JPH041459B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH041459B2 JPH041459B2 JP59123993A JP12399384A JPH041459B2 JP H041459 B2 JPH041459 B2 JP H041459B2 JP 59123993 A JP59123993 A JP 59123993A JP 12399384 A JP12399384 A JP 12399384A JP H041459 B2 JPH041459 B2 JP H041459B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- lens
- stage
- excitation
- focusing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集束電子線回折像を観察することの
できる電子顕微鏡に関する。
できる電子顕微鏡に関する。
［従来の技術］
電子顕微鏡を用いて集束電子線回折像の観察が
広く行なわれるようになつた。第９図は、集束電
子線回折像を観察するための従来の電子顕微鏡等
における照射レンズ系を示すものである。第９図
中、１は電子銃であり、この電子銃１よりの電子
線２は集束レンズ３により集束される。更に可動
絞り４を通過した電子線は第２段の集束レンズ５
により集束された後、対物レンズ６の前方磁界レ
ンズ６ａにより集束されて試料７上に照射され
る。試料７によつて回折された電子線は、対物レ
ンズの後方磁界レンズ６ｂとその後段の結像レン
ズ系（図示せず）によつて結像されて蛍光板８上
に回折像として投影される。さて、このような集
束電子線回折像を観察する場合、以下のようなこ
とが要求される。
広く行なわれるようになつた。第９図は、集束電
子線回折像を観察するための従来の電子顕微鏡等
における照射レンズ系を示すものである。第９図
中、１は電子銃であり、この電子銃１よりの電子
線２は集束レンズ３により集束される。更に可動
絞り４を通過した電子線は第２段の集束レンズ５
により集束された後、対物レンズ６の前方磁界レ
ンズ６ａにより集束されて試料７上に照射され
る。試料７によつて回折された電子線は、対物レ
ンズの後方磁界レンズ６ｂとその後段の結像レン
ズ系（図示せず）によつて結像されて蛍光板８上
に回折像として投影される。さて、このような集
束電子線回折像を観察する場合、以下のようなこ
とが要求される。
(1) 蛍光板８上に投影される回折デイスク９の内
部情報を読み取るため、回折デイスクの径ｄを
回折デイスクが重ならない範囲でできるだけ大
きくすること。
部情報を読み取るため、回折デイスクの径ｄを
回折デイスクが重ならない範囲でできるだけ大
きくすること。
(2) 結晶が完全な領域からの回折電子線を得るた
め、試料に照射される電子線のスポツト径を小
さい初期設定値に保持すること。
め、試料に照射される電子線のスポツト径を小
さい初期設定値に保持すること。
ところで、回折デイスクの径ｄは、試料７に照
射される電子線の開き角2αに依存するため、上
述した要求に応えるためには開き角2αを調節す
る必要がある。尚、以下の説明において、開き角
の半分であるαを簡単のため単に開き角と呼ぶも
のとする。
射される電子線の開き角2αに依存するため、上
述した要求に応えるためには開き角2αを調節す
る必要がある。尚、以下の説明において、開き角
の半分であるαを簡単のため単に開き角と呼ぶも
のとする。
［発明が解決しようとする問題点］
この開き角αを調節するための一方法として、
集束レンズの励磁強度を調節して行なうことが考
えられる。しかしながら、上述した従来の照射レ
ンズ系においては、２段の集束レンズしか備えて
いないため、２段の集束レンズの励磁強度を変化
させると、これら２段の集束レンズの総合倍率が
変化するため電子線のスポツト径も変化してしま
い、条件(2)を満すことができなくなる。そのた
め、従来においては集束レンズの励磁強度は変え
ずに、可動絞りを交換して絞り穴の径を変え、開
き角を調節するようにしていた。そのため、開き
角を細かく調節することはできず、回折デイスク
を最適な大きさに拡大して電子線回折像を観察す
ることができなかつた。又、３段の集束レンズを
備えた集束レンズ系も存在するが、この場合にも
２段の集束レンズの励磁強度を変化させるだけで
あるため、実質的には２段集束レンズ系と同じ問
題を有していた。
集束レンズの励磁強度を調節して行なうことが考
えられる。しかしながら、上述した従来の照射レ
ンズ系においては、２段の集束レンズしか備えて
いないため、２段の集束レンズの励磁強度を変化
させると、これら２段の集束レンズの総合倍率が
変化するため電子線のスポツト径も変化してしま
い、条件(2)を満すことができなくなる。そのた
