JPH041458B2 - - Google Patents
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- JPH041458B2 JPH041458B2 JP57030593A JP3059382A JPH041458B2 JP H041458 B2 JPH041458 B2 JP H041458B2 JP 57030593 A JP57030593 A JP 57030593A JP 3059382 A JP3059382 A JP 3059382A JP H041458 B2 JPH041458 B2 JP H041458B2
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- Japan
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- scanning
- sample
- electron beam
- signal
- address
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はストロボ走査電子顕微鏡装置に関す
る。
る。
走査電子顕微鏡〔SEM（Scanning Electron
Microscope）〕は、一般に試料表面に電子ビーム
を照射し、試料表面な電位変化に対応するレスポ
ンスをCRTに表示することによつて試料表面の
顕微鏡を得るようにしている。
Microscope）〕は、一般に試料表面に電子ビーム
を照射し、試料表面な電位変化に対応するレスポ
ンスをCRTに表示することによつて試料表面の
顕微鏡を得るようにしている。
このSEMを使つて、LSI（大規模集積回路）の
内部動作の観測を行なうことができる。これは表
面に電位分布を持つたLSIをSEMの２次電子像で
観察し、負電位の部分と正電位の部分とのコント
ラストの差を利用し、LSI内部電位の分布を観察
するもので、LSIの動作解析あるいは不良解析の
有効な手段となつている。
内部動作の観測を行なうことができる。これは表
面に電位分布を持つたLSIをSEMの２次電子像で
観察し、負電位の部分と正電位の部分とのコント
ラストの差を利用し、LSI内部電位の分布を観察
するもので、LSIの動作解析あるいは不良解析の
有効な手段となつている。
またICやJSI素子の内部を伝搬する電気信号の
ような同期現象では、電位変化は毎回規則正しく
繰り返して起る。従つて、ある特定の位相だけに
パルス電子ビームを繰り返し照射すると、出力信
号はこの位相での電位に対応したものとなる。そ
こで試料表面上の希望する点にビームを止めてお
き、試料励振とパルス電子ビームとの位相差を電
気的に変化させ、CRTの横軸にこの移相量を、
縦軸に２次電子信号量をそれぞれ入力することに
よつて、CRTの画面上に希望点での電圧波形を
表示するようにしたストロボSEMが開発されて
いる。
ような同期現象では、電位変化は毎回規則正しく
繰り返して起る。従つて、ある特定の位相だけに
パルス電子ビームを繰り返し照射すると、出力信
号はこの位相での電位に対応したものとなる。そ
こで試料表面上の希望する点にビームを止めてお
き、試料励振とパルス電子ビームとの位相差を電
気的に変化させ、CRTの横軸にこの移相量を、
縦軸に２次電子信号量をそれぞれ入力することに
よつて、CRTの画面上に希望点での電圧波形を
表示するようにしたストロボSEMが開発されて
いる。
以上、説明したように試料観測には大別して次
の２つの観測モードがある。すなわち、試料上に
機械的プローブを立て、オシロスコープでそのプ
ローブ接触点での電圧波形を観測するものに類似
する波形モードと、ビームを試料面上に走査し、
その２次電子信号量をCRTに表示して各位相点
での試料面上の電位コントラスト像を観測する
SEMを用いた像モードである。このような従来
のストロボSEMシステムを第１図に示す。この
システムにおいては、パルス電子ビーム照射部１
を有するストロボSEM２で試料３から得られた
２次電子信号は、光電子増倍管を用いた２次電子
検出器４によつて検出され、アナログ信号として
出力される。この検出器４からのアナログ信号出
力は、増幅器５を介して表示装置６に取り込ま
れ、ここで２次電子信号量を表示して各位相点で
の試料面上の電位コントラスト像７が観測され
る。
の２つの観測モードがある。すなわち、試料上に
機械的プローブを立て、オシロスコープでそのプ
