JPH04143648A - 湿度センサ - Google Patents
湿度センサInfo
- Publication number
- JPH04143648A JPH04143648A JP2267616A JP26761690A JPH04143648A JP H04143648 A JPH04143648 A JP H04143648A JP 2267616 A JP2267616 A JP 2267616A JP 26761690 A JP26761690 A JP 26761690A JP H04143648 A JPH04143648 A JP H04143648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- humidity sensor
- humidity
- dispersed
- salt solution
- silica particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/12—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
- G11B9/14—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
- G11B9/1463—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、湿度に対応して素子の電気的特性が変化する
ことにより温度を検出する湿度センサに関する。
ことにより温度を検出する湿度センサに関する。
［従来の技術］
近年、湿度計測、湿度制御を必要とする分野が増加し、
湿度センサの重要性が認められるようになった。
湿度センサの重要性が認められるようになった。
湿度に対応して素子の電気的特性が変化することにより
湿度を検出する湿度センサには、電解質系、金属系、高
分子系、セラミックス系等があり、それぞれいろいろな
系が研究されているが、現在実用化されているものは、
高分子系およびセラミックス系の湿度センサである。い
ずれも、素子に対する水の吸脱着により、素子の抵抗値
または静電容量が変化する性質を利用したものである。
湿度を検出する湿度センサには、電解質系、金属系、高
分子系、セラミックス系等があり、それぞれいろいろな
系が研究されているが、現在実用化されているものは、
高分子系およびセラミックス系の湿度センサである。い
ずれも、素子に対する水の吸脱着により、素子の抵抗値
または静電容量が変化する性質を利用したものである。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の湿度センサは、抵抗値が高いため、精度
の良い温度計を製造するためには、高度な回路技術およ
び実装技術を必要とした。
の良い温度計を製造するためには、高度な回路技術およ
び実装技術を必要とした。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、抵抗値が低く、高精度で信頼性
が高い温度センサを提供するところにある。
の目的とするところは、抵抗値が低く、高精度で信頼性
が高い温度センサを提供するところにある。
［ｙ題を解決するための手段］
本発明の湿度センサは、シリカ粒子を分散させたリチウ
ム塩溶液の熱処理生成物を感温体として用いることを特
徴とする。
ム塩溶液の熱処理生成物を感温体として用いることを特
徴とする。
［実施例１コ
テトラエトキシシラン（Ｓｉ（○Ｃ２Ｈ３Ｌ）５０ｍｌ
に０．０２Ｎ塩酸４０ｍ１、微粉末シリカ１５ｇを加え
、１時間攪拌後、塩化リチウム２０ｇを加え、シリカ粒
子を分散させたリチウム塩溶液を作製した。この溶液に
アンモニア水を加えゲル化させ、６０℃で２日間乾燥後
、８００ ’Ｃで１時間熱処理することにより、シリカ
粒子を分散させたリチウム塩溶液の熱処理生成物を作製
した。この熱処理生成物から１０ｍｍｘ １０ｍｍｘ
５ｍｍの直方体を切り出し、電極を付け、第１図に示す
湿度センサを作製した。
に０．０２Ｎ塩酸４０ｍ１、微粉末シリカ１５ｇを加え
、１時間攪拌後、塩化リチウム２０ｇを加え、シリカ粒
子を分散させたリチウム塩溶液を作製した。この溶液に
アンモニア水を加えゲル化させ、６０℃で２日間乾燥後
、８００ ’Ｃで１時間熱処理することにより、シリカ
粒子を分散させたリチウム塩溶液の熱処理生成物を作製
した。この熱処理生成物から１０ｍｍｘ １０ｍｍｘ
５ｍｍの直方体を切り出し、電極を付け、第１図に示す
湿度センサを作製した。
このようにして作製した湿度センサの斜視Ｚを第１図に
示す、第１図において、１は感湿体、２は電極、３はリ
ード線である。本湿度センサの感湿特性を第２図に示す
。第２図より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、
使いやすいことがわかる。
示す、第１図において、１は感湿体、２は電極、３はリ
ード線である。本湿度センサの感湿特性を第２図に示す
。第２図より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、
使いやすいことがわかる。
［実施例２］
水２５ｍ１にエタノール２５ｍ１を加え、さらに微粉末
シリカ１５ｇ、塩化リチウム１５ｇを加え、シリカ粒子
を分散させたリチウム塩溶液を作製した。Ｐｔ−Ｐｄ櫛
形電極をスクリーン印刷により形成したアルミナ基板上
に、この溶液をデイツプコーティングし、１００℃で１
０分間乾燥後、５００℃で３０分間熱処理することによ
り、シリカ粒子を分散させたリチウム塩溶液の熱処理生
成物を形成した。
シリカ１５ｇ、塩化リチウム１５ｇを加え、シリカ粒子
を分散させたリチウム塩溶液を作製した。Ｐｔ−Ｐｄ櫛
形電極をスクリーン印刷により形成したアルミナ基板上
に、この溶液をデイツプコーティングし、１００℃で１
０分間乾燥後、５００℃で３０分間熱処理することによ
り、シリカ粒子を分散させたリチウム塩溶液の熱処理生
成物を形成した。
このようにして作製した湿度センサの斜視図を第３図に
示す。第３図において、１は感湿膜、２は電極、４は基
板である。本湿度センサの感湿特性を第４図に示す。第
４図より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、しか
も温度によって特性が変化しないので、高精度で、かつ
使いやすいことがわかる。本湿度センサを６０°Ｃ９０
％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置後、特性を測定し
たところ、第４図と測定誤差の範囲内で同様であった。
示す。第３図において、１は感湿膜、２は電極、４は基
板である。本湿度センサの感湿特性を第４図に示す。第
４図より、本発明の湿度センサは、抵抗値が低く、しか
も温度によって特性が変化しないので、高精度で、かつ
使いやすいことがわかる。本湿度センサを６０°Ｃ９０
％の恒温恒湿槽中に１０００時間放置後、特性を測定し
たところ、第４図と測定誤差の範囲内で同様であった。
したがって、本湿度センサは、耐久性、信頼性が高いこ
とがわかる。
とがわかる。
［発明の効果］
以上述べたように本発明の湿度センサは、シリカ粒子を
分散させたリチウム塩溶液の熱処理生成物を感湿体とし
て用いるので、抵抗値が低く、しかも温度によって特性
が変化しないので、高度な回路技術および実装技術は必
要なく、高精度で、かつ使いやすい、また、信頼性も高
い。したがって、低コスト、高精度な湿度センサとして
、湿度計測、湿度制御を必要とする分野に広く応用する
ことができる。
分散させたリチウム塩溶液の熱処理生成物を感湿体とし
て用いるので、抵抗値が低く、しかも温度によって特性
が変化しないので、高度な回路技術および実装技術は必
要なく、高精度で、かつ使いやすい、また、信頼性も高
い。したがって、低コスト、高精度な湿度センサとして
、湿度計測、湿度制御を必要とする分野に広く応用する
ことができる。
第１図、第３図は、本発明の湿度センサの斜視図。
１・・・感湿体または感湿膜
２・・・電極
リード線
基板
第２図、
第４面は、
本発明の湿度センサの感湿
特性図。
以上
Claims (1)
- シリカ粒子を分散させたリチウム塩溶液の熱処理生成
物を感湿体として用いることを特徴とする湿度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267616A JPH04143648A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 湿度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2267616A JPH04143648A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 湿度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143648A true JPH04143648A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17447179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2267616A Pending JPH04143648A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 湿度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04143648A (ja) |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP2267616A patent/JPH04143648A/ja active Pending
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