JPH0414643A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0414643A JPH0414643A JP2119072A JP11907290A JPH0414643A JP H0414643 A JPH0414643 A JP H0414643A JP 2119072 A JP2119072 A JP 2119072A JP 11907290 A JP11907290 A JP 11907290A JP H0414643 A JPH0414643 A JP H0414643A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、光情報記録媒体に係り、より詳細には、光情
報記録媒体に生ずる反りの問題を解決した光情報記録媒
体に関する。
報記録媒体に生ずる反りの問題を解決した光情報記録媒
体に関する。
[従来の技術]
従来、光情報記録媒体に生ずる反りの矯正を試みた技術
としては、特開平1−271944号公報に記載された
技術が知られている。この技術は、ポリカーボネート等
の透明基板の片面に、中間層−記録層−保護層の構成を
有する光情報記録層を形成した光磁気記録媒体において
、保護層の上に、体積収縮率が3〜15%である光硬化
樹脂層を2μm厚で設け、次に、透明基板の裏面側にこ
れより小さな体積収縮率を有する光硬化樹脂層を2μm
厚で設けるものである。この技術は、透明基板の表面と
裏面とでの体積縮率の差を利用して媒体の反りを矯正せ
んとするものである。
としては、特開平1−271944号公報に記載された
技術が知られている。この技術は、ポリカーボネート等
の透明基板の片面に、中間層−記録層−保護層の構成を
有する光情報記録層を形成した光磁気記録媒体において
、保護層の上に、体積収縮率が3〜15%である光硬化
樹脂層を2μm厚で設け、次に、透明基板の裏面側にこ
れより小さな体積収縮率を有する光硬化樹脂層を2μm
厚で設けるものである。この技術は、透明基板の表面と
裏面とでの体積縮率の差を利用して媒体の反りを矯正せ
んとするものである。
ところで、基板に透明樹脂(プラスティック)を用いた
単板の光情報記録媒体では、樹脂の本来持つ温度湿度に
よる形状の変化か問題とされている。すなわち、光情報
記録媒体の一方の面のみに、記録層ならびに保護層を設
けるような単板の光情報記録媒体においては、光情報記
録層側の面と光情報記録層と反対側の面とでは異なる表
面状態となる。
単板の光情報記録媒体では、樹脂の本来持つ温度湿度に
よる形状の変化か問題とされている。すなわち、光情報
記録媒体の一方の面のみに、記録層ならびに保護層を設
けるような単板の光情報記録媒体においては、光情報記
録層側の面と光情報記録層と反対側の面とでは異なる表
面状態となる。
まず、吸湿という面では、温度一定の状態で光情報記録
媒体を低湿の環境下から高温へと変化させると、基板の
吸湿性のため、面による偏りが生し、光情報記録層側の
面が凹状の形状に変化する。次に4L度変化という面で
は、湿度一定の状態で光情報記録媒体の環境を低温から
高温へと変化させると、熱膨張率の差のため面による偏
り(いわゆるバイメタル効果)が生じ、光情報記録層側
の面か凹状の形状状態に変化する。
媒体を低湿の環境下から高温へと変化させると、基板の
吸湿性のため、面による偏りが生し、光情報記録層側の
面が凹状の形状に変化する。次に4L度変化という面で
は、湿度一定の状態で光情報記録媒体の環境を低温から
高温へと変化させると、熱膨張率の差のため面による偏
り(いわゆるバイメタル効果)が生じ、光情報記録層側
の面か凹状の形状状態に変化する。
さて、前記従来技術の内容では、これらの基本的事実に
は触れられていない。先行文献で考慮されているのは光
情報記録媒体の製造時に生じてしまった反りの初期値を
いかに矯正するかという事のみである。仮に前述した従
来技術によって初期値的に矯正されたとしても、吸湿と
いう面では数μmの有機薄膜(光硬化樹脂層)があるだ
けでは透湿の速度が遅くなるだけで、有機薄膜を水分が
透過した際にはやはり吸湿性に起因する偏りが生じ光情
報記録媒体は反ってしまう。温度という面では、熱膨張
率の差に起因する偏りの解消が必要であるが、従来技術
ではこの点については考慮されでいない。
は触れられていない。先行文献で考慮されているのは光
情報記録媒体の製造時に生じてしまった反りの初期値を
いかに矯正するかという事のみである。仮に前述した従
来技術によって初期値的に矯正されたとしても、吸湿と
いう面では数μmの有機薄膜(光硬化樹脂層)があるだ
けでは透湿の速度が遅くなるだけで、有機薄膜を水分が
透過した際にはやはり吸湿性に起因する偏りが生じ光情
報記録媒体は反ってしまう。温度という面では、熱膨張
率の差に起因する偏りの解消が必要であるが、従来技術
ではこの点については考慮されでいない。
このように、透明樹脂基板の片面のみに記録層および保
護層などを形成してなる単板仕様の光情報記録媒体は、
環境の変化(湿度ないし温度の変化)に対する基板の伸
縮に関し表面と裏面とで差があるため変形が生じる。こ
の変形は、通常、光情報記録媒体の面反りとなる。この
ような問題点は、実使用に際し、光情報記録媒体の機械
的特性ひいては記録再生信号特性(例えば、トラッキン
グエラーの多発を招くので)に悪影響を与えるので、な
んらかの方法を講じてこれを防止する必要がある。
護層などを形成してなる単板仕様の光情報記録媒体は、
環境の変化(湿度ないし温度の変化)に対する基板の伸
縮に関し表面と裏面とで差があるため変形が生じる。こ
の変形は、通常、光情報記録媒体の面反りとなる。この
ような問題点は、実使用に際し、光情報記録媒体の機械
的特性ひいては記録再生信号特性(例えば、トラッキン
グエラーの多発を招くので)に悪影響を与えるので、な
んらかの方法を講じてこれを防止する必要がある。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、単板で構成することにより生ずる反りの問題
を解決し、トラッキングエラーの少ない安定した特性を
有する単板構成の光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
を解決し、トラッキングエラーの少ない安定した特性を
有する単板構成の光情報記録媒体を提供することを目的
とする。
また、本発明は、透明樹脂基板を用いる単板仕様の光情
報記録層体において実使用時における温度湿度などの環
境変化に対する機械的変化のぎねめで小さ゛い光情報記
録媒体を提供することを目的とする。
報記録層体において実使用時における温度湿度などの環
境変化に対する機械的変化のぎねめで小さ゛い光情報記
録媒体を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、実使用環境を考慮して、光か入射す
る面の最表面に導電性を付与することにより、実使用環
境下での合成樹脂の帯電によるゴミの付着を極力低減し
、信号記録再生能力の低下を改善した光情報記録媒体を
提供することを目的とする。
る面の最表面に導電性を付与することにより、実使用環
境下での合成樹脂の帯電によるゴミの付着を極力低減し
、信号記録再生能力の低下を改善した光情報記録媒体を
提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記課題を解決するための光情報記録媒体は、合成樹脂
からなる光情報記録媒体用透明基板の一方の面上に、誘
