JPH0414516B2 - - Google Patents
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- JPH0414516B2 JPH0414516B2 JP21778084A JP21778084A JPH0414516B2 JP H0414516 B2 JPH0414516 B2 JP H0414516B2 JP 21778084 A JP21778084 A JP 21778084A JP 21778084 A JP21778084 A JP 21778084A JP H0414516 B2 JPH0414516 B2 JP H0414516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organometallic compound
- thin film
- diketone
- group
- metals selected
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は圧電体薄膜製造用溶液及び圧電体薄膜
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
「従来の技術」「発明が解決しようとする問題点」
圧電体材料、特にエレクトロセラミツクスとし
て着目されている鉛およびチタンの酸化物を主成
分とする焼結体は、既に着火素子、スピーカー、
超音波振動子、フイルターとして各種の電器製品
に現在多用されている。これらの圧電体材料は、
更に高周波への用途あるいは新規な機能を狙つ
て、形状の小型化あるいは薄膜化への検討が進め
られており、特に薄膜圧電体材料は表面波フイル
ターや光学異方性を利用した電気分光素子などへ
の応用が期待される素材である。
て着目されている鉛およびチタンの酸化物を主成
分とする焼結体は、既に着火素子、スピーカー、
超音波振動子、フイルターとして各種の電器製品
に現在多用されている。これらの圧電体材料は、
更に高周波への用途あるいは新規な機能を狙つ
て、形状の小型化あるいは薄膜化への検討が進め
られており、特に薄膜圧電体材料は表面波フイル
ターや光学異方性を利用した電気分光素子などへ
の応用が期待される素材である。
しかし乍ら、この圧電体薄膜材料は従来の焼結
技術を用いた方法では、成型体をスライス、研磨
加工しなければならず、従つて加工工程が煩雑と
なり高価となること、更に大型化が困難で膜厚に
限度があり、また一次粒子が大きいため強度が保
持できない、別の基体上への成膜が困難であるな
どの難点がある。
技術を用いた方法では、成型体をスライス、研磨
加工しなければならず、従つて加工工程が煩雑と
なり高価となること、更に大型化が困難で膜厚に
限度があり、また一次粒子が大きいため強度が保
持できない、別の基体上への成膜が困難であるな
どの難点がある。
これに対して、蒸着、スパツタリング、イオン
プレーテイング等の真空技術を用いた方法では、
任意の膜厚および基板上への緻密な成膜が可能で
あり、エレクトロニクス関連材料形成の重要な技
術として注目され、圧電体薄膜もこの方法による
検討が盛んに進められている。しかし、この真空
技術による圧電体薄膜は、特に２種以上の金属組
成の場合、目的とする量論比の組成の薄膜を安定
して作るのはかなり困難であり、このためバルク
の素材と全く違う物性となることが良く知られて
いる。また複雑な形状あるいは大面積への成膜が
困難であること、設備費用及びバツチ方式となる
ため生産性が悪いことなどコスト高となることも
知られており、これらの方法以外の新規な圧電体
薄膜の製法が期待されている。
プレーテイング等の真空技術を用いた方法では、
任意の膜厚および基板上への緻密な成膜が可能で
あり、エレクトロニクス関連材料形成の重要な技
術として注目され、圧電体薄膜もこの方法による
検討が盛んに進められている。しかし、この真空
技術による圧電体薄膜は、特に２種以上の金属組
成の場合、目的とする量論比の組成の薄膜を安定
して作るのはかなり困難であり、このためバルク
の素材と全く違う物性となることが良く知られて
いる。また複雑な形状あるいは大面積への成膜が
