JPH0414513B2 - - Google Patents
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- JPH0414513B2 JPH0414513B2 JP56109339A JP10933981A JPH0414513B2 JP H0414513 B2 JPH0414513 B2 JP H0414513B2 JP 56109339 A JP56109339 A JP 56109339A JP 10933981 A JP10933981 A JP 10933981A JP H0414513 B2 JPH0414513 B2 JP H0414513B2
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- Japan
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- para
- poly
- film
- polyacetylene
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
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- H10K10/26—Diodes comprising organic-organic junctions
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
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- H10W72/90—Bond pads, in general
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子半導体素子に関し、さらに詳述
すれば、直鎖状共役系高分子薄膜を使用した高分
子半導体素子に関するものである。
すれば、直鎖状共役系高分子薄膜を使用した高分
子半導体素子に関するものである。
半導体素子は、Si，Geなどの金属、あるいは、
GaAs，InPなどの無機化合物を主たる構成材料
として使用されるのが一般的である。しかし、一
方において、古くから、有機半導体、すなわち、
有機物質であつて電気的に半導体的な電気的性質
を有するものも研究もしくは検討されてきてい
る。
GaAs，InPなどの無機化合物を主たる構成材料
として使用されるのが一般的である。しかし、一
方において、古くから、有機半導体、すなわち、
有機物質であつて電気的に半導体的な電気的性質
を有するものも研究もしくは検討されてきてい
る。
このような有機半導体材料として、比較的著名
なものに、ポリアセチレンがある。このポリアセ
チレンは、容易に薄膜状に取得し得て（例えば、
特公昭48−32581）、所定のドーピング剤を添加さ
せてＰ（導電）型にもｎ（導電）型に形成し、太陽
電池等に供されている。
なものに、ポリアセチレンがある。このポリアセ
チレンは、容易に薄膜状に取得し得て（例えば、
特公昭48−32581）、所定のドーピング剤を添加さ
せてＰ（導電）型にもｎ（導電）型に形成し、太陽
電池等に供されている。
しかし、このポリアセチレン膜は、多くの空隙
を有するために、ドーピングは不均一に、かつ、
速やかに進行する。このためｐ−ｎ接合を作るこ
とが困難であつた。
を有するために、ドーピングは不均一に、かつ、
速やかに進行する。このためｐ−ｎ接合を作るこ
とが困難であつた。
本発明の目的は、上記欠点のない電気的特性の
良好な、かつ、製作の容易な高分子半導体素子を
提供することにある。
良好な、かつ、製作の容易な高分子半導体素子を
提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、導
電性を有する直鎖状共役系高分子または有機化合
物よりなる薄膜と、該薄膜上に形成された導電性
を有する他の直鎖状共役系高分子薄膜のそれぞれ
の薄膜はｐもしくはｎ導電型であつて、かつ、電
気的な接合面を有してなる。
電性を有する直鎖状共役系高分子または有機化合
物よりなる薄膜と、該薄膜上に形成された導電性
を有する他の直鎖状共役系高分子薄膜のそれぞれ
の薄膜はｐもしくはｎ導電型であつて、かつ、電
気的な接合面を有してなる。
上記直鎖状共役系高分子は、ポリアセチレン、
ポリ（パラ−フエニレン）、ポリ（パラ−フエニ
レンスルフイド）、ポリ（パラ−フエニレンオキ
シド）、および、ポリ（パラ−フエニレンビニレ
ン）が供される。これらの高分子相互間、あるい
は、他の有機化合物とが電気的に接合され、PN
接合面、ヘテロ接合面、P+−Ｐ面、および、n+
−ｎ面が形成されていることが肝要である。とく
に、ポリアセチレンと他の直鎖状共役系高分子を
組合わされたものがより有効である。
ポリ（パラ−フエニレン）、ポリ（パラ−フエニ
