置において、ウェハ3上に紛布された
レジストを感光させないために、露光光とは異なる波長
光を供給する光源11からの光束はコンデンサー12に
よって絞り13上で集光され、ここに光源像が形成され
る。そして、この光源像からの光束は、反射鏡14を反
射した後、絞り13上に焦点を有する第1リレーレンズ
15によって平行光束となり、視野絞り16を通過して
第2リレーレンズ17によりこれの焦点位置に集光され
る。その後、この第2リレーレンズ17の焦点(集光)
位置に焦点を存する照射対物レンズ18からの平行光束
かウェハ上の露光領域でもある被検領域を入射角θで斜
め照明する。
この被検領域(WP+〜WP、)上に形成されたパター
ンは、第2図に示す如く、互いに直交したXX方向に方
向性を育し、この照射領域3aを真上から見た時の照射
対物レンズ18からの平行光束の照射方向はX軸に対し
て角度γだけ傾くように構成されている。この構成によ
り、受光素子上における被検面のパターンからの回折光
の発生する方向をコントロールでき、上記絞り13の開
口部の形状に合わせて受光素子の受光の形状を大きくす
ることができる。これについては、後で詳述する。
視野絞り16は第2リレーレンズ17と照射対物レンズ
18とに関してウェハ上の被検領域(露光領域WP+〜
wp、 >と共役に配置されており、視野絞り16の開
口部の像か例えば矩形の露光領域とばば同じ大きさとな
るように形成される。これを換言すれば、照射光学系1
0からの平行光束により照射される被検領域上での照射
領域3aは、ウェハ3上の露光領域(WP 、〜WP、
)とほぼ一致するように形成される。
例えば、照射領域3aの形状は、第3図の(a)及び(
blに示す如く、矩形状の露光領域WP6に内接あるい
は外接する円領域となるように、円形の開口部を有する
視野絞り16はアオリの原理により光路中に斜設されて
いる。
なお、この斜設した円形の開口部を有する視野絞り16
の代わりに、楕円形状の開口部を有する視野絞りを光路
と垂直に配置し、照射領域3aか矩形状の露光領域WP
、に内接あるいは外接する円領域となるようにしても良
い。また、第3図の(C1に示す如く、照射領域3aの
形状は円形に限ることなく、視野絞り16の開口部形状
を矩形にして、矩形の露光領域WP5とほぼ一致させる
ようにしても良い。
さらには、特開平1−164033号公報に開示されて
いる如く、露光領域の形状変化に応じて照射領域を変更
できるようにしても良い。
さて、集光光学系20は集光対物レンズ21と受光素子
としての4分割受光素子22とがらなる。
照射光学系lOからの平行光束は、被検面としてのウェ
ハ3上で反射され、集光対物レンズ21によってこれの
焦点位置に設けられた4分割受光素子22上で集光され
る。
この4分割受光素子22の受光面22aは紙面方向に長
手方向を有する矩形状(長方形状)で形成されており、
この受光面22aの大きさは、被検面でのパターンによ
る不要な回折光を排除できるような所定の大きさで形成
されている。
以上の構成により、この4分割受光素子22の受光面に
は、絞り13のスリット状の開口部の像Sが形成される
ため、受光できる光量を大幅に増大でき、格段に安定か
つ高精度な水平位置検出か達成できる。
なお、この4分割受光素子22は、レチクル3の結像面
3aの傾きとウェハ3の上面の傾きとが一致したときに
照射光学系10からの光束か4分割受光素子22の受光
面の中心に集光されるようにな位置に予め設定されてい
る。
なお、上記構成による傾斜検出の動作については、従来
技術の項目で説明した特開昭58−113706号公報
と同一なのでこれについての説明を省略する。
次に、以上の構成による本発明の実施例についての原理
を説明する。この説明に先立って、まず照射対物レンズ
18からの平行光束の照射方向を被検面上のパターンの
方向に対して傾けた場合についての受光素子22上での
回折の現象について説明する。
ここで、受光素子22と共役な位置に設けられた照射光
学系IO中に絞り13の開口部形状は上述したスリット
状とは異なる従来のものと同様な円形であるものとする
