JPH0654639B2 - 透過形電子顕微鏡における電子線制御装置 - Google Patents

透過形電子顕微鏡における電子線制御装置

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JPH0654639B2
JPH0654639B2 JP62024474A JP2447487A JPH0654639B2 JP H0654639 B2 JPH0654639 B2 JP H0654639B2 JP 62024474 A JP62024474 A JP 62024474A JP 2447487 A JP2447487 A JP 2447487A JP H0654639 B2 JPH0654639 B2 JP H0654639B2
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excitation
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electron
lens
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弘幸 小林
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261Details
    • H01J37/265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination

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  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は透過形電子顕微鏡の電子線制御装置に係り、特
に電子線プローブ径を切替えても、電子線プローブの逃
げを生ずることがなく、試料上の電子線プローブ照射位
置が変動しないような透過形電子顕微鏡における電子線
制御装置に関する。
〔従来の技術〕
従来から、電子顕微鏡においては、観察モード(例えば
高倍率モード、低倍率モード、明/暗視野モード、超高
分散回折モードなど)ごとの電子光学的条件を最適とす
るために、非点収左補正手段を含めた電子線偏向系に供
給する電流を各モードごとに記憶し、独立に制御するよ
うにしていた(特開昭57−212754号公報)。
しかし上記のような従来技術では、同一観察モードであ
っても、照射系レンズの励磁変化によって電子線を逃げ
を生ずるが、この逃げに対する配慮はなされていなかっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
すなわち上記従来技術では、照射レンズ系の励磁を変化
させ、試料に照射される電子線プローブ径を切替えたと
きに、極微小な照射レンズ系の軸ずれなどにより電子線
プローブが試料上で移動し、以前とは異なる試料面上を
照射するという不便があった。
そして、結像レンズ系が、試料を透過した電子線を拡大
しているため、上記電子線プローブの移動が拡大され、
最終像または視野が螢光板からずれてしまって観察でき
なくなるという問題点がある。このために、操作者はそ
の都度、電子線偏向装置及び非点補正装置を再調整しな
ければならず、その操作が煩雑であった。
本発明の目的は、電子線プローブ径を切替えても、電子
線プローブが照射する試料位置が変わることをなくし
た、透過形電子顕微鏡に好適な電子線制御装置を提供す
ることにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、電子線偏向装置及び非点補正装置を電子線
プローブ径ごとに独立な系統とすることによって達成さ
れる。
すなわち、例えば電子線プローブ径(換言すれば、照射
系電子レンズの例示電流値)ごとに、電子線偏向量及び
非点補正量を独立にメモリ(記憶素子や可変抵抗器な
ど)に記憶させておくことによって達成できる。
〔作用〕
選択された、所望電子線プローブ径が変化すると、この
プローブ径に対応して予め記憶された電子線偏向量及び
非点補正量をメモリ上より検索し、その値を出力する。
従って、それまでに、このプローブ径に対応して、電子
線偏向による軸調整及び非点補正が調整されていれば、
それらの値がメモリ上に記憶されているので、プローブ
径を切替えられた場合には、新たなプローブ径に対する
適切な値が検索、使用されることになり、電子線が逃げ
ることがなく、また非点補正を再調整する必要もない。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図であ
る。
電子銃1より射出した電子線1Aは、照射レンズ系2
a,2b及び対物前磁場レンズ5aによって集束され、
試料20の面上を照射する。試料20を透過した電子線
1Bは、対物レンズ5bをはじめとする結像レンズ系6
〜7によって拡大され、螢光板8に結像する。
照射レンズ系の非点補正器3、電子線偏向器4をはじ
め、各レンズの電流(励磁)は、D/A変換器10a〜
10gとそれぞれに対応する電源9a〜9gを介して、
マイクロプロセッサ11によって制御されている。
なお、第1図において、12は制御のためのプログラム
や、プローブ径をパラメータとする照射レンズ系2a,
2bのデータ(励磁電流値)が格納されているメモリ
(ROM)である。13は電子線偏向器4や非点補正器
3のデータ(励磁電流値)を記憶するためのメモリ(R
AM)であり、なるべくはバッテリでバックアップされ
ている。
また、14は電子線プローブ径切替つまみ、15は電子
線偏向量調整つまみ、16は非点(収差)補正用つまみ
である。
以上の構成において、切替つまみ14よりプローブ径を
変化させるような信号が入力されると、マイクロプロセ
ッサ11は新たなプローブ径に対応する照射レンズ系2
a,2bのデータをメモリ12より検索し、その値をD
/A変換器10a,10bに出力する。同時に、そのプ
ローブ系に対応する電子線偏向量と非点補正量をメモリ
13より検索し、D/A変換器9c,9dに出力する。
前記のように、メモリ12および13に記憶された値
(励磁電流値)は、所望の電子線プローブ径に対して適
正に調整されたものであるから、通常の状態では、以上
の操作によって所望の、すなわちつまみ14で選択した
プローブ径が得られるはずである。
しかし、経時変化や環境変化などを生じている場合や、
選択されたプローブ径に対する諸データが未だ記憶され
ていない場合には、前述の操作によって得られた照射レ
ンズ系2a,2bおよび非点補正器3、電子線偏向器4
などのデータは適正でないものとなる。それ故に、この
ままでは所望の電子線プローブ径が得られない。
このように、メモリ12,13から検索されたデータ値
が適正でない状態の場合には、操作者が螢光板8上の像
または視野の明るさやサイズを観察しながら、電子線偏
向つまみ15または/および非点補正つまみ16を用い
て、これらが適正になるように調整する。
さらに具体的にいえば、マイクロプロセッサ11はつま
み15および16によって設定された偏向量または非点
補正量を読込み、現在D/A変換器10c,10dに出
力している値(例えば、検索値)と加算した後D/A変
換器10c,10dにその結果を出力する。さらに、こ
れとともにRAM13上にこれらの出力値を記憶する。
それ故に、操作者が電子線偏向量調整つまみ15または
非点(収差)補正用つまみ16を調整して、電子線プロ
ーブの位置や形状を所望の値に調整し終ると、その時の
プローブ径をパラメータとして、偏向量および非点補正
量がメモリ13に記憶されることになる。
このような処理(プローブ径の調整およびデータ記憶)
を全プローブ径ごとに一旦行なっておけば、つまみ14
によってプローブ径を切替えても電式線プローブが試料
20の面上で移動することはない。
以上の実施例では、プローブ径を階段的に切替える場合
について説明したが、プローブ径を連続的に変化させた
い場合には、各段階ごとの記憶値から補間演算し、その
任意のプローブ径に対する偏向量、補正量を求め、対応
するD/A変換器に出力するようにすれば、上記と同様
にプローブ移動を防止できることは明らかである。
またそれぞれの電子線プローブ径に対する偏向量および
非点補正量を、個々の対応する可変抵抗素子などによっ
てプリセットすることも可能であり、さらには偏向量お
よび非点補正量に対して共通の可変抵抗素子を準備し、
各電子線プローブ径ごとに調整した抵抗値、電圧値、電
流値、または可動接点位置などを記憶しておき、選択さ
れた電子プローブ径に応じて、適宜の手段(例えば、サ
ーボ機構など)によってそれらの値を再現するようにす
ることもできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、被検試料を照射する電子線プローブ径
を切替えても、電子線プローブが試料面上で逃げるよう
なことがなく、常に同一点を照射し、また非点収差を再
補正する必要もないので、電子顕微鏡の操作性向上に多
大の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図であ
る。 1……電子銃、2a,2b……照射レンズ系,3……非
点補正器、4……電子線偏向器、5a,5b……対物レ
ンズ、6,7……結像レンズ、8……螢光板、9a〜9
g……電源、10a〜10g……D/A変換器、11…
…マイクロプロセッサ、12……メモリ(ROM)、1
3……メモリ(RAM)、14……プローブ径切替つま
み、15……電子線偏向量調整つまみ、16……非点
(収差)補正用つまみ、20……試料