レンスルフイド）、ポリ（パラ−フエニレンオキ
シド）、および、ポリ（パラ−フエニレンビニレ
ン）が供される。これらの高分子相互間、あるい
は、他の有機化合物とが電気的に接合され、PN
接合面、ヘテロ接合面、P+−Ｐ面、および、n+
−ｎ面が形成されていることが肝要である。とく
に、ポリアセチレンと他の直鎖状共役系高分子を
組合わされたものがより有効である。
上記導電型を形成するドーピング剤（ドーパン
ト）としては下記のものを用いるとよい。すなわ
ち、Ｎ導電型として、リチウム、ナトリウム、カ
リウム、ルビジウム及びセシウムを含む第Ａ族
金属、ナトリウムナフタレン、カリウムナフタレ
ン、ナトリウムビフエニル、及びカリウムビフエ
ニル等の第Ａ族金属アレン等が適用できる。ま
た、Ｐ導電型として、ハロゲン、HClO4を含む
ブレンステツド酸、SO3及びN2O5を含む非金属
酸化物、Sb2S5を含む第族元素のスルフイド、
第Ｂ遷移金属、Ｂ、Ａ及びＡ族のハロ
ゲン化物、及びSbCl5を含む不活性ガス、BCl3，
CrO2Cl2，CrO2F2，SbF3Cl2，AsF5，XeF4，
XeOF4，SbF5，PF5，BF5，BCl5，SbBr3，
CuCl2，N2Cl2及びMoCl5等のハロゲン化物及び
FSO2OOSO2Fを含むフツ素含有過酸化物又はそ
れ等の混合物等が適用できる。これらの導体ドー
ピング剤濃度は10-5〜0.5モル％である（単位モ
ノマー当りのモル％）。
ト）としては下記のものを用いるとよい。すなわ
ち、Ｎ導電型として、リチウム、ナトリウム、カ
リウム、ルビジウム及びセシウムを含む第Ａ族
金属、ナトリウムナフタレン、カリウムナフタレ
ン、ナトリウムビフエニル、及びカリウムビフエ
ニル等の第Ａ族金属アレン等が適用できる。ま
た、Ｐ導電型として、ハロゲン、HClO4を含む
ブレンステツド酸、SO3及びN2O5を含む非金属
酸化物、Sb2S5を含む第族元素のスルフイド、
第Ｂ遷移金属、Ｂ、Ａ及びＡ族のハロ
ゲン化物、及びSbCl5を含む不活性ガス、BCl3，
CrO2Cl2，CrO2F2，SbF3Cl2，AsF5，XeF4，
XeOF4，SbF5，PF5，BF5，BCl5，SbBr3，
CuCl2，N2Cl2及びMoCl5等のハロゲン化物及び
FSO2OOSO2Fを含むフツ素含有過酸化物又はそ
れ等の混合物等が適用できる。これらの導体ドー
ピング剤濃度は10-5〜0.5モル％である（単位モ
ノマー当りのモル％）。
本発明は上記構成になるので電気的特性の良好
な接合が得られる。すなわち、上記ポリ（パラ−
フエニレン）、ポリ（パラ−フエニレンスルフイ
ド）、ポリ（パラ−フエニレンオキシド）、或い
は、ポリ（パラ−フエニレンビニレン）は材料組
織が緻密な構成を呈しているため、上記ポリアセ
チレンに比べてドーピング速度が１桁以上も遅
い。そのため、上記ポリ（パラ−フエニレンスル
フイド）薄膜内に精度よく制御されて接合面が形
成される。勿論、温度、時間等を適当に制御する
ことにより、薄膜の厚さ分だけ過不足なく所定の
導電型に形成できた。従来の、ポリアセチレン膜
では、該膜の深さ方向に目的とするところの深さ
の導電型領域を実質的に形成し得なかつたもので
ある。
な接合が得られる。すなわち、上記ポリ（パラ−
フエニレン）、ポリ（パラ−フエニレンスルフイ
ド）、ポリ（パラ−フエニレンオキシド）、或い
は、ポリ（パラ−フエニレンビニレン）は材料組
織が緻密な構成を呈しているため、上記ポリアセ
チレンに比べてドーピング速度が１桁以上も遅
い。そのため、上記ポリ（パラ−フエニレンスル
フイド）薄膜内に精度よく制御されて接合面が形
成される。勿論、温度、時間等を適当に制御する
ことにより、薄膜の厚さ分だけ過不足なく所定の
導電型に形成できた。従来の、ポリアセチレン膜
では、該膜の深さ方向に目的とするところの深さ
の導電型領域を実質的に形成し得なかつたもので
ある。
本発明は、ポリアセチレン膜を下地として上部
にポリ（パラ−フエニレンスルフイド）などポリ
アセチレン膜とは異なつた直鎖状共役系高分子膜
を載置したものにとりわけ有効である。材料の互
いに異なる境界面のそのままヘテロ接合などの接
合面として設けることが極めて容易となるからで
ある。上記直鎖状共役系高分子材料の替りにメロ
シアニンなどの有機色素からなる有機化合物であ
つても全く同様に適用され、顕著な効果が得られ
た。以下実施例を用いて詳述する。
にポリ（パラ−フエニレンスルフイド）などポリ
アセチレン膜とは異なつた直鎖状共役系高分子膜
を載置したものにとりわけ有効である。材料の互
いに異なる境界面のそのままヘテロ接合などの接
合面として設けることが極めて容易となるからで
ある。上記直鎖状共役系高分子材料の替りにメロ
シアニンなどの有機色素からなる有機化合物であ
つても全く同様に適用され、顕著な効果が得られ
た。以下実施例を用いて詳述する。
実施例 １
本発明の第１の実施例を第１図に示す。厚さ、