め、従来においては集束レンズの励磁強度は変え
ずに、可動絞りを交換して絞り穴の径を変え、開
き角を調節するようにしていた。そのため、開き
角を細かく調節することはできず、回折デイスク
を最適な大きさに拡大して電子線回折像を観察す
ることができなかつた。又、３段の集束レンズを
備えた集束レンズ系も存在するが、この場合にも
２段の集束レンズの励磁強度を変化させるだけで
あるため、実質的には２段集束レンズ系と同じ問
題を有していた。
本発明は、このような従来の欠点を解決すべく
なされたもので、試料に照射される電子線のスポ
ツト径を一定に保持した状態で、任意に電子線の
開き角を調節することのできる電子顕微鏡を提供
することを目的としている。
なされたもので、試料に照射される電子線のスポ
ツト径を一定に保持した状態で、任意に電子線の
開き角を調節することのできる電子顕微鏡を提供
することを目的としている。
［問題点を解決するための手段］
このような目的を達成するため、本発明は電子
銃と、該電子銃よりの電子線を集束するための第
１、第２、第３段の集束レンズと、該第１、第
２、第３段の各レンズを励磁するための第１、第
２、第３の励磁電源と、該第１、第２、第３段の
レンズを経た電子線をその前方磁界レンズ部によ
つて試料上に集束するための対物レンズと、該試
料によつて回折された電子線に基づいて集束電子
線回折像を形成するための結像レンズ系を備えた
電子顕微鏡において、試料に照射される電子線の
スポツト径を一定に保持したまま試料に照射され
る電子線の開き角を任意に可変とするように、該
開き角を増減させるに応じて前記第１、第３段の
集束レンズの励磁電流を減増させると共に第２段
の集束レンズの励磁電流を増減させながら前記第
１、第２、第３段の集束レンズの励磁電流を自動
的に連動して変化させるための電源制御手段を備
えたことを特徴としている。
銃と、該電子銃よりの電子線を集束するための第
１、第２、第３段の集束レンズと、該第１、第
２、第３段の各レンズを励磁するための第１、第
２、第３の励磁電源と、該第１、第２、第３段の
レンズを経た電子線をその前方磁界レンズ部によ
つて試料上に集束するための対物レンズと、該試
料によつて回折された電子線に基づいて集束電子
線回折像を形成するための結像レンズ系を備えた
電子顕微鏡において、試料に照射される電子線の
スポツト径を一定に保持したまま試料に照射され
る電子線の開き角を任意に可変とするように、該
開き角を増減させるに応じて前記第１、第３段の
集束レンズの励磁電流を減増させると共に第２段
の集束レンズの励磁電流を増減させながら前記第
１、第２、第３段の集束レンズの励磁電流を自動
的に連動して変化させるための電源制御手段を備
えたことを特徴としている。
［発明の作用］
以下、本発明において基本となつている考えを
第２図に基づいて説明する。
第２図に基づいて説明する。
いま、第１、第２、第３段の集束レンズ１０，
１１，１２と第２段の集束レンズ１１の中心付近
に配置された絞り１３より成る集束レンズ系を考
える。尚、第２図において、第９図と同一の構成
要素に対しては同一番号を付している。各集束レ
ンズ１０，１１，１２の励磁強度を調節して、第
２図において細線で電子線の軌跡を示すように、
第１段の集束レンズ１０から距離a1にある電子
銃１のクロスオーバーが第１段の集束レンズ１０
から距離b1の点に像Ｉ１として結像され、この
像Ｉ１が距離a2だけ離れた第２段の集束レンズ
１１によつてレンズ１１から距離b2の点に像Ｉ
２として結像され、像Ｉ２が距離a3だけ離れた
第３の集束レンズ１２によつて距離−b3の点に
虚像Ｉ３として拡大結像され、更にこの虚像Ｉ３
から距離a0だけ離れた対物レンズ６の前方磁界
レンズ６ａによりレンズ６ａからb0だけ離れた
試料７上に像Ｉ０として結像されるようにしたと
する。電子銃１の電子線発生源の半径をＡ、絞り
１３の半径をＲ、第３段のレンズ１２を通過する
電子線の光軸Ｃからの最大距離をl3、前方磁界レ
ンズ６ａを通過する電子線の光軸Ｃからの最大距
離をl0、試料７上に照射される電子線スポツトの
半径をｒとすると、ｒは以下の式によつて与えら
れる。
１１，１２と第２段の集束レンズ１１の中心付近
に配置された絞り１３より成る集束レンズ系を考
える。尚、第２図において、第９図と同一の構成
要素に対しては同一番号を付している。各集束レ
ンズ１０，１１，１２の励磁強度を調節して、第
２図において細線で電子線の軌跡を示すように、
第１段の集束レンズ１０から距離a1にある電子
銃１のクロスオーバーが第１段の集束レンズ１０
から距離b1の点に像Ｉ１として結像され、この
像Ｉ１が距離a2だけ離れた第２段の集束レンズ
１１によつてレンズ１１から距離b2の点に像Ｉ
２として結像され、像Ｉ２が距離a3だけ離れた
第３の集束レンズ１２によつて距離−b3の点に
