JPH0414634A - 再生専用型光ディスク - Google Patents
再生専用型光ディスクInfo
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- JPH0414634A JPH0414634A JP2117255A JP11725590A JPH0414634A JP H0414634 A JPH0414634 A JP H0414634A JP 2117255 A JP2117255 A JP 2117255A JP 11725590 A JP11725590 A JP 11725590A JP H0414634 A JPH0414634 A JP H0414634A
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- reflective layer
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- optical disc
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
に関する。
して既に広く実用化されている。特に音楽再生用、画像
再生用として普及がめざましい。
ト(凹凸)を表面に形成した透明基板上に反射膜(通常
Al)を蒸着し、さらに樹脂による保護コートをしてな
る。
。例えば、温湿度の急激な変化を与えた場合の基板の膨
張、収縮に伴う反射膜の剥離または高温、高湿下での反
射膜の腐食等は直接エラーレートの増加とつながり、光
ディスクの信顛性を大きく低下させる。
場合、上記耐候性の問題は非常に重要になる。
生専用型光ディスクを提供すべく鋭意検討した結果特定
の構造を選択することにより非常に耐候性に優れたディ
スクが得られることを見出した。
脂製透明基板上に反射層及び保護層を設けてなる再生専
用型光ディスクにおいて、反射層を円環状基板の外周縁
部と内周縁部との間の中間部にのみ設け、保護層を反射
層の上面部並びに基板の外周縁部及び内周縁部を覆うよ
うに設けてなり、反射層をTaを含有したA2合金とし
たことを特徴とする再生専用型光ディスクに存する。
ものであり、ポリカーボネートが好ましく用いられる。
る所謂、射出成形により基板に成形される。この際金型
中に予め凹凸情報が記録されたスタンパ−を設置してお
くことにより凹凸情報は基板に転写される。直径130
mmφ又は86mmφの基板の場合、基板の厚さは1.
2mmが標準である。
ると光学的に好ましくないので通常13000〜160
00程度の重量平均分子量のものを樹脂温320〜38
0°C程度で射出成形するのが好ましい。
化の防止の上からポリカーボネート中に含有される残留
ハロゲンは20pplI以下、好ましくは5 ppm以
下とされるのが良い。
フェノール系化合物(ピースフェノールA)とホスゲン
を反応させて得るものであるが、この反応時に用いられ
るハロゲン(塩素)化合物はポリカーボネート中に残留
すると反射層を構成する金属と反応し反射層の腐食の原
因となる。
液に、該樹脂の非溶媒を加え、温水中に噴霧するなどし
てゲル化させ溶媒を留去する方法等や水洗による精製が
採用される。
するが、本発明においては反射層としてTaを含有する
AI1合金を用いる。Taを含有すするAl合金はへ2
単体の膜に比べ耐食性に優れ、ディスクの高信顛性を確
保することになる。Taの含有量としては好ましくは0
.1〜15原子%(at%)さらに好ましくは0.5〜
10at%である反射層の膜厚としては好ましくは30
0Å以上1μm以下、さらに好ましくは500Å以上3
000Å以下である。
両開縁部の中間部にのみ設ける。これは、反射層をスパ
ッタリング等で設ける際、基板の外周縁部及び内周縁部
をカバーで覆っておくこと等によって行なわれる。
着性、経時安定性を向上させることも考えられる。
等が考えられるが、いずれにしても腐食や剥離の原因と
なる基板の表面に吸着された水分や基板の表面に付着し
た有機物等を除去する程度の処理、すなわち、水分除去
処理とでも云う処理で良い。
プラズマ処理の場合は基板表面を水の接触角が60°以
下のぬれ性となる程度、紫外線照射処理の場合も基板表
面を水の接触角が60’以下のぬれ性となる程度処理す
るのが良い。
までの間に付着する水分や有機物を除去するための処理
であるから、基板成形後120分、好ましくは30分以
内に反射層を形成し始める場合には、行なわなくても良
い場合もある。
えばエポキシアクリレートやウレタンアクリレート等を
主成分とした系等の、エネルギー線(紫外NIA)を照
射することによって硬化する所謂、硬化性樹脂或いはシ
リコン系等の熱硬化型樹脂が好適に用いられる。中でも
紫外線硬化型樹脂が好適である。
直接スピンコード、バーコーター等の塗布法により塗布
され硬化されるものであるから、本発明のAf−Ta反
射層を腐食したり劣化させたりすることがないものであ
ることが必要とされ、また、基板の外周縁部及び内周縁
部の反射層の設けられていない部分では、基板と保護層
とが通常は直接接触するものであるから、基板との密着
が良いこと、基板を劣化させたりしないこと等の性質も
要求される。
因となるNa、に、Ca等のアルカリ金属又はアルカリ
土類金属及びCI2、Br、、F等のハロゲンの含有量
がアルカリ金属又はアルカリ土類金属として、すなわち
化合物中のNaやCa等として10ppm以下、ハロゲ
ンとしては、すなわち化合物中のClやBr等として2
0ppm以下のものを用いるのが良い。これらの樹脂を
得る方法としては製造工程中で洗浄を十分行う方法(水
又は溶媒洗浄)や、溶媒による結晶化(晶析)等により
行う方法がある。
これ以上厚くすると保護層の収縮等の影響による基板の
変形が起る場合があり、この対策を講じなければならな
いし、薄すぎれば耐久性が低下する。
化時から硬化後にかけての収縮率がO〜15%程度のも
のであることが外力に対する保護、基板の変形に対する
配慮、取扱い易さ等の点から好ましい。
、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定
されるものではない。
の通りである。
a、に等としての含有量。) 2)ハロゲン含有量の測定 ・試料30■を酸化分解(酸素気流中で燃焼し、生成す
るハロゲン化水素を銀電極を用いて電量滴定する。含有
量は(1(クロル)換算とする。
−10J 3)接触角の測定 ・協和界面科学■製 FACE接触角計CA−3150型を用いて測定。
ポリカーボネートを用い、樹脂温350°Cでスタンバ
−を内蔵した金型に射出形成し、トラッキング用グルー
プ及び凹凸情報を持った130mmφのポリカーボネー
ト基板を得た。
以下まで排気した後、この基板の凹凸情報が形成された