。また、説明を簡単にするために、第4図に示す如く、
互いに直交したX、 X方向において、所定の等しいピ
ッチ(X方向ではP工。
X方向ではP、)を有する2次元的な回折格子状のパタ
ーンが形成されているものとし、被検面上に形成されて
いる2次元回折パターンのX、 Y方向でのピンチ(P
、、Pア)は共に等しいピッチPとする。
本発明の実施例では、前述の如く、このウェハ3上を真
上で見たときに、照射光学系lOからの平行光束の照射
方向を、2次元的な回折格子状のパターンの形成されて
いるX、X方向に対して異なる(非平行となる)ように
しており、すなわち、照射光学系10からの平行光束の
照射方向をウェハ3上の回折格子状のパターンのX方向
に対してγだけ傾けている。
これにより、受光素子22の受光面では、第5図に示す
如く、±1次回折光による絞り13の像(DS1〜DS
、)が発生する方向が変化し、y′はX軸に対しβだけ
傾き、X°軸はX軸に対しδだけ傾く。そして、±1次
回折光による絞り13の像(DS、〜DS4)は、原点
0から等しい距離だけ離れた位置に発生する。
このため、絞り13の回折像(DS、〜DS、)をX方
向に大きく伸ばしても、この回折像(DS〜DS、)か
検出されることがない。従って、絞りI3の開口部の形
状を例えば長方形状にすれば、第6図に示す如く、受光
素子上において、検出されるための絞り13の像Sの面
積か増大し、これによる検出光量を格段に大きくするこ
とができる。
そこで、この被検面上に形成された2次元パターンに対
する照射光束の照射方向による受光素子上での回折光の
方向性に着目し、第6図の場合での回折現象を解析する
回折像(DS、−DS、)についてのx、  yの各成
分方向での原点0からの長さは、集光対物レンズ21の
焦点距離をf、被検面上に形成されている2次元回折パ
ターンのX、X方向でのピッチ(P、、P、)をPとす
るとき、次式の関係が成立する。尚、この事は第5図で
も同様に成立し、これらは、回折角が小さい場合、すな
わちλ/2(lとした場合での近似である。
tan γ  cos θ tan  δ= cos  θ・tan  7  ”−
””’αG従って、X方向での受光素子22の受光面2
2aの長さをLつ、X方向での受光素子22の受光面2
2aの長さをり、、X方向での絞り13の像S(回折像
DS、’)の長さをS!、X方向での絞り13の像S(
回折像DS、 )の長さをSア、照射領域の直径をD、
照射領域3a内のX軸、Y軸において2次元格子パター
ンがそれぞれN8個、Nv個だけ含まれているとすると
、受光素子22の受光面22aの大きさは、上式011
゜ α2゜ 0組 α9より 一−−−−αη ・−・−■ となり、上式を全て同時に満足するように構成すること
が好ましい。
但し、Nx =Ny 、  tanβ= cos  θ
/lanγ、tanδ=tan7−CO3θである。
ここで、0〈β≦45°とすると、第6図からも分かる
ように、I y’、≧I!y’アとなり、検出に不要と
なる絞り13の像(DSa 、DSa)を検出させない
ためには、I!y’、の長さのみを考慮すれば良い。す
なわち、αη式満足するようなX方向での受光素子22
の受光面の大きさを考慮すれば良く、これによりX方向
での受光素子22の受光面を任意に長くすることができ
る。
また、これと同様に、0くδ≦45°とすると、12 
X’、≧lx’アとなり、検出に不要となる絞り13の
像(DS、、DS、)を検出させないためには、ix’
、の長さのみを考慮すれば良い。すなわち、09式満足
するようなX方向での受光素子22の受光面の大きさを
考慮すれば良く、上記と同様にX方向での受光素子22
の受光面を任意に長くすることができる。
そこで、上述の如く受光素子22の受光面の一方向での
長さを長くできる場合において、被検面上に形成された
2次元的なパターンか形成されるX。
X方向に対して、照射光学系10からの平行光束の照射
方向が傾けられ得る最適な範囲について第7図を参照し
なから説明する。
第7図の(alに示す如く、±1次回折像(DS2、D
S、)が受光素子22上の検出面でのX軸に対しβ=4