電体層、記録層および保護層を少なくとも有する光情報
記録層が形成され、他面側の基板面上に、シランカップ
リング剤もしくはチタンカップリング剤からなる下地層
を介して無機材料からなる透明薄膜層が形成されている
ことを特徴とする。
からなる光情報記録媒体用透明基板の一方の面上に、誘
電体層、記録層および保護層を少なくとも有する光情報
記録層が形成され、他面側の基板面上に、シランカップ
リング剤もしくはチタンカップリング剤からなる下地層
を介して無機材料からなる透明薄膜層が形成されている
ことを特徴とする。
(透明基板)
透明基板の材料としては、例えば、ポリカーボネート、
アクリル、エポキシ等従来から使用されている光情報記
録媒体用の透明合成樹脂基板であればどれを用いてもよ
い。
アクリル、エポキシ等従来から使用されている光情報記
録媒体用の透明合成樹脂基板であればどれを用いてもよ
い。
(誘電体層および保護層)
保護層は、主に記録層の酸化による特性劣化を防止する
目的で記録層の外側に形成される。また、誘電体層は光
の多重反射を利用したカー効果の増大による再生特性の
向上その他を目的として記録層の内側に形成される。誘
電体層は複層化ざねでもよい。
目的で記録層の外側に形成される。また、誘電体層は光
の多重反射を利用したカー効果の増大による再生特性の
向上その他を目的として記録層の内側に形成される。誘
電体層は複層化ざねでもよい。
中間層および保護層の材料としては、例えば、SiO2
,SiN、、5iAflON 5iAJ2Nなどいず
れも使用可能であり、その厚さは一般に200〜200
0人である。
,SiN、、5iAflON 5iAJ2Nなどいず
れも使用可能であり、その厚さは一般に200〜200
0人である。
(記録層)
記録層は、光情報記録媒体の情報記録作用を有するもの
であれば特に限定されない。記録層の材料としては、例
えば、TbFe、TbFeCo。
であれば特に限定されない。記録層の材料としては、例
えば、TbFe、TbFeCo。
GdFe、GdTbFe、TbCo、DyFe。
NdDyFeCoなどがいずれも使用可能である。
また、上記の光磁気記録膜に限らす相変化型や有機色素
系の記録層であっても使用可能である。
系の記録層であっても使用可能である。
記録層の厚さは一般に200〜1000人である。
本発明の光情報記録媒体は、上記透明基板の一方の面に
少なくとも誘電体層、記録層及び保護層かこの順に積層
されているが、保護層の外表面に、一般に使用されてい
るアルミニウムよりなる反射層や紫外線硬化樹脂よりな
るオーバーコート層が積層されてもよい。
少なくとも誘電体層、記録層及び保護層かこの順に積層
されているが、保護層の外表面に、一般に使用されてい
るアルミニウムよりなる反射層や紫外線硬化樹脂よりな
るオーバーコート層が積層されてもよい。
(下地層)
本発明では、光情報記録層が形成されている側と反対側
の基板面上に下地層を介して無機材料からなる透明薄膜
層を形成する。
の基板面上に下地層を介して無機材料からなる透明薄膜
層を形成する。
本発明では、下地層としての材料としてシランカップリ
ング剤もしくはチタンカップリング剤を用いる。シラン
カップリング剤もしくはチタンカップリング剤よりなる
下地層は、基板と無機材料からなる透明薄膜層との密着
性を高め、光情報記録媒体の反りを防止し、各種特性の
向上に寄与する。
ング剤もしくはチタンカップリング剤を用いる。シラン
カップリング剤もしくはチタンカップリング剤よりなる
下地層は、基板と無機材料からなる透明薄膜層との密着
性を高め、光情報記録媒体の反りを防止し、各種特性の
向上に寄与する。
シランカップリング剤は下記式により表されるものが好
ましい。
ましい。
XnS i Y4−n
(ただし、n=1〜3)
式中、Xはビニル基、メタクリロキシ基、エポキシ基、
アミノ基、またはイソシアネート基を有する炭素数1か
ら10の炭化水素であり、Yはアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アセトキシまたは水酸基を有する炭素
数1から10の炭化水素である。
アミノ基、またはイソシアネート基を有する炭素数1か
ら10の炭化水素であり、Yはアルコキシ基、アルコキ
シアルコキシ基、アセトキシまたは水酸基を有する炭素
数1から10の炭化水素である。
より具体的には、例えば、γ−アミノプロピルトリエト
キシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリメトキシ
シラン、γ−インシアネートプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−イソシアネートプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、グリシト
キシプロピルトリプロポキシシラン、グリシトキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシブロビルメ
ヂルジエトキシシラン、グリシドキシプロビルエチルジ
メトキシシラン、グリシドキシプロビルエチルジェトキ
シシラン、グリシドキシプロピルブチルジメトキシシラ
ン、グリシトキシプロピルブチルジェトキシシラン、2
− (2,3−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメト
キシシラン、N−フェニルアミノメチルトリメトキシシ
ラン、N−(トリエトキシプロピル)尿素、アミノメチ
ルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)アミ
ノメチルトリメトキシシラン、アミノメチルジェトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラ
ンエトキシ、ビニルアセトキシシラン、γ−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
キシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリメトキシ
シラン、γ−インシアネートプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−イソシアネートプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシシラン、γ
−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、グリシト
キシプロピルトリプロポキシシラン、グリシトキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシブロビルメ
ヂルジエトキシシラン、グリシドキシプロビルエチルジ
メトキシシラン、グリシドキシプロビルエチルジェトキ
シシラン、グリシドキシプロピルブチルジメトキシシラ
ン、グリシトキシプロピルブチルジェトキシシラン、2
− (2,3−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメ
トキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン
、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメト
キシシラン、N−フェニルアミノメチルトリメトキシシ
ラン、N−(トリエトキシプロピル)尿素、アミノメチ
ルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)アミ
ノメチルトリメトキシシラン、アミノメチルジェトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキ
シシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラ
ンエトキシ、ビニルアセトキシシラン、γ−メタクリロ
キシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロ
ピルトリメトキシシランなどを挙げることができる。
また、チタンカップリング剤としては、イソプロピルト
リイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオク
タノイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジ
アクリルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノニ
チルアミノメチル)チタネート、テトラオクチルビス(
ジトリデシルホスファイト)チタネート、イソプロピル
トリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルヒ
ス(ジオクチルホスファイト)チタネート、トリエタノ
ールアミンチタネート、チタニウムアセチルアセトネー
ト、チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムエチ
ルアセトアセテート、チタニウムラクテートなどが挙げ
られる。 その他、アルミニウム系カップリング剤や、
ジルコニウム系カップリング剤などを用いても構わない
。
リイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリオク
タノイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジ
アクリルチタネート、イソプロピルトリ(N−アミノニ
チルアミノメチル)チタネート、テトラオクチルビス(
ジトリデシルホスファイト)チタネート、イソプロピル
トリクミルフェニルチタネート、テトライソプロピルヒ
ス(ジオクチルホスファイト)チタネート、トリエタノ
ールアミンチタネート、チタニウムアセチルアセトネー
ト、チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムエチ
ルアセトアセテート、チタニウムラクテートなどが挙げ
られる。 その他、アルミニウム系カップリング剤や、
ジルコニウム系カップリング剤などを用いても構わない
。
なお、この下地層の厚さとしては、100Å以下が好ま
しく、数十Å以下がより好ましい。
しく、数十Å以下がより好ましい。
100人を超えると、例えば基板としてポリカーボネイ
トを使用した場合、壁面破壊を生ずるおそれが生ずる。
トを使用した場合、壁面破壊を生ずるおそれが生ずる。
下地層の厚さの下限としては、1〜2分子層厚か好まし
い。1分子層未満では、下地層形成が困難となる。
い。1分子層未満では、下地層形成が困難となる。
(透明薄膜層)
透明薄膜層を形成する無機材料としては、任意の無機材
料が使用可能であるか、耐熱性及び耐湿性にすぐれたも
のが好ましく、例えば、酸化ジルコニウム、酸化カルシ
ウム、酸化タンタル、酸化インジウム、酸化タングステ
ン、酸化カドミウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸
化セシウム、酸化イツトリウム、酸化アルミニウム、酸
化珪素などが挙げられる。このうち少なくとも一種を用
いるか又は、二種以上を併用しても良いし、保護層を形
成する無機材料と併用してもよい。
料が使用可能であるか、耐熱性及び耐湿性にすぐれたも
のが好ましく、例えば、酸化ジルコニウム、酸化カルシ
ウム、酸化タンタル、酸化インジウム、酸化タングステ
ン、酸化カドミウム、酸化アンチモン、酸化ニオブ、酸
化セシウム、酸化イツトリウム、酸化アルミニウム、酸
化珪素などが挙げられる。このうち少なくとも一種を用
いるか又は、二種以上を併用しても良いし、保護層を形
成する無機材料と併用してもよい。
透明薄膜層は1層構造ではなく、2層以上の多層構造と
してもよい。
してもよい。
多層構造の場合、外層(特に最外層)は、導電性を有す
る材料から構成することが好ましい。かかる材料として
は、例えば、酸化インジウム、酸化すず、酸化カドミウ
ムなどが挙げられる。このうち少なくともIfi類を用
いるか、または、複数を用いてもよい。
る材料から構成することが好ましい。かかる材料として
は、例えば、酸化インジウム、酸化すず、酸化カドミウ
ムなどが挙げられる。このうち少なくともIfi類を用
いるか、または、複数を用いてもよい。
透明薄膜層は、任意の厚さに形成することかてきる。し
かしながら、記録再生時の透過光量の低下を防ぎ、透明
樹脂基板に対する入射光の反射を防止するための位相条
件および振幅条件を満足するような厚さになされている
のが好ましい。
かしながら、記録再生時の透過光量の低下を防ぎ、透明
樹脂基板に対する入射光の反射を防止するための位相条
件および振幅条件を満足するような厚さになされている
のが好ましい。
また、透明基板に対する入射光量の損失を防止するため
、透明薄膜層と透明基板との界面での反射が最小になる
ように透明薄膜層の屈折率(n)は1.3<(n)<2
.2の範囲が好ましいが屈折率が小さくなると膜質が低
下して防湿性が低下する。
、透明薄膜層と透明基板との界面での反射が最小になる
ように透明薄膜層の屈折率(n)は1.3<(n)<2
.2の範囲が好ましいが屈折率が小さくなると膜質が低
下して防湿性が低下する。
さらに、透明薄膜層の熱膨張率が光情報記録層のそれと
異なると記録媒体が熱により変形するので両層の熱膨張
率は同程度であるのが好ましい。
異なると記録媒体が熱により変形するので両層の熱膨張
率は同程度であるのが好ましい。
従りて透明薄膜層の厚みは600〜3500人が好まし
く、より好ましくは1000〜3000人である。
く、より好ましくは1000〜3000人である。
また、゛多層構造とし、導電性を有する層を形成する場
合この層の厚さは50〜1000人が好ましい。
合この層の厚さは50〜1000人が好ましい。
(電子線の照射)
透明基板と透明薄膜層は、下地層によって強固に結合さ
れているか、透明基板に下地層と透明薄膜層を形成した
後、電子線を照射すると、基板を形成する合成樹脂と下
地層のカップリング剤との間に化学結合が生じて、両者
が強固に結合するので好ましい。この際、基板を形成す
る合成樹脂としては、カルボニル結合(>C=O)を有
するポリマーを主体とする基板が特に効果的である。ま
た、下地層および透明i膜層を順次形成した後、電子線
を照射するため、透明薄膜層と下地層との間の結合も同
時により強固なものとして形成することが可能である。
れているか、透明基板に下地層と透明薄膜層を形成した
後、電子線を照射すると、基板を形成する合成樹脂と下
地層のカップリング剤との間に化学結合が生じて、両者
が強固に結合するので好ましい。この際、基板を形成す
る合成樹脂としては、カルボニル結合(>C=O)を有
するポリマーを主体とする基板が特に効果的である。ま
た、下地層および透明i膜層を順次形成した後、電子線
を照射するため、透明薄膜層と下地層との間の結合も同