ローブ接触点での電圧波形を観測するものに類似
する波形モードと、ビームを試料面上に走査し、
その２次電子信号量をCRTに表示して各位相点
での試料面上の電位コントラスト像を観測する
SEMを用いた像モードである。このような従来
のストロボSEMシステムを第１図に示す。この
システムにおいては、パルス電子ビーム照射部１
を有するストロボSEM２で試料３から得られた
２次電子信号は、光電子増倍管を用いた２次電子
検出器４によつて検出され、アナログ信号として
出力される。この検出器４からのアナログ信号出
力は、増幅器５を介して表示装置６に取り込ま
れ、ここで２次電子信号量を表示して各位相点で
の試料面上の電位コントラスト像７が観測され
る。
また、上記装置において、電子ビームで試料３
表面を走査して、その２次電子画像を表示装置６
上に表示するため走査コイルには、第２図に示さ
れるランプ波がＸ軸用走査コイル８、Ｙ軸用走査
コイル１０に印加され。このランプ波は、増巾器
１２，１４、切換スイツチ１６を介して接続され
た、内部発振器２１によつて発生されている。一
方、試料３上の任意の位置に電子ビームを点照射
する場合は切換スイツチ１６によつて可変電源回
路２２，２４に接続して直流電圧をＸ軸、Ｙ軸の
走査コイル８，１０に加え、点照射する位置を決
定する。ビームの位置を移動させると、２次電子
の放出位置が変化するため、表示装置６上の輝点
も対応して移動する。
表面を走査して、その２次電子画像を表示装置６
上に表示するため走査コイルには、第２図に示さ
れるランプ波がＸ軸用走査コイル８、Ｙ軸用走査
コイル１０に印加され。このランプ波は、増巾器
１２，１４、切換スイツチ１６を介して接続され
た、内部発振器２１によつて発生されている。一
方、試料３上の任意の位置に電子ビームを点照射
する場合は切換スイツチ１６によつて可変電源回
路２２，２４に接続して直流電圧をＸ軸、Ｙ軸の
走査コイル８，１０に加え、点照射する位置を決
定する。ビームの位置を移動させると、２次電子
の放出位置が変化するため、表示装置６上の輝点
も対応して移動する。
従つて、従来のストロボSEMシステムによつ
て試料の任意の観測点の電圧波形を得るには、ま
ず、試料３表面を走査して２次電子画像を表示装
置に表示する。次に波形モードに切り換えてビー
ムの位置を走査コイル８，１０の印加電圧を変え
ることによつて、表示装置６上の輝点２６により
観測点の位置を検出する。ここでストロボSEM
表示用CRT６は残像性が高いので、画像表示か
ら点照射に切りかえても画像７が残つているた
め、その画像７を観察しながら輝点２６を動かし
て任意の位置にビーム位置を設定することができ
る。
て試料の任意の観測点の電圧波形を得るには、ま
ず、試料３表面を走査して２次電子画像を表示装
置に表示する。次に波形モードに切り換えてビー
ムの位置を走査コイル８，１０の印加電圧を変え
ることによつて、表示装置６上の輝点２６により
観測点の位置を検出する。ここでストロボSEM
表示用CRT６は残像性が高いので、画像表示か
ら点照射に切りかえても画像７が残つているた
め、その画像７を観察しながら輝点２６を動かし
て任意の位置にビーム位置を設定することができ
る。
しかし、従来のストロボSEMシステムでは、
観測点を１回ごとに、位置決めし、測定するため
非常に測定が繁雑である。また残像を使つて位置
決めするため、位置精度が悪く、位置を正確に合
わせるため高倍率表示とするろ、単位面積あたり
の照射量が大きくなり試料動作に多大の影響を与
える。更に、位置合せ中にも、ビームが試料表面
を照射しているため、前述同様、試料に多大の影
響を与える。
観測点を１回ごとに、位置決めし、測定するため
非常に測定が繁雑である。また残像を使つて位置
決めするため、位置精度が悪く、位置を正確に合
わせるため高倍率表示とするろ、単位面積あたり
の照射量が大きくなり試料動作に多大の影響を与
える。更に、位置合せ中にも、ビームが試料表面
を照射しているため、前述同様、試料に多大の影
響を与える。
本発明は上記点に鑑みなされたもので、正確な
観測点の位置合せが実現でき、また１回に多数箇
所の指定ができ測定時間の短縮を図るとともに、
位置合せ操作中は電子ビームを試料に照射しない
ようにして、照射による試料の影響を無くしたス
トロボ走査型電子顕微鏡装置を提供することを目
的とするものである。
観測点の位置合せが実現でき、また１回に多数箇
所の指定ができ測定時間の短縮を図るとともに、