虚像Ｉ３として拡大結像され、更にこの虚像Ｉ３
から距離a0だけ離れた対物レンズ６の前方磁界
レンズ６ａによりレンズ６ａからb0だけ離れた
試料７上に像Ｉ０として結像されるようにしたと
する。電子銃１の電子線発生源の半径をＡ、絞り
１３の半径をＲ、第３段のレンズ１２を通過する
電子線の光軸Ｃからの最大距離をl3、前方磁界レ
ンズ６ａを通過する電子線の光軸Ｃからの最大距
離をl0、試料７上に照射される電子線スポツトの
半径をｒとすると、ｒは以下の式によつて与えら
れる。
ｒ＝Ａ・（b1／a1）（b2／a2）×（b3／a3）（b0
／a0）……(1) 又、試料７に照射される電子線の開き角をαと
すると、αは以下の式によつて与えられる。
／a0）……(1) 又、試料７に照射される電子線の開き角をαと
すると、αは以下の式によつて与えられる。
αl0／b0 ……(2)
ところで．l0／a0＝l3／b3且つl3／a3＝Ｒ／l2
であるから、上記(2)式は、以下のように変形でき
る。
であるから、上記(2)式は、以下のように変形でき
る。
α(a0/b0)(Ra3)／(b2/b3) ……(3)
電子顕微鏡においては、通常、前方磁界レンズ
の倍率は固定されているから、a0／b0は定数と
見做し得、又、絞り１３の半径Ｒも固定するもの
とすれば、 開き角αはa3／（b2b3）に比例することが分
る。
の倍率は固定されているから、a0／b0は定数と
見做し得、又、絞り１３の半径Ｒも固定するもの
とすれば、 開き角αはa3／（b2b3）に比例することが分
る。
そこで、αを例えば１／Ｋ（Ｋは任意の正数）
に減少させるため、b2、a3、b3を次のように変
化させたとする。即ち、b2、a3、b3に代えて、 a3′／（b2′b3′）＝（１／Ｋ）｛a3／（
b2b3）｝……(4) なる関係で結びつけられた、b2′、a3′、b3′を選
んだとすれば、a1、b1、a2に代えて、 (a1′a2′)／b1′＝Ｋ(a1a2)／b1 ……(5) なる関係で結びつけられた新たなa1′、b1′、
a2′が選ばれるように、第１、第２、第３段の集
束レンズ１０，１１，１２の励磁強度を連動して
変化させるようにすれば、(4)及び(5)式より、 ｒ＝Ａ・（b1′／a1′）（b2′／a2′）×（b3′
／a3′）（b0′／a0′）……(6) となる。このことにより、電子線スポツトの半径
ｒを不変に保持してαを任意に変化させ得ること
が分る。この場合の電子線の軌跡は例えば第２図
において一点鎖線で示されている。
に減少させるため、b2、a3、b3を次のように変
化させたとする。即ち、b2、a3、b3に代えて、 a3′／（b2′b3′）＝（１／Ｋ）｛a3／（
b2b3）｝……(4) なる関係で結びつけられた、b2′、a3′、b3′を選
んだとすれば、a1、b1、a2に代えて、 (a1′a2′)／b1′＝Ｋ(a1a2)／b1 ……(5) なる関係で結びつけられた新たなa1′、b1′、
a2′が選ばれるように、第１、第２、第３段の集
束レンズ１０，１１，１２の励磁強度を連動して
変化させるようにすれば、(4)及び(5)式より、 ｒ＝Ａ・（b1′／a1′）（b2′／a2′）×（b3′
／a3′）（b0′／a0′）……(6) となる。このことにより、電子線スポツトの半径
ｒを不変に保持してαを任意に変化させ得ること
が分る。この場合の電子線の軌跡は例えば第２図
において一点鎖線で示されている。
［実施例］
以下、図面に基づき本発明の実施例を詳述す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例を示すためのもの
で、第１図においては、第２図と同一の構成要素
に対しては同一番号を付している。
で、第１図においては、第２図と同一の構成要素
に対しては同一番号を付している。
第１図において、１４，１５，１６は各々第
１、第２、第３段の集束レンズ１０，１１，１２
の励磁電源であり、これら励磁電源１４，１５，
１６は演算制御装置１７の制御信号に基づいて各
集束レンズ１０，１１，１２への励磁電流の供給
を制御されている。演算制御装置１７には、メモ
リ１８が接続されている。このメモリ１８には任
意の開き角を指定した際に、スポツト径を例えば
70Å程度に保持したまま、その開き角を実現する
のに必要な各集束レンズ１０，１１，１２の励磁
強度を表わす信号がテーブルとして記憶されてい
る。第３図ａ，ｂ，ｃはこのテーブルの記憶値が
どのようなものであるかを具体的に示すためのグ
ラフである。第３図ａにおいて、横軸は第１段の
集束レンズ１０の励磁強度（アンペア・ターン）
を示しており、縦軸は電子線の開き各α（ｍラジ
アン）を示している。この第３図ａのグラフは電
子線の開き角を任意に指定した際に、第１段の集
束レンズ１０の励磁強度をどのような値にすべき
かを示しており、このグラフによつて表わされる
開き角と第１段の集束レンズ１０の励磁強度との
