JPH01169751A - 相変化記録媒体 - Google Patents
相変化記録媒体Info
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- JPH01169751A JPH01169751A JP62326238A JP32623887A JPH01169751A JP H01169751 A JPH01169751 A JP H01169751A JP 62326238 A JP62326238 A JP 62326238A JP 32623887 A JP32623887 A JP 32623887A JP H01169751 A JPH01169751 A JP H01169751A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は相変化記録媒体に関する。詳しくは記録層とし
て相変化形の記録層を用いた光記録媒体に関する。
て相変化形の記録層を用いた光記録媒体に関する。
（従来の技術とその課題）
相変化記録媒体はレーザービームによる加熱−アモルフ
ァス）効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光反射率
の違いから情報を読み出すことができる。
ァス）効果を用いて情報を記録し、各結晶相の光反射率
の違いから情報を読み出すことができる。
相変化記録媒体には書き込み可能型（ライトワンス型）
と書き換え可能型（イレーザブル型）の両方があり、近
年進歩の著しい記録媒体である。
と書き換え可能型（イレーザブル型）の両方があり、近
年進歩の著しい記録媒体である。
相変化記録媒体のキャリアレベル（ＣＬ）は記録状態と
消去状態の光反射率のコントラストが違うほど大きくな
る。コントラストを上げる為に記録層を薄くシ、その下
に反射層を設は光のｊ−２１ ／ ２ ） ＝、ん 干渉効果を強く出すには反射層の光反射率を高くする必
要があるが、反射率の高い物質（例えば、Ａｔ＋ ＋
Ａｇ＋ Ｃｕ ｔ Ａ １等）を用いると、−般に熱伝
導度が大きく感度の低下をもたらす。
消去状態の光反射率のコントラストが違うほど大きくな
る。コントラストを上げる為に記録層を薄くシ、その下
に反射層を設は光のｊ−２１ ／ ２ ） ＝、ん 干渉効果を強く出すには反射層の光反射率を高くする必
要があるが、反射率の高い物質（例えば、Ａｔ＋ ＋
Ａｇ＋ Ｃｕ ｔ Ａ １等）を用いると、−般に熱伝
導度が大きく感度の低下をもたらす。
（課題を解決する為の手段）
本発明者等は上述の欠点を克服した高コントラスト、高
感度の相変化記録媒体を提供することを目的に鋭意検討
した結果、本発明に到達したものである。
感度の相変化記録媒体を提供することを目的に鋭意検討
した結果、本発明に到達したものである。
すなわち本発明の要旨は、基板上に設けられ媒体におい
て、記録層に反射層を設けてなシ、該反射層をＡ Ｉｘ
Ｍ＋−ｘ （Ｍ Ｆ！、Ｔａ ＋ Ｔｔ ＋ Ｚｒ ＋
Ｖ ｒＰ ｔ ＋ Ｍｏ ＊ Ｃｒから選ばれる少な
くとも１種の元素、Ｘは０．θ／〜０．７！の数）によ
って形成したことを特徴とする相変化記録媒体に存する
。
て、記録層に反射層を設けてなシ、該反射層をＡ Ｉｘ
Ｍ＋−ｘ （Ｍ Ｆ！、Ｔａ ＋ Ｔｔ ＋ Ｚｒ ＋
Ｖ ｒＰ ｔ ＋ Ｍｏ ＊ Ｃｒから選ばれる少な
くとも１種の元素、Ｘは０．θ／〜０．７！の数）によ
って形成したことを特徴とする相変化記録媒体に存する
。
（発明の構成）
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明による相変化形光記録媒体は、真空蒸着やスパッ
タリングなど通常の薄膜形成装置によシ作成される。
タリングなど通常の薄膜形成装置によシ作成される。
基板としては、通常、ＰＭＭＡ＋Ｐｃ（ポリカーボネー
ト）のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸を防
ぐ目的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導性の
良いものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂などの有
機物膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事ができる
。
ト）のような低熱伝導性材料が該基板への熱の散逸を防
ぐ目的からみて望ましいが、ガラス基板など熱伝導性の
良いものを用いる場合は、基板上に感光性樹脂などの有
機物膜を形成する事により、熱の散逸を防ぐ事ができる
。
基板の厚みは／〜２問程度が一般的であり、通常約へ２
鰭程度である。
鰭程度である。
本発明においては基板上に記録層、反射層を順次設ける
。記録層としてはＧ ｅ Ｔ ｅ系、 ＩｎＳｂ系、
Ｔｃ０２系等が用いられる。記録層の膜厚は記録前、
記録後Ｑ屈折率、及び反射層の屈折率から最もコントラ
ストがとれるように最適化されるが、通常２０ＯＡ−ｔ
００＾である。本発明においては反射層としてＴａ ｌ
Ｔｔ ＃ Ｚｒ ｌ Ｖ ｒＰ Ｌ ＋ Ｍｏ ＋
Ｃｒから選ばれる一棟以上の元素を含有するＡ１合金を