位置合せ操作中は電子ビームを試料に照射しない
ようにして、照射による試料の影響を無くしたス
トロボ走査型電子顕微鏡装置を提供することを目
的とするものである。
本発明は、試料表面にパルス電子ビームを照射
するビーム照射部を有する走査型電子顕微鏡と、
前記ビーム照射部のパルス電子ビーム照射と試料
励振と走査信号との同期をとる走査制御部と、前
記走査型電子顕微鏡内でパルス電子ビーム照射さ
れた試料から放出される電子あるいはＸ線を検出
する検出器と、前記検出器からの出力を記憶する
記憶装置と、この記憶内容を表示する表示装置
と、この表示装置で指定した前記記憶装置内の所
望のアドレスを読み取り、前記走査制御部にアド
レス信号を入力する手段を具備することによつて
同一画面より多数点を自動測定でき、観測点の位
置合せ中に試料に電子ビーム照射しないようにし
て照射による影響を無くしたことを特徴とするス
トロボ走査型電子顕微鏡装置である。
するビーム照射部を有する走査型電子顕微鏡と、
前記ビーム照射部のパルス電子ビーム照射と試料
励振と走査信号との同期をとる走査制御部と、前
記走査型電子顕微鏡内でパルス電子ビーム照射さ
れた試料から放出される電子あるいはＸ線を検出
する検出器と、前記検出器からの出力を記憶する
記憶装置と、この記憶内容を表示する表示装置
と、この表示装置で指定した前記記憶装置内の所
望のアドレスを読み取り、前記走査制御部にアド
レス信号を入力する手段を具備することによつて
同一画面より多数点を自動測定でき、観測点の位
置合せ中に試料に電子ビーム照射しないようにし
て照射による影響を無くしたことを特徴とするス
トロボ走査型電子顕微鏡装置である。
以下、図面を参照して本発明を、実施例に基き
詳細に説明する。第３図に本発明に係るストロボ
走査型電子顕微鏡装置の構成を示す。なお、図
中、前記第１図と同様の部分には同一符号を付し
て説明する。第３図において、ストロボSEM２
内には試料表面にビーム照射を行うためのパルス
電子ビームを発生するパルス電子ビーム照射部１
が設けられている。このパルス電子ビーム照射部
１からの電子ビームの照射によつて試料内動作信
号により動作状態にある試料３から放出される２
次電子を２次電子検出器４により検出する。ここ
でＸ軸走査コイル８、Ｙ軸走査コイル１０は走査
制御部３１より発生された信号をDAコンバータ
３２，３３によつて変換された階段波が印加され
ている。これら階段波は自走状態にあり、この波
形を第４図に示す。この段階波によつて制御され
た走査コイルによつて電子ビームは試料表面を２
次元的に走査する。尚、試料励振と電子ビーム照
射と走査信号とはCPU３４によつて同期を取る
ことによつて、試料の各点に照射される電子ビー
ムの量を一定に保つている。
詳細に説明する。第３図に本発明に係るストロボ
走査型電子顕微鏡装置の構成を示す。なお、図
中、前記第１図と同様の部分には同一符号を付し
て説明する。第３図において、ストロボSEM２
内には試料表面にビーム照射を行うためのパルス
電子ビームを発生するパルス電子ビーム照射部１
が設けられている。このパルス電子ビーム照射部
１からの電子ビームの照射によつて試料内動作信
号により動作状態にある試料３から放出される２
次電子を２次電子検出器４により検出する。ここ
でＸ軸走査コイル８、Ｙ軸走査コイル１０は走査
制御部３１より発生された信号をDAコンバータ
３２，３３によつて変換された階段波が印加され
ている。これら階段波は自走状態にあり、この波
形を第４図に示す。この段階波によつて制御され
た走査コイルによつて電子ビームは試料表面を２
次元的に走査する。尚、試料励振と電子ビーム照
射と走査信号とはCPU３４によつて同期を取る
ことによつて、試料の各点に照射される電子ビー
ムの量を一定に保つている。
また、２次電子検出器４によつて検出された信
号は増幅器３６を介してADコンバータ３８に入
力され、デジタル信号に変換される。この変換さ
れたデジタル信号は画像メモリ４０に記憶された
後、表示装置例えばCRT６に表示される。ここ
で画像メモリ４０の画素数は、表示装置の走査線
数に一致しており、同時に前記階段波のステツプ
数も一致させる。例えば、表示装置の走査線数が
512×512であれば画像メモリの画素数も512×512
とし、同時に階段波のステツプ数もそれぞれ512
本とする。従つて１ステツプに１画素が１対１に
対応している。また、CRT６上には試料像と同
時に十字形の記号のカーソル４２が表示されてお