時により強固なものとして形成することが可能である。
電子線照射法によると、■エネルギーは個々の電子が持
っているので、加速π圧を操作することにより、容易に
エネルギー量を操作することができ、 ■高エネルギ一体であるため、基板表面の樹脂部と下地
層間の反応部所への到達が容易であるため、短時間で、
確実に、両者間に化学結合が形成される。
っているので、加速π圧を操作することにより、容易に
エネルギー量を操作することができ、 ■高エネルギ一体であるため、基板表面の樹脂部と下地
層間の反応部所への到達が容易であるため、短時間で、
確実に、両者間に化学結合が形成される。
なお、電子線照射の線量率としては01〜10 M r
a d / sが好ましく、1〜3 M r a d
/Sがより好ましい。0.1Mrad/s未満ては電子
線照射による効果か/JXざく、10Mrad/Sを超
えると光情報記録媒体の特性に影響を与えるおそれが生
ずる。
a d / sが好ましく、1〜3 M r a d
/Sがより好ましい。0.1Mrad/s未満ては電子
線照射による効果か/JXざく、10Mrad/Sを超
えると光情報記録媒体の特性に影響を与えるおそれが生
ずる。
なお、基体がポリカーボネートよりなる場合には10M
rad以下の線量か好ましい。
rad以下の線量か好ましい。
(製造方法例)
本発明に係る光情報記録媒体は例えは次のようにして作
成すればよい。
成すればよい。
■下地層の形成
光情報記録層を形成した面と反対側の基板面に、カップ
リング剤の0.1〜5重量%アルコール溶液をスピンコ
ーターなどにより塗布し、室温で約1〜2時間風乾させ
るかもしくは90℃で1〜5分間程度乾燥させる。
リング剤の0.1〜5重量%アルコール溶液をスピンコ
ーターなどにより塗布し、室温で約1〜2時間風乾させ
るかもしくは90℃で1〜5分間程度乾燥させる。
■無機゛透明薄膜の形成
無機材料からなる透明薄膜層の形成は、例えば蒸着、イ
オンブレーティング、スパッタリング、プラズマ重合、
プラズマCVDなと基板上に均に成膜できる製法てあれ
ば何でもよい。
オンブレーティング、スパッタリング、プラズマ重合、
プラズマCVDなと基板上に均に成膜できる製法てあれ
ば何でもよい。
なお、光情報記録層と無機材料からなる透明薄膜層の成
膜順序はどちらが先でもかまわない。
膜順序はどちらが先でもかまわない。
[実施例コ
次に本発明の詳細な説明する。
(実施例1−1)
本発明に係わる光情報記録媒体の模式断面図の一例を′
M1図(a)に示す。
M1図(a)に示す。
341 図(a )において、1は透明樹脂基板であり
、図では上面に案内溝が作られている。2はカップリン
グ剤による下地層、3は無機材料からなる透明薄膜層で
あり、本例では一層構造である。4および6はそれぞれ
誘電体層および保護層、5は光磁気記録層、7は反射層
、8は紫外線硬化樹脂などのオーバーコート層である。
、図では上面に案内溝が作られている。2はカップリン
グ剤による下地層、3は無機材料からなる透明薄膜層で
あり、本例では一層構造である。4および6はそれぞれ
誘電体層および保護層、5は光磁気記録層、7は反射層
、8は紫外線硬化樹脂などのオーバーコート層である。
もちろんここでの4〜8は記録層および保護層という性
格の層であり、それぞれの記録方式に最適な構成をとる
ことができる。従って、この4〜8の膜の構成および数
が変更されることは何ら差し支えない。
格の層であり、それぞれの記録方式に最適な構成をとる
ことができる。従って、この4〜8の膜の構成および数
が変更されることは何ら差し支えない。
第1図(a)に示す構造の光情報記録媒体を以下の手順
により作成した。
により作成した。
■光情報記録層の形成
ポリカーボネート樹脂からなる光情報記録媒体用基板(
130φ、厚さ1.2mm)土に、アルゴン雰囲気下7
.0xlO−3torrて真空蒸着し、S i Afl
ON層(誘電体層4)を1000人厚に1TbFeCo
層(記録層5)を300人厚C55iA42ON層(保
護層6)を300人厚C5A1膜(反射層7)を100
0人厚に1T次成膜し、光情報記録層を形成した。
130φ、厚さ1.2mm)土に、アルゴン雰囲気下7
.0xlO−3torrて真空蒸着し、S i Afl
ON層(誘電体層4)を1000人厚に1TbFeCo
層(記録層5)を300人厚C55iA42ON層(保
護層6)を300人厚C5A1膜(反射層7)を100
0人厚に1T次成膜し、光情報記録層を形成した。
つぎに、紫外線硬化樹脂(丈日本インキ化学社製5D−
301)をスピンコード法(3000rpmX12秒)
により塗布した後、紫外線を5ジユール照射して硬化し
、光情報記録層の上に厚さ12μmのオーバーコート層
を形成した。
301)をスピンコード法(3000rpmX12秒)
により塗布した後、紫外線を5ジユール照射して硬化し
、光情報記録層の上に厚さ12μmのオーバーコート層
を形成した。
■下地層の形成
光情報記録層を形成した面の裏面側に、γ−グリシトキ
シプロビルトリメトキシシランのインブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層2を形成した。
シプロビルトリメトキシシランのインブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層2を形成した。
本例ては、この下地層2の層厚は30人であった。
■無機透明薄膜の形成
下地層2を形成後、スパッタ装置の真空槽に基板を導入
し、その後lXl0−’torrまで排気し、ついで、
ArガスをlXl0−2torr導入し、プラズマスパ
ッタリングにより5in2よりなる透明薄膜層3を成膜
した。
し、その後lXl0−’torrまで排気し、ついで、
ArガスをlXl0−2torr導入し、プラズマスパ
ッタリングにより5in2よりなる透明薄膜層3を成膜
した。
本例では透明薄膜層3の膜厚は3000人であった。
(実施例1−2)
本例では、透明薄膜層3としてAn2 o3を用いた。
それ以外は実施例1−1と同様にしてサンプルを作成し
た。
た。
透明薄膜層3の膜厚は3000人であった。
(実施例1−3)
本例では、透明薄膜層3としてZrO2を用いた。
それ以外は実施例1−1と同様にしてサンプルを作成し
た。
た。
透明薄膜層3の膜厚は3000人であった。
(実施例1−4)
本例では、透明薄膜層3として、酸化チタンと酸化硅素
の混合物よりなる複合膜を用いたサンプルを作成した。
の混合物よりなる複合膜を用いたサンプルを作成した。
サンプルの作成はスパッタリング法により、酸化シリコ
ンターケラト上に酸化チタンチップを置き、RFスパッ
タにより作成した。
ンターケラト上に酸化チタンチップを置き、RFスパッ
タにより作成した。
透明薄膜層3の膜厚は3000人であった。
ガス圧などの条件は実施例1−1とおなしとした。
この透明薄膜層のESCA分析により、おおよそ透明薄
膜層の組成は、Si :Ti :O=2:1:6(原°
子比)であることが判明した。
膜層の組成は、Si :Ti :O=2:1:6(原°
子比)であることが判明した。
(比較例1−1)
本例では、透明薄膜層も下地層も形成せず、単板仕様の
光情報記録媒体を実施例1−1で述へた■と同様にして
作成した。
光情報記録媒体を実施例1−1で述へた■と同様にして
作成した。
(比較例1−2〕
本例では、透明薄膜層を下地層を介在させずに形成した
。
。
この煮貝外は実施例1−1と同様にして単板仕様の光記
録媒体を作成した。
録媒体を作成した。