困難であること、設備費用及びバツチ方式となる
ため生産性が悪いことなどコスト高となることも
知られており、これらの方法以外の新規な圧電体
薄膜の製法が期待されている。
「問題点を解決するための手段」
本発明はかかる実情に鑑み、前述の薄膜形成方
法の難点を解決しうる新規な圧電体薄膜製造用溶
液及びその製法を提供するものである。
法の難点を解決しうる新規な圧電体薄膜製造用溶
液及びその製法を提供するものである。
即ち、本発明の第１は、鉛、ランタンから選ば
れる１種以上の金属及びチタン、ジルコニウムか
ら選ばれる１種以上の金属を含む有機金属化合物
溶液であつて、その有機金属化合物の官能基がア
ルコキシ基及びβ−ジケトン基からなることを特
徴とする圧電体薄膜製造用溶液、 本発明の第２は、リチウムとタンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる１種以上の金属とを
含む有機金属化合物溶液であつて、その有機金属
化合物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジケトン
基からなることを特徴とする圧電体薄膜製造用溶
液、 本発明の第３は、鉛、ランタンから選ばれる１
種以上の金属及びチタン、ジルコニウムから選ば
れる１種以上の金属を含む有機金属化合物溶液で
あつて、その有機金属化合物の官能基がアルコキ
シ基及びβ−ジケトン基からなる圧電体薄膜製造
用溶液中に、金属、ガラスまたはセラミツクス基
板を浸し湿気を含む大気中に一定の速度で引き出
した後乾燥し、さらに400℃以上1200℃以下の温
度で熱処理をすることを特徴とする圧電体薄膜の
製造方法、 本発明の第４はリチウムとタンタル、ニオブ、
バナジウムから選ばれる１種以上の金属とを含む
有機金属化合物溶液であつて、その有機金属化合
物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジケトン基か
らなる圧電体薄膜製造用溶液中に、金属、ガラス
またはセラミツクス基板を浸し湿気を含む大気中
に一定の速度で引き出した後乾燥し、さらに400
℃以上1200℃以下の温度で熱処理をすることを特
徴とする圧電体薄膜の製造方法をそれぞれ内容と
するものである。
れる１種以上の金属及びチタン、ジルコニウムか
ら選ばれる１種以上の金属を含む有機金属化合物
溶液であつて、その有機金属化合物の官能基がア
ルコキシ基及びβ−ジケトン基からなることを特
徴とする圧電体薄膜製造用溶液、 本発明の第２は、リチウムとタンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる１種以上の金属とを
含む有機金属化合物溶液であつて、その有機金属
化合物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジケトン
基からなることを特徴とする圧電体薄膜製造用溶
液、 本発明の第３は、鉛、ランタンから選ばれる１
種以上の金属及びチタン、ジルコニウムから選ば
れる１種以上の金属を含む有機金属化合物溶液で
あつて、その有機金属化合物の官能基がアルコキ
シ基及びβ−ジケトン基からなる圧電体薄膜製造
用溶液中に、金属、ガラスまたはセラミツクス基
板を浸し湿気を含む大気中に一定の速度で引き出
した後乾燥し、さらに400℃以上1200℃以下の温
度で熱処理をすることを特徴とする圧電体薄膜の
製造方法、 本発明の第４はリチウムとタンタル、ニオブ、
バナジウムから選ばれる１種以上の金属とを含む
有機金属化合物溶液であつて、その有機金属化合
物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジケトン基か
らなる圧電体薄膜製造用溶液中に、金属、ガラス
またはセラミツクス基板を浸し湿気を含む大気中
に一定の速度で引き出した後乾燥し、さらに400
℃以上1200℃以下の温度で熱処理をすることを特
徴とする圧電体薄膜の製造方法をそれぞれ内容と
するものである。
本発明に用いられる有機金属化合物は加水分解
あるいは熱分解によつて容易に熱分解する金属ア
ルコキシドを主成分として用いることが重要であ
るが、金属アルコキシド系のみの組成だと湿気に