5°だけ傾いたy′輪軸上発生する場合において、被検
面上に形成された2次元的なパターンか形成されるX方
向に対する照射光学系lOからの平行光束の照射方向の
傾きγは、03式より、7=tan ”’ (cosθ
)−−(21)となる。
また、X軸に対しδだけ傾いたX′細軸上±1次回折像
(DS、 、DS、)か発生し、この時のδの値は、α
3式、 05式より、 δ=tan −1(cos” θ)      ・−一
−−(22)となる。
例えば、照射光学系lOからの平行光束の入射角をθ(
照射光学系の光軸10aと主対物レンズの光軸1aとの
なす角)を75°とすると、δ= 3.83°となり、
上式(21)より、γ=14.51 ’となる。
従って、この場合には、ZYx≦l X’ 、どなるの
で、受光素子22の受光面は、I!y’ 、の大きさを
考慮すれば良く、X方向において上式αηを満足するよ
うな大きさで構成すれば、X方向では任意に大きくする
ことができる。
次に、第7図のfalに示した状態からγの値を小さく
して、受光素子22上の検出面でのX軸に対し±1次回
折像(DSt 、DS、)か発生するy゛軸とのなす角
βと、X軸に対し±1次回折像(DSI、DS2)か発
生するX°軸とのなす角δとが等しくなる第7図の(b
)に示す如き場合について見る。
この状態での被検面上に形成された2次元的なパターン
か形成されるX方向に対する照射光学系10からの平行
光束の照射方向の傾きγは、03式。
00式より、 γ=45°       −・−、、(23)となる。
そして、この時のβ及びδの値は、03式、00式より
、 β=δ=tan ”(cosθ)   −(24)とな
り、例えば、照射光学系10からの平行光束の入射角を
θ(照射光学系の光軸10aと主対物レンズの光軸1a
とのなす角)を75°とすると、β=δ=14.5°と
なる。
従って、この場合には、1.y’、=1x’よとなるの
で、受光素子22の受光面は、X方向で09式又は測成
を満足するような大きさで構成すれば、X方向では任意
に大きくすることができる。
次に、第7図の(blに示した状態からγの値を小さく
し、±1次回折像(DSI 、DS3)か受光素子22
上の検出面でのX軸に対しδ=45°だけ傾いたX′細
軸上発生する第7図のFC+に示す如き場合について見
る。
この場合、被検面上に形成された2次元的なパターンか
形成されるX方向に対する照射光学系1゜からの平行光
束の照射方向の傾きγは、05式より、7 = tan
 −’ (1/cosθ)   −−一(25)となる
また、X軸に対しβだけ傾いたy°輪軸上±1次回折像
(DS、 、DS4)が発生し、この時のβの値は、α
3式、00式より、 β=tan ”(cos” θ)    −一−−−−
(26)となる。
例えば、照射光学系lOからの平行光束の入射角をθ(
照射光学系の光軸10aと主対物レンズの光軸1aとの
なす角)を75°とすると、β= 3.83°となり、
上式(25)より、γ= 75.49°となる。
従って、この場合には、I!y’、≧/X’、となるの
で、受光素子22の受光面は、1x°、の大きさおみを
考慮すれば良い。このため、X方向における上式〇9を
満足するような大きさで構成すれば、X方向では任意に
大きくすることができる。
このように、受光素子22の受光面の一方向での長さを
長くできる場合において、被検面上に形成された2次元
的なパターンが形成されるX、X方向の内の一方向に対
して、照射光学系lOからの平行光束の照射方向が傾け
られ得る最適な範囲は、上記の(21)及び(25)式
より、次式に示す範囲となる。
tan −’  (cos  θ)≦γ≦tan −’
  (1/cos  θ)従って、この(27)式を満
足するように、照射光学系10からの平行光束の照射方
向を決定することにより、受光素子22の受光面の一方
向での長さをを任意に大きく選択でき、しかも受光素子
22の受光面と共役な位置に設けられた絞り13の開口
部は、長方形状、楕円状等の長手方向を持つスリット状
にてきるため、検出光量を大幅に増大させることが達成
できる。
よって、被検面の検出精度を格段に向上させることが達