関係がメモリ１８に記憶されている。第３図ｂの
横軸は第１段の集束レンズ１０の励磁強度を示
し、縦軸は第２段の集束レンズ１１の励磁強度を
示している。この第３図ｂのグラフは前記指定さ
れた開き角αを実現するために、第１段の集束レ
ンズ１０の励磁強度が定められた際に、その値に
対して第２の集束レンズ１１の励磁強度はどのよ
うな値をとらなければならないかを示している。
同様に第３図ｃは、第１段の集束レンズ１０の励
磁強度に対する必要な第３の集束レンズの励磁強
度を示すもので、第３図ｂ，ｃのグラフで表わさ
れる関係もメモリ１８に記憶されている。第４図
ａ，ｂ，ｃはスポツト径を200Å程度に保持して、
任意の開き角αを実現するのに必要な第１、第
２、第３段の集束レンズの励磁強度を表わすグラ
フであり、各々第３図ａ，ｂ，ｃに対応してい
る。この第４図ａ，ｂ，ｃに示される関係もメモ
リ１８に記憶されている。同様に第５図ａ，ｂ，
ｃは、スポツト径を570Å程度に保持して任意の
開き角αを実現するのに必要な第１、第２、第３
段の集束レンズの励磁強度を表わすグラフであ
り、これらの関係もメモリ１８に記憶されてい
る。１９は演算制御装置１７に接続された入力装
置であり、この入力装置１９には電子線のスポツ
ト径を選択するための押しボタン１９ａと開き角
を調節するための摘子１９ｂが備えられている。
１、第２、第３段の集束レンズ１０，１１，１２
の励磁電源であり、これら励磁電源１４，１５，
１６は演算制御装置１７の制御信号に基づいて各
集束レンズ１０，１１，１２への励磁電流の供給
を制御されている。演算制御装置１７には、メモ
リ１８が接続されている。このメモリ１８には任
意の開き角を指定した際に、スポツト径を例えば
70Å程度に保持したまま、その開き角を実現する
のに必要な各集束レンズ１０，１１，１２の励磁
強度を表わす信号がテーブルとして記憶されてい
る。第３図ａ，ｂ，ｃはこのテーブルの記憶値が
どのようなものであるかを具体的に示すためのグ
ラフである。第３図ａにおいて、横軸は第１段の
集束レンズ１０の励磁強度（アンペア・ターン）
を示しており、縦軸は電子線の開き各α（ｍラジ
アン）を示している。この第３図ａのグラフは電
子線の開き角を任意に指定した際に、第１段の集
束レンズ１０の励磁強度をどのような値にすべき
かを示しており、このグラフによつて表わされる
開き角と第１段の集束レンズ１０の励磁強度との
関係がメモリ１８に記憶されている。第３図ｂの
横軸は第１段の集束レンズ１０の励磁強度を示
し、縦軸は第２段の集束レンズ１１の励磁強度を
示している。この第３図ｂのグラフは前記指定さ
れた開き角αを実現するために、第１段の集束レ
ンズ１０の励磁強度が定められた際に、その値に
対して第２の集束レンズ１１の励磁強度はどのよ
うな値をとらなければならないかを示している。
同様に第３図ｃは、第１段の集束レンズ１０の励
磁強度に対する必要な第３の集束レンズの励磁強
度を示すもので、第３図ｂ，ｃのグラフで表わさ
れる関係もメモリ１８に記憶されている。第４図
ａ，ｂ，ｃはスポツト径を200Å程度に保持して、
任意の開き角αを実現するのに必要な第１、第
２、第３段の集束レンズの励磁強度を表わすグラ
フであり、各々第３図ａ，ｂ，ｃに対応してい
る。この第４図ａ，ｂ，ｃに示される関係もメモ
リ１８に記憶されている。同様に第５図ａ，ｂ，
ｃは、スポツト径を570Å程度に保持して任意の
開き角αを実現するのに必要な第１、第２、第３
段の集束レンズの励磁強度を表わすグラフであ
り、これらの関係もメモリ１８に記憶されてい
る。１９は演算制御装置１７に接続された入力装
置であり、この入力装置１９には電子線のスポツ
ト径を選択するための押しボタン１９ａと開き角
を調節するための摘子１９ｂが備えられている。
このような構成の装置において、例えば試料７
に照射される電子線のスポツト径を70Å程度に保
持したまま、任意の開き角αで集束電子回折像を
観察しようとする場合、操作者は入力装置１９ａ
のボタンを選択して、第３図ａ，ｂ，ｃのグラフ
に表わされた関係に従つて各励磁電源１４，１
５，１６から励磁電流が供給されるように演算制
御装置１７に指令を与える。そこで、蛍光板８上
に投影された集束電子線回折像の回折デイスクを
観察しながら摘子１９ｂを回転させて、各回折デ
イスクが重ならない範囲で最大の大きさになるよ
うに調節する。この際、開き角αの各値に対して
電子線スポツトの径は実験的に第６図のグラフの
ようになり、殆ど変化することはない。尚、第６
図において、横軸は開き角α（ｍラジアン）を縦
軸は電子線スポツトの径（Å）を示している。ス
ポツト径を他の値に保持して開き各αを変化させ
る場合も全く同様であり、第４図及び第５図のグ
ラフに従つて開き角を変化させる際にも、スポツ
ト径は各々第７図及び第８図のグラフに示すよう
になり、αの変化にかかわらず略一定となる。