敏感で分解しやすく不安定で長期安定性に乏しい
ため、一部の官能基をアルコキシ基からβ−ジケ
トン基に置換した組成、或いは金属β−ジケトン
錯体を併用することが必要である。
あるいは熱分解によつて容易に熱分解する金属ア
ルコキシドを主成分として用いることが重要であ
るが、金属アルコキシド系のみの組成だと湿気に
敏感で分解しやすく不安定で長期安定性に乏しい
ため、一部の官能基をアルコキシ基からβ−ジケ
トン基に置換した組成、或いは金属β−ジケトン
錯体を併用することが必要である。
また、それぞれの金属アルコキシド、或いはそ
れに金属β−ジケトン錯体を単に溶媒中に混合し
ただけでは、熱分解時に目的とする複合金属酸化
物の他の個々の金属酸化物が不純物として副生す
る場合が多く、この場合には予め混合溶液を十分
な時間の還流処理を施すことによつて、単一相の
複合酸化物が熱分解によつて得られる溶液とする
ことができる。更に安定化に用いられるβ−ジケ
トンの添加で不溶の沈澱を生じた場合、溶解性の
低いβ−ジケトン錯体を用いた場合は、β−ジケ
トンのモル数以下のアルデヒドを加えて還流処理
をすることによつて安定な溶液とすることができ
る。
れに金属β−ジケトン錯体を単に溶媒中に混合し
ただけでは、熱分解時に目的とする複合金属酸化
物の他の個々の金属酸化物が不純物として副生す
る場合が多く、この場合には予め混合溶液を十分
な時間の還流処理を施すことによつて、単一相の
複合酸化物が熱分解によつて得られる溶液とする
ことができる。更に安定化に用いられるβ−ジケ
トンの添加で不溶の沈澱を生じた場合、溶解性の
低いβ−ジケトン錯体を用いた場合は、β−ジケ
トンのモル数以下のアルデヒドを加えて還流処理
をすることによつて安定な溶液とすることができ
る。
これらの理由によつて本発明の透明性圧電体薄
膜化溶液は、次の３通りの製法が挙げられる。
膜化溶液は、次の３通りの製法が挙げられる。
所望の組成比になる様に金属アルコキシドを
溶媒中に混合し、β−ジケトンを添加して安定
化させる。好ましくは溶媒中に金属アルコキシ
ドを混合し、十分な加熱還流を施した後、β−
ジケトンを加えて安定化させる。
溶媒中に混合し、β−ジケトンを添加して安定
化させる。好ましくは溶媒中に金属アルコキシ
ドを混合し、十分な加熱還流を施した後、β−
ジケトンを加えて安定化させる。
所望の組成比になる様に金属アルコキシドと
金属β−ジケトン錯体と溶媒中に混合し、好ま
しくは加熱還流を施す。
金属β−ジケトン錯体と溶媒中に混合し、好ま
しくは加熱還流を施す。
の方法において沈澱あるいはの方法にお
いて金属β−ジケトン錯体の溶解性が小さい場
合においては、β−ジケトンのモル数以下のア
ルデヒドを加えて、加熱還流を施して均一な安
定溶液とする。
いて金属β−ジケトン錯体の溶解性が小さい場
合においては、β−ジケトンのモル数以下のア
ルデヒドを加えて、加熱還流を施して均一な安
定溶液とする。
本発明に用いられる有機金属化合物は、圧電体
化合物に必要な金属である鉛、ランタン、チタ
ン、ジルコニウム、リチウム、タンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる金属アルコキシド及
び金属β−ジケトン錯体が用いられ、金属アルコ
キシドとしてはこれらの金属と炭素数20以下の単
価及び多価アルコール、好ましくは炭素数５以下
のアルコールとの反応物、金属β−ジケトン錯体
としてはこれらの金属とアセチルアセトン、ベン
ゾイルアセトン、ジピバロイルメタン、ジイソブ
チリルメタン、３−メチルペンタン−２ジオンの
反応物、好ましくはアセチルアセトン錯体が用い
られる。
化合物に必要な金属である鉛、ランタン、チタ
ン、ジルコニウム、リチウム、タンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる金属アルコキシド及
び金属β−ジケトン錯体が用いられ、金属アルコ
キシドとしてはこれらの金属と炭素数20以下の単
価及び多価アルコール、好ましくは炭素数５以下
のアルコールとの反応物、金属β−ジケトン錯体
としてはこれらの金属とアセチルアセトン、ベン
ゾイルアセトン、ジピバロイルメタン、ジイソブ
チリルメタン、３−メチルペンタン−２ジオンの