側に5mmTorr、100W、30秒間の条件でプラ
ズマ処理を行なった。次いで該基板上にAlq7Tas
(at%)の組成を持った合金ターゲットをArガ
スでDCスパッタリングした。基板上にはt+i:qh
Taa (at%)の組成を持った反射層が1000
人形成された。組成の分析は蛍光X線分析を用いて行な
った。
の位置まで設け、基板の内周縁には幅14゜511I1
1、外周縁には幅3mの反射層を設けていない部分を形
成した。
+11、ハロゲン化合物含有量5 ppmのエポキシ系
紫外線硬化型樹脂をスピンコードし、紫外線を照射して
硬化させ5μの保護層を設けた。該保護層の硬度はH1
収縮率は8%であった。このようにして得られたディス
クを70°C190%RHの条件で1000時間の加速
試験を行ない、経時的にドロップインエラーレートを測
定したところ増加は1.6倍に止まった。
触角が45°となるように処理した。他は実施例1と同
様にしてディスクを得た。
1.4倍に止まった。
チップ又はA!チップを置くことによりA1.qqTa
+、A12915Taz、 s、A l 、、Ta、の
反射層を形成した外は実施例1と同様にしてディスクを
得た。
それぞれ1.7,1.4及び1.2倍に止まった。
0人成膜したほかは実施例1と同様にしてディスクを得
た。このディスクを実施例1と同様に加速試験を行なっ
たところ全面に腐食が発生しエラーレートは測定不能だ
った。
の使用、長期保存用の光ディスクとして好適である。
Claims (3)
- (1)凹凸情報が形成された円環状の合成樹脂製透明基
板上に反射層及び保護層を設けてなる再生専用型光ディ
スクにおいて、反射層を円環状基板の外周縁部と内周縁
部との間の中間部にのみ設け、保護層を反射層の上面部
並びに基板の外周縁部及び内周縁部を覆うように設けて
なり、反射層をTaを含有したAl合金としたことを特
徴とする再生専用型光ディスク。 - (2)前記反射層がTaを0.1〜15at%含有する
Al合金であることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の再生専用型光ディスク。 - (3)保護層が硬化性の樹脂であり、残留するアルカリ
金属又はアルカリ土類金属が10ppm以下、残留する
ハロゲンが20ppm以下の樹脂であることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の再生専用型光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117255A JP2507132B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 再生専用型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2117255A JP2507132B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 再生専用型光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414634A true JPH0414634A (ja) | 1992-01-20 |
| JP2507132B2 JP2507132B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=14707238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2117255A Expired - Lifetime JP2507132B2 (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 | 再生専用型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507132B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5476328A (en) * | 1993-12-09 | 1995-12-19 | Seiko Epson Corporation | Automatic platen gap adjusting device for printer |
| US5772339A (en) * | 1996-06-06 | 1998-06-30 | Seiko Epson Corporation | Automatic adjusting device for adjusting platen gap |
| EP2071570A1 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-17 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method thereof |
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| JPH01169751A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-05 | Mitsubishi Kasei Corp | 相変化記録媒体 |
| JPH02101649A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 光デイスク |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP2117255A patent/JP2507132B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP2071570A1 (en) | 2007-12-12 | 2009-06-17 | Taiyoyuden Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method thereof |
| US8119216B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-02-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Optical information recording medium and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2507132B2 (ja) | 1996-06-12 |
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