に照射される電子線のスポツト径を70Å程度に保
持したまま、任意の開き角αで集束電子回折像を
観察しようとする場合、操作者は入力装置１９ａ
のボタンを選択して、第３図ａ，ｂ，ｃのグラフ
に表わされた関係に従つて各励磁電源１４，１
５，１６から励磁電流が供給されるように演算制
御装置１７に指令を与える。そこで、蛍光板８上
に投影された集束電子線回折像の回折デイスクを
観察しながら摘子１９ｂを回転させて、各回折デ
イスクが重ならない範囲で最大の大きさになるよ
うに調節する。この際、開き角αの各値に対して
電子線スポツトの径は実験的に第６図のグラフの
ようになり、殆ど変化することはない。尚、第６
図において、横軸は開き角α（ｍラジアン）を縦
軸は電子線スポツトの径（Å）を示している。ス
ポツト径を他の値に保持して開き各αを変化させ
る場合も全く同様であり、第４図及び第５図のグ
ラフに従つて開き角を変化させる際にも、スポツ
ト径は各々第７図及び第８図のグラフに示すよう
になり、αの変化にかかわらず略一定となる。
尚、上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎ
ず、実施にあたつては幾多の他の態様を取り得
る。
ず、実施にあたつては幾多の他の態様を取り得
る。
例えは、上述した実施例においては、メモリに
テーブルとして記憶された励磁制御情報に基づい
て、各励磁電源の励磁強度を制御するようにした
が、αの値に対して各レンズの励磁強度を算出で
きるようにプログラムを組んでおき、演算によつ
て得られた励磁値に基づいて励磁を制御するよう
にしても良い。
テーブルとして記憶された励磁制御情報に基づい
て、各励磁電源の励磁強度を制御するようにした
が、αの値に対して各レンズの励磁強度を算出で
きるようにプログラムを組んでおき、演算によつ
て得られた励磁値に基づいて励磁を制御するよう
にしても良い。
［発明の効果］
上述した本発明によれば、試料に照射する電子
線の径を任意の一定値に維持した状態で試料に照
射する電子線の開き角を可変とすることができ
る。従つて、集束電子線回折において、回折デイ
スクを観察する場合に、結晶が完全である領域に
のみ電子線が照射されるように初期に設定した試
料照射電子線のスポツト径を、この設定値に維持
しながら、開き角を調整して回折デイスクの大き
さを回折デイスク同志が重ならない範囲で最大に
なるように微調整することができる。その結果、
良質でしかも微細な部分まで観察可能な集束電子
線回折像が観察できる。
線の径を任意の一定値に維持した状態で試料に照
射する電子線の開き角を可変とすることができ
る。従つて、集束電子線回折において、回折デイ
スクを観察する場合に、結晶が完全である領域に
のみ電子線が照射されるように初期に設定した試
料照射電子線のスポツト径を、この設定値に維持
しながら、開き角を調整して回折デイスクの大き
さを回折デイスク同志が重ならない範囲で最大に
なるように微調整することができる。その結果、
良質でしかも微細な部分まで観察可能な集束電子
線回折像が観察できる。
第１図は本発明の一実施例を示すための図、第
２図は本発明の原理を説明するための図、第３
図、第４図及び第５図はメモリに格納されている
指定された開き角に対する各集束レンズ電源の励
磁強度を示すためのグラフであり、第６図、第７
図及び第８図は各々第３図、第４図及び第５図の
グラフに従つて各集束レンズの励磁強度を制御し
た場合の各開きαの値に対する電子線スポツト径
の値を示すための図、第９図は従来の照射レンズ
系を示すための図である。 １：電子銃、２：電子線、４：可動絞り、３，
５，１０，１１，１２：集束レンズ、６：対物レ
ンズ、６ａ：対物レンズの前方磁界レンズ、６
ｂ：対物レンズの後方磁界レンズ、７：試料、
８：蛍光板、９：回折デイスク、１３：絞り、１
４：１５：１６：励磁電源、１７：演算制御装
置、１８：メモリ、１９：入力装置、１９ａ：押
しボタン、１９ｂ：摘子、Ｉ０，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ
３：像、Ｃ：光軸。
２図は本発明の原理を説明するための図、第３
図、第４図及び第５図はメモリに格納されている
指定された開き角に対する各集束レンズ電源の励
磁強度を示すためのグラフであり、第６図、第７
図及び第８図は各々第３図、第４図及び第５図の
グラフに従つて各集束レンズの励磁強度を制御し
た場合の各開きαの値に対する電子線スポツト径
の値を示すための図、第９図は従来の照射レンズ
系を示すための図である。 １：電子銃、２：電子線、４：可動絞り、３，
５，１０，１１，１２：集束レンズ、６：対物レ
ンズ、６ａ：対物レンズの前方磁界レンズ、６
ｂ：対物レンズの後方磁界レンズ、７：試料、
８：蛍光板、９：回折デイスク、１３：絞り、１
４：１５：１６：励磁電源、１７：演算制御装