以上のようにして作成したサンプルを用いて、温湿度変
化に対する試験を行った。
化に対する試験を行った。
[湿度変化試験コ
試験は、はじめに、25℃、45%RHの環境下にサン
プルを100時間放置し、次に、30分間以内の間に温
度はそのまま25℃とし、湿度は90%RHに昇湿し、
そのままの状態に20時間放置し、次に、また元の25
℃、45%RHに30分間で降湿し、その後保持するこ
とにより行った。
プルを100時間放置し、次に、30分間以内の間に温
度はそのまま25℃とし、湿度は90%RHに昇湿し、
そのままの状態に20時間放置し、次に、また元の25
℃、45%RHに30分間で降湿し、その後保持するこ
とにより行った。
このと鮒のサンプルの反り量の変化を第2図(a)に示
す。
す。
[温度変化試験]
25℃、45%RHから30分間の間に65℃、45%
RHに昇温し、そのまま20時間保持し、その後30分
間でまた元の25℃、45%RHへ降温することを行な
った。このときのサンプルの反り量の変化を第2図(b
)に示す。
RHに昇温し、そのまま20時間保持し、その後30分
間でまた元の25℃、45%RHへ降温することを行な
った。このときのサンプルの反り量の変化を第2図(b
)に示す。
なお、反り量は、記録層が形成されている側の面が凸の
方向を(−)マイナスとし、凹の方向を(+)プラスと
し、基板の中心から60mmにおける反り角を示した(
JIL位mrad)。
方向を(−)マイナスとし、凹の方向を(+)プラスと
し、基板の中心から60mmにおける反り角を示した(
JIL位mrad)。
図からもわかるように、本例によるシソルバーオキサイ
ド化合物を介して無機材料からなる透明薄膜を設けたサ
ンプルではいずれも環境変化に対する反り角の変化が小
さかった。一方、これを設けていないサンプルでは大き
な変化を示してた。
ド化合物を介して無機材料からなる透明薄膜を設けたサ
ンプルではいずれも環境変化に対する反り角の変化が小
さかった。一方、これを設けていないサンプルでは大き
な変化を示してた。
これらの事から、本例のようにシリルパーオキサイド化
合物を介して無機材料からなる透明薄膜を形成した場合
には、単板仕様の光情報記録媒体の、環境変化に起因す
る形状変化を大幅に抑制できることがわかった。
合物を介して無機材料からなる透明薄膜を形成した場合
には、単板仕様の光情報記録媒体の、環境変化に起因す
る形状変化を大幅に抑制できることがわかった。
[信号特性]
なお、6つのサンプルについて、80℃、9゜%RHに
500時間の環境加速試験を行い、C/N、B、E、R
(ピットエラーレイト)信号特性の変化について調べた
結果を表1に示す。
500時間の環境加速試験を行い、C/N、B、E、R
(ピットエラーレイト)信号特性の変化について調べた
結果を表1に示す。
表1に示す結果から、無機材料からなる透明薄膜層を、
直接基板裏面に設けるだけ(比較例1−2)よりも、下
地層を介して形成した方が明らかに良好な信号特性が得
られることがわかる。
直接基板裏面に設けるだけ(比較例1−2)よりも、下
地層を介して形成した方が明らかに良好な信号特性が得
られることがわかる。
(以下余白)
表 1
*C/Nは初期値を0とした。
*B、E、R,は初期の値を1とし、その何倍になった
かを示しである。
かを示しである。
(実施例2−1)
本実施例に係わる光情報記録媒体の模式断面図の一例を
第1図(b)に示す。
第1図(b)に示す。
第1図(a)に示す構造と第1図(b)に示す構造との
相違は、第1図(b)に示す構造は透明薄膜層が、第1
層3と第2層9とからなっている点である。すなわち、
本例は、透明薄膜層が多層構造をしている場合を示す例
である。
相違は、第1図(b)に示す構造は透明薄膜層が、第1
層3と第2層9とからなっている点である。すなわち、
本例は、透明薄膜層が多層構造をしている場合を示す例
である。
第1図(b)に示す構造の光情報記録媒体を以下の手順
で作成した。
で作成した。
■光情報記録層の形成
ポリカーボネート樹脂からなる光情報記録媒体用基板(
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i AuoN層(誘電体層4)を
1000人厚に1TbFeC。
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i AuoN層(誘電体層4)を
1000人厚に1TbFeC。
層(記録層5)を300人厚C1S i AloN層(
保護層6)を300人厚C1A℃膜(反射層7)を10
00人厚に1T次成膜し、光情報記録層を形成した。
保護層6)を300人厚C1A℃膜(反射層7)を10
00人厚に1T次成膜し、光情報記録層を形成した。
つぎに、紫外線硬化樹脂を用いて実施例1−1て行った
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層8をスピ
ンコード法により光情報記録層の上に形成した。
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層8をスピ
ンコード法により光情報記録層の上に形成した。
■下地層の形成
光情報記録層を形成した面の裏面側に、γ−グリシトキ
シプロビルトリメトキシシランのイソブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層2を形成した。
シプロビルトリメトキシシランのイソブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層2を形成した。
この下地層の厚さは40人であった。
■透明薄膜第1層の形成
下地層2を形成後、スパッタ装置の真空槽に基板を導入
し、その後1xlO−’torrまで排気し、ついで、
ArガスをlXl0−2torr導入し、5i02より
なる透明薄膜N1層3を成膜した。透明薄膜第1層3は
2500人であった。
し、その後1xlO−’torrまで排気し、ついで、
ArガスをlXl0−2torr導入し、5i02より
なる透明薄膜N1層3を成膜した。透明薄膜第1層3は
2500人であった。
■透明薄膜第1層の形成
透明薄膜第1層3を形成後、すず−インジウム合金の夕
゛−ゲットを用いて、酸素雰囲気中での反応性DCスパ
ッタリング法を行った。形成された薄膜は、酸化すずと
酸化インジウムとの混合物からなっており、この層は、
導電性を有する透明薄膜であった。
゛−ゲットを用いて、酸素雰囲気中での反応性DCスパ
ッタリング法を行った。形成された薄膜は、酸化すずと
酸化インジウムとの混合物からなっており、この層は、
導電性を有する透明薄膜であった。
この透明薄膜第2層9の厚さは、500人であり、透明
薄膜第1層3と透明薄膜第2層9との膜厚の総和は30
00人であった。
薄膜第1層3と透明薄膜第2層9との膜厚の総和は30
00人であった。
(実施例2−2)
透明薄膜第1層3としてAf1203を用いた。
それ以外は実施例2−1と同様にしてサンプルを作成し
た。
た。
透明薄膜第1層3と第2層9との膜厚の総和は3000
人であフた。
人であフた。
(実施例2−3)
透明薄膜第1層3としてZ r Oxを用いた。
それ以外は実施例2−1と同様にしてサンプルを作成し
た。第1層と第2層との膜厚の総和は3000人であっ
た。
た。第1層と第2層との膜厚の総和は3000人であっ
た。
(実施例2−4)
本例では、透明薄膜第1層3として、酸化チタンと酸化
硅素の複合膜を用いてサンプルを作成した。