り、コントローラ４４によつて、その位置を任意
に可変できるようにしている。
号は増幅器３６を介してADコンバータ３８に入
力され、デジタル信号に変換される。この変換さ
れたデジタル信号は画像メモリ４０に記憶された
後、表示装置例えばCRT６に表示される。ここ
で画像メモリ４０の画素数は、表示装置の走査線
数に一致しており、同時に前記階段波のステツプ
数も一致させる。例えば、表示装置の走査線数が
512×512であれば画像メモリの画素数も512×512
とし、同時に階段波のステツプ数もそれぞれ512
本とする。従つて１ステツプに１画素が１対１に
対応している。また、CRT６上には試料像と同
時に十字形の記号のカーソル４２が表示されてお
り、コントローラ４４によつて、その位置を任意
に可変できるようにしている。
次に、CRT６に得られた試料７の任意の箇所
の電圧波形を観測する場合は前述のカーソル４２
をコントローラ４４によつて移動させ、波形測定
したい点にカーソル４２を合わせる。カーソルを
合わせた画素に相当する画像メモリ内のアドレス
をアドレス読み取り装置４６により読みとり、こ
れをアドレス記憶装置４８に記憶する。この際
に、波形観測点を一点のみ測定しても良いが、連
続してカーソルによつて読み取られた画像のアド
レスを任意の数だけアドレス記憶装置４８に記憶
させる。次に、これらアドレスを走査制御部３１
に入力し、DAコンバータ３２，３３を通して、
走査コイル８，１０に、電圧を加え、ビームを指
定の位置に任意の数だけ連続して点照射すること
が出来る。
の電圧波形を観測する場合は前述のカーソル４２
をコントローラ４４によつて移動させ、波形測定
したい点にカーソル４２を合わせる。カーソルを
合わせた画素に相当する画像メモリ内のアドレス
をアドレス読み取り装置４６により読みとり、こ
れをアドレス記憶装置４８に記憶する。この際
に、波形観測点を一点のみ測定しても良いが、連
続してカーソルによつて読み取られた画像のアド
レスを任意の数だけアドレス記憶装置４８に記憶
させる。次に、これらアドレスを走査制御部３１
に入力し、DAコンバータ３２，３３を通して、
走査コイル８，１０に、電圧を加え、ビームを指
定の位置に任意の数だけ連続して点照射すること
が出来る。
次に第５図乃至第８図に基き、第３図に示すス
トロボ走査型電子顕微鏡装置の本発明に係る主要
部を詳細に説明する。尚、第５図及び第７図にお
いて第１図及び第３図と一箇所は同一符号を付し
て説明する。第５図は第３図において説明した画
像メモリ４０、表示装置６、コントローラ４４、
アドレス読み取り装置４６及びアドレス記憶装置
４８を詳細に説明するための構成図である。
トロボ走査型電子顕微鏡装置の本発明に係る主要
部を詳細に説明する。尚、第５図及び第７図にお
いて第１図及び第３図と一箇所は同一符号を付し
て説明する。第５図は第３図において説明した画
像メモリ４０、表示装置６、コントローラ４４、
アドレス読み取り装置４６及びアドレス記憶装置
４８を詳細に説明するための構成図である。
第５図において、測定位置の読み取り操作は、
コントローラ４４に設けられたＸ軸、Ｙ軸用のカ
ーソルスイツチ５０，５１を操作することによつ
てCRT６上に２次電子画像７と重畳して表示さ
れたカーソル４２を動かして測定位置を検出して
いる。カーソルスイツチ５０，５１による移動量
は、Ｘ軸、Ｙ軸用のカーソルアドレスカウンター
５２，５３によつて読み取られる。カーソルスイ
ツチでは１回のスイツチを押すと１画素分が移動
する。一方、画像表示用の同期信号HD、VDは表
示用同期信号発生器５４により発生するが、それ
ぞれ表示用Ｘ軸カウンター５６、Ｙ軸カウンター
５８により常時カウントされて出力されている。
ここで第６図に示すように同期信号HDの512本の
パルスごとに同期信号VDのパルスが発生し、
CRT６の画面を順次走査している。カーソルア
ドレスカウンター５２，５３と表示用カウンター
５６，５８の出力は各々Ｘ、Ｙについてコンパレ
ーター６０，６２により比較を行い、両者の出力
が一致したときコンパレーターは出力を発生す
る。ＸおよびＹの表示用カウンター出力はメモリ
ーアドレスセレクター６４により走査信号に変換
されて画像メモリー４０内を順次走査し２次電子
画像信号を読み出している。画像メモリーの内容
はデーターセレクター６６を通して表示するが、
このデーターセレクター６６はＸおよびＹのコン
パレーター６０，６２出力でコントロールする。
すなわち、カーソルアドレスカウンター５２，５