反応物、好ましくはアセチルアセトン錯体が用い
られる。
金属アルコキシド及び金属β−ジケトン錯体の
使用の区別は金属アルコキシドの安定性及び製造
の難易によつて適宜選ぶことが可能であるが、塗
布時における基材上への密着性から、加えた有機
金属化合物の有機官能基の1/4以上がアルコキシ
基であることが望ましい。
使用の区別は金属アルコキシドの安定性及び製造
の難易によつて適宜選ぶことが可能であるが、塗
布時における基材上への密着性から、加えた有機
金属化合物の有機官能基の1/4以上がアルコキシ
基であることが望ましい。
また、溶液の安定化のために加えられるβ−ジ
ケトンも前述したβ−ジケトンが用いられ、特に
アセチルアセトンが好ましく、同様に添加量はア
ルコキシ基が全有機官能基の1/4以上になる様に
加えるのが望ましい。
ケトンも前述したβ−ジケトンが用いられ、特に
アセチルアセトンが好ましく、同様に添加量はア
ルコキシ基が全有機官能基の1/4以上になる様に
加えるのが望ましい。
β−ジケトン錯体及びβ−ジケトンを添加した
ときの溶媒中の溶解性向上に用いられるアルデヒ
ドとしてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドが好
ましく、特にホルムアルデヒド、パラホルムアル
デヒドを用いることによつて良好な結果が得られ
る。
ときの溶媒中の溶解性向上に用いられるアルデヒ
ドとしてはホルムアルデヒド、パラホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒドが好
ましく、特にホルムアルデヒド、パラホルムアル
デヒドを用いることによつて良好な結果が得られ
る。
本発明に用いられる溶媒としては、例えば１価
または多価アルコール、カルボン酸エステル、ケ
トン、ベンゼン等の芳香族溶媒、エーテル等の１
種および２種以上の混合溶媒が挙げられ、とりわ
け低級アルコール、低級酢酸エステル、テトラヒ
ドロフラン等は汎用性があるが、金属アルコキシ
ドと金属β−ジケトン錯体の組合せに応じて適宜
選定すればよい。
または多価アルコール、カルボン酸エステル、ケ
トン、ベンゼン等の芳香族溶媒、エーテル等の１
種および２種以上の混合溶媒が挙げられ、とりわ
け低級アルコール、低級酢酸エステル、テトラヒ
ドロフラン等は汎用性があるが、金属アルコキシ
ドと金属β−ジケトン錯体の組合せに応じて適宜
選定すればよい。
本発明の圧電体薄膜化溶液中に基板を浸し、湿
気を含む大気中に一定の速度で引き出すことによ
り、溶液中に含まれるアルコキシ基が加水分解を
起し、基板上に密着した薄膜が得られ、この膜を
溶媒の沸点以下の温度で乾燥した後、酸化雰囲気
中400℃以上1200℃以下の温度に加熱することに
よつて基板上に透明な所望する組成の圧電体薄膜
が得られる。
気を含む大気中に一定の速度で引き出すことによ
り、溶液中に含まれるアルコキシ基が加水分解を
起し、基板上に密着した薄膜が得られ、この膜を
溶媒の沸点以下の温度で乾燥した後、酸化雰囲気
中400℃以上1200℃以下の温度に加熱することに
よつて基板上に透明な所望する組成の圧電体薄膜
が得られる。
薄膜を形成する基板材料としては熱処理の温度
に耐える耐熱性を有しておればよく、例えばガラ
ス、セラミツクス、金属、更にはポリイミド等の
耐熱ポリマーが挙げられる。
に耐える耐熱性を有しておればよく、例えばガラ
ス、セラミツクス、金属、更にはポリイミド等の
耐熱ポリマーが挙げられる。
圧電性を有する金属の組合せとしては、鉛、ラ
ンタンから選ばれる金属とチタン、ジルコニウム
から選ばれる金属の組合せによつて、例えばチタ
ン酸鉛（PbTiO3）、PZT（PbZrxTi1-xO3）PLZT
〔（Pbx・La1-x）（Zry・Ti1-y）O3〕といつた圧電
性酸化物が得られ、リチウムとタンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる金属の組合せによつ
て、例えばタンタル酸リチウム（LiTaO3）、ニ
オブ酸リチウム（LiNbO3）、バナジン酸リチウ
ム（LiVO3）が得られる。
ンタンから選ばれる金属とチタン、ジルコニウム
から選ばれる金属の組合せによつて、例えばチタ