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子線を試料上に集束照射する照射レンズ
    系の各レンズの励磁を可変する手段と、結像レンズ系と
    電子銃の間に位置する非点補生器および軸調整用電子線
    偏向装置とを有する透過形電子顕微鏡における電子線制
    御装置であって、 照射レンズ系を構成する少なくとも一部のレンズの励磁
    量をパラメータとして、前記非点補正器および電子線偏
    向装置の励磁量を記憶する手段と、 前記レンズの励磁量を選択する手段と、 選択された前記レンズの励磁量をパラメータとして、前
    記非点補正器および電子線偏向装置の励磁量を読出す手
    段と、 読出された励磁量に応じて前記非点補正器および電子線
    偏向装置を付勢する手段とを具備したことを特徴とする
    透過形電子顕微鏡における電子線制御装置。
  2. 【請求項2】励磁量を記憶する手段はメモリであること
    を特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の透過形電
    子顕微鏡における電子線制御装置。
  3. 【請求項3】励磁量を記憶する手段は可変抵抗器である
    ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の透過
    形電子顕微鏡における電子線制御装置。
  4. 【請求項4】励磁量の記憶は、レンズの励磁量の段階的
    な値に対して行なわれることを特徴とする前記特許請求
    の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の透過形電
    子顕微鏡における電子線制御装置。
  5. 【請求項5】前記段階的なレンズ励磁量の中間値に対す
    る前記非点補正器および電子線偏向装置の励磁量は、補
    間演算によって求められることを特徴とする前記特許請
    求の範囲第4項記載の透過形電子顕微鏡における電子線
    制御装置。
JP62024474A 1987-02-06 1987-02-06 透過形電子顕微鏡における電子線制御装置 Expired - Lifetime JPH0654639B2 (ja)

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JPS63193446A JPS63193446A (ja) 1988-08-10
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