50μｍのポリ（パラ−フエニレンスルフイド）シ
ートをAsF5ガス中に放置し１Ω-cm-1の導電率の
Ｐ導電型の基板１を得た。この上に公知の高分子
半導体薄膜形成方法（例えば特公昭48−32581）
でポリアセチレン膜２を1μｍの厚さに形成した。
このとき、選択的に成長させるために、不要部分
は金属マスクで覆つて反応させた。この後、上記
基板１をカリウムのナフタレン錯体溶液に浸して
ポリアセチレン膜２にドーピングを行つた。この
とき、カリウムはポリアセチレンにはドーピング
されたが、ポリ（パラ−フエニレンスルフイド）
にはドーピングされず上記基板１とポリアセチレ
ン膜２との境界で良好なｐ−ｎ接合１２が形成さ
れた。この後、電極取り出しのためにアルミニウ
ム３を0.5μｍの厚さに蒸着した。このときも、電
極パターン形成のために金属マスク（図示せず）
を用いた。これによつて、保護膜あるいは電極、
リード線が取り付けられた、PN接合を有したダ
イオードが得られた。
50μｍのポリ（パラ−フエニレンスルフイド）シ
ートをAsF5ガス中に放置し１Ω-cm-1の導電率の
Ｐ導電型の基板１を得た。この上に公知の高分子
半導体薄膜形成方法（例えば特公昭48−32581）
でポリアセチレン膜２を1μｍの厚さに形成した。
このとき、選択的に成長させるために、不要部分
は金属マスクで覆つて反応させた。この後、上記
基板１をカリウムのナフタレン錯体溶液に浸して
ポリアセチレン膜２にドーピングを行つた。この
とき、カリウムはポリアセチレンにはドーピング
されたが、ポリ（パラ−フエニレンスルフイド）
にはドーピングされず上記基板１とポリアセチレ
ン膜２との境界で良好なｐ−ｎ接合１２が形成さ
れた。この後、電極取り出しのためにアルミニウ
ム３を0.5μｍの厚さに蒸着した。このときも、電
極パターン形成のために金属マスク（図示せず）
を用いた。これによつて、保護膜あるいは電極、
リード線が取り付けられた、PN接合を有したダ
イオードが得られた。
実施例 ２
第２図に第２の実施例を示す。ガラス基板４上
に実施例１と同じ方法でポリアセチレン膜５を
3μｍの厚さに堆積し、続いてポリ（パラ−フエ
ニレンスルフイド）６を3μｍの厚さに塗布法で
被着した。この後、試料をAsF5ガス中に数日間
放置した。その結果、ポリアセチレンはP+にポ
リ（パラ−フエニレンスルフイド）はＰにドーピ
ングされた。さらに、その上に絶縁膜としてポリ
（パラ−フエニレンスルフイド）６′を塗布法で
3μｍの厚さに被着した。さらに公知の光食刻法
により電極領域形成のためのパターニングを行
い、続いてクロルを含む芳香族化合物で上記ポリ
（パラ−フエニレンスルフイド）を膜６および
６′を選択的にエツチングした。この後、アルミ
ニウム７を蒸着法により堆積し、パターニングを
行つて電極を形成した。以上の工程で、ガラス基
板４上のポリアセチレン膜５で挾まれた領域に在
るポリ（パラ−フエニレンスルフイド）６を主領
域とする１Ω-1cm-1のP+−Ｐ−P+型の抵抗素子
が得られた。
に実施例１と同じ方法でポリアセチレン膜５を
3μｍの厚さに堆積し、続いてポリ（パラ−フエ
ニレンスルフイド）６を3μｍの厚さに塗布法で
被着した。この後、試料をAsF5ガス中に数日間
放置した。その結果、ポリアセチレンはP+にポ
リ（パラ−フエニレンスルフイド）はＰにドーピ
ングされた。さらに、その上に絶縁膜としてポリ
（パラ−フエニレンスルフイド）６′を塗布法で
3μｍの厚さに被着した。さらに公知の光食刻法
により電極領域形成のためのパターニングを行
い、続いてクロルを含む芳香族化合物で上記ポリ
（パラ−フエニレンスルフイド）を膜６および
６′を選択的にエツチングした。この後、アルミ
ニウム７を蒸着法により堆積し、パターニングを
行つて電極を形成した。以上の工程で、ガラス基
板４上のポリアセチレン膜５で挾まれた領域に在
るポリ（パラ−フエニレンスルフイド）６を主領
域とする１Ω-1cm-1のP+−Ｐ−P+型の抵抗素子
が得られた。
実施例 ３
第３図ａおよびｂは本発明の他の実施例として
の高分子半導体素子の概略断面図である。
の高分子半導体素子の概略断面図である。
図において、ポリ（パラ−フエニレンスルフイ
ド）膜３１上に、膜厚2μｍのポリアセチレン膜
３２を公知の薄膜形成技術を用いて形成する。次
いで、上記薄膜をAsF5ガス雰囲気中に10分間放
置させて、上記膜３１の側からドーピングして膜
３１および３２をＰ導電型に形成する。次いで、
上記膜３２上に全面塗布法により、ガラス膜３４
を形成する。次いで、該膜３４に写真食刻用のフ
オトレジスト材（図示せず）を塗布し、固化後、
パターンニングを行なう。次いで、残存したフオ
トレジスト材をマスクにして選択的にカリウム(K)
を100KeVでイオン打込みを行ない上記薄膜３２
を選択的にＮ導電型領域３３に変換させて形成す
る。次いで、上記フオトレジスト材をエツチング