硅素の複合膜を用いてサンプルを作成した。
製法はスパッタリング法により、酸化シリコンターゲッ
ト上に酸化チタンチップを置き、RFスパッタにより作
成した。
ト上に酸化チタンチップを置き、RFスパッタにより作
成した。
透明薄膜第1層と第2層との膜厚の総和は3000人で
あった。
あった。
ガス圧などの条件は実施例2−1とおなしとした。
透明薄膜第1層3をESCA分析したところ、おおよそ
その組成は、Si :Ti :O=2: f :6(原
子比)であった。
その組成は、Si :Ti :O=2: f :6(原
子比)であった。
(比較例2)
本例では、透明薄膜第1層と第2層を形成したが、その
際下地層を介在させずに形成した。
際下地層を介在させずに形成した。
その魚具外は実施例2−1と同様にして単板仕様の光情
報記録媒体を作成した。
報記録媒体を作成した。
以上のサンプルを用いて、実施例1−1について行った
と同様の方法で温湿度変化に対する試験を行っ゛た。
と同様の方法で温湿度変化に対する試験を行っ゛た。
湿度変化試験における基板の反り量の変化を第3図(a
)に示す。
)に示す。
温度変化試験における基板の反り量の変化を第3図(b
)に示す。
)に示す。
尚、反り量の測定は実施例1−1の場合と同様とした。
第3図(a)および第3図(b)からもわかるように、
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化が小さかった。一方、無機材料から
なる透明薄膜を設けないサンプルあるいは、カップリン
グ剤を介さずに無機材料からなる透明薄膜を設けたサン
プルでは大きな変化を示している。これらの事から、本
実施例のようにカップリング剤を介して無機材料からな
る透明薄膜を形成した場合には、単板仕様の光情報記録
媒体の、環境変化に起因する形状変化を大幅に抑制でき
ることがわかった。
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化が小さかった。一方、無機材料から
なる透明薄膜を設けないサンプルあるいは、カップリン
グ剤を介さずに無機材料からなる透明薄膜を設けたサン
プルでは大きな変化を示している。これらの事から、本
実施例のようにカップリング剤を介して無機材料からな
る透明薄膜を形成した場合には、単板仕様の光情報記録
媒体の、環境変化に起因する形状変化を大幅に抑制でき
ることがわかった。
なお、5つのサンプルについて、80℃、90%RHx
500Hrの環境加速試験を行い、信号特性の変化につ
いて調べた結果を表2に示す。
500Hrの環境加速試験を行い、信号特性の変化につ
いて調べた結果を表2に示す。
表2に示す結果から、隼に無機化合物薄膜層を設けるだ
けよりも、ブライマー層を設けたほうかより結果が高い
ことがわかる。
けよりも、ブライマー層を設けたほうかより結果が高い
ことがわかる。
表2
(実施例2−5)
本例では、無機透明薄膜第2層を設けず、5i02(透
明薄膜第1層)のみを3000人成膜した。
明薄膜第1層)のみを3000人成膜した。
この魚具外は実施例2−11と同様にして単板仕様の光
情報記録媒体を作成した。
情報記録媒体を作成した。
実施例2−1〜2−5および比較例1−1の6つのサン
プルについて、実使用環境において3力月間使用し、そ
の間10日毎にカートリッジより取り出し、表面付着物
を光情報記録媒体用傷検査器(R3−3200:日立電
子エンジニアリング採製)によって測定した。
プルについて、実使用環境において3力月間使用し、そ
の間10日毎にカートリッジより取り出し、表面付着物
を光情報記録媒体用傷検査器(R3−3200:日立電
子エンジニアリング採製)によって測定した。
その結果を第4図に示す。但し、観測するのは10μm
以上の付着異物とし、測定結果は初期値の何倍になった
かを示している。
以上の付着異物とし、測定結果は初期値の何倍になった
かを示している。
この結果から、表面に導電性を有する透明i膜第2層を
付与することの優位性がうかがえる。
付与することの優位性がうかがえる。
(実施例3−1)
実施例1−1と同様の構造、すなわち、1層構造の透明
薄膜層を有する光情報記録媒体を以下のようにして作成
した。
薄膜層を有する光情報記録媒体を以下のようにして作成
した。
■光情報記録層の形成
ポリカーボネート樹脂からなる光情報記録媒体用基板(
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i Aj2ON層(誘電体層)
を100OA厚に、TbFeCo層(記録層)を30O
A厚に、S i Aj2ON層(保護層)を300人、
Aj2膜(反射層)を1000人順吹成膜し、光情報記
録層を形成した。
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i Aj2ON層(誘電体層)
を100OA厚に、TbFeCo層(記録層)を30O
A厚に、S i Aj2ON層(保護層)を300人、
Aj2膜(反射層)を1000人順吹成膜し、光情報記
録層を形成した。
つぎに、紫外線硬化樹脂を用いて実施例1−1で行った
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層をスピン
コード法により光情報記録層の上に形成した。
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層をスピン
コード法により光情報記録層の上に形成した。
■下地層の形成
光情報記録層を形成した面の裏面側に、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランのインブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層を形成した。
シプロピルトリメトキシシランのインブタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層を形成した。
この下地層の厚さは80人であった。
■無機透明薄膜層の形成
下地層を形成後、スパッタ装置の真空槽に基板を導入し
、その後lXl0−’torrまで排気した。ついで、
Arガスを1xlO−2torr導入し、Sin、より
なる透明薄膜層を成膜した。透明薄膜層のMpJは30
00人であった。
、その後lXl0−’torrまで排気した。ついで、
Arガスを1xlO−2torr導入し、Sin、より
なる透明薄膜層を成膜した。透明薄膜層のMpJは30
00人であった。
■電子線の照射
無機透明薄膜層を形成した後、この面の全面に電子線を
照射した。電子線は、1.6Mrad/Sの線量率、線
量8.OMradで、アルゴンガス雰囲気中で照射を行
った。
照射した。電子線は、1.6Mrad/Sの線量率、線
量8.OMradで、アルゴンガス雰囲気中で照射を行
った。
(実施例3−2)
本例では、透明薄膜層としてAizO3を用いた。
この点以外は実施例3−1と同様にしてサンプルを作成
した。
した。
透明薄膜層の膜厚は3000人であった。
(実施例3−3)
本例では、透明薄膜層としてZrO2を用いた。
この点以外は実施例3−1と同様にしてサンプルを作成
した。
した。
透明薄膜層の膜厚は3000人であった。
(実施例3−4)
本例では、透明薄膜層として、酸化チタンと酸化硅素の
複合膜を用いるサンプルを作成した。製法はスパッタリ
ング法により、酸化シリコンターケラト上に酸化チタン
チップを置き、RFスパッタにより作成した。透明薄膜
層の膜厚は3000人であった。