３と表示用カウンター５６，５８の出力が一致し
たときに、画像メモリーからの出力はブランキン
グになり代りにCRT上にはカーソルデーター発
生器６８により発生されたカーソル表示用のデー
ター、例えば白の十字表示用のデーターがDAコ
ンバーター７０を介してCRT６上に出力される。
コントローラ４４に設けられたＸ軸、Ｙ軸用のカ
ーソルスイツチ５０，５１を操作することによつ
てCRT６上に２次電子画像７と重畳して表示さ
れたカーソル４２を動かして測定位置を検出して
いる。カーソルスイツチ５０，５１による移動量
は、Ｘ軸、Ｙ軸用のカーソルアドレスカウンター
５２，５３によつて読み取られる。カーソルスイ
ツチでは１回のスイツチを押すと１画素分が移動
する。一方、画像表示用の同期信号HD、VDは表
示用同期信号発生器５４により発生するが、それ
ぞれ表示用Ｘ軸カウンター５６、Ｙ軸カウンター
５８により常時カウントされて出力されている。
ここで第６図に示すように同期信号HDの512本の
パルスごとに同期信号VDのパルスが発生し、
CRT６の画面を順次走査している。カーソルア
ドレスカウンター５２，５３と表示用カウンター
５６，５８の出力は各々Ｘ、Ｙについてコンパレ
ーター６０，６２により比較を行い、両者の出力
が一致したときコンパレーターは出力を発生す
る。ＸおよびＹの表示用カウンター出力はメモリ
ーアドレスセレクター６４により走査信号に変換
されて画像メモリー４０内を順次走査し２次電子
画像信号を読み出している。画像メモリーの内容
はデーターセレクター６６を通して表示するが、
このデーターセレクター６６はＸおよびＹのコン
パレーター６０，６２出力でコントロールする。
すなわち、カーソルアドレスカウンター５２，５
３と表示用カウンター５６，５８の出力が一致し
たときに、画像メモリーからの出力はブランキン
グになり代りにCRT上にはカーソルデーター発
生器６８により発生されたカーソル表示用のデー
ター、例えば白の十字表示用のデーターがDAコ
ンバーター７０を介してCRT６上に出力される。
以上述べた動作に従つてカーソルアドレスカウ
ンターの出力がCRT上の２次電子画像に重畳さ
れて白の十字（カーソル）表示となる。この結
果、CRT上のカーソルを測定位置に合せる操作
を行うことにより、画像メモリー上のアドレスに
相当するカーソルアドレスカウンターの出力の値
として得ることが出来る。この値を座標記憶装置
４８に順次記憶する。
ンターの出力がCRT上の２次電子画像に重畳さ
れて白の十字（カーソル）表示となる。この結
果、CRT上のカーソルを測定位置に合せる操作
を行うことにより、画像メモリー上のアドレスに
相当するカーソルアドレスカウンターの出力の値
として得ることが出来る。この値を座標記憶装置
４８に順次記憶する。
次に、第７図及び第８図に基き本願発明の走査
制御部を詳細に説明する。
制御部を詳細に説明する。
通常２次電子画像を観察するときは第７図に示
すように電子ビームはXY走査クロツク発生器７
０によつて発生されたＸ走査クロツク、Ｙ走査ク
ロツクにより走査を制御する。ここでＸ走査クロ
ツク、Ｙ走査クロツクを第８図に示す。各走査ク
ロツクは第６図に示した同期信号HD，VDに同期
している。各クロツク入力はＸカウンタ７２、Ｙ
カウンター７４によりカウントされてＸ、YDA
コンバーター３２，３３用の二進信号に変換して
いる。
すように電子ビームはXY走査クロツク発生器７
０によつて発生されたＸ走査クロツク、Ｙ走査ク
ロツクにより走査を制御する。ここでＸ走査クロ
ツク、Ｙ走査クロツクを第８図に示す。各走査ク
ロツクは第６図に示した同期信号HD，VDに同期
している。各クロツク入力はＸカウンタ７２、Ｙ
カウンター７４によりカウントされてＸ、YDA
コンバーター３２，３３用の二進信号に変換して
いる。
次にビームを止めて、一点に照射するときは走
査クロツクのカウンターへの入力はCPU３４か
らのビーム走査禁止信号によりCLK禁止ゲート
７６，７８が禁止状態になり、ＸおよびＹ座標記
憶装置４８からのデーターにより、測定位置に相
当する二進信号出力をDAコンバーター３２，３
３に出力し、ビームの位置を走査コイルにより設
定する。
査クロツクのカウンターへの入力はCPU３４か
らのビーム走査禁止信号によりCLK禁止ゲート
７６，７８が禁止状態になり、ＸおよびＹ座標記
憶装置４８からのデーターにより、測定位置に相
当する二進信号出力をDAコンバーター３２，３
３に出力し、ビームの位置を走査コイルにより設