用いる。添加金稙の含有廿は７〜７５８１％（原子％）
、さらに好ましくはコル１ＯａＬチである。好ましい６
ｊ加金属は上記のい範囲で選ばれるが、３θθ人〜！θ
θ八程度が好ましい。干渉効果をさらに強める為記録層
に接してその片面、または両面に高屈折率の誘電体を設
けることも効果的である。誘電体としては例えば、Ｚｎ
Ｓ ＋ Ｔａ２ｅｓ ＋ Ｓ ｔ ０２ ＋ Ｓ ｒ
ＯｒＺｒＯ２ｒ ５ｉｓＮ＋ ＋ ＡＩＮ等が用いられ
る。
。記録層としてはＧ ｅ Ｔ ｅ系、 ＩｎＳｂ系、
Ｔｃ０２系等が用いられる。記録層の膜厚は記録前、
記録後Ｑ屈折率、及び反射層の屈折率から最もコントラ
ストがとれるように最適化されるが、通常２０ＯＡ−ｔ
００＾である。本発明においては反射層としてＴａ ｌ
Ｔｔ ＃ Ｚｒ ｌ Ｖ ｒＰ Ｌ ＋ Ｍｏ ＋
Ｃｒから選ばれる一棟以上の元素を含有するＡ１合金を
用いる。添加金稙の含有廿は７〜７５８１％（原子％）
、さらに好ましくはコル１ＯａＬチである。好ましい６
ｊ加金属は上記のい範囲で選ばれるが、３θθ人〜！θ
θ八程度が好ましい。干渉効果をさらに強める為記録層
に接してその片面、または両面に高屈折率の誘電体を設
けることも効果的である。誘電体としては例えば、Ｚｎ
Ｓ ＋ Ｔａ２ｅｓ ＋ Ｓ ｔ ０２ ＋ Ｓ ｒ
ＯｒＺｒＯ２ｒ ５ｉｓＮ＋ ＋ ＡＩＮ等が用いられ
る。
尚、誘電体を記録層の片面または両面に設ける場合は記
録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効果によって決
定される。
録層の膜厚は誘電体を含めた全体の干渉効果によって決
定される。
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説明するが本
発明はその要旨を越えない限シ以下の実施例に限定され
ない。
発明はその要旨を越えない限シ以下の実施例に限定され
ない。
実施例／
基板にはポリカーボネートのディスクを用いその上に［
１？スパツタリング法によｆ）、５ｉＯｚ層を／θＯ０
Ａ成験した。その上に記録層としてＧｃメタ−ゲット上
Ｔｅ、Ｂｉチ、プを配位してスパッタリングによシ形成
した。成膜速度は記録層の組成はＧｅ５ｏＴｅ＋ｏＢｉ
３であった。次に反 や削屑として、ＡＩメタ−ゲット
上Ｔａチップを配して３００ＡのＡＩとＴａ の合金を
成膜した。
１？スパツタリング法によｆ）、５ｉＯｚ層を／θＯ０
Ａ成験した。その上に記録層としてＧｃメタ−ゲット上
Ｔｅ、Ｂｉチ、プを配位してスパッタリングによシ形成
した。成膜速度は記録層の組成はＧｅ５ｏＴｅ＋ｏＢｉ
３であった。次に反 や削屑として、ＡＩメタ−ゲット
上Ｔａチップを配して３００ＡのＡＩとＴａ の合金を
成膜した。
反射層中の′ｒａ量はＴａチップ数によって調整した。
また比較例としてＡＩのみの反射層を持つ同様のディス
クを作成した。
クを作成した。
以上のように作成したディスクに／ｒ００Ｈ＞ｔｎ。
Ｑ、ｊＭＩＩｚ ｄｕｔＹ ｊ ’％の条件で記録を
行なったところ、第１図のような結果を得た。なお、最
適記録パワーは二次歪Ｃ２とキャリアレベルＣの比Ｃ２
／ Ｃが最小になる記録パワーとした。
行なったところ、第１図のような結果を得た。なお、最
適記録パワーは二次歪Ｃ２とキャリアレベルＣの比Ｃ２
／ Ｃが最小になる記録パワーとした。
第１図から明らかなようにＡＩにＴ；Ｉを少量添加する
ことによシキャリアレベルを低下させずに感度を上げる
ことが可能である。
ことによシキャリアレベルを低下させずに感度を上げる
ことが可能である。
同様な効果はＡＩとＴａ以外にＡＩとＴ ｔ ｒ Ｚ
ｒ ＋Ｖ ｒ Ｐ ｔ ＋ Ｍｏ ＋ Ｃｒ等との合金
を用いた場合においても認められた。
ｒ ＋Ｖ ｒ Ｐ ｔ ＋ Ｍｏ ＋ Ｃｒ等との合金
を用いた場合においても認められた。
（発明の効果）
本発明による相変化記録媒体はＣ／Ｎ比、感度共に良好
な特性を示す。
な特性を示す。
ど 図ｒ（＋ｒ ）ｔｎ１単す＝ ｔｉｔ第１図は反Ｉ
Ｊ−Ｊ膜中のＴ２１含有量と最適記録パワー及び、キャ
リアレベルの相関を示したものである。
Ｊ−Ｊ膜中のＴ２１含有量と最適記録パワー及び、キャ
リアレベルの相関を示したものである。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −
（ほか７名）
Claims (1)
- （１）基板上に設けられた記録層の結晶状態を熱的に変
化させて光反射率を変えることにより記録を行なう相変
化記録媒体において、記録層に反射層を設けてなり、該
反射層をＡｌ＿ｘＭ＿１＿−＿ｘ（ＭはＴａ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｖ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｃｒから選ばれる少なくとも１種
の元素、ｘは０．０１〜０．１５の数）によって形成し
たことを特徴とする相変化記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326238A JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62326238A JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Related Child Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10300614A Division JPH11316978A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300611A Division JPH11316975A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300612A Division JP3137093B2 (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
| JP10300613A Division JPH11316977A (ja) | 1998-10-22 | 1998-10-22 | 相変化記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01169751A true JPH01169751A (ja) | 1989-07-05 |
| JPH087880B2 JPH087880B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=18185534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62326238A Expired - Lifetime JPH087880B2 (ja) | 1987-12-23 | 1987-12-23 | 相変化記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087880B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254442A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体ディスク |
| JPH02267752A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0414634A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 再生専用型光ディスク |
| JPH0417670A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Kobe Steel Ltd | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
| JPH10142625A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
| US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
-
1987
- 1987-12-23 JP JP62326238A patent/JPH087880B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254442A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体ディスク |
| JPH02267752A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-11-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH0414634A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Mitsubishi Kasei Corp | 再生専用型光ディスク |
| JPH0417670A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Kobe Steel Ltd | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
| US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| US6206985B1 (en) | 1991-03-07 | 2001-03-27 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| JPH10142625A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 液晶ディスプレイの導電部製作方法及びその製作に用いるスパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087880B2 (ja) | 1996-01-29 |
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