置、１８：メモリ、１９：入力装置、１９ａ：押
しボタン、１９ｂ：摘子、Ｉ０，Ｉ１，Ｉ２，Ｉ
３：像、Ｃ：光軸。
Claims (1)
- １ 電子銃と、該電子銃よりの電子線を集束する
ための第１、第２、第３段の集束レンズと、該第
１、第２、第３段の各レンズを励磁するための第
１、第２、第３の励磁電源と、該第１、第２、第
３段のレンズを経た電子線をその前方磁界レンズ
部によつて試料上に集束するための対物レンズ
と、該試料によつて回折された電子線に基づいて
集束電子線回折像を形成するための結像レンズ系
を備えた電子顕微鏡において、試料に照射される
電子線のスポツト径を一定に保持したまま試料に
照射される電子線の開き角を任意に可変とするよ
うに、該開き角を増減させるに応じて前記第１、
第３段の集束レンズの励磁電流を減増させると共
に第２段の集束レンズの励磁電流を増減させなが
ら前記第１、第２、第３段の集束レンズの励磁電
流を自動的に連動して変化させるための励磁電源
手段を備えた電子顕微鏡。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123993A JPS614142A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 電子顕微鏡 |
| US06/743,014 US4626689A (en) | 1984-06-16 | 1985-06-10 | Electron beam focusing system for electron microscope |
| GB8515311A GB2164203B (en) | 1984-06-16 | 1985-06-17 | Electron beam focusing system for an electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59123993A JPS614142A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS614142A JPS614142A (ja) | 1986-01-10 |
| JPH041459B2 true JPH041459B2 (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14874381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59123993A Granted JPS614142A (ja) | 1984-06-16 | 1984-06-16 | 電子顕微鏡 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4626689A (ja) |
| JP (1) | JPS614142A (ja) |
| GB (1) | GB2164203B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6119046A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Hitachi Ltd | 収束電子線回折用電子顕微鏡 |
| JPH0815060B2 (ja) * | 1985-06-12 | 1996-02-14 | 株式会社日立製作所 | 透過形電子顕微鏡 |
| FR2605143B1 (fr) * | 1986-10-14 | 1994-04-29 | Thomson Csf | Dispositif d'optique electronique, d'illumination et de limitation d'ouverture variables, et son application a un systeme de lithographie par faisceau d'electrons |
| JPH0793119B2 (ja) * | 1988-06-17 | 1995-10-09 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡 |
| JPH0233843A (ja) * | 1988-07-25 | 1990-02-05 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| JP2685603B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1997-12-03 | 日本電子株式会社 | 電子線装置 |
| JPH06215714A (ja) * | 1992-06-05 | 1994-08-05 | Hitachi Ltd | 電界放出型透過電子顕微鏡 |