定する。
尚、上記実施例では電子線を検出して行なつた
がこれに限定されることなくＸ線を検出して観測
を行なうことも可能である。
がこれに限定されることなくＸ線を検出して観測
を行なうことも可能である。
以上実施例に従い説明したように、試料上の任
意の位置の測定箇所を捜し、位置合せする作業が
画像メモリー上で行なえるため、位置合せ作業中
は電子ビームを試料に照射する必要がなく、試料
照射が、試料の画像をCRTに表示する際と、位
置決めされた箇所にビームを照射する際だけであ
るため、従来に比べ、照射による試料の特性変動
を最小限に押えることができる。従つて、集積回
路の超高密度の進行に伴つて発生する駆動電圧の
減少、デザインルームの縮小によつて試料の特性
が変動し易くなつており、この微細化の進む集積
回路の動作解析に用いて好適である。
意の位置の測定箇所を捜し、位置合せする作業が
画像メモリー上で行なえるため、位置合せ作業中
は電子ビームを試料に照射する必要がなく、試料
照射が、試料の画像をCRTに表示する際と、位
置決めされた箇所にビームを照射する際だけであ
るため、従来に比べ、照射による試料の特性変動
を最小限に押えることができる。従つて、集積回
路の超高密度の進行に伴つて発生する駆動電圧の
減少、デザインルームの縮小によつて試料の特性
が変動し易くなつており、この微細化の進む集積
回路の動作解析に用いて好適である。
また、アドレス読み取り装置に画像メモリーを
一時的に記憶しておくアドレス記憶装置が設けら
れているため、多数の測定箇所を指定できる。そ
の結果、多数の指定位置を自動的に測定できるた
め、測定時間が短縮でき、操作性が向上する。
一時的に記憶しておくアドレス記憶装置が設けら
れているため、多数の測定箇所を指定できる。そ
の結果、多数の指定位置を自動的に測定できるた
め、測定時間が短縮でき、操作性が向上する。
更に、位置設定の分解能が画像表示器上の一画
素分に相当するため、位置合せの設定精度が向上
する。また、本願方式によつて測定精度が向上す
るため、従来のように、高倍率観察が避けられる
ため、試料の特性変化を最小限に押えることが可
能である。
素分に相当するため、位置合せの設定精度が向上
する。また、本願方式によつて測定精度が向上す
るため、従来のように、高倍率観察が避けられる
ため、試料の特性変化を最小限に押えることが可
能である。
第１図は従来のストロボ走査電子顕微鏡装置の
基本構成図、第２図は第１図の装置のＸ軸、Ｙ軸
走査コイルに印加される走査信号波形を示す図、
第３図は本発明の一実施例に係るストロボ走査型
電子顕微鏡の基本構成図、第４図は第３図の装置
のＸ軸、Ｙ軸走査コイルに印加される走査信号波
形を示す図、第５図及び第７図は本発明に係るス
トロボ走査電子顕微鏡の要部を詳細に説明するた
めの図、第６図及び第８図は第５図及び第７図を
説明するための信号波形図である。図において、 １……パルスビーム照射部、２……ストロボ走
査型電子顕微鏡（SEM）、３……試料、４……２
次電子検出器、５，１２，１４，３６……増幅
器、６……表示装置（CRT）、７……２次電子
像、８……Ｘ軸走査コイル、１０……Ｙ軸走査コ
イル、３１……走査制御部、３２，３３……DA
コンバータ、３４……CPU、３８……ADコンバ
ータ、４０……画像メモリ、４２……カーソル、
４４コントローラ、４６……アドレス読み取り装
置、４８……アドレス記憶装置。
基本構成図、第２図は第１図の装置のＸ軸、Ｙ軸
走査コイルに印加される走査信号波形を示す図、
第３図は本発明の一実施例に係るストロボ走査型
電子顕微鏡の基本構成図、第４図は第３図の装置
のＸ軸、Ｙ軸走査コイルに印加される走査信号波
形を示す図、第５図及び第７図は本発明に係るス
トロボ走査電子顕微鏡の要部を詳細に説明するた
めの図、第６図及び第８図は第５図及び第７図を
説明するための信号波形図である。図において、 １……パルスビーム照射部、２……ストロボ走
査型電子顕微鏡（SEM）、３……試料、４……２
次電子検出器、５，１２，１４，３６……増幅
器、６……表示装置（CRT）、７……２次電子
像、８……Ｘ軸走査コイル、１０……Ｙ軸走査コ
イル、３１……走査制御部、３２，３３……DA
コンバータ、３４……CPU、３８……ADコンバ
ータ、４０……画像メモリ、４２……カーソル、
４４コントローラ、４６……アドレス読み取り装
置、４８……アドレス記憶装置。
Claims (1)
- １ 試料表面にパルス電子ビームを照射するビー