成でき、しかも検出精度の安定化も同時に達成できる。
ここで、−例として、被検領域でのX方向のパターンの
数N、をlO1集光対物レンズ21の焦点距離fを10
0+nm 、光源11の波長λを700nm 、照射領
域の径りを20111m1被検面に対する照射光学系1
0からの入射角θを75°、X方向での絞り13の像の
長さS8を0.02mmとし、第7図に示した(al、
 (bl、 (C1の3つの場合での受光素子の大きさ
について見る。
第7図の(alの場合では、上式(21)よりγ=14
、51°となり、上式(17)からL8≦0.270x
sin(14,51’ ) −0,02=0.048と
なる。
よって、受光素子の受光面22aのX方向での長さし、
を0.048 mm以下とすれば良い。
第7図の(blの場合では、上式(13)、 (16)
よりγ=45°となり、上式(17)または(19)か
らり、≦0.270xcos(45°) −0,02=
O1171となる。
よって、受光素子の受光面22aのX方向での長さL8
を0.171mm以下とすれば良い。
第7図の(C1の場合では、上式(25)よりγ=75
、49°となり、上式(19)からL1≦0.270 
x cos (75,49°) −0,02=0.04
8となる。
よって、受光素子22の受光面22aのX方向での長さ
L8を0.048 ff1m以下とすれば良い。
このように、第7図の(blにて示すγ=45°の場合
では、受光素子の受光面22aでのX方向での長さを最
も長くとることができる。
以上においては、説明を簡単にするために、被検面上で
のパターンを2次元的な回折格子に基づいて述べてきた
が、上式(27)は、その場合に限ることない。すなわ
ち、(27)式は、第2図のWF2で示した如く、−船
釣に互いに直交した2方向に方向性を持つ被検パターン
であれば一般的に適用てき、以上に述べた如き場合と同
様な効果が得られることは言うまでもない。
また、受光素子22と共役な位置に設けられている照射
光学系lO中の絞り13の開口部形状は本実施例では第
8図の(alに示す如き長方形状としたが、第8図の(
b)に示す如き楕円状等の長手方向を持つ形状であれば
良い。
さらに、受光素子の受光面22aの形状は、矩形状(正
方形状、長方形状)、円形状、楕円状等の形状で構成す
ることもできる。
〔発明の効果〕
以上の如く、本発明によれば、受光素子上で発生する回
折像の発生する方向を最適な状態にコントロールできる
ため、受光素子と共役な位置に設けられた照射光学系中
の絞りの開口部をスリット状に大きくでき、検出光量の
大幅な向上が達成できる。
このため、S/N比を向上が実現できるため、被検面の
検出精度を格段に向上でき、しかもより安定した水平位
置検出を達成することができる。
また、受光素子の受光面での一方向の長さを任意に大き
くすることができるので、これに応じて、受光素子と共
役な位置に設けられた照射光学系中の絞りの開口部を大
きくでき、さらなる検出光量の増大化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による実施例の装置を示す構成図である
。 第2図はウェハ上に形成された露光領域中の直交した2
方向に方向性を持つパターンに対し光束を斜め方向に照
射させた様子を示すウェハの平面図である。 第3図は露光領域に対する照射領域の様子を示す図であ
る。 第4図は被検面上に形成された2次元的な格子パターン
に対し光束を斜め方向に照射させた様子を示す被検領域
の平面図である。 第5図は絞り13の開口部の形状を円形状とした場合に
、第4図に示す被検面上に形成された2次元的な格子パ
ターンに対し光束を斜め方向に照射させることにより、
受光素子の受光面上で形成される回折像の様子を示す図
である。 第6図は絞り13の開口部の形状を長方形状とした場合
に、第4図に示す被検面上に形成された2次元的な格子
パターンに対し光束を斜め方向に照射させることにより
、受光素子の受光面上で形成される回折像の様子を示す
図である。 第7図は第4図に示す被検面上に形成された2次元的な