| DE4243489A1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-06-23 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zur Beleuchtung mit einem fokussierten Elektronenstrahl und zugehöriges elektronen-optisches Beleuchtungssystem |
| JP5438937B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
| DE102009028013B9 (de) * | 2009-07-24 | 2014-04-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer Blendeneinheit und Verfahren zur Einstellung eines Strahlstroms in einem Teilchenstrahlgerät |
| US8748817B2 (en) * | 2010-07-27 | 2014-06-10 | Vineet Kumar | Orientation imaging using wide angle convergent beam diffraction in transmission electron microscopy |
| JP6595856B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2019-10-23 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子装置および測定方法 |
| CN119833376B (zh) * | 2024-12-27 | 2025-10-10 | 东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司 | 一种电子束流的调节方法、装置、设备、介质及产品 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2457092A (en) * | 1945-04-17 | 1948-12-21 | American Cyanamid Co | Method and apparatus for producing electron diffraction spectra |
| US3715582A (en) * | 1970-02-13 | 1973-02-06 | Hitachi Ltd | Method of and apparatus for attaining focusing following variation in magnification in electron microscope |
| JPS51124371A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Jeol Ltd | Scanning type electron microscope and similar equipment provided with means for controlling opening angle of electron beam for irradiating s amples |
| JPS51138064U (ja) * | 1975-04-28 | 1976-11-08 | ||
| DE2652273C2 (de) * | 1976-11-12 | 1978-11-02 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur bildlichen Darstellung eines Beugungsbildes bei einem Durchstrahlungs-Raster-Korpuskularstrahlmikroskop |
| DE2742264C3 (de) * | 1977-09-20 | 1981-04-30 | Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim | Verfahren zur Abbildung eines Objektes mit geringer Vergrößerung mittels eines Korpuskularstrahlgeräts, insbesondere eines Elektronen-Mikroskops und Korpuskularstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens |
| JPS5576560A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-09 | Hitachi Ltd | Observation field moving device for electron microscope |
| JPS55126951A (en) * | 1979-03-23 | 1980-10-01 | Hitachi Ltd | Electron microscope |
| JPS55128243A (en) * | 1979-03-28 | 1980-10-03 | Hitachi Ltd | Electron microscope |
| JPS585956A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | 電子顕微鏡 |
| GB2118771B (en) * | 1982-04-08 | 1987-03-25 | Jeol Ltd | Electron microscope |
| JPS60193248A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-01 | Internatl Precision Inc | 電子線装置の電子線照射方法 |
-
1984
- 1984-06-16 JP JP59123993A patent/JPS614142A/ja active Granted
-
1985
- 1985-06-10 US US06/743,014 patent/US4626689A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-17 GB GB8515311A patent/GB2164203B/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS614142A (ja) | 1986-01-10 |
| US4626689A (en) | 1986-12-02 |
| GB2164203A (en) | 1986-03-12 |
| GB2164203B (en) | 1989-05-17 |
| GB8515311D0 (en) | 1985-07-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH041459B2 (ja) | ||
| JPH0279347A (ja) | 透過形電子顕微鏡における物体の照射方法及びそのための電子顕微鏡 | |
| JPH0414744A (ja) | 電子線ホログラフィ装置 | |
| JPH0654639B2 (ja) | 透過形電子顕微鏡における電子線制御装置 | |
| JP2685603B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPH01319237A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JP2541931B2 (ja) | 収束電子線回折装置 | |
| JPS5919408B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
| US5001345A (en) | Transmission electron microscope | |
| JPH04336B2 (ja) | ||
| JPS6333472Y2 (ja) | ||
| JPH0234750Y2 (ja) | ||
| JP3234373B2 (ja) | 磁界形電子レンズおよびこれを用いた電子線装置 | |
| JP4727132B2 (ja) | 電子顕微鏡のフォーカス合わせ装置 | |
| JPS6261252A (ja) | 電子顕微鏡の照射レンズ装置 | |
| JPH0161228B2 (ja) | ||
| JPH043620B2 (ja) | ||
| JP3123861B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPS60193248A (ja) | 電子線装置の電子線照射方法 | |
| JPH051585B2 (ja) | ||
| JPS59181448A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JPS62133656A (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JPS6029187B2 (ja) | 電子顕微鏡 | |
| JPS6231473B2 (ja) | ||
| JPH0133898B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |