JPH04145710A - 冷却器付パワーアンプユニット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は冷却器付パワーアンプユニットに関し、特に冷
却器の冷却温度を制御する機能を有する冷却器付パワー
アンプユニットに関する。

〔従来の技術〕

従来の冷却器付パワーアンプユニットは、冷却すべきパ
ワーアンプ本体に固定されたヒートシンク用の大形ラジ
ェータ、あるいは、外部に備えられたファンによる強制
空冷方式が一般的であった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のパワーアンプユニット本体の冷却方式は
、パワーアンプ内の例えばＦＥＴの内部発熱を取り付け
られているラジェータを介してヒートシンクにより拡散
したり、ファンにより放散させているので、環境温度に
よる冷却温度特性を考慮しておらず、冷暖の差の激しい
条件で使用する場合にＦＥＴ等の許容温度を満足しない
場合が生ずる欠点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の冷却器付パワーアンプユニットは、マイクロス
トリップサーキットライン基板、および電界効果トラン
ジスタを搭載したアルミブロックを冷却する冷却器付パ
ワーアンプユニットにおいて、前記アルミブロックに固
定された温度検出を行う温度センサーと、前記アルミブ
ロックに一端を固定し、他端をヒートシンク用ラジェー
タに固定した電子冷却素子と、前記温度センサーの温度
情報により前記電子冷却素子に流す電流を制御する制御
部とを有する。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本実施例
の冷却器の回路系統図である。第１図の実施例は、パワ
ーアンプユニット本体であるアルミブロック４．パワー
アンプ用のＦ　Ｅ　Ｔ　（ＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔ　Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７　、マイクロストリップサーキ
ットライン６と、冷却器を構成するアルミブロック４に
固定された温度センサー１．同じくアルミブロック４に
固定されたペルチェ素子２．ヒートシンク用ラジェータ
３．制御部５から構成される。ここでパワーアンプユニ
ットの回路部はマイクロストリップサーキットライン基
板６とＦＥＴ５の組合わせにより構成され、アルミブロ
ック３内に実装されている。

次に本実施例の動作を説明する。温度センサー１はアル
ミブロック４の温度上昇を検出し、制御部５により、ア
ルミブロック４に固定されたベルチェ素子２に印加され
る直流電圧値８を制御する。例えば、ＦＥＴ５の温度上
昇が高ければ、第２図のペルチェのＮからＰ方向に電流
が流れて直流電圧が高くなり、ＦＥＴの熱をベルチェ素
子２のポンピングにより強制的に吸熱し、ベルチェ素子
２の他面に接触しているラジェータの方へヒートシンク
により放散する。このように温度センサー１の温度検出
情報により制御部５が電流制御を行いペルチェ効果によ
りＦＥＴを許容温度内に制御することがきる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、温度センサーと、ヒート
シンク用ラジェータと、ベルチェ素子と、このベルチェ
素子の電流制御用の制御部とを備えることにより、ベル
チェ素子による吸収と放散熱量を制御して最適なパワー
アンプの温度特性が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本実施例
の回路系統図である。 １・・・温度センサー、２・・・ベルチェ素子、３・・
・ヒートンシンク用ラジェータ、４・・・アルミブロッ
ク、５・・・制御部、６・・・マイクロストリップサー
キットライン基板、７・・・ＦＥＴ１８・・・直流電圧
値。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．マイクロストリップサーキットライン基板、および
   電界効果トランジスタを搭載したアルミブロックを冷却
   する冷却器付パワーアンプユニットにおいて、前記アル
   ミブロックに固定された温度検出を行う温度センサーと
   、前記アルミブロックに一端を固定し、他端をヒートシ
   ンク用ラジエータに固定した電子冷却素子と、前記温度
   センサーの温度情報により前記電子冷却素子に流す電流
   を制御する制御部とを有することを特徴とする冷却器付
   パワーアンプユニット。
2. ２．前記電子冷却素子がペルチェ素子であることを特徴
   とする請求項１記載の冷却器付パワーアンプユニット。