ム照射部を有する走査型電子顕微鏡と、前記ビー
ム照射部のパルス電子ビーム照射と試料励振と走
査信号との同期をとる走査制御部と、前記走査型
電子顕微鏡内でパルス電子ビーム照射された試料
から放出される電子あるいはＸ線を検出する検出
器と、この検出器からのアナログ信号をデジタル
信号に変換する信号変換部と、この信号変換部か
らのデジタル信号を記憶する記憶装置と、この記
憶内容を表示する表示装置と、前記記憶装置内の
所望のデータに対応するアドレスを読み取るアド
レス読み取り装置と、この読み取つた複数のアド
レスを記憶し、かつこの記憶したアドレスを前記
走査制御部に入力するアドレス記憶装置とを具備
し、前記走査制御部は、前記アドレス記憶装置か
らの前記記憶した複数のアドレスに対応する前記
試料上の測定箇所に前記パルス電子ビームを順次
照射し、この照射を繰り返し行う制御手段を有す
ることを特徴とするストロボ走査型電子顕微鏡装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030593A JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
| DE8383101823T DE3375438D1 (en) | 1982-03-01 | 1983-02-24 | Stroboscopic scanning electron microscope |
| EP83101823A EP0087767B1 (en) | 1982-03-01 | 1983-02-24 | Stroboscopic scanning electron microscope |
| US06/470,632 US4538065A (en) | 1982-03-01 | 1983-02-28 | Stroboscopic scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57030593A JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58150256A JPS58150256A (ja) | 1983-09-06 |
| JPH041458B2 true JPH041458B2 (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=12308161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57030593A Granted JPS58150256A (ja) | 1982-03-01 | 1982-03-01 | ストロボ走査型電子顕微鏡装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58150256A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6116540A (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-24 | Matsushita Electronics Corp | パタ−ン寸法測定装置 |
| JPS6158152A (ja) * | 1984-08-29 | 1986-03-25 | Jeol Ltd | 走査形電子顕微鏡の分析デ−タ処理装置 |
| JP2692062B2 (ja) * | 1986-11-05 | 1997-12-17 | 株式会社島津製作所 | 疲労試験機 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5347263A (en) * | 1976-10-12 | 1978-04-27 | Jeol Ltd | Scan-type electronic microscope and its similar device |
| JPS5596560U (ja) * | 1978-12-27 | 1980-07-04 |
-
1982
- 1982-03-01 JP JP57030593A patent/JPS58150256A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58150256A (ja) | 1983-09-06 |
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