ン酸鉛（PbTiO3）、PZT（PbZrxTi1-xO3）PLZT
〔（Pbx・La1-x）（Zry・Ti1-y）O3〕といつた圧電
性酸化物が得られ、リチウムとタンタル、ニオ
ブ、バナジウムから選ばれる金属の組合せによつ
て、例えばタンタル酸リチウム（LiTaO3）、ニ
オブ酸リチウム（LiNbO3）、バナジン酸リチウ
ム（LiVO3）が得られる。
また、圧電特性などの改善に用いられる微量の
元素、例えば亜鉛、マンガン、アンチモン、ビス
マス、鉄、ガリウム、インジウム、クロム、コバ
ルト、ニツケル、アルミニウム、マグネシウム、
錫、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、セ
リウム、イツトリウム、タングステン等の添加は
金属アルコキシド或いは金属β−ジケトン錯体の
化合物の形であれば、当然のことであるが差支え
ない。
元素、例えば亜鉛、マンガン、アンチモン、ビス
マス、鉄、ガリウム、インジウム、クロム、コバ
ルト、ニツケル、アルミニウム、マグネシウム、
錫、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、セ
リウム、イツトリウム、タングステン等の添加は
金属アルコキシド或いは金属β−ジケトン錯体の
化合物の形であれば、当然のことであるが差支え
ない。
「発明の効果」
本発明によれば、
１ 大面積および複雑な形状上への成膜が容易と
なる。
なる。
２ 表面の平滑な緻密な圧電体薄膜が得られる。
３ 焼結された成型体では困難な、極めて透明性
に優れた圧電体薄膜が得られる。
に優れた圧電体薄膜が得られる。
４ 目的とする金属組成を予め基体上にのせて熱
分解するため、目的の量論化の薄膜が容易に得
られ、また組成比も自由に調節可能となる。
分解するため、目的の量論化の薄膜が容易に得
られ、また組成比も自由に調節可能となる。
５ 従来の焼結プロセスに比べて、低温の熱処理
で目的の圧電性の化合物薄膜が得られる。
で目的の圧電性の化合物薄膜が得られる。
６ 連続工程での生産が可能であり、真空技術に
よるバツチ方式に比べて生産性がよく、成膜コ
ストが安価となる。
よるバツチ方式に比べて生産性がよく、成膜コ
ストが安価となる。
等の従来の技術では得られない数多くの利点が得
られる。
られる。
以下、実施例をもつて、本発明を更に詳しく設
明するが、当然のことながら本発明は実施例のみ
に限定されるものではない。
明するが、当然のことながら本発明は実施例のみ
に限定されるものではない。
実施例 １
Pb：Zr：Tiが１：0.55：045になる様にジイソ
プロポキシ鉛25.0ｇ、ジルコニウムテトラブトキ
シド16.2ｇ、チタンテトライソプロポキシド9.8
ｇを十分に脱水処理を施したエチルアルコール
150ｇ中に溶かし、更にエチルアルコールの沸点
で４時間還流処理を施した後、アセチルアセトン
5.0ｇを加え、圧電膜塗布液とした。この溶液は
約３ケ月間、密栓したガラス容器中に常温で放置
したところ、何の変化もなく安定であつた。
プロポキシ鉛25.0ｇ、ジルコニウムテトラブトキ
シド16.2ｇ、チタンテトライソプロポキシド9.8
ｇを十分に脱水処理を施したエチルアルコール
150ｇ中に溶かし、更にエチルアルコールの沸点
で４時間還流処理を施した後、アセチルアセトン
5.0ｇを加え、圧電膜塗布液とした。この溶液は
約３ケ月間、密栓したガラス容器中に常温で放置
したところ、何の変化もなく安定であつた。
この塗布液中に石英ガラスを浸し、15cm／分の
速度で大気中に引き上げた後、常温で30分間乾燥
し、更にマツフル炉中600℃１時間焼成したとこ
ろ、やや灰色がかつた透明な薄膜が得られ、段差
計により膜厚を測定したところ約1000Åであつ
た。この方法により更に２回塗布し膜厚約3000Å
としても膜の透明性は殆ど変化せず、Ｘ線マイク
ロアナライザーによる元素分析の結果、Pb：
Zr：Tiが１：0.59：0.41となり、ほぼ所望の組成
が薄膜となつていることが確認された。また、Ｘ
線回折の結果、600℃焼成の薄膜はPZTの結晶パ
ターンを示し、450℃焼成の薄膜はアモルフアス
であつた。
速度で大気中に引き上げた後、常温で30分間乾燥
し、更にマツフル炉中600℃１時間焼成したとこ