マスクとして露呈しているガラス膜３４を選択的
に除去し、電極取出し口とする。次いで、上記ガ
ラス膜３４上の所定の領極にAlを膜厚1μｍ蒸着
し、次いで所定の形状に加工してゲート電極３５
とする。同時に、上記電極取出し口に電極３６を
設けてMOS型トランジスタを形成する。Ｓはソ
ース電極、Ｄはドレイン電極、Ｇはゲート電極を
それぞれ表わす。上記イオン打込み方法は、各種
あるが、孰れも本発明に差違なく適用でき、同様
の効果を呈した。勿論、打込みパワー、或いはマ
スク材、マスク方法が適宜選択されて用いること
は云うまでもない。通常、ICなどの半導体製造
技術を用いればよい。この実施例では、ポリ（パ
ラ−フエニレンスルフイド）膜３１自体が基板を
兼ねた場合について示したが、第３図ｂに示すよ
うに、ガラス３０などの無機材料を基板としてこ
の上に上記ポリ（パラ−フエニレンスルフイド）
膜３１を設けたものも全く同様の効を奏した。な
お、符号３１０は薄膜相互間の境界面を示してい
る。また、図示されてはいないが、Ｎ導電型領域
３３は、上記境界面３１０に到達していなくとも
充分動作し、同様に効を奏した。
ド）膜３１上に、膜厚2μｍのポリアセチレン膜
３２を公知の薄膜形成技術を用いて形成する。次
いで、上記薄膜をAsF5ガス雰囲気中に10分間放
置させて、上記膜３１の側からドーピングして膜
３１および３２をＰ導電型に形成する。次いで、
上記膜３２上に全面塗布法により、ガラス膜３４
を形成する。次いで、該膜３４に写真食刻用のフ
オトレジスト材（図示せず）を塗布し、固化後、
パターンニングを行なう。次いで、残存したフオ
トレジスト材をマスクにして選択的にカリウム(K)
を100KeVでイオン打込みを行ない上記薄膜３２
を選択的にＮ導電型領域３３に変換させて形成す
る。次いで、上記フオトレジスト材をエツチング
マスクとして露呈しているガラス膜３４を選択的
に除去し、電極取出し口とする。次いで、上記ガ
ラス膜３４上の所定の領極にAlを膜厚1μｍ蒸着
し、次いで所定の形状に加工してゲート電極３５
とする。同時に、上記電極取出し口に電極３６を
設けてMOS型トランジスタを形成する。Ｓはソ
ース電極、Ｄはドレイン電極、Ｇはゲート電極を
それぞれ表わす。上記イオン打込み方法は、各種
あるが、孰れも本発明に差違なく適用でき、同様
の効果を呈した。勿論、打込みパワー、或いはマ
スク材、マスク方法が適宜選択されて用いること
は云うまでもない。通常、ICなどの半導体製造
技術を用いればよい。この実施例では、ポリ（パ
ラ−フエニレンスルフイド）膜３１自体が基板を
兼ねた場合について示したが、第３図ｂに示すよ
うに、ガラス３０などの無機材料を基板としてこ
の上に上記ポリ（パラ−フエニレンスルフイド）
膜３１を設けたものも全く同様の効を奏した。な
お、符号３１０は薄膜相互間の境界面を示してい
る。また、図示されてはいないが、Ｎ導電型領域
３３は、上記境界面３１０に到達していなくとも
充分動作し、同様に効を奏した。
実施例 ４
本発明は亦、太陽電池などの変換素子をも構成
し得るものである。すなわち、Al板上に設けら
れたポリアセチレンシート上に、２cm角厚さ0.1
〜10μｍのＰ導電型のメロシアニン膜を形成し、
該膜上に金属電極を設けることにより容易に太陽
電池が形成された。勿論、導電率および導電型の
形成は前述の実施例を用いて行なわれる。上記メ
ロシアニンは有機化合物であり色素として汎用さ
れているものである。このような色素は、他の色
素の材料であつても差違なく適用できる。色素は
光応答性が良好なので、極めて感度の良好な太陽
電池が得られた。
し得るものである。すなわち、Al板上に設けら
れたポリアセチレンシート上に、２cm角厚さ0.1
〜10μｍのＰ導電型のメロシアニン膜を形成し、
該膜上に金属電極を設けることにより容易に太陽
電池が形成された。勿論、導電率および導電型の
形成は前述の実施例を用いて行なわれる。上記メ
ロシアニンは有機化合物であり色素として汎用さ
れているものである。このような色素は、他の色
素の材料であつても差違なく適用できる。色素は
光応答性が良好なので、極めて感度の良好な太陽
電池が得られた。
以上詳述したように、本発明はポリアセチレン
をそれ以外の直鎖状共役系高分子と組合わせるこ
とにより、極めて電気的特性の良好な接合を、容
易に形成し得る点、工業的利益大なるものであ
る。
をそれ以外の直鎖状共役系高分子と組合わせるこ
とにより、極めて電気的特性の良好な接合を、容
易に形成し得る点、工業的利益大なるものであ
る。
第１図〜第３図は本発明の一実施例としての高
分子半導体素子の概略断面図である。 １…基板（高分子半導体シート）、２…ポリア
セチレン膜、３…電極（Al）。
分子半導体素子の概略断面図である。 １…基板（高分子半導体シート）、２…ポリア
セチレン膜、３…電極（Al）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型を有し、空〓を有するポリアセチ