複合膜を用いるサンプルを作成した。製法はスパッタリ
ング法により、酸化シリコンターケラト上に酸化チタン
チップを置き、RFスパッタにより作成した。透明薄膜
層の膜厚は3000人であった。
ガス圧などの条件は実施例3−1とおなしとした。
この透明薄膜層のESCA分析によりおおよそその組成
は、St :Ti :O=2:1 :6 (原子比)で
あることが判明した。
は、St :Ti :O=2:1 :6 (原子比)で
あることが判明した。
湿度変化試験における基板の反り量の変化を第5図(a
)に示す。
)に示す。
温度変化試験における基板の反り量の変化を第5図(b
)に示す。
)に示す。
尚、反り量の測定は実施例1−1の場合と同様である。
第5図(a)および第5図(b)からもわかるように、
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化が小さかった。
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化が小さかった。
なお、上記4つのサンプルについて、80℃、90%R
Hに2時間放置し、ついで、1時間かけて温度を下げて
、−25℃X40%RHに2時間放置する冷熱サイクル
試験100回を行い、信号特性の変化について調べた結
果を表3に示す。
Hに2時間放置し、ついで、1時間かけて温度を下げて
、−25℃X40%RHに2時間放置する冷熱サイクル
試験100回を行い、信号特性の変化について調べた結
果を表3に示す。
表3
*C/Nは初期値を0とした。
*B、E、R,は初期の値を1とし、その何倍になった
かを示しである。
かを示しである。
(実施例4−1)
実施例2−1と同様の構造、すなわち多層構造の透明薄
膜層を有する光情報記録媒体を以下のようにして作成し
た。
膜層を有する光情報記録媒体を以下のようにして作成し
た。
■光情報記録層の形成
ポリカーボネート樹脂からなる光情報記録媒体用基板(
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i Aj2ON層(読電体層)を
100OA厚に、TbFeC。
130φ、厚さ1.2mm)上に、実施例1−1で行っ
たと同様にして、S i Aj2ON層(読電体層)を
100OA厚に、TbFeC。
層(記録層)を30OA厚に、S i AlloN層(
保護層)を30OA厚に、An膜(反射層)を1000
人順次成膜し、光情報記録層を形成した。
保護層)を30OA厚に、An膜(反射層)を1000
人順次成膜し、光情報記録層を形成した。
つぎに、紫外線硬化樹脂を用いて実施例1−1で行った
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層をスピン
コード法により光情報記録層の上に形成した。
と同様にして厚さ12μmのオーバーコート層をスピン
コード法により光情報記録層の上に形成した。
■下地層の形成
光情報記録層を形成した面の裏面側に、γ−グリシドキ
シプロピルトリメトキシシランのイソプタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層を形成した。
シプロピルトリメトキシシランのイソプタノール溶液(
1重量%)をスピンコーターで塗布し、90℃の熱風に
て5分間の加熱乾燥を行い下地層を形成した。
この下地層の厚さは20人であった。
■無機透明薄膜第1層の形成
下地層を形成後、スパッタ装置の真空槽に基板を導入し
、その後lXl0−’torrまで排気。
、その後lXl0−’torrまで排気。
ついで、Arガスを1xlO−2torr導入し、5i
02よりなる膜を成膜した。
02よりなる膜を成膜した。
■無機透明薄膜第2層の形成
無機透明薄膜第1層形成後、すず−インジウム合金のタ
ーゲットを用いて、酸素雰囲気中での反応性DCスパッ
タリング法により透明導電膜を成膜した。
ーゲットを用いて、酸素雰囲気中での反応性DCスパッ
タリング法により透明導電膜を成膜した。
第1層および第2層の膜厚の総和は3000人であった
。
。
■電子線の照射
無機透明薄膜第2層を形成した後、この面の全面に電子
線を照射した。電子線は、1.6M r a d /
sの線量率、線量8゜OMradで、アルゴンガス雰囲
気中で照射を行った。
線を照射した。電子線は、1.6M r a d /
sの線量率、線量8゜OMradで、アルゴンガス雰囲
気中で照射を行った。
(実施例4−2)
本例では、透明?V膜第1層としてAl2O2を用いた
。
。
この点以外は実施例4−1と同様にしてサンフルを作成
した。
した。
透明薄膜第1層と透明薄膜第2層の膜厚の総和は300
0人であった。
0人であった。
(実施例4−3)
透明薄膜第1層としてZ r O2を用いるな。
この点以外は実施例4−1と同様にしてサンプルを作成
した。
した。
透明薄膜第1層と透明薄Il!第2層の膜厚の総和は3
000人であった。
000人であった。
(実施例4−4)
本例では、透明薄膜第1層として、酸化チタンと酸化硅
素の複合膜を用いるサンプルを作成した。製法はスパッ
タリング法により、酸化シリコンターゲット上に酸化チ
タンチップを置き、RFスパッタにより作成した。
素の複合膜を用いるサンプルを作成した。製法はスパッ
タリング法により、酸化シリコンターゲット上に酸化チ
タンチップを置き、RFスパッタにより作成した。
透明薄膜第1層と透明薄膜第2層の膜厚の総和は300
0人であった。
0人であった。
ガス圧などの条件は実施例4−1とおなしである。
この膜のESCA分析によりおおよそその組成は、Si
:Ti :O=2: 1 :6 (原子比)であるこ
とが判明した。
:Ti :O=2: 1 :6 (原子比)であるこ
とが判明した。
以上のサンプルを用いて、実施例1−1について行った
と同様の方法で温湿度変化に対する試験を行った。
と同様の方法で温湿度変化に対する試験を行った。
尚、反り量の測定も実施例1−1の場合と同様とした。
湿度変化試験における基板の反り量の変化を第6図(a
)に示す。
)に示す。
温度変化試験における基板の反り量の変化を第6図(b
)に示す。
)に示す。
尚、反り量の測定は実施例1−1の場合と同様である。
第6図(a)および第6図(b)からもわかるように、
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化か小さかった。
本実施例のようにカップリング剤を介して無機材料から
なる透明薄膜を設けたサンプルではいずれも環境変化に
対する反り角の変化か小さかった。
上記の4つのサンプルについて、80℃、9゜%RHに
2時間放置し、ついで、1時間かけて温度を下げて、−
25℃×40%RHに2時間放置する冷熱サイクル試験
100回を行い、信号特性の変化について調べた結果を
表4に示す。
2時間放置し、ついで、1時間かけて温度を下げて、−
25℃×40%RHに2時間放置する冷熱サイクル試験
100回を行い、信号特性の変化について調べた結果を
表4に示す。
表4
*B、E、R,は初期の値を1とし、その何倍になった
かを示しである。
かを示しである。
(実施例4−5)
本例では、無機透明薄膜第2層を設けず、5i02のみ
を3000人成膜した。すなわち、本例は、無機透明薄
膜層を1層構造とした。
を3000人成膜した。すなわち、本例は、無機透明薄
膜層を1層構造とした。
この魚具外は実施例4−1と同様にして単板仕様の光情
報記録媒体を作成した。
報記録媒体を作成した。