ろ、やや灰色がかつた透明な薄膜が得られ、段差
計により膜厚を測定したところ約1000Åであつ
た。この方法により更に２回塗布し膜厚約3000Å
としても膜の透明性は殆ど変化せず、Ｘ線マイク
ロアナライザーによる元素分析の結果、Pb：
Zr：Tiが１：0.59：0.41となり、ほぼ所望の組成
が薄膜となつていることが確認された。また、Ｘ
線回折の結果、600℃焼成の薄膜はPZTの結晶パ
ターンを示し、450℃焼成の薄膜はアモルフアス
であつた。
実施例 ２
Pb：La：Zr：Tiの元素比が0.92：0.08：0.65：
0.35になる様に鉛ジアセチルアセトナート29.9
ｇ、ランタントリアセチルアセトナート2.8ｇ、
ジルコニウムテトラブトキシド20.0ｇ、チタンテ
トライソプロポキシド8.0ｇを無水エチルアルコ
ール150ｇに加え撹拌したところ、完全に溶解せ
ず不溶の白沈を生じていた。そこで、更に1.0ｇ
のパラホルムアルデヒドを加えたうえ、エチルア
ルコールの沸点において４時間還流をしたとこ
ろ、黄色味がかつた透明な溶液となり、この溶液
は３ケ月以上常温において安定であつた。
0.35になる様に鉛ジアセチルアセトナート29.9
ｇ、ランタントリアセチルアセトナート2.8ｇ、
ジルコニウムテトラブトキシド20.0ｇ、チタンテ
トライソプロポキシド8.0ｇを無水エチルアルコ
ール150ｇに加え撹拌したところ、完全に溶解せ
ず不溶の白沈を生じていた。そこで、更に1.0ｇ
のパラホルムアルデヒドを加えたうえ、エチルア
ルコールの沸点において４時間還流をしたとこ
ろ、黄色味がかつた透明な溶液となり、この溶液
は３ケ月以上常温において安定であつた。
この溶液を実施例１と同様な条件で石英ガラス
上に塗布加熱し、厚さ約3000Åの透明な薄膜を得
た。エネルギー分散型走査電子顕微鏡を用いて薄
膜の元素組成を測定したところPb：La：Zr：Ti
＝１：0.1：0.7：0.4となり、ほぼ溶液中での組成
と一致しており、更にＸ線回折による構造解析を
行なつたところ単一のペロブスカイト構造となつ
ていることから、PLZT薄膜が得られたものと断
定した。
上に塗布加熱し、厚さ約3000Åの透明な薄膜を得
た。エネルギー分散型走査電子顕微鏡を用いて薄
膜の元素組成を測定したところPb：La：Zr：Ti
＝１：0.1：0.7：0.4となり、ほぼ溶液中での組成
と一致しており、更にＸ線回折による構造解析を
行なつたところ単一のペロブスカイト構造となつ
ていることから、PLZT薄膜が得られたものと断
定した。
実施例 ３
リチウムアセチルアセトナート10.6ｇとニオビ
ウムペンタイソプロポキシド38.8ｇを無水イソプ
ロピルアルコール100ｇに溶かし、イソプロピル
アルコールの沸点において２時間還流したところ
無色透明の溶液を得た。
ウムペンタイソプロポキシド38.8ｇを無水イソプ
ロピルアルコール100ｇに溶かし、イソプロピル
アルコールの沸点において２時間還流したところ
無色透明の溶液を得た。
この溶液を実施例１と同様な方法で、石英基板
上に塗布したところ、500℃以下の焼成温度では
アモルフアス構造及び650℃以上の焼成温度では
結晶性の透明なニオブ酸リチウム薄膜が得られ
た。
上に塗布したところ、500℃以下の焼成温度では
アモルフアス構造及び650℃以上の焼成温度では
結晶性の透明なニオブ酸リチウム薄膜が得られ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 鉛、ランタンから選ばれる１種以上の金属及
びチタン、ジルコニウムから選ばれる１種以上の
金属を含む有機金属化合物溶液であつて、その有
機金属化合物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジ
ケトン基からなることを特徴とする圧電体薄膜製
造用溶液。 ２ リチウムとタンタル、ニオブ、バナジウムか
ら選ばれる１種以上の金属とを含む有機金属化合
物溶液であつて、その有機金属化合物の官能基が
アルコキシ基及びβ−ジケトン基からなることを
特徴とする圧電体薄膜製造用溶液。 ３ 鉛、ランタンから選ばれる１種以上の金属及
びチタン、ジルコニウムから選ばれる１種以上の
金属を含む有機金属化合物溶液であつて、その有