レンからなる第１の有機半導体膜と、第２導電型
を有し、該空〓を有するポリアセチレンと異なる
直鎖状共役高分子または有機化合物からなり、該
第１の有機半導体膜上に形成された第２の有機半
導体膜とを有することを特徴とする高分子半導体
素子。 ２ 上記直鎖状共役高分子は、ポリ（パラ−フエ
ニレン）、ポリ（パラ−フエニレンスルフイド）、
ポリ（パラ−フエニレンオキシド）またはポリ
（パラ−フエニレンビニレン）であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高分子半導体
素子。 ３ 上記第１導電型は、上記第２導電型と異なる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第
２項に記載の高分子半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109339A JPS5812370A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 高分子半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56109339A JPS5812370A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 高分子半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812370A JPS5812370A (ja) | 1983-01-24 |
| JPH0414513B2 true JPH0414513B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=14507715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56109339A Granted JPS5812370A (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | 高分子半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812370A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154682A (ja) * | 1984-01-25 | 1985-08-14 | Showa Denko Kk | Ｐ−ｎホモ接合素子 |
| DE3478368D1 (en) * | 1984-11-23 | 1989-06-29 | Ibm | Insulated-gate field-effect transistor employing small band-gap material |
| JPH0638492B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1994-05-18 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| JPH0638491B2 (ja) * | 1986-07-04 | 1994-05-18 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
| DE69018348T2 (de) * | 1989-07-25 | 1995-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren. |
| US6852996B2 (en) * | 2002-09-25 | 2005-02-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Organic semiconductor sensor device |
| JP2004221562A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-08-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ素子の製造方法、該製造方法により製造した有機薄膜トランジスタ素子、及び有機薄膜トランジスタ素子シート |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP56109339A patent/JPS5812370A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5812370A (ja) | 1983-01-24 |
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