実施例4−1〜4−5および比較例!−1の6つのサン
プルについて、実使用環境において3力月間使用し、そ
の間10日毎にカートリッジより取り出し、表面付着物
を光情報記録媒体用傷検査器(R3−3200:日立電
子エンジニアリング採製)によって測定した。
プルについて、実使用環境において3力月間使用し、そ
の間10日毎にカートリッジより取り出し、表面付着物
を光情報記録媒体用傷検査器(R3−3200:日立電
子エンジニアリング採製)によって測定した。
結果を第7図に示す。但し、観測するのは10μm以上
の付着異物とし、測定結果は初期値の何倍になったかを
示している。
の付着異物とし、測定結果は初期値の何倍になったかを
示している。
この結果から、表面に導電性を付与することの優位性が
うかがえる。
うかがえる。
[発明の効果]
本発明の光情報記録媒体は、透明薄膜が下地層を介して
非常に密着性よく形成されているため、先に述べた樹脂
基板の表裏による吸湿の差および熱膨張率の差を抑制す
ることができる。それゆえこれらによる機械的変形を著
しく抑制することが出来るようになった。
非常に密着性よく形成されているため、先に述べた樹脂
基板の表裏による吸湿の差および熱膨張率の差を抑制す
ることができる。それゆえこれらによる機械的変形を著
しく抑制することが出来るようになった。
また、透明薄膜層は無機材料により構成されているため
表面の硬度が高く、耐擦傷性が向上していることも効果
の1つに挙げられる。
表面の硬度が高く、耐擦傷性が向上していることも効果
の1つに挙げられる。
また、環境変化に対する機械的変形が抑制されることに
より、透明樹脂基板と屈電体膜との界面にかかるストレ
スが軽減された効果により環境試験などによる信号記録
再生特性の劣化が著しく改善される。
より、透明樹脂基板と屈電体膜との界面にかかるストレ
スが軽減された効果により環境試験などによる信号記録
再生特性の劣化が著しく改善される。
なお、樹脂製の基板を用いた光情報記録媒体においては
、実使用時におけるケースとの接触、湿度の影響、スピ
ンドルとハブとの接触、など様々な要因により、光情報
記録媒体内に静電気を貯めてしまう傾向にあり、このた
めゴミやほこりが付着し、B、E、R,が日々変化した
り、場合によっては光学ヘッドが光情報記録媒体と接触
してしまう危険性もある。これに対し、透明薄膜層を多
層とし、最表面に導電性を付与した場合における本発明
の光情報記録媒体は、光情報記録媒体内に貯った静電気
を大気中へと放出できるので、光情報記録媒体の使用環
境や、媒体表面のクリーニングなどに、煩わされる事な
く、安定した性能を維持して使用することができる。
、実使用時におけるケースとの接触、湿度の影響、スピ
ンドルとハブとの接触、など様々な要因により、光情報
記録媒体内に静電気を貯めてしまう傾向にあり、このた
めゴミやほこりが付着し、B、E、R,が日々変化した
り、場合によっては光学ヘッドが光情報記録媒体と接触
してしまう危険性もある。これに対し、透明薄膜層を多
層とし、最表面に導電性を付与した場合における本発明
の光情報記録媒体は、光情報記録媒体内に貯った静電気
を大気中へと放出できるので、光情報記録媒体の使用環
境や、媒体表面のクリーニングなどに、煩わされる事な
く、安定した性能を維持して使用することができる。
第1図は、実施例に係る光情報記録媒体の構造を示す概
念図である。 第2図は、実施例および比較例における温湿度変化試験
の結果を示すグラフである。 第3図は、他実施例および比較例における温湿度変化試
験の結果を示すグラフである。 第4図は、透明薄膜層を多層とした場合の効果を示すた
めのグラフである。 第5図は、さらに他実施例および比較例における温湿度
変化試験の結果を示すグラフである。 第6図は、さらに他実施例および比較例における温湿度
変化試験の結果を示すグラフである。 第7図は、透明薄膜層を多層とした場合の効果を示すた
めのグラフである。 (符号の説明) 1・・・透明樹脂基板、2・・・下地層、3・・・透明
薄膜層、4・・・屈電体層、5・・・光磁気記録層、6
・・・保護層、7・・・反射層、8・・・オーバーコー
ト層。 特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 廣 1) 馨 第 図(a) 第 図(b) 第 図(0)
念図である。 第2図は、実施例および比較例における温湿度変化試験
の結果を示すグラフである。 第3図は、他実施例および比較例における温湿度変化試
験の結果を示すグラフである。 第4図は、透明薄膜層を多層とした場合の効果を示すた
めのグラフである。 第5図は、さらに他実施例および比較例における温湿度
変化試験の結果を示すグラフである。 第6図は、さらに他実施例および比較例における温湿度
変化試験の結果を示すグラフである。 第7図は、透明薄膜層を多層とした場合の効果を示すた
めのグラフである。 (符号の説明) 1・・・透明樹脂基板、2・・・下地層、3・・・透明
薄膜層、4・・・屈電体層、5・・・光磁気記録層、6
・・・保護層、7・・・反射層、8・・・オーバーコー
ト層。 特許出願人 積水化学工業株式会社 代表者 廣 1) 馨 第 図(a) 第 図(b) 第 図(0)
Claims (1)
- (1)合成樹脂からなる光情報記録媒体用透明基板の一
方の面上に、誘電体層、記録層及び保護層を少なくとも
有する光情報記録層が形成され、他面上に、シランカッ
プリング剤もしくはチタンカップリング剤からなる下地
層を介して無機材料からなる透明薄膜層が形成されてい
ることを特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119072A JPH0414643A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2119072A JPH0414643A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414643A true JPH0414643A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14752190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2119072A Pending JPH0414643A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414643A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207214A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Microbial Chem Res Found | 全身性エリテマトーデス治療剤 |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP2119072A patent/JPH0414643A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62207214A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-11 | Microbial Chem Res Found | 全身性エリテマトーデス治療剤 |
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