機金属化合物の官能基がアルコキシ基及びβ−ジ
ケトン基からなる圧電体薄膜製造用溶液中に、金
属、ガラスまたはセラミツクス基板を浸し湿気を
含む大気中に一定の速度で引き出した後乾燥し、
さらに400℃以上1200℃以下の温度で熱処理をす
ることを特徴とする圧電体薄膜の製造方法。 ４ リチウムとタンタル、ニオブ、バナジウムか
ら選ばれる１種以上の金属とを含む有機金属化合
物溶液であつて、その有機金属化合物の官能基が
アルコキシ基及びβ−ジケトン基からなる圧電体
薄膜製造用溶液中に、金属、ガラスまたはセラミ
ツクス基板を浸し湿気を含む大気中に一定の速度
で引き出した後乾燥し、さらに400℃以上1200℃
以下の温度で熱処理をすることを特徴とする圧電
体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217780A JPS6197159A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 圧電体薄膜製造用溶液及び圧電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59217780A JPS6197159A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 圧電体薄膜製造用溶液及び圧電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197159A JPS6197159A (ja) | 1986-05-15 |
| JPH0414516B2 true JPH0414516B2 (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16709611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59217780A Granted JPS6197159A (ja) | 1984-10-17 | 1984-10-17 | 圧電体薄膜製造用溶液及び圧電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197159A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH674596A5 (ja) * | 1988-02-12 | 1990-06-15 | Sulzer Ag | |
| JPH07108102B2 (ja) * | 1990-05-01 | 1995-11-15 | 日本碍子株式会社 | 圧電／電歪膜型アクチュエータの製造方法 |
| US5393907A (en) * | 1992-03-24 | 1995-02-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coating solution for forming composite metal oxide film and process for making same |
| JPH06305713A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-11-01 | Texas Instr Japan Ltd | ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法、及びその原料溶液 |
| KR100638890B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2006-10-27 | 삼성전기주식회사 | 고유전성 박막용 코팅용액 및 이를 이용한 유전박막의제조방법 |
-
1984
- 1984-10-17 JP JP59217780A patent/JPS6197159A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6197159A (ja) | 1986-05-15 |
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