格子パターンに対して光束の照射方向を変えた場合での
受光素子の受光面上形成される回折像の様子を示す図で
ある。 第8図は本発明における照射光学系中の絞り13の開口
部の様子を示す図である。 第9図は従来の装置の構成図である。 第10図は被検面上に形成されたパターンの様子を示す
図である。 第11図は第10図のパターンによる回折光の光量分布
の様子を示す図である。 第12図は第10図のパターンによる水平位置を検出し
た様子を示す図である。 第13図は被検面上に形成された2次元的な格子パター
ンのX方向に対し光束を平行に照射させた様子を示す被
検領域の平面図である。 第14図は被検面上に形成された2次元的な格子パター
ンのX方向に対し光束を平行に照射させた様子を示す斜
示図である。 第15図は第14図に示す被検面上に形成された2次元
的な格子パターンのX方向に対し光束を平行に照射させ
た場合における受光素子の受光面上で形成される回折像
の様子を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1 ・・−投影対物レンズ 2− レチクル3−・・ウ
ェハ     10 −・−照射光学系11  ・−・
・光源       13  ・−絞り20 −集光光
学系   22  ・−4分割受光素子la  −・・
投影対物レンズの光軸 10a −一照射光学系の光軸 20a−・集光光学系

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)互いに直交した2方向に方向性を持つパターンが形
    成された被検面上の所定の領域を所定の共役関係に形成
    するための主対物レンズと、該主対物レンズの光軸外か
    ら前記被検面上へ平行光束を供給するための光源と照射
    対物レンズとを有する照射光学系と、該照射光学系から
    供給され前記被検面上で反射される光束を受光素子上で
    集光させるための集光対物レンズを有する集光光学系と
    を設けるとともに、前記照射光学系中に前記受光素子と
    ほぼ共役なる位置に所定形状の開口部を有する絞りを設
    け、前記両光学系の光軸を前記主対物レンズの光軸に関
    して対称に配置し、前記受光素子の出力信号に基づいて
    前記被検面上の共役領域の水平位置を検出する水平位置
    検出装置において、 前記照射光学系の光軸と前記主対物レンズの光軸とを含
    む平面と前記被検面の共役領域とが交わる被検面上での
    照射方向が、前記被検面上のパターンが持つ互い直交し
    た2方向の方向性での各々の方向に対して異なるように
    することを特徴とする水平位置検出装置。 2)前記絞りは、スリット状の開口部を有することを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載の水平位置検出装置
    。 3)前記照射対物レンズの光軸と主対物レンズの光軸と
    を含む平面と前記被検面の共役領域とが交わる被検面上
    での照射方向と、前記被検面上のパターンが持つ互い直
    交した2方向の方向性での各々の方向の内の一方の方向
    とのなす角をγとし、前記主対物レンズの光軸と前記照
    射対物レンズの光軸とのなす角をθとするとき、以下の
    条件を満足することを特徴とする特許請求の範囲第1項
    または至第2項記載の水平位置検出装置。 tan^−^1(cosθ)≦γ≦tan^−^1(1
    /cosθ)
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07153670A (ja) * 1993-12-01 1995-06-16 Nec Corp 投影露光装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07153670A (ja) * 1993-12-01 1995-06-16 Nec Corp 